JPH02151456A - レーザ出力制御回路 - Google Patents
レーザ出力制御回路Info
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- JPH02151456A JPH02151456A JP63305350A JP30535088A JPH02151456A JP H02151456 A JPH02151456 A JP H02151456A JP 63305350 A JP63305350 A JP 63305350A JP 30535088 A JP30535088 A JP 30535088A JP H02151456 A JPH02151456 A JP H02151456A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 26
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
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- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
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- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/52—Arrangement for printing a discrete number of tones, not covered by group B41J2/205, e.g. applicable to two or more kinds of printing or marking process
Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザ出力制御回路に関し、特に半導体レーザ
を光源としたレーザビームプリンタ等の機器における光
走査装置において半導体レーザのレーザ出力を1強度変
調するレーザ出力制御回路に関する。
を光源としたレーザビームプリンタ等の機器における光
走査装置において半導体レーザのレーザ出力を1強度変
調するレーザ出力制御回路に関する。
レーザビームプリンタ等の機器において使用される光走
査装置におけるレーザ出力制御回路では、ビデオ信号側
の濃度階調に応じて階調再現性のよいレーザ出ノJを得
るために、従来から種々の方式が用いられている。例え
ば、所定時間毎にレーザ出力をサンプリングしてサンプ
リングされたレーザ出力を基イ1艦に)濃度階調を表す
強度変調制御信号に応じてレーザ光の強度を変化させる
ことにより強度変調を行う方法がある。
査装置におけるレーザ出力制御回路では、ビデオ信号側
の濃度階調に応じて階調再現性のよいレーザ出ノJを得
るために、従来から種々の方式が用いられている。例え
ば、所定時間毎にレーザ出力をサンプリングしてサンプ
リングされたレーザ出力を基イ1艦に)濃度階調を表す
強度変調制御信号に応じてレーザ光の強度を変化させる
ことにより強度変調を行う方法がある。
第2図は、このような方法を採用する従来のレーザ出力
制御回路の一例を示す回路ブロック図である。
制御回路の一例を示す回路ブロック図である。
このレーザ出力制御回路では、光量検出部21は、゛ト
導体レーザ29のレーザ出力(光量)をレーザ出力制御
ループ30を介してフォトダイオード等によって検出し
ており、レーザ出力に比例した電圧を出力している。
導体レーザ29のレーザ出力(光量)をレーザ出力制御
ループ30を介してフォトダイオード等によって検出し
ており、レーザ出力に比例した電圧を出力している。
また、基準光量設定部22は、半4体レーザ29のレー
ザ出力をあらかじめ設定された基準光量とするような電
圧を出力している。
ザ出力をあらかじめ設定された基準光量とするような電
圧を出力している。
光量検出部21からの電圧と基準光量設定部22からの
電圧とは比較増幅部25に入力され、比較増幅部25は
入力された両電圧の差に応じた電圧を増幅して出力して
いる。
電圧とは比較増幅部25に入力され、比較増幅部25は
入力された両電圧の差に応じた電圧を増幅して出力して
いる。
比較増幅部25から出力された電圧はサンプル/ホール
ド部(以下、SlH部と略記する)2Gに人力され、S
/8部26は所定時間毎(例えば、■ページ毎、1ライ
ン毎)にページ外での比較増幅部25からの電圧をサン
プリングしてホールドする。
ド部(以下、SlH部と略記する)2Gに人力され、S
/8部26は所定時間毎(例えば、■ページ毎、1ライ
ン毎)にページ外での比較増幅部25からの電圧をサン
プリングしてホールドする。
電流増幅部27は、S/8部26にホールドされた電圧
と、強度変調制御信号に応じて光量設定部23から出力
された分配電圧とを入力しており、両電圧に応して半導
体レーザ29を駆動するための電流を増幅して出力する
。
と、強度変調制御信号に応じて光量設定部23から出力
された分配電圧とを入力しており、両電圧に応して半導
体レーザ29を駆動するための電流を増幅して出力する
。
電流増幅部27から出力される駆動電流はレーザドライ
ブ部28に入力され、レーザドライブ部28は、電流増
幅部27から出力された駆動電流によりビデオ信号部2
4から出力されるビデオ信号のオン・オフに基づいて半
導体レーザ29を駆動する。
ブ部28に入力され、レーザドライブ部28は、電流増
幅部27から出力された駆動電流によりビデオ信号部2
4から出力されるビデオ信号のオン・オフに基づいて半
導体レーザ29を駆動する。
上述した従来のレーザ出力制御回路は、レーザビームプ
リンタ等の機器の高速化にともなってレーザ出力の制御
時間をますます短(する必要にせまられているが、強度
変調制御信号が光量設定部23を介して電流増幅部27
に人力されるようになっているので、電流増幅部270
周波数帯域が強度変調制御信号に入力されるビデオ信号
周波数以下となって半導体レーザ29のレーザ出力のス
イッチングが遅れてしまうという問題点がある。詳しく
は、例えば第3図中に点線で示すように、レーザ出力は
ビデオ信号に追従して立ち上げられることが望ましいが
、実際には第3図中に実線で示すように、レーザ出力が
ビデオ信号に大きく遅れて立ち上がることになり、高速
で強度変調を行うことができないことになる。
リンタ等の機器の高速化にともなってレーザ出力の制御
時間をますます短(する必要にせまられているが、強度
変調制御信号が光量設定部23を介して電流増幅部27
に人力されるようになっているので、電流増幅部270
周波数帯域が強度変調制御信号に入力されるビデオ信号
周波数以下となって半導体レーザ29のレーザ出力のス
イッチングが遅れてしまうという問題点がある。詳しく
は、例えば第3図中に点線で示すように、レーザ出力は
ビデオ信号に追従して立ち上げられることが望ましいが
、実際には第3図中に実線で示すように、レーザ出力が
ビデオ信号に大きく遅れて立ち上がることになり、高速
で強度変調を行うことができないことになる。
本発明の目的は、上述の点に鑑み、半導体レーザの駆動
電流源とは別に定電流源を設は強度変調制御信号に応し
て高速スイッチング索子をスイッチングさせることによ
り定電流源からの定電流を半導体レーザの駆動電流源か
らの駆動電流に加算するか否かを制御して、電流増幅部
における強度変調制御信号の遅延を回避してレーザ出力
のビデオ信号に対する高速な追従性が得られるようにし
たレーザ出力制御回路を提供することにある。
電流源とは別に定電流源を設は強度変調制御信号に応し
て高速スイッチング索子をスイッチングさせることによ
り定電流源からの定電流を半導体レーザの駆動電流源か
らの駆動電流に加算するか否かを制御して、電流増幅部
における強度変調制御信号の遅延を回避してレーザ出力
のビデオ信号に対する高速な追従性が得られるようにし
たレーザ出力制御回路を提供することにある。
本発明のレーザ出力制御回路は、半導体レーザを用いた
光走査装置のレーザ出力制御回路において、前記半導体
レーザの駆動電流源とは別に設けられた定電流源と、こ
の定電流源からの定電流を前記半導体レーザの駆動電流
源からの駆動電流に加算するか否かを制御する高速スイ
ッチング索子とを有することを特徴とする。
光走査装置のレーザ出力制御回路において、前記半導体
レーザの駆動電流源とは別に設けられた定電流源と、こ
の定電流源からの定電流を前記半導体レーザの駆動電流
源からの駆動電流に加算するか否かを制御する高速スイ
ッチング索子とを有することを特徴とする。
本発明のレーザ出力制御回路では、定電流源が半導体レ
ーザの駆動電流源とは別に設けられ、高速スイッチング
素子が定電流源からの定電流を半導体レーザの駆動電流
源からの駆動電流に加算するか否かを制御する。
ーザの駆動電流源とは別に設けられ、高速スイッチング
素子が定電流源からの定電流を半導体レーザの駆動電流
源からの駆動電流に加算するか否かを制御する。
次に、本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係るレーザ出力制御回路
の構成を示す回路ブロック図である。本実施例のレーザ
出力制御回路は、半導体レーザ9のレーザ出力をフォト
ダイオード等によって検出する光量検出部1と、電流増
幅部7からの駆動電流(以下、基準電流という)のみに
よって半導体レーザ9が出力するレーザ光の強度(基準
光量)を設定する基準光量設定部2と、強度変調側:1
11 (8号に応じてレーザ出力のレヘルを制御する光
■設定部3と、ビデオ信号を出力するビデオ信号部4と
、光量検出部1からの電圧と基準光量設定部2からの電
圧とを比較してその差に応じた電圧を出力する比較増幅
部5と、比較増幅部5からの出力電圧を所定時間毎(例
えば、1ページ毎、Iライン毎)にページ外でサンプリ
ングしてホールドするS/H部6と、S / H部6に
ホールドされた出力電圧に応じた基準電流を出力する電
流増幅部7と、電流増幅部7から出力される基準電流等
によってビデオ信号部4からのビデオ信号に基づいて半
導体レーザ9を駆動させるレーザドライブ部8と、レー
ザ光を出力する半導体レーザ9と、第1の定電流源11
と、第2の定電流′a12と、ショットキーダイオード
等でなる加算用高速スイッチング素子13aおよび13
bと、同しくショットキーダイオード等でなるバイパス
用高速スイッチング素子14aおよび14bとから構成
されている。なお、符号10は、レーザ出力制御ループ
を示す。
の構成を示す回路ブロック図である。本実施例のレーザ
出力制御回路は、半導体レーザ9のレーザ出力をフォト
ダイオード等によって検出する光量検出部1と、電流増
幅部7からの駆動電流(以下、基準電流という)のみに
よって半導体レーザ9が出力するレーザ光の強度(基準
光量)を設定する基準光量設定部2と、強度変調側:1
11 (8号に応じてレーザ出力のレヘルを制御する光
■設定部3と、ビデオ信号を出力するビデオ信号部4と
、光量検出部1からの電圧と基準光量設定部2からの電
圧とを比較してその差に応じた電圧を出力する比較増幅
部5と、比較増幅部5からの出力電圧を所定時間毎(例
えば、1ページ毎、Iライン毎)にページ外でサンプリ
ングしてホールドするS/H部6と、S / H部6に
ホールドされた出力電圧に応じた基準電流を出力する電
流増幅部7と、電流増幅部7から出力される基準電流等
によってビデオ信号部4からのビデオ信号に基づいて半
導体レーザ9を駆動させるレーザドライブ部8と、レー
ザ光を出力する半導体レーザ9と、第1の定電流源11
と、第2の定電流′a12と、ショットキーダイオード
等でなる加算用高速スイッチング素子13aおよび13
bと、同しくショットキーダイオード等でなるバイパス
用高速スイッチング素子14aおよび14bとから構成
されている。なお、符号10は、レーザ出力制御ループ
を示す。
加算用高速スイッチング素子13aは、アノードを第1
の定電流源11に接続され、カソードをレーザドライブ
部8の入力に接続されている。また、加算用高速スイッ
チング素子13bは、アノードを第2の定電流源12に
接続され、カソードをレーザドライブ部8の入力に接続
されている。
の定電流源11に接続され、カソードをレーザドライブ
部8の入力に接続されている。また、加算用高速スイッ
チング素子13bは、アノードを第2の定電流源12に
接続され、カソードをレーザドライブ部8の入力に接続
されている。
バイパス用高速スイッチング素子14aは、アノードを
第1の定電流源11に接続され、カソードを光量設定部
3の第1出力に接続されている。また、バイパス用高速
スイッチング素子14bは、アノードを第2の定電流t
X12に接続され、カソードを光量設定部3の第2出力
に接続されている。
第1の定電流源11に接続され、カソードを光量設定部
3の第1出力に接続されている。また、バイパス用高速
スイッチング素子14bは、アノードを第2の定電流t
X12に接続され、カソードを光量設定部3の第2出力
に接続されている。
なお、第1の定電’ditXuから出力される定電流の
値は、電流増幅部7から出力される基準電流とほぼ同じ
レヘルの値に設定されており、第2の定電流源12から
出力される定電流の値は、第1の定電流源11から出力
される定電流の値の2倍の定電流の値に設定されている
。このため、例えば第4図に示すように、半導体レーザ
9は、電流増幅部7から出力される基準電流のみによっ
て駆動された場合には第ルベルのレーザ出力で発光し、
電流増幅部7から出力される基準電流と第1の定電流源
11から出力される定電流とが加算された電流で駆動さ
れた場合には第ルベルのほぼ2倍の第2レヘルのレーザ
出力で発光し、電流増幅部7から出力される基準電流と
第2の定電流源12から出力される定電流とが加算され
た電流で駆動された場合には第ルヘルのほぼ3倍の第3
レヘルのレーザ出力で発光し、電流増幅部7から出力さ
れる基〈y電流と第1の定電流源11から出力される定
電流と第2の定電流源12から出力される定tmとが加
算された電流で駆動された場合には第ルベルのほぼ4倍
の第4レベルのレーザ出力で発光する。
値は、電流増幅部7から出力される基準電流とほぼ同じ
レヘルの値に設定されており、第2の定電流源12から
出力される定電流の値は、第1の定電流源11から出力
される定電流の値の2倍の定電流の値に設定されている
。このため、例えば第4図に示すように、半導体レーザ
9は、電流増幅部7から出力される基準電流のみによっ
て駆動された場合には第ルベルのレーザ出力で発光し、
電流増幅部7から出力される基準電流と第1の定電流源
11から出力される定電流とが加算された電流で駆動さ
れた場合には第ルベルのほぼ2倍の第2レヘルのレーザ
出力で発光し、電流増幅部7から出力される基準電流と
第2の定電流源12から出力される定電流とが加算され
た電流で駆動された場合には第ルヘルのほぼ3倍の第3
レヘルのレーザ出力で発光し、電流増幅部7から出力さ
れる基〈y電流と第1の定電流源11から出力される定
電流と第2の定電流源12から出力される定tmとが加
算された電流で駆動された場合には第ルベルのほぼ4倍
の第4レベルのレーザ出力で発光する。
次に、このように構成された本実施例のレーザ出力制御
回路の動作について説明する。
回路の動作について説明する。
光量検出部1は、半導体レーザ9のレーザ出力(光量)
をレーザ出力制御ループ10を介してフすトダイオード
等によって検出しており、レーザ出力に比例しな′1圧
を出力している。
をレーザ出力制御ループ10を介してフすトダイオード
等によって検出しており、レーザ出力に比例しな′1圧
を出力している。
また、基準光量設定部2は、半導体レーザ9のレーザ出
力をあらかじめ設定されたW q%光量とするような電
圧を出力している。
力をあらかじめ設定されたW q%光量とするような電
圧を出力している。
光量検出部1からの電圧と基準光量設定部2がらの電圧
とは比較増幅部5に入力され、比較増幅部5は入力され
た両電圧の差に応じた電圧を増幅して出力している。
とは比較増幅部5に入力され、比較増幅部5は入力され
た両電圧の差に応じた電圧を増幅して出力している。
比較増幅部5から出力された電圧はS/8部6に入力さ
れ、S / 0部6は所定時間毎にページ外での比較増
幅部5からの電圧をサンプリングしてホールドする。
れ、S / 0部6は所定時間毎にページ外での比較増
幅部5からの電圧をサンプリングしてホールドする。
電流増幅部7は、S / 0部6にホールドされた電圧
を入力して、電圧値に応じて基準電流を増幅して出力す
る。
を入力して、電圧値に応じて基準電流を増幅して出力す
る。
レーザドライブ部8には、電流増幅部7から出力される
基準電流が第1の定電流源11および第2の定電流源1
2からの定電流と加算(重畳)されたり加算されなかっ
たりして入力されるようになっている。
基準電流が第1の定電流源11および第2の定電流源1
2からの定電流と加算(重畳)されたり加算されなかっ
たりして入力されるようになっている。
第1の定電流源11および第2の定電流源12からの定
電流が電流増幅部7から出力される基イV電流と加算さ
れてレーザドライブ部8に入力されるか否かは、光量設
定部3に入力されている強度変調制御信号の第1ビツト
および第2ビツトの値に応じて変化する。
電流が電流増幅部7から出力される基イV電流と加算さ
れてレーザドライブ部8に入力されるか否かは、光量設
定部3に入力されている強度変調制御信号の第1ビツト
および第2ビツトの値に応じて変化する。
例えば、強度変調制御信号の第1ビットおよび第2ビツ
トがともにロウレヘル(以下、“L”レヘルと記す)の
ときには、光量設定部3の第1出力および第2出力がと
もに“L”レヘルとなり、バイパス用高速スイッチング
素子14aおよび14bがともにオンして、加算用高速
スイッチング素子13aおよび13bがともにオフとな
り、レーザドライブ部8の入力には電流増幅部7からの
基準電流のみが入力され、この結果、半導体レーザ9は
第ルベルで駆動される。
トがともにロウレヘル(以下、“L”レヘルと記す)の
ときには、光量設定部3の第1出力および第2出力がと
もに“L”レヘルとなり、バイパス用高速スイッチング
素子14aおよび14bがともにオンして、加算用高速
スイッチング素子13aおよび13bがともにオフとな
り、レーザドライブ部8の入力には電流増幅部7からの
基準電流のみが入力され、この結果、半導体レーザ9は
第ルベルで駆動される。
また、強度変調制御信号の第1ビツトがハイレベル(以
下、“H”レベルと記ス)、第2ビツトが“L”レベル
のときには、光量設定部3の第1出力が“H”レベル、
第2出力が“L”レベルとなり、バイパス用高速スイッ
チング素子14aがオフ、バイパス用高速スイッチング
素子14bがオンして、加算用高速スイッチング素子1
3aがオン、加算用高速スイッチング素子13bがオフ
となり、レーザドライブ部8の入力には電流増幅部7か
らの基準電流と、第1の定電流源11からの定電流とが
加算されて入力され、この結果、半導体レーザ9は第2
レベルで駆動される。
下、“H”レベルと記ス)、第2ビツトが“L”レベル
のときには、光量設定部3の第1出力が“H”レベル、
第2出力が“L”レベルとなり、バイパス用高速スイッ
チング素子14aがオフ、バイパス用高速スイッチング
素子14bがオンして、加算用高速スイッチング素子1
3aがオン、加算用高速スイッチング素子13bがオフ
となり、レーザドライブ部8の入力には電流増幅部7か
らの基準電流と、第1の定電流源11からの定電流とが
加算されて入力され、この結果、半導体レーザ9は第2
レベルで駆動される。
さらに、強度変調制御信号の第1ビツトが“L”レベル
、第2ビツトが′H”レベルのときには、光量設定部3
の第1出力が“L”レベル、第2出力が“H”レベルと
なり、バイパス用高速スイッチング素子14aがオン、
バイパス用高速スイッチング素子14bがオフして、加
算用高速スイッチング素子13aがオフ、加算用高速ス
イッチング素子13bがオンとなり、レーザドライブ部
8の入力には電流増幅部7からの基準電流と、第2の定
電流源12からの定電流とが加算されて入力され、この
結果、半導体レーザ9は第3レヘルで駆動される。
、第2ビツトが′H”レベルのときには、光量設定部3
の第1出力が“L”レベル、第2出力が“H”レベルと
なり、バイパス用高速スイッチング素子14aがオン、
バイパス用高速スイッチング素子14bがオフして、加
算用高速スイッチング素子13aがオフ、加算用高速ス
イッチング素子13bがオンとなり、レーザドライブ部
8の入力には電流増幅部7からの基準電流と、第2の定
電流源12からの定電流とが加算されて入力され、この
結果、半導体レーザ9は第3レヘルで駆動される。
さらにまた、強度変調制御に号の第1ビツトおよび第2
ビツトがともに“H”レベルのときには、光量設定部3
の第1出力および第2出力がともに”H”レベルとなり
、バイパス用高速スイッチング素子14aおよび14b
がともにオフして、加算用高速スイッチング素子13a
および13bがともにオンとなり、レーザドライブ部8
の入力には電流増幅部7からの基準電流と、第1の定電
流源11からの定電流と、第2の定電流if!X12か
らの定電流とが加算されて入力され、この結果、半導体
レーザ9は第4レベルで駆動される。
ビツトがともに“H”レベルのときには、光量設定部3
の第1出力および第2出力がともに”H”レベルとなり
、バイパス用高速スイッチング素子14aおよび14b
がともにオフして、加算用高速スイッチング素子13a
および13bがともにオンとなり、レーザドライブ部8
の入力には電流増幅部7からの基準電流と、第1の定電
流源11からの定電流と、第2の定電流if!X12か
らの定電流とが加算されて入力され、この結果、半導体
レーザ9は第4レベルで駆動される。
なお、本実施例のレーザ出力制御回路では、定電流源、
バイパス用高速スイッチング素子および加算用高速スイ
ッチング素子を2組ずつ設けた場合について説明したが
、これらは1組でもよく、また3組以上であってもよい
ことはもちろんである。設ける定電流源、バイパス用高
速スイッチング素子および加算用高速スイッチング素子
の組数に応じて半導体レーザのレーザ出力のレベル数が
幾何級数的に増え、より高い階調再現性が得られること
はいうまでもない。
バイパス用高速スイッチング素子および加算用高速スイ
ッチング素子を2組ずつ設けた場合について説明したが
、これらは1組でもよく、また3組以上であってもよい
ことはもちろんである。設ける定電流源、バイパス用高
速スイッチング素子および加算用高速スイッチング素子
の組数に応じて半導体レーザのレーザ出力のレベル数が
幾何級数的に増え、より高い階調再現性が得られること
はいうまでもない。
また、バイパス用高速スイッチング素子と加算用スイッ
チング素子とを別体のものとしたが、これらは、例えば
サイリスク等のゲートを有する一体の高速スイッチング
素子とすることもできる。
チング素子とを別体のものとしたが、これらは、例えば
サイリスク等のゲートを有する一体の高速スイッチング
素子とすることもできる。
この場合には、ゲートを光量設定部に接続するよう二こ
することはいうまでもない。
することはいうまでもない。
さらに、ビデオ信号がオフのときには強度変調制御信号
の第1ビツトおよび第2ビツトがかならずともに“Lル
ベルなので、加算用高速スイッチング素子のカソードを
レーザドライブ部の入力ではなしにレーザドライブ部の
出力に接続して、定7g、?A源からの定電流を半導体
レーザに直接供給するようにしてもよい。
の第1ビツトおよび第2ビツトがかならずともに“Lル
ベルなので、加算用高速スイッチング素子のカソードを
レーザドライブ部の入力ではなしにレーザドライブ部の
出力に接続して、定7g、?A源からの定電流を半導体
レーザに直接供給するようにしてもよい。
さらにまた、一部のバイパス用高速スイッチング素子を
強度変調制御信号に応じてスイッチングさせずに感光体
の特性等に応じてスイッチングさせるようにすることに
よって、定電流源、バイパス用高速スイッチング素子お
よび加算用高速スイッチング素子を感光体の特性を補正
する手段としても用いることができる。このようにした
場合には、感光体の個々の特性のばらつき等にかかわら
ず同一の強度変調制御信号に対する感光体の感光レベル
を同一にして常に一定の階調再現性を得ることができる
。
強度変調制御信号に応じてスイッチングさせずに感光体
の特性等に応じてスイッチングさせるようにすることに
よって、定電流源、バイパス用高速スイッチング素子お
よび加算用高速スイッチング素子を感光体の特性を補正
する手段としても用いることができる。このようにした
場合には、感光体の個々の特性のばらつき等にかかわら
ず同一の強度変調制御信号に対する感光体の感光レベル
を同一にして常に一定の階調再現性を得ることができる
。
以上説明したように、本発明によれば、半導体レーザの
駆動電流源とは別に設けられた定電流源と、この定電流
源からの定電流を半導体レーザの駆動電流源からの駆動
電流に加算するか否かを制御する高速スイッチング素子
とを設けたことにより、ビデオ信号に対してレーザ出力
を高速に追従させて強度変調することができ、安定した
階調再現性を得ることができる効果がある。
駆動電流源とは別に設けられた定電流源と、この定電流
源からの定電流を半導体レーザの駆動電流源からの駆動
電流に加算するか否かを制御する高速スイッチング素子
とを設けたことにより、ビデオ信号に対してレーザ出力
を高速に追従させて強度変調することができ、安定した
階調再現性を得ることができる効果がある。
第1図は本発明の一実施例に係るレーザ出力制御回路の
構成を示す回路ブロック図、 第2図は従来のレーザ出力制御回路の一例を示す回路ブ
ロック図、 第3図は第2図に示したレーザ出力制御回路におけるレ
ーザ出力のビデオ信号に対する追従遅れを説明するため
のタイミングチャート、第4図は木実施例のレーザ出力
制御回路におけるレーザ出力レベルを説明するためのグ
ラフである。 図において、 1・・・光量検出部、 2・・・基準光量設定部、 3・・・光量設定部、 4・・・ビデオ信号部、 5・・・比較増幅部、 6・・・サンプル/ホールド部(S / H部)、7・
・・電流増幅部、 8・・・レーザドライブ部、 9・・・半導体レーザ、 IO・ ・ 11・ ・ 12・ ・ 13a。 4a である。 ・レーザ出力制御ループ、 ・第1の定電流源、 ・第2の定電流源、
構成を示す回路ブロック図、 第2図は従来のレーザ出力制御回路の一例を示す回路ブ
ロック図、 第3図は第2図に示したレーザ出力制御回路におけるレ
ーザ出力のビデオ信号に対する追従遅れを説明するため
のタイミングチャート、第4図は木実施例のレーザ出力
制御回路におけるレーザ出力レベルを説明するためのグ
ラフである。 図において、 1・・・光量検出部、 2・・・基準光量設定部、 3・・・光量設定部、 4・・・ビデオ信号部、 5・・・比較増幅部、 6・・・サンプル/ホールド部(S / H部)、7・
・・電流増幅部、 8・・・レーザドライブ部、 9・・・半導体レーザ、 IO・ ・ 11・ ・ 12・ ・ 13a。 4a である。 ・レーザ出力制御ループ、 ・第1の定電流源、 ・第2の定電流源、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体レーザを用いた光走査装置のレーザ出力制御回路
において、 前記半導体レーザの駆動電流源とは別に設けられた定電
流源と、 この定電流源からの定電流を前記半導体レーザの駆動電
流源からの駆動電流に加算するか否かを制御する高速ス
イッチング素子と を有することを特徴とするレーザ出力制御回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63305350A JPH07119120B2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | レーザ出力制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63305350A JPH07119120B2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | レーザ出力制御回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02151456A true JPH02151456A (ja) | 1990-06-11 |
JPH07119120B2 JPH07119120B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=17944054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63305350A Expired - Lifetime JPH07119120B2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | レーザ出力制御回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07119120B2 (ja) |
-
1988
- 1988-12-02 JP JP63305350A patent/JPH07119120B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07119120B2 (ja) | 1995-12-20 |
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Legal Events
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