JPH0215228A - 光ファイバ型ファブリペロー共振器 - Google Patents
光ファイバ型ファブリペロー共振器Info
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- JPH0215228A JPH0215228A JP16622888A JP16622888A JPH0215228A JP H0215228 A JPH0215228 A JP H0215228A JP 16622888 A JP16622888 A JP 16622888A JP 16622888 A JP16622888 A JP 16622888A JP H0215228 A JPH0215228 A JP H0215228A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、印加電圧によって共振器長が変化し、透過光
の波長を可変とする掃引型の光ファイバ型ファブリペロ
−共振器の構造に関するものである。
の波長を可変とする掃引型の光ファイバ型ファブリペロ
−共振器の構造に関するものである。
（従来の技術）
従来の光ファイバ型ファブリペロ−共振器の設計は、以
下のように行なわれている。まず、ファブリペロ−共振
器の性能を示すフィネスｆは、反射鏡の反射率をＲとす
ると、次式で表される。
下のように行なわれている。まず、ファブリペロ−共振
器の性能を示すフィネスｆは、反射鏡の反射率をＲとす
ると、次式で表される。
ｆ−πＦ／２ ・・・（１）Ｆ
＝４Ｒ／ （１−Ｒ） ２ ・・・（２）
ファブリペロ−共振器の周波数間隔Δｆは、Δｆ＝Ｖ／
２Ｌ ・・・（３）で表される。
＝４Ｒ／ （１−Ｒ） ２ ・・・（２）
ファブリペロ−共振器の周波数間隔Δｆは、Δｆ＝Ｖ／
２Ｌ ・・・（３）で表される。
ここで、■は光ファイバ中の光の速度、Ｌは光ファイバ
長である。
長である。
上記において、例えばフィネスｆを１００とするには反
射率Ｒを９６．７％としなければならない。
射率Ｒを９６．７％としなければならない。
また、波長１．３０μｍにおける光ファイバ中の光速Ｖ
は２．００７８ Ｘ １０１−ｍ／ ｓｅｅであるから
、周波数間隔Δｆが１０ＧＨｚの場合、光ファイバ長し
は１０．０３９＋ｎｍとなる。従って、周波数間隔Δｆ
を１０ＧＨｚオーダーで制御するためには、ファブリペ
ロ−共振器の長さをミクロン精度で構成する必要がある
。
は２．００７８ Ｘ １０１−ｍ／ ｓｅｅであるから
、周波数間隔Δｆが１０ＧＨｚの場合、光ファイバ長し
は１０．０３９＋ｎｍとなる。従って、周波数間隔Δｆ
を１０ＧＨｚオーダーで制御するためには、ファブリペ
ロ−共振器の長さをミクロン精度で構成する必要がある
。
しかし、光ファイバ型ファブリペロ−共振器の長さをミ
クロン精度で構成することは極めて困難である。
クロン精度で構成することは極めて困難である。
従来、この問題点を解決するため、第２図に示すように
、光ファイバ１の両端に、多層膜反射鏡２ａ、 ２ｂ
を蒸着したガラス板３ａ、３ｂを接着剤ＥＡで接着、固
定し、かつ板状圧電素子４を接着剤ＥＡで光ファイバ１
に固定した構成として、信号発生器５により、板状圧電
素子４に電圧を印加して曲げ変位を付与し、光ファイバ
１の長さを変化させて、所望の周波数間隔Δｆを得てい
た。
、光ファイバ１の両端に、多層膜反射鏡２ａ、 ２ｂ
を蒸着したガラス板３ａ、３ｂを接着剤ＥＡで接着、固
定し、かつ板状圧電素子４を接着剤ＥＡで光ファイバ１
に固定した構成として、信号発生器５により、板状圧電
素子４に電圧を印加して曲げ変位を付与し、光ファイバ
１の長さを変化させて、所望の周波数間隔Δｆを得てい
た。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記構成による光ファイバ型ファブリペ
ロ−共振器によれば、変位量が小さいため、掃引周波数
を大きくすることができず、また、接着位置が２箇所あ
るので、長期的安定性に欠け、長期間の動作を保証でき
ないという問題点があった。
ロ−共振器によれば、変位量が小さいため、掃引周波数
を大きくすることができず、また、接着位置が２箇所あ
るので、長期的安定性に欠け、長期間の動作を保証でき
ないという問題点があった。
さらに、光ファイバ型ファブリペロ−共振器の両端に光
ファイバを接続する場合、その両端面が反射面であるの
ため、ファブリペロ−共振器の光ファイバのコアの位置
を見い出すことが困難で、光ファイバ間の位置合わせと
、両者の光ファイバの固定が極めて困難であるという間
通点を有していた。
ファイバを接続する場合、その両端面が反射面であるの
ため、ファブリペロ−共振器の光ファイバのコアの位置
を見い出すことが困難で、光ファイバ間の位置合わせと
、両者の光ファイバの固定が極めて困難であるという間
通点を有していた。
上記問題点に鑑み、請求項（１）の目的は、掃引周波数
を大きくでき、しかも低い電力により高効率に長期間安
定して動作することのできる掃引型の光ファイバ型ファ
ブリペロ−共振器を提供することにある。
を大きくでき、しかも低い電力により高効率に長期間安
定して動作することのできる掃引型の光ファイバ型ファ
ブリペロ−共振器を提供することにある。
また、請求項（２）の目的は、請求項（１）の目的に加
えて、光ファイバ間の接続処理を行なうことなく長期間
安定に、かつ低損失に動作することのできる掃引型の光
ファイバ型ファブリペロ−共振器を提供することにある
。
えて、光ファイバ間の接続処理を行なうことなく長期間
安定に、かつ低損失に動作することのできる掃引型の光
ファイバ型ファブリペロ−共振器を提供することにある
。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するため、請求項（１）では、圧電素子
と、該圧電素子の電界印加方向とファイバ軸方向とが平
行となる如く前記圧電素子に固定された光ファイバと、
該光ファイバの両端面に配設、固定した多層膜反射鏡と
を備えた。
と、該圧電素子の電界印加方向とファイバ軸方向とが平
行となる如く前記圧電素子に固定された光ファイバと、
該光ファイバの両端面に配設、固定した多層膜反射鏡と
を備えた。
また、請求項（２）では、圧電素子と、該圧電素子の電
界印加方向とファイバ軸方向とが平行となる如く前記圧
電素子に固定された光ファイバと、該光ファイバに所定
間隔をおいてファイバ軸と直角に形成された二つの溝と
、各々の溝に挿入、固定された２個の多層膜反射鏡とを
備えた。
界印加方向とファイバ軸方向とが平行となる如く前記圧
電素子に固定された光ファイバと、該光ファイバに所定
間隔をおいてファイバ軸と直角に形成された二つの溝と
、各々の溝に挿入、固定された２個の多層膜反射鏡とを
備えた。
（作 用）
請求項（１）によれば、圧電素子に対して所定の電圧が
印加されると光ファイバのファイバ軸方向と平行に電界
が印加されてひずみが生じ、光ファイバ長が長く、即ち
、光ファイバ型ファブリペロ−共振器が長くなる。従っ
て、印加電圧の大きさが種々選定されて、光ファイバ型
ファブリペロ−共振器長が変化し、所望の周波数間隔が
得られることになる。
印加されると光ファイバのファイバ軸方向と平行に電界
が印加されてひずみが生じ、光ファイバ長が長く、即ち
、光ファイバ型ファブリペロ−共振器が長くなる。従っ
て、印加電圧の大きさが種々選定されて、光ファイバ型
ファブリペロ−共振器長が変化し、所望の周波数間隔が
得られることになる。
また請求項（２）によれば、請求項（１）の作用に加え
、当該ファブリペロ−共振器の光ファイバと外部の光フ
ァイバとの光学的接続が自動的に完了する。
、当該ファブリペロ−共振器の光ファイバと外部の光フ
ァイバとの光学的接続が自動的に完了する。
（実施例）
第１図は本発明による掃引型の光ファイバ型ファブリペ
ロ−共振器の第１の実施例を示すもので、第１図（ａ）
はその縦断側面図、第１図（ｂ）は光ファイバの軸と直
角方向における断面図である。図中、１０は圧電素子１
０ａが１０個積層された積層型圧電素子で、各圧電素子
１０ａ間には後述する光ファイバ１３の軸方向に電界が
印加されるように電極Ｔが配設しである。ｌｌａ、ｌｌ
ｂは無電極のダミイの圧電磁器で、積層型圧電素子１０
の両端にそれぞれ接着されている。１２は積層型圧電素
子１０と圧電磁器１１ａ及びｌｌｂに亘って直線状に形
成された溝で、後述する光ファイバ１３の直径とほぼ同
程度の幅を有する。１３はカットオフ波長１，１２μｍ
の単一モード光ファイバ（以下、単に光ファイバと称す
）、１３ａは光ファイバ１３のコア、１３ｂは光ファイ
バ］３のクラッドで、光ファイバ１３は前記溝１２に挿
入され、この溝１２にエポキシ系接着剤ＥＡにより固定
されている。１４ａ、１４ｂは波長１．３０７ｚｍにお
ける透過率０．５％の多層膜反射鏡で、光ファイバ］３
の両端面から圧電磁器１１ａ、ｌｌｂのそれぞれの両端
面に亘って、蒸着により形成されている。１５は電極Ｔ
に電圧を印加する信号発生器である。
ロ−共振器の第１の実施例を示すもので、第１図（ａ）
はその縦断側面図、第１図（ｂ）は光ファイバの軸と直
角方向における断面図である。図中、１０は圧電素子１
０ａが１０個積層された積層型圧電素子で、各圧電素子
１０ａ間には後述する光ファイバ１３の軸方向に電界が
印加されるように電極Ｔが配設しである。ｌｌａ、ｌｌ
ｂは無電極のダミイの圧電磁器で、積層型圧電素子１０
の両端にそれぞれ接着されている。１２は積層型圧電素
子１０と圧電磁器１１ａ及びｌｌｂに亘って直線状に形
成された溝で、後述する光ファイバ１３の直径とほぼ同
程度の幅を有する。１３はカットオフ波長１，１２μｍ
の単一モード光ファイバ（以下、単に光ファイバと称す
）、１３ａは光ファイバ１３のコア、１３ｂは光ファイ
バ］３のクラッドで、光ファイバ１３は前記溝１２に挿
入され、この溝１２にエポキシ系接着剤ＥＡにより固定
されている。１４ａ、１４ｂは波長１．３０７ｚｍにお
ける透過率０．５％の多層膜反射鏡で、光ファイバ］３
の両端面から圧電磁器１１ａ、ｌｌｂのそれぞれの両端
面に亘って、蒸着により形成されている。１５は電極Ｔ
に電圧を印加する信号発生器である。
次に、上記構成を有する光ファイバ型ファブリペロ−共
振器の作製方法及びその動作を説明する。
振器の作製方法及びその動作を説明する。
まず、ダミイの圧電磁器１１ ａ、 （１ｌ ｂ）の
端部から積層型圧電素子１０を介してダミイの圧電磁器
１１ｂ（ｌｌａ）の端部に至る、光ファイバ１３の直径
とほぼ同程度の直径の溝１２をダイシングにより形成し
、この溝１２に光ファイバ１３を挿入し、エポキシ系接
着剤ＥＡで固定する。
端部から積層型圧電素子１０を介してダミイの圧電磁器
１１ｂ（ｌｌａ）の端部に至る、光ファイバ１３の直径
とほぼ同程度の直径の溝１２をダイシングにより形成し
、この溝１２に光ファイバ１３を挿入し、エポキシ系接
着剤ＥＡで固定する。
続いて、光ファイバ１３の長さが１０ 、０３ ｍｍと
なるように光ファイバ１３の両端をダミイの圧電磁器１
１ａ、ｌｌｂと共に研磨後、波長１．．３０μｍにおけ
る透過率０．５％の多層膜反射鏡１４ａ、：ｌ−４ｂを
、蒸着により形成して、作製か完了する。
なるように光ファイバ１３の両端をダミイの圧電磁器１
１ａ、ｌｌｂと共に研磨後、波長１．．３０μｍにおけ
る透過率０．５％の多層膜反射鏡１４ａ、：ｌ−４ｂを
、蒸着により形成して、作製か完了する。
このようにして作製された光ファイバ型ファブリペロ−
共振器の各電極Ｔに信号発生器］５により電圧を印加す
ると、光ファイバ千３の軸方向と平行に電界が印加され
て圧電効果によってひずみが生じ、これにより、光ファ
イバ１３の長さか長く、即ち、ファブリペロ−共振器長
が長くなる。
共振器の各電極Ｔに信号発生器］５により電圧を印加す
ると、光ファイバ千３の軸方向と平行に電界が印加され
て圧電効果によってひずみが生じ、これにより、光ファ
イバ１３の長さか長く、即ち、ファブリペロ−共振器長
が長くなる。
従って、水弟１の実施例によれば、信号発生器１５によ
る印加電圧の大きさを変化させることにより、光ファイ
バ型ファブリペロ−共振器長を種々選定でき、所望の周
波数間隔を容易かつ安定して、しかも低電力で得ること
かできる。また、光ファイバ］３は積層型圧電素子１０
及び圧電磁器１１ａ、ｌｌｂに亘って形成された溝１２
内に固定されているので、長期的に安定した動作が可能
である。
る印加電圧の大きさを変化させることにより、光ファイ
バ型ファブリペロ−共振器長を種々選定でき、所望の周
波数間隔を容易かつ安定して、しかも低電力で得ること
かできる。また、光ファイバ］３は積層型圧電素子１０
及び圧電磁器１１ａ、ｌｌｂに亘って形成された溝１２
内に固定されているので、長期的に安定した動作が可能
である。
実際、水弟１の実施例によるファブリペロ−共振器の両
端に、光ファイバ１３と同一構造パラメータを有する光
ファイバを、Ｈｅ−Ｎｅレーサで軸合わせを行なって接
続し、波長１．３０μｍのＤＦＢ半導体レーザて７１１
１１定した結果、信号発生器１５による電極Ｔへの印加
電圧が零の場合には、周波数間隔Δｆが１０ＧＨｚでフ
ィネスｆは３００を得ることができ、摘入損失は０．２
ｄＢであった。また、信号発生器１５により電極Ｔに±
１００■の電圧を印加した結果、±２ Ｍ Ｈｚの周波
数変位を得ることができた。
端に、光ファイバ１３と同一構造パラメータを有する光
ファイバを、Ｈｅ−Ｎｅレーサで軸合わせを行なって接
続し、波長１．３０μｍのＤＦＢ半導体レーザて７１１
１１定した結果、信号発生器１５による電極Ｔへの印加
電圧が零の場合には、周波数間隔Δｆが１０ＧＨｚでフ
ィネスｆは３００を得ることができ、摘入損失は０．２
ｄＢであった。また、信号発生器１５により電極Ｔに±
１００■の電圧を印加した結果、±２ Ｍ Ｈｚの周波
数変位を得ることができた。
第３図は、本発明による光ファイバ型ファブリペロ−共
振器の第２の実施例を示す縦断側面図である。水弟２の
実施例と前記第１の実施例の異なる点は、光ファイバ１
３の両端面及び圧電磁器１１、ａ １．１ｂの端面に
多層膜反射膜を蒸着して形成する代わりに、波長１．３
０μｍにおける透過率０．５％、厚さ１００μｍの薄片
ガラス多層膜反射鏡１６ａ、１６ｂをエポキシ系接着剤
ＥＡにより、接着、固定したことにある。
振器の第２の実施例を示す縦断側面図である。水弟２の
実施例と前記第１の実施例の異なる点は、光ファイバ１
３の両端面及び圧電磁器１１、ａ １．１ｂの端面に
多層膜反射膜を蒸着して形成する代わりに、波長１．３
０μｍにおける透過率０．５％、厚さ１００μｍの薄片
ガラス多層膜反射鏡１６ａ、１６ｂをエポキシ系接着剤
ＥＡにより、接着、固定したことにある。
このような構成を有する水弟２の実施例の光ファイバ型
ファブリペロ−共振器の両端に、光ファイバ１３と同一
構造パラメータを有する光ファイバを軸合わせを行なっ
て接続し、波長１，３０μｍのＤＦＢ半導体レーザでｆ
ｆ１ｌｌ定した結果、信号発生器］５による電極Ｔへの
印加電圧か零の場合には、周波数間隔Δｆが１０ＧＨｚ
でフィネスｆは１００を得ることができ、挿入損失は１
、１ｄＢであった。
ファブリペロ−共振器の両端に、光ファイバ１３と同一
構造パラメータを有する光ファイバを軸合わせを行なっ
て接続し、波長１，３０μｍのＤＦＢ半導体レーザでｆ
ｆ１ｌｌ定した結果、信号発生器］５による電極Ｔへの
印加電圧か零の場合には、周波数間隔Δｆが１０ＧＨｚ
でフィネスｆは１００を得ることができ、挿入損失は１
、１ｄＢであった。
また、信号発生器１５により電極Ｔに±１００ｖの電圧
を印加した結果、前記第１の実施例と同様に、±２ＭＨ
ｚの周波数変位を得ることかできた。
を印加した結果、前記第１の実施例と同様に、±２ＭＨ
ｚの周波数変位を得ることかできた。
第４図は、本発明による光ファイバ型ファブリペロ−共
振器の第３の実施例を示す縦断側面図である。図中、２
０は圧電素子２０ａか６個積層された積層型圧電素子で
、各圧電素子２Ｏａ間には、後述する光ファイバ２３の
軸方向に平行に電界か印加されるように電極Ｔを配設し
ている。２］ａ。
振器の第３の実施例を示す縦断側面図である。図中、２
０は圧電素子２０ａか６個積層された積層型圧電素子で
、各圧電素子２Ｏａ間には、後述する光ファイバ２３の
軸方向に平行に電界か印加されるように電極Ｔを配設し
ている。２］ａ。
２１ｂは無電極のダミイの圧電磁器で、積層型圧電素子
２０の両端に接着されている。２２は積層型圧電素子２
０と圧電磁器２１ａ及び２１ｂに亘って直線状に形成さ
れた溝で、後述する光ファイバ１３の直径とほぼ同程度
の幅を有する。２３はカットオフ波長１．１２μｍの単
一モード光ファイバ（以下、単に光ファイバと称す）、
２３ａは光ファイバ２３のコア、２３ｂは光ファイバ２
３のクラッド、２３ｃは光ファイバ２３の被覆である。
２０の両端に接着されている。２２は積層型圧電素子２
０と圧電磁器２１ａ及び２１ｂに亘って直線状に形成さ
れた溝で、後述する光ファイバ１３の直径とほぼ同程度
の幅を有する。２３はカットオフ波長１．１２μｍの単
一モード光ファイバ（以下、単に光ファイバと称す）、
２３ａは光ファイバ２３のコア、２３ｂは光ファイバ２
３のクラッド、２３ｃは光ファイバ２３の被覆である。
光ファイバ２３の被覆２３ｃを除去した部分が前記溝２
２に挿入され、この溝２２にエポキシ系接着剤ＥＡによ
り固定されている。２４ａ、２４ｂは圧電磁器２１ａ、
２１ｂに光ファイバ２３の軸方向と直角に所定間隔、例
えば１０ｙｎｍをおいて形成された溝で、幅は４３μｍ
１深さは１龍に設定されている。２５ａ、２５ｂは波長
１．３０μｍにおける透過率０．５％、厚さ４０μｍの
薄片ガラスからなる多層膜反射鏡で、前記溝２４ａ、２
４ｂの各々に反射面が対向するように挿入され、エポキ
シ系接着剤ＥＡにより溝２４ ａ、２４ｂに固定されて
いる。２６は電極Ｔに電圧を印加する信号発生器である
。
２に挿入され、この溝２２にエポキシ系接着剤ＥＡによ
り固定されている。２４ａ、２４ｂは圧電磁器２１ａ、
２１ｂに光ファイバ２３の軸方向と直角に所定間隔、例
えば１０ｙｎｍをおいて形成された溝で、幅は４３μｍ
１深さは１龍に設定されている。２５ａ、２５ｂは波長
１．３０μｍにおける透過率０．５％、厚さ４０μｍの
薄片ガラスからなる多層膜反射鏡で、前記溝２４ａ、２
４ｂの各々に反射面が対向するように挿入され、エポキ
シ系接着剤ＥＡにより溝２４ ａ、２４ｂに固定されて
いる。２６は電極Ｔに電圧を印加する信号発生器である
。
次に、上記構成を有する光ファイバ型ファブリペロー共
振器の作製方法について説明する。
振器の作製方法について説明する。
まず、ダミイの圧電磁器２１ａ（２１ｂ）の端部から積
層型圧電素子２０を介してダミイの圧電電磁器２１ｂ
（２１ａ）の端部に至る、光ファイバ２３の直径とほぼ
同程度の幅の溝２２を形成し、光ファイバ２３の被覆２
３ｃを除去した部分（溝２２の長さとほぼ同一）を、溝
２２に挿入してエポキシ系接着剤ＥＡで固定する。この
時、ダミイの圧電磁器２１ａ、２１ｂの両端には被覆
２３Ｃの付いた光ファイバ２３が固定されるように段部
を形成しておく。
層型圧電素子２０を介してダミイの圧電電磁器２１ｂ
（２１ａ）の端部に至る、光ファイバ２３の直径とほぼ
同程度の幅の溝２２を形成し、光ファイバ２３の被覆２
３ｃを除去した部分（溝２２の長さとほぼ同一）を、溝
２２に挿入してエポキシ系接着剤ＥＡで固定する。この
時、ダミイの圧電磁器２１ａ、２１ｂの両端には被覆
２３Ｃの付いた光ファイバ２３が固定されるように段部
を形成しておく。
次に、第５図に示すような特殊なダイシング装置（斉藤
忠夫、渡辺純二二 “マイクロ形状加工“５９年精密工
学学会、前刷り集、２０８ （５９年１０月）参照）を
用い、薄いサファイアブレード３０をエアスピンドル３
１により風速１３００ｒｎ／ｍｊｎの高速で回転し、粒
径０．２４．ｃｚ ｍのＳｉＯ２砥粒３２を圧電磁器２
１ａ、２１ｂに吹き付けながら、前述した数値並びに位
置関係の溝２４ａ。
忠夫、渡辺純二二 “マイクロ形状加工“５９年精密工
学学会、前刷り集、２０８ （５９年１０月）参照）を
用い、薄いサファイアブレード３０をエアスピンドル３
１により風速１３００ｒｎ／ｍｊｎの高速で回転し、粒
径０．２４．ｃｚ ｍのＳｉＯ２砥粒３２を圧電磁器２
１ａ、２１ｂに吹き付けながら、前述した数値並びに位
置関係の溝２４ａ。
２４ｂを形成する。これにより、溝２４ａ、２４ｂの側
面は鏡面に近いものになる。次いで、多層膜反射鏡２５
ａ、２５ｂを互いの反射面が対向するように、溝２４ａ
、２４ｂにそれぞれ挿入し、エポキシ系接着剤ＥＡで固
定することにより作製が完了する。これと同時に、外部
の光ファイバと当該光ファイバ型ファブリペロ−共振器
の光ファイバとの光学的接続が高精度に行なわれたこと
になる。
面は鏡面に近いものになる。次いで、多層膜反射鏡２５
ａ、２５ｂを互いの反射面が対向するように、溝２４ａ
、２４ｂにそれぞれ挿入し、エポキシ系接着剤ＥＡで固
定することにより作製が完了する。これと同時に、外部
の光ファイバと当該光ファイバ型ファブリペロ−共振器
の光ファイバとの光学的接続が高精度に行なわれたこと
になる。
このように作製された光ファイバ型ファブリペロ−共振
器の各電極Ｔに、信号発生器２６により電圧を印加する
と、前記第１及び第２の実施例と同様に光ファイバ２３
の軸方向と平行に電界が印加されて圧電効果によってひ
ずみが生じ、これにより光ファイバ２３の長さが長く、
即ち、ファブリペロ−共振器長が長くなる。
器の各電極Ｔに、信号発生器２６により電圧を印加する
と、前記第１及び第２の実施例と同様に光ファイバ２３
の軸方向と平行に電界が印加されて圧電効果によってひ
ずみが生じ、これにより光ファイバ２３の長さが長く、
即ち、ファブリペロ−共振器長が長くなる。
従って、本箱３の実施例によれば、信号発生器２６によ
る印加電圧の大きさを変化させることにより、ファブリ
ペロ−共振器長を種々選定でき、所望の周波数間隔を容
易かつ安定して、しかも低電力で得ることが可能である
と共に、ファブリペ０−共振器の両端に他の光ファイバ
との接続作業を行なう必要がなくなり、煩雑な手間を要
することはない。
る印加電圧の大きさを変化させることにより、ファブリ
ペロ−共振器長を種々選定でき、所望の周波数間隔を容
易かつ安定して、しかも低電力で得ることが可能である
と共に、ファブリペ０−共振器の両端に他の光ファイバ
との接続作業を行なう必要がなくなり、煩雑な手間を要
することはない。
実際、第３の実施例による光ファイバ型ファブリペロ−
共振器を、前記第１及び第２の実施例と同様に１．３０
μｍのＤＦＢの半導体レーザで測定した結果、信号発生
器２６による電極Ｔへの印加電圧が零の場合には、周波
数間隔Δｆが１０ＧＨｚでフィネスｆは８５を得ること
ができた。また、挿入損失は０．６ ｄＢであった。ま
た、信号発生器２６により電極Ｔに±１００Ｖの電圧を
印加した結果、±２ＭＨｚの周波数変位を得ることがで
きた。
共振器を、前記第１及び第２の実施例と同様に１．３０
μｍのＤＦＢの半導体レーザで測定した結果、信号発生
器２６による電極Ｔへの印加電圧が零の場合には、周波
数間隔Δｆが１０ＧＨｚでフィネスｆは８５を得ること
ができた。また、挿入損失は０．６ ｄＢであった。ま
た、信号発生器２６により電極Ｔに±１００Ｖの電圧を
印加した結果、±２ＭＨｚの周波数変位を得ることがで
きた。
第６図は、本発明による光ファイバ型ファブリペロ−共
振器の第４の実施例を示す斜視図である。
振器の第４の実施例を示す斜視図である。
本箱４の実施例では、４本の光ファイバを用いて前記第
３の実施例による光ファイバ型ファブリペロ−共振器の
アレイ化を図ったものである。図中、４０は積層型圧電
素子、４１ａ、４１ｂはダミイの圧電磁器、４２ａ〜４
２ｄは光ファイバ固定用溝、４３ａ 〜４３ｄは光ファ
イバ、４４ａ、４４ｂは溝、４．５ａ、４５ｂは波長１
．３０μｍにおいて透過率０．５％、厚さ４０μｍの薄
片ガラスからなる多層膜反射鏡、４６は信号発生器、Ｔ
は電極で、谷溝４２ａ−４２ｄ、４４ａ、４４ｂ、光フ
ァイバ４３ａ〜４３ｄの構造パラメータは、前記第３の
実施例と同一である。また、作製方法についても、溝４
２ａ 〜４２ｄ、光ファイバ４３ａ−４３ｄの数か異な
るのみで前記第３の実施例と同様の方法によって行なわ
れるため、ここでは省略する。
３の実施例による光ファイバ型ファブリペロ−共振器の
アレイ化を図ったものである。図中、４０は積層型圧電
素子、４１ａ、４１ｂはダミイの圧電磁器、４２ａ〜４
２ｄは光ファイバ固定用溝、４３ａ 〜４３ｄは光ファ
イバ、４４ａ、４４ｂは溝、４．５ａ、４５ｂは波長１
．３０μｍにおいて透過率０．５％、厚さ４０μｍの薄
片ガラスからなる多層膜反射鏡、４６は信号発生器、Ｔ
は電極で、谷溝４２ａ−４２ｄ、４４ａ、４４ｂ、光フ
ァイバ４３ａ〜４３ｄの構造パラメータは、前記第３の
実施例と同一である。また、作製方法についても、溝４
２ａ 〜４２ｄ、光ファイバ４３ａ−４３ｄの数か異な
るのみで前記第３の実施例と同様の方法によって行なわ
れるため、ここでは省略する。
本節４の実施例による各光ファイバ４３ａ〜４３ｄを用
いた各光ファイバ型ファブリペロー共振器を１．３０μ
ｍのＤＦＢ半導体レーザでｆｌｌｌｌ定した結果、信号
発生器４６による電極Ｔへの印加電圧が零の場合には、
それぞれ周波数間隔Δｆが１０ＧＨｚ±５ Ｍ Ｈｚに
あり、フィネスｆはそれぞれ７５．４８． コ２７．
９５、挿入損失はそれぞれ０．５ｄＢ 、 ０．８ｄＢ
、 ０．３ｄＢ 、 ０．６ｄＢであった。
いた各光ファイバ型ファブリペロー共振器を１．３０μ
ｍのＤＦＢ半導体レーザでｆｌｌｌｌ定した結果、信号
発生器４６による電極Ｔへの印加電圧が零の場合には、
それぞれ周波数間隔Δｆが１０ＧＨｚ±５ Ｍ Ｈｚに
あり、フィネスｆはそれぞれ７５．４８． コ２７．
９５、挿入損失はそれぞれ０．５ｄＢ 、 ０．８ｄＢ
、 ０．３ｄＢ 、 ０．６ｄＢであった。
なお、本節４の実施例においては、４本の光ファイバを
用いたアレイ構成について説明したが、これに限定され
るものではな（、さらに多い本数、例えば１−０水量」
二でも可能であり、８心のテープ型光ファイバでも同時
に掃引型の光ファイバ型ファブリペロ−共振器を構成で
きることは勿論である。
用いたアレイ構成について説明したが、これに限定され
るものではな（、さらに多い本数、例えば１−０水量」
二でも可能であり、８心のテープ型光ファイバでも同時
に掃引型の光ファイバ型ファブリペロ−共振器を構成で
きることは勿論である。
また、前記第１〜第４の実施例において、波長１．３０
μｍにおける動作結果について説明したが、波長Ｊ、５
５μｍの場合でも、あるいは他の波長においても同様の
結果を得ることができる。
μｍにおける動作結果について説明したが、波長Ｊ、５
５μｍの場合でも、あるいは他の波長においても同様の
結果を得ることができる。
さらに、前記第１〜第４の実施例においては、積層型圧
電素子１０，２０．４０の両端にダミイの圧電磁器］１
ａ、コ、 １ ｂ、 ２１ ａ、 ２ ｌ ｂ。
電素子１０，２０．４０の両端にダミイの圧電磁器］１
ａ、コ、 １ ｂ、 ２１ ａ、 ２ ｌ ｂ。
４１ａ、４１ｂを接着した構成としたが、これは補強部
祠としての役目をはだすものであり、圧電磁器に限定さ
れるものではなく、例えばガラス基板を用いても勿論よ
い。また、これら補強部材を用いることなく、各実施例
における効果と同等の効果か得られることはいうまでも
ない。
祠としての役目をはだすものであり、圧電磁器に限定さ
れるものではなく、例えばガラス基板を用いても勿論よ
い。また、これら補強部材を用いることなく、各実施例
における効果と同等の効果か得られることはいうまでも
ない。
また、前記第１〜第４の実施例において、光ファイバ１
３．２３ａ 〜２３ｃｌ、４３ａ 〜４３ｄを積層型圧
電素子１０，２０．４０に接着、固定する際、側圧の影
響により複屈折を生じ、透過光にメインピークの他にサ
イドピークが現われる場合がある。これを解決するため
に、光ファイバ内部に予め大きな複屈折を有する偏波保
持光ファイバを用いた。これにより、入射光に直線偏光
を用い、この直線偏光を偏波保持光ファイバの偏波の主
軸に平行に入射した結果、光ファイバ型ファブリペロ−
共振器からの出力光にはメインピークのみでサイドピー
クは見られなかった。
３．２３ａ 〜２３ｃｌ、４３ａ 〜４３ｄを積層型圧
電素子１０，２０．４０に接着、固定する際、側圧の影
響により複屈折を生じ、透過光にメインピークの他にサ
イドピークが現われる場合がある。これを解決するため
に、光ファイバ内部に予め大きな複屈折を有する偏波保
持光ファイバを用いた。これにより、入射光に直線偏光
を用い、この直線偏光を偏波保持光ファイバの偏波の主
軸に平行に入射した結果、光ファイバ型ファブリペロ−
共振器からの出力光にはメインピークのみでサイドピー
クは見られなかった。
（発明の効果）
以上説明したように、請求項（１）によれば、圧電素子
と、該圧電素子の電界印加方向とファイバ軸方向とが平
行となる如く前記圧電素子に固定された光ファイバと、
該光ファイバの両端面に配設、固定した多層膜反射鏡と
を備えたので、高いフィネスを容易に得ることができ、
圧電素子に光ファイバが固定されているので、周波数掃
引も低い電力で長期安定に動作させることのできる掃引
型の光ファイバ型ファブリペロ−共振器を提供できる利
点がある。
と、該圧電素子の電界印加方向とファイバ軸方向とが平
行となる如く前記圧電素子に固定された光ファイバと、
該光ファイバの両端面に配設、固定した多層膜反射鏡と
を備えたので、高いフィネスを容易に得ることができ、
圧電素子に光ファイバが固定されているので、周波数掃
引も低い電力で長期安定に動作させることのできる掃引
型の光ファイバ型ファブリペロ−共振器を提供できる利
点がある。
］ ７
また、請求項（２）によれば、圧電素子と、該圧電素子
の電界印加方向とファイバ軸方向とが平行となる如く前
記圧電素子に固定された光ファイバと、該光ファイバに
所定間隔をおいてファイバ軸と直角に形成された二つの
溝と、各々の溝に挿入、固定された２個の多層膜反射鏡
とを備えたので、請求項（１）の効果に加えて、その両
端に外部の光ファイバの接続処理を行なう必要がなくな
り、極めて低損失を実現できると共に、アレイ化も極め
て容易にしかも超小型に構成できる。
の電界印加方向とファイバ軸方向とが平行となる如く前
記圧電素子に固定された光ファイバと、該光ファイバに
所定間隔をおいてファイバ軸と直角に形成された二つの
溝と、各々の溝に挿入、固定された２個の多層膜反射鏡
とを備えたので、請求項（１）の効果に加えて、その両
端に外部の光ファイバの接続処理を行なう必要がなくな
り、極めて低損失を実現できると共に、アレイ化も極め
て容易にしかも超小型に構成できる。
第１図は本発明による光ファイバ型ファブリペロ−共振
器の第１の実施例を示すもので、第１図（ａ）は縦断側
面図、第１図（ｂ）は光ファイバ軸と直角方向の断面図
、第２図は従来の光ファイバ型ファブリペロ−共振器の
構成図、第３図は本発明による光ファイバ型ファブリペ
ロ−共振器の第２の実施例を示す縦断側面図、第４図は
本発明による光ファイバ型ファブリペロ−共振器の第３
の実施例を示す縦断側面図、第５図はダイシング装置の
説明図、第６図は本発明による光ファイバ型ファブリペ
ロ−共振器の第４の実施例を示す斜視図である。 図中、１０，２０．４０・・・積層型圧電素子、１１ａ
、ｌｌｂ、２１ａ、２１ｂ、４１ａ、４１ｂ・・・ダミ
イの圧電磁器、１２，２２．４２ａ〜４２ ｄ−・・溝
、１３．２３．４３ ａ 〜４３ ｄ−・−単一モード
光ファイバ、１４ａ、１４ｂ、２４ａ。 ２４ ｂ 、 ４４ ａ 、 ４４ ｂ−−・溝、１５
ａ、１５ｂ。 ４５ａ、４５ｂ・・・多層膜反射鏡、ＥＡ・・・エポキ
シ系接着剤。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 吉 １）精 孝 従来の光ファイバ型ファブリペロ 共振器の構成図 名聞 本発明の第２の実施例を示す断面図
器の第１の実施例を示すもので、第１図（ａ）は縦断側
面図、第１図（ｂ）は光ファイバ軸と直角方向の断面図
、第２図は従来の光ファイバ型ファブリペロ−共振器の
構成図、第３図は本発明による光ファイバ型ファブリペ
ロ−共振器の第２の実施例を示す縦断側面図、第４図は
本発明による光ファイバ型ファブリペロ−共振器の第３
の実施例を示す縦断側面図、第５図はダイシング装置の
説明図、第６図は本発明による光ファイバ型ファブリペ
ロ−共振器の第４の実施例を示す斜視図である。 図中、１０，２０．４０・・・積層型圧電素子、１１ａ
、ｌｌｂ、２１ａ、２１ｂ、４１ａ、４１ｂ・・・ダミ
イの圧電磁器、１２，２２．４２ａ〜４２ ｄ−・・溝
、１３．２３．４３ ａ 〜４３ ｄ−・−単一モード
光ファイバ、１４ａ、１４ｂ、２４ａ。 ２４ ｂ 、 ４４ ａ 、 ４４ ｂ−−・溝、１５
ａ、１５ｂ。 ４５ａ、４５ｂ・・・多層膜反射鏡、ＥＡ・・・エポキ
シ系接着剤。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 吉 １）精 孝 従来の光ファイバ型ファブリペロ 共振器の構成図 名聞 本発明の第２の実施例を示す断面図
Claims (2)
- （１）圧電素子と、 該圧電素子の電界印加方向とファイバ軸方向とが平行と
なる如く前記圧電素子に固定された光ファイバと、 該光ファイバの両端面に配設、固定した多層膜反射鏡と
を備えた ことを特徴とする光ファイバ型ファブリペロー共振器。 - （２）圧電素子と、 該圧電素子の電界印加方向とファイバ軸方向とが平行と
なる如く前記圧電素子に固定された光ファイバと、 該光ファイバに所定間隔をおいてファイバ軸と直角に形
成された二つの溝と、 各々の溝に挿入、固定された２個の多層膜反射鏡とを備
えた ことを特徴とする光ファイバ型ファブリペロー共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63166228A JPH0786591B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 光ファイバ型ファブリペロー共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63166228A JPH0786591B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 光ファイバ型ファブリペロー共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215228A true JPH0215228A (ja) | 1990-01-18 |
| JPH0786591B2 JPH0786591B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=15827487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63166228A Expired - Lifetime JPH0786591B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 光ファイバ型ファブリペロー共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786591B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002029455A3 (en) * | 2000-09-29 | 2003-05-08 | Corning Inc | A tunable optical component |
| CN113281579A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-08-20 | 西安理工大学 | 一种基于f-p干涉原理的芯片封装静电测量传感器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102914864B (zh) * | 2012-10-22 | 2014-10-15 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种带闭环控制结构的法布里-珀罗干涉仪的控制方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855911A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-02 | Toshihiko Yoshino | 光変調装置 |
-
1988
- 1988-07-04 JP JP63166228A patent/JPH0786591B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855911A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-02 | Toshihiko Yoshino | 光変調装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002029455A3 (en) * | 2000-09-29 | 2003-05-08 | Corning Inc | A tunable optical component |
| CN113281579A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-08-20 | 西安理工大学 | 一种基于f-p干涉原理的芯片封装静电测量传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0786591B2 (ja) | 1995-09-20 |
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