JPH02168634A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02168634A JPH02168634A JP63324173A JP32417388A JPH02168634A JP H02168634 A JPH02168634 A JP H02168634A JP 63324173 A JP63324173 A JP 63324173A JP 32417388 A JP32417388 A JP 32417388A JP H02168634 A JPH02168634 A JP H02168634A
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- semiconductor pellet
- semiconductor
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 41
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ペレ
ットのダイボンディングに関する。
ットのダイボンディングに関する。
従来技術に関し、第411(a)、(b)を用いて説明
する。
する。
第4図(a)に示すように、ウェーハ9をフランジに固
定した厚さ20μmの円板状のブレード7を高速回転さ
せてダイシングすることによって半導体ペレットを準備
するか、ハーフカットの場合は、その後ブレーキングす
るとによって半導体ペレットを準備したのち、第4図(
b)に示すように二面テーバのコレット2により半導体
ペレット1を真空吸着し、セラミック基板内のダイアタ
ッチ面3にAu−3iろう材10を用いてダイボンディ
ングする。
定した厚さ20μmの円板状のブレード7を高速回転さ
せてダイシングすることによって半導体ペレットを準備
するか、ハーフカットの場合は、その後ブレーキングす
るとによって半導体ペレットを準備したのち、第4図(
b)に示すように二面テーバのコレット2により半導体
ペレット1を真空吸着し、セラミック基板内のダイアタ
ッチ面3にAu−3iろう材10を用いてダイボンディ
ングする。
ここで半導体ペレット1上面のエツジ部は、側面と直角
となり、ペレット吸着の際、このエツジ部とコレットの
テーパ面4とは、エツジ部コーナーで線接触していた。
となり、ペレット吸着の際、このエツジ部とコレットの
テーパ面4とは、エツジ部コーナーで線接触していた。
グイボンドの際は、430℃前後に加熱されたダイアタ
ッチ面3にAu−3iろう材10を置き、半導体ペレッ
ト1をコレット2で吸着保持したまま、ダイアタッチ面
3と平行にスクラブすることにより、Au−5tろう材
10を溶融させ、半導体ペレット1をダイアタッチ面3
にグイボンドしていた。
ッチ面3にAu−3iろう材10を置き、半導体ペレッ
ト1をコレット2で吸着保持したまま、ダイアタッチ面
3と平行にスクラブすることにより、Au−5tろう材
10を溶融させ、半導体ペレット1をダイアタッチ面3
にグイボンドしていた。
上述した従来の半導体装置の製造方法では、グイボンド
作業時に半導体ペレット上面エツジ部側面が直角となっ
ているため、コレット傾斜面4との接触部が線接触とな
っていて、接触部の面積は非常に小さい。そこで、大型
半導体ペレット(14mmX14mm前後)の場合は、
スクラブ時に、Au−5tろう材10の溶融状態が悪い
と、半導体ペレット上面エツジ部に加わる力が、小型半
導体ペレットより特に大きくなるため、半導体ペレット
1のエツジ部にチッピングが発生する危険性がある。ま
た、半導体ペレット上面エツジ部とコレット傾斜面4で
すべりが発生しやすく、コレット傾斜面4の先端部がペ
レット上面の配線にきず(以下これをコレットきずと呼
ぶ)を付ける不良が増加しやすいという欠点がある。
作業時に半導体ペレット上面エツジ部側面が直角となっ
ているため、コレット傾斜面4との接触部が線接触とな
っていて、接触部の面積は非常に小さい。そこで、大型
半導体ペレット(14mmX14mm前後)の場合は、
スクラブ時に、Au−5tろう材10の溶融状態が悪い
と、半導体ペレット上面エツジ部に加わる力が、小型半
導体ペレットより特に大きくなるため、半導体ペレット
1のエツジ部にチッピングが発生する危険性がある。ま
た、半導体ペレット上面エツジ部とコレット傾斜面4で
すべりが発生しやすく、コレット傾斜面4の先端部がペ
レット上面の配線にきず(以下これをコレットきずと呼
ぶ)を付ける不良が増加しやすいという欠点がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、表面側のエツジ部に
傾斜面又は段差部のある半導体ペレットを準備する工程
と、半導体ペレットの吸着面が凹状で前記傾斜面に対応
するテーバ面又は前記段差部の下段上面に対応する平面
を有するコレットで前記半導体ペレットを吸着保持して
半導体装置用容器にスクラブしダイボンディングを行う
工程とを有するというものである。
傾斜面又は段差部のある半導体ペレットを準備する工程
と、半導体ペレットの吸着面が凹状で前記傾斜面に対応
するテーバ面又は前記段差部の下段上面に対応する平面
を有するコレットで前記半導体ペレットを吸着保持して
半導体装置用容器にスクラブしダイボンディングを行う
工程とを有するというものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図(a)、(b)は本発明の第1の実施例を説明す
るための工程順に示す断面図である。
るための工程順に示す断面図である。
従来、フランジ6により固定されるブレード7の厚さが
20μmの円板状のものであったのに対し、第1図(a
)に示すように、ブレード17の厚さを200μm前後
まで厚くし、外周部をコレット12の傾斜面と同じ傾斜
を付けたブレード17によりダイシングを行う。ダイシ
ングされたウェーハ19のダイシング溝18の断面は、
三角形となり、ウェーハ19のブレーキングの際、ウェ
ーハ19は三角形の先端部から割れる。このようにする
と、第1図(b)に示すように、ダイアタッチ面13に
半導体ペレット11をダイボンドする際に二面テーパの
コレット12とペレット11の接触部において、半導体
ペレット11側の接触部を、コレット12側の接触面に
対して面接触となるようにエツジ部15に傾斜面を付け
、半導体ペレット11とコレット12の接触面積を大き
くすることができる。これによって半導体ペレット11
のエツジ部15に掛かるコレット12の加重を分散して
、コレット12によるすべりを防止し、半導体ペレット
11のエツジクラックやコレットきずを防止することが
できる。
20μmの円板状のものであったのに対し、第1図(a
)に示すように、ブレード17の厚さを200μm前後
まで厚くし、外周部をコレット12の傾斜面と同じ傾斜
を付けたブレード17によりダイシングを行う。ダイシ
ングされたウェーハ19のダイシング溝18の断面は、
三角形となり、ウェーハ19のブレーキングの際、ウェ
ーハ19は三角形の先端部から割れる。このようにする
と、第1図(b)に示すように、ダイアタッチ面13に
半導体ペレット11をダイボンドする際に二面テーパの
コレット12とペレット11の接触部において、半導体
ペレット11側の接触部を、コレット12側の接触面に
対して面接触となるようにエツジ部15に傾斜面を付け
、半導体ペレット11とコレット12の接触面積を大き
くすることができる。これによって半導体ペレット11
のエツジ部15に掛かるコレット12の加重を分散して
、コレット12によるすべりを防止し、半導体ペレット
11のエツジクラックやコレットきずを防止することが
できる。
第2図(a>、(b)は第1の実施例の製造方法の変形
を説明するための工程順に示す断面図である。
を説明するための工程順に示す断面図である。
第1図(a>に示したブレードでは、ウェーハの結晶方
向によってはブレーキングするのに十分な深さのダイシ
ング溝をつけられないことがある。そこで第2図(a)
に示すように、円板の周辺部と中央部の厚さをそれぞれ
20μmと200μmにし間を傾斜部でつないだ構造の
ブレード17′を用いてダイシングし、表面部に傾斜の
ある深いダイシング溝18′をつけたのちブレーキング
すればよい。
向によってはブレーキングするのに十分な深さのダイシ
ング溝をつけられないことがある。そこで第2図(a)
に示すように、円板の周辺部と中央部の厚さをそれぞれ
20μmと200μmにし間を傾斜部でつないだ構造の
ブレード17′を用いてダイシングし、表面部に傾斜の
ある深いダイシング溝18′をつけたのちブレーキング
すればよい。
第3図(a>、(b)は本発明の第2の実施例を説明す
るための工程順に示す断面図である。
るための工程順に示す断面図である。
第3図(a)に示すように、周辺部が20μm中央部が
200μm″′C′厚さが段階状に変化しているブレー
ド27を用いることにより段階状のダイシング溝28を
つけたのちブレーキングを行う。
200μm″′C′厚さが段階状に変化しているブレー
ド27を用いることにより段階状のダイシング溝28を
つけたのちブレーキングを行う。
そうすると、第3図(b)に示すように、半導体ペレッ
ト21上面のエツジ部に階段状の段差部を設けることが
できる。コレット22は、下段の段差部上面及び半導体
ペレット21側壁面と平行に接する平面を有し、半導体
ペレット21上面の配線面及びそのエッチ部に接触しな
い構造のものを用いる。
ト21上面のエツジ部に階段状の段差部を設けることが
できる。コレット22は、下段の段差部上面及び半導体
ペレット21側壁面と平行に接する平面を有し、半導体
ペレット21上面の配線面及びそのエッチ部に接触しな
い構造のものを用いる。
この実施例では、ダイアタッチ面23に平行なスクラブ
方向に対し、垂直な面に力が加わるため、半導体ペレッ
ト21のコレット22に対するホールド性が第1の実施
例より優れている利点がある。
方向に対し、垂直な面に力が加わるため、半導体ペレッ
ト21のコレット22に対するホールド性が第1の実施
例より優れている利点がある。
上述したように本発明は、半導体ペレット上面のエツジ
部に傾斜面又は段差部を設け、コレットもそれに相応す
るものを使用することによって、半導体ペレットをスク
ラブさせる時の横方向の力を面で受けることができる。
部に傾斜面又は段差部を設け、コレットもそれに相応す
るものを使用することによって、半導体ペレットをスク
ラブさせる時の横方向の力を面で受けることができる。
従って、グイボンド時のスクラブ動作を複雑かつ微妙な
軌跡にすることが可能で、しかもチップに対するコレッ
トのすべりを防止でき、コレットきず、チッピング、シ
リコンクズ、汚れなどの付着を防止でき、ダイボンドの
歩留向上に効果がある。
軌跡にすることが可能で、しかもチップに対するコレッ
トのすべりを防止でき、コレットきず、チッピング、シ
リコンクズ、汚れなどの付着を防止でき、ダイボンドの
歩留向上に効果がある。
るための工程順に示す断面図、第3図(a)(b)は第
2の実施例を説明するための工程順に示す断面図、第4
図(a)、(b)は従来例を説明するための工程順に示
す斜視断面図である。
2の実施例を説明するための工程順に示す断面図、第4
図(a)、(b)は従来例を説明するための工程順に示
す斜視断面図である。
1.11.11’、21・・・半導体ペレット、2 1
2.12’、22・・・コレット、3,13゜13’
23・・・ダイアタッチ面、4・・・コレットのテ
ーパ面、5,15.15’、25・・・ペレット上面の
エツジ部、6,16.16’、26・・・フランジ、7
,17.17’ 、27・・・ブレード、8゜18.1
8’ 、28・・・ダイシング講、9,19゜19′・
・・ウェーハ、1o・・・Au−3iろう材。
2.12’、22・・・コレット、3,13゜13’
23・・・ダイアタッチ面、4・・・コレットのテ
ーパ面、5,15.15’、25・・・ペレット上面の
エツジ部、6,16.16’、26・・・フランジ、7
,17.17’ 、27・・・ブレード、8゜18.1
8’ 、28・・・ダイシング講、9,19゜19′・
・・ウェーハ、1o・・・Au−3iろう材。
Claims (1)
- 表面側のエッジ部に傾斜面又は段差部のある半導体ペレ
ットを準備する工程と、半導体ペレットの吸着面が凹状
で前記傾斜面に対応するテーパ面又は前記段差部の下段
上面に対応する平面を有するコレットで前記半導体ペレ
ットを吸着保持して半導体装置用容器にスクラブしダイ
ボンディングを行う工程とを有することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63324173A JPH02168634A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63324173A JPH02168634A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02168634A true JPH02168634A (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=18162911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63324173A Pending JPH02168634A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02168634A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018129434A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018129424A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2019512890A (ja) * | 2016-04-08 | 2019-05-16 | レイセオン カンパニー | 直接読み取りピクセルアライメント |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP63324173A patent/JPH02168634A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019512890A (ja) * | 2016-04-08 | 2019-05-16 | レイセオン カンパニー | 直接読み取りピクセルアライメント |
JP2018129434A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018129424A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10446725B2 (en) | 2017-02-09 | 2019-10-15 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10504876B2 (en) | 2017-02-09 | 2019-12-10 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
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