JPH02162749A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02162749A JPH02162749A JP31900588A JP31900588A JPH02162749A JP H02162749 A JPH02162749 A JP H02162749A JP 31900588 A JP31900588 A JP 31900588A JP 31900588 A JP31900588 A JP 31900588A JP H02162749 A JPH02162749 A JP H02162749A
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- Japan
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- oxide film
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- polysilicon
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は集積回路を作成するための半導体装置の製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
第2図は従来の半導体装置の製造方法を説明するための
半導体装置の製造過程を示す図である。
半導体装置の製造過程を示す図である。
図において、5はシリコン基板、4はシリコン基板5上
に形成された下敷酸化膜、3は下敷酸化膜4上に形成さ
れたポリシリコン膜である。ポリシリコン膜3上には耐
酸化マスク材としての窒化膜1がパターニングされてい
る。また、6は素子分離酸化膜生成時に発生するストレ
スを受けたポリシリコン膜、7は素子分離酸化股、8は
ストレスを受けたポリシリコン膜の欠け、9はシリコン
基板5の剪れ、lOは素子分離酸化l!27の酸化膜突
起である。
に形成された下敷酸化膜、3は下敷酸化膜4上に形成さ
れたポリシリコン膜である。ポリシリコン膜3上には耐
酸化マスク材としての窒化膜1がパターニングされてい
る。また、6は素子分離酸化膜生成時に発生するストレ
スを受けたポリシリコン膜、7は素子分離酸化股、8は
ストレスを受けたポリシリコン膜の欠け、9はシリコン
基板5の剪れ、lOは素子分離酸化l!27の酸化膜突
起である。
次にこの従来の製造方法を説明する。第2図(1)に示
すようにシリコン基板5上に下敷酸化膜4とポリシリコ
ン膜3とが成膜され、更にポリシリコン膜3上に窒化膜
1がパターニングされる。
すようにシリコン基板5上に下敷酸化膜4とポリシリコ
ン膜3とが成膜され、更にポリシリコン膜3上に窒化膜
1がパターニングされる。
次にこの半導体装置を酸化させると、第2図(2)に示
すように素子分離酸化wA7が形成され、この時、ポリ
シリコンb43中にはストレスの発生したポリシリコン
膜6ができる。次に窒化膜1をウェットエツチングによ
り除去すると、第2図(3)に示すようにポリシリコン
1IG13にはポリシリコン膜の欠け8ができる。更に
ポリシリコン膜3をドライエツチングにより除去すると
、82図(4)に示すように最終的に素子分離酸化膜7
が形成されるが、シリコン基板5にはドライエツチング
によりシリコン基板5のなりれ9が発生する。また、素
子分離酸化M7には窒化膜lとポリシリコン膜3との界
面において成長する酸化膜(図示せず)が残ってしまい
、その結果、酸化膜突起10ができる。
すように素子分離酸化wA7が形成され、この時、ポリ
シリコンb43中にはストレスの発生したポリシリコン
膜6ができる。次に窒化膜1をウェットエツチングによ
り除去すると、第2図(3)に示すようにポリシリコン
1IG13にはポリシリコン膜の欠け8ができる。更に
ポリシリコン膜3をドライエツチングにより除去すると
、82図(4)に示すように最終的に素子分離酸化膜7
が形成されるが、シリコン基板5にはドライエツチング
によりシリコン基板5のなりれ9が発生する。また、素
子分離酸化M7には窒化膜lとポリシリコン膜3との界
面において成長する酸化膜(図示せず)が残ってしまい
、その結果、酸化膜突起10ができる。
従来の半導体装置の製造方法は、上述したようになされ
るので、不要領域の窒化膜及びポリシリコン膜を除去す
る場合にポリシリコン膜の一部が欠除し、これにより基
板の創れが生じ、また、素子分離酸化膜には酸化膜突起
が残るなどの問題点があった。
るので、不要領域の窒化膜及びポリシリコン膜を除去す
る場合にポリシリコン膜の一部が欠除し、これにより基
板の創れが生じ、また、素子分離酸化膜には酸化膜突起
が残るなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、基板の奇Uれを防止することができると共に
、酸化膜突起もほとんど無くすることができる半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
たもので、基板の奇Uれを防止することができると共に
、酸化膜突起もほとんど無くすることができる半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
この発明に係る製造方法は、ポリシリコン膜3と窒化膜
1との間に酸化膜(ストッパー酸化膜2)を設けてから
、窒化膜1を耐酸化マスク材としてポリシリコン膜3を
酸化して素子分離酸化膜7を形成することを特徴とする
ものである。−〔作用〕 この製造方法においては、不要となった窒化膜1を例え
ばウェットエツチングにより除去する際に、ストレスの
発生したポリシリコン膜3の欠けは酸化膜(ストッパー
酸化膜2)の被覆によって防止され、かつ次工程の酸化
膜の除去時に窒化膜1とポリシリコン膜3との界面で成
長する酸化膜突起がほとんど取り除かれる。
1との間に酸化膜(ストッパー酸化膜2)を設けてから
、窒化膜1を耐酸化マスク材としてポリシリコン膜3を
酸化して素子分離酸化膜7を形成することを特徴とする
ものである。−〔作用〕 この製造方法においては、不要となった窒化膜1を例え
ばウェットエツチングにより除去する際に、ストレスの
発生したポリシリコン膜3の欠けは酸化膜(ストッパー
酸化膜2)の被覆によって防止され、かつ次工程の酸化
膜の除去時に窒化膜1とポリシリコン膜3との界面で成
長する酸化膜突起がほとんど取り除かれる。
第1図はこの発明の一実施例に係る半導体装置の製造方
法を説明するための半導体装置の製造過程を示す図であ
る。第1図において、第2図に示す構成要素に対応する
ものには同一の符号を付し、その説明を省略する。第1
図において、2はポリシリコン膜3と窒化膜1との間に
設けられシリコン基板5の刺れ防止用のストッパー酸化
膜である。
法を説明するための半導体装置の製造過程を示す図であ
る。第1図において、第2図に示す構成要素に対応する
ものには同一の符号を付し、その説明を省略する。第1
図において、2はポリシリコン膜3と窒化膜1との間に
設けられシリコン基板5の刺れ防止用のストッパー酸化
膜である。
次にこの実施例の製造方法を説明する。第1図(1)に
示すようにシリコン基板5上に下敷酸化BfJ44とポ
リシリコン膜3とが成膜され、更にポリシリコン1!I
3上にストッパー酸化膜2と窒化R1とがパターニング
される。次にこの半導体装置を酸化させると、第1図(
2)に示すように素子分離酸化!I7が形成される。こ
の時、ポリシリコン膜3中にはストレスの発生したポリ
シリコン膜6ができる。次に第1図(3)に示すように
窒化膜1をウェットエツチングにより除去すると、スト
ッパー酸化膜2の被覆力によってストレスの発生したポ
リシリコンの欠けは見られない、更に第1図(4)に示
すようにストッパー酸化膜2を除去すると、酸化膜突起
(図示せず)も同時に除去される。最後に第1図(5)
に示すように不要部分のポリシリコン膜3をドライエツ
チングにより除去すると、シリコン基板5の含ツれや酸
化膜突起もほとんど無い、良好な素子分離酸化膜7が形
成される。
示すようにシリコン基板5上に下敷酸化BfJ44とポ
リシリコン膜3とが成膜され、更にポリシリコン1!I
3上にストッパー酸化膜2と窒化R1とがパターニング
される。次にこの半導体装置を酸化させると、第1図(
2)に示すように素子分離酸化!I7が形成される。こ
の時、ポリシリコン膜3中にはストレスの発生したポリ
シリコン膜6ができる。次に第1図(3)に示すように
窒化膜1をウェットエツチングにより除去すると、スト
ッパー酸化膜2の被覆力によってストレスの発生したポ
リシリコンの欠けは見られない、更に第1図(4)に示
すようにストッパー酸化膜2を除去すると、酸化膜突起
(図示せず)も同時に除去される。最後に第1図(5)
に示すように不要部分のポリシリコン膜3をドライエツ
チングにより除去すると、シリコン基板5の含ツれや酸
化膜突起もほとんど無い、良好な素子分離酸化膜7が形
成される。
以上のように本発明によれば、ポリシリコン膜と窒化膜
との間にシリコン基板の刺れ防止用のストッパー酸化膜
を設けてから、窒化膜を耐酸化マスク材としてポリシリ
コン膜を酸化して素子分離酸化膜を形成するようにした
ので、ストレスの発生したポリシリコン膜の欠けはスト
ッパー酸化膜の被覆によって防止され、かつ、窒化膜と
ポリシリコン膜との界面で成長する酸化膜突起がほとん
ど取り除かれ、したがってシリコン基板の剖れや酸化膜
突起がほとんど無い、精度の高い半導体装置を提供でき
るという効果が得られる。
との間にシリコン基板の刺れ防止用のストッパー酸化膜
を設けてから、窒化膜を耐酸化マスク材としてポリシリ
コン膜を酸化して素子分離酸化膜を形成するようにした
ので、ストレスの発生したポリシリコン膜の欠けはスト
ッパー酸化膜の被覆によって防止され、かつ、窒化膜と
ポリシリコン膜との界面で成長する酸化膜突起がほとん
ど取り除かれ、したがってシリコン基板の剖れや酸化膜
突起がほとんど無い、精度の高い半導体装置を提供でき
るという効果が得られる。
第1図(1)〜(5)はこの発明の一実施例に係る半導
体装置の製造方法を説明するための半導体装置の製造過
程を示す図、第2図(1)〜(4)は従来の半導体装置
の製造方法を説明するための半導体装置の製造過程を示
す図である 1・・・窒化膜、2・・・ストッパー酸化膜(酸化膜)
、3・・・ポリシリコン膜、5・・・シリコン基板、 素子分離酸イヒ膜。 第1 図
体装置の製造方法を説明するための半導体装置の製造過
程を示す図、第2図(1)〜(4)は従来の半導体装置
の製造方法を説明するための半導体装置の製造過程を示
す図である 1・・・窒化膜、2・・・ストッパー酸化膜(酸化膜)
、3・・・ポリシリコン膜、5・・・シリコン基板、 素子分離酸イヒ膜。 第1 図
Claims (1)
- 基板上に設けられたポリシリコン膜上にパターニングさ
れた窒化膜を耐酸化マスク材として上記ポリシリコン膜
を酸化して素子分離酸化膜を形成する半導体装置の製造
方法において、上記酸化の前に、上記ポリシリコン膜と
上記窒化膜との間に酸化膜を設けたことを特徴とする半
導体製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31900588A JPH02162749A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31900588A JPH02162749A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02162749A true JPH02162749A (ja) | 1990-06-22 |
Family
ID=18105437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31900588A Pending JPH02162749A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02162749A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19507279A1 (de) * | 1994-11-11 | 1996-05-15 | Gold Star Electronics | Isolierverfahren für Halbleiterbauelemente |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62290146A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-15 JP JP31900588A patent/JPH02162749A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62290146A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19507279A1 (de) * | 1994-11-11 | 1996-05-15 | Gold Star Electronics | Isolierverfahren für Halbleiterbauelemente |
DE19507279B4 (de) * | 1994-11-11 | 2005-10-13 | Goldstar Electron Co., Ltd., Cheongju | Verfahren zum Bilden eines isolierenden Bereichs in einem Halbleiterbauelement |
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