JPH02151065A - Mos集積回路 - Google Patents
Mos集積回路Info
- Publication number
- JPH02151065A JPH02151065A JP63305210A JP30521088A JPH02151065A JP H02151065 A JPH02151065 A JP H02151065A JP 63305210 A JP63305210 A JP 63305210A JP 30521088 A JP30521088 A JP 30521088A JP H02151065 A JPH02151065 A JP H02151065A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- gate
- integrated circuit
- field
- mos integrated
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はMOS集積回路に関する。
集積回路の高機能化に伴い、ゲート・基板間の耐電圧が
1桁程異る複数の電界効果トランジスタを同一半導体チ
ップに共存させることが多くなってきた。
1桁程異る複数の電界効果トランジスタを同一半導体チ
ップに共存させることが多くなってきた。
第2図は従来のMO8集積回路の一例の断面模式図であ
る。
る。
MOS集積回路は、P型シリコン基板1の表面に形成さ
れたN型エピタキシャル層2の表面のフィールド酸化膜
15と内部のP+型分離層3aによって、右側には高耐
圧MOSトランジスタ領域4、及び左側には低耐圧MO
S)ランジスタ領域41 とを区画している。
れたN型エピタキシャル層2の表面のフィールド酸化膜
15と内部のP+型分離層3aによって、右側には高耐
圧MOSトランジスタ領域4、及び左側には低耐圧MO
S)ランジスタ領域41 とを区画している。
低耐圧MO9)ランジスタ領域4t の低耐圧用ゲート
7の下に接してゲートの酸化膜B6を設け、高耐圧MO
Sトランジスタ領域4hの高耐圧用ゲート8の下にはゲ
ートの酸化厚膜5を設けて構成されている。
7の下に接してゲートの酸化膜B6を設け、高耐圧MO
Sトランジスタ領域4hの高耐圧用ゲート8の下にはゲ
ートの酸化厚膜5を設けて構成されている。
ゲート7.8及びフィールド酸化膜15の表面は絶縁層
93で覆われ、開孔部を介してソース・ドレインは表面
のAffl電極10.に接続されている。
93で覆われ、開孔部を介してソース・ドレインは表面
のAffl電極10.に接続されている。
ここで、例えば高耐圧が9V、低耐圧が1■の場合は、
ゲートの酸化厚膜5は約0.6μmで酸化薄膜6は約0
.05μmである。
ゲートの酸化厚膜5は約0.6μmで酸化薄膜6は約0
.05μmである。
また、選択酸化で形成するフィールド酸化膜15の厚さ
は1.2μmである。
は1.2μmである。
上述した従来のMO8集績回路には、ゲート酸化厚膜、
ゲート酸化薄膜及びフィールド酸化膜の3種類の酸化膜
があり、酸化膜形成工程が多い。
ゲート酸化薄膜及びフィールド酸化膜の3種類の酸化膜
があり、酸化膜形成工程が多い。
特にフィールド酸化膜は選択酸化によるので、他の2つ
のCVD酸化膜に比べてより多くの工程がかかり、また
回路の表面に段差が大きく生じ、配線が断線・短絡し易
くなるという欠点があった。
のCVD酸化膜に比べてより多くの工程がかかり、また
回路の表面に段差が大きく生じ、配線が断線・短絡し易
くなるという欠点があった。
本発明の目的は、配線の信頼性のあり、かつ酸化膜製造
の工程の簡単なMOS集積回路を提供することにある。
の工程の簡単なMOS集積回路を提供することにある。
本発明のMOS集積回路は、半導体基板の上面に設けら
れたフィールド絶縁膜により区画される高耐圧用及び低
耐圧用ゲート形成領域を有するMO8集積回路において
、前記フィールド絶縁膜が前記高耐圧ゲート形成領域の
ゲート絶縁膜と同じ厚さを有して構成されている。
れたフィールド絶縁膜により区画される高耐圧用及び低
耐圧用ゲート形成領域を有するMO8集積回路において
、前記フィールド絶縁膜が前記高耐圧ゲート形成領域の
ゲート絶縁膜と同じ厚さを有して構成されている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の断面模式図である。
MOS集積回路は、N型エピタキシャル層2の表面のフ
ィールド酸化膜5aが第2図のフィールド酸化膜15と
異る意思外は従来のMOS集積回路と同様である。
ィールド酸化膜5aが第2図のフィールド酸化膜15と
異る意思外は従来のMOS集積回路と同様である。
P+型分離層3はN型エピタキシャル層2の表面迄形成
されており、右側は高耐圧MOSトランジスタ領域4
oで、左側が低耐圧MOS)ランジスタ領域4Lである
。
されており、右側は高耐圧MOSトランジスタ領域4
oで、左側が低耐圧MOS)ランジスタ領域4Lである
。
フィールド酸化膜5aはゲート用の酸化J7膜5と同時
にCVDにより形成される。
にCVDにより形成される。
従って、酸化膜の厚さの種類は、酸化JWI!A5及び
フィールド酸化膜5.の厚さ0.6μmと酸化膜6の厚
さ0.05μmの二種類となり、酸化膜形成工程が簡単
化された上、厚さ1.2μmのフィールド酸化膜が無く
なるための絶縁層9の表面のA(電極10は、第2図の
AJ電極10.に比べて段差が小さいので断線などの信
頼性上の問題が無い。
フィールド酸化膜5.の厚さ0.6μmと酸化膜6の厚
さ0.05μmの二種類となり、酸化膜形成工程が簡単
化された上、厚さ1.2μmのフィールド酸化膜が無く
なるための絶縁層9の表面のA(電極10は、第2図の
AJ電極10.に比べて段差が小さいので断線などの信
頼性上の問題が無い。
本実施例の素子形成領域としてN型エピタキシャル層2
を用いず、N型シリコン基板のNウェルに素子形成領域
のあるMOSトランジスタに適用してもよい。
を用いず、N型シリコン基板のNウェルに素子形成領域
のあるMOSトランジスタに適用してもよい。
以上説明したように本発明は、フィールド酸化膜を選択
酸化で形成せずに、厚いゲート酸化膜と同一工程で形成
することにより、酸化膜工程が大福に減少し、またチッ
プ表面の段差が少なくなって配線の断線・短絡が防げる
という効果がある。
酸化で形成せずに、厚いゲート酸化膜と同一工程で形成
することにより、酸化膜工程が大福に減少し、またチッ
プ表面の段差が少なくなって配線の断線・短絡が防げる
という効果がある。
ジスタ領域、4L・・・低耐圧MO8)−ランジスタ領
域、5・・・酸化厚膜、5.・・フィールド絶縁膜、6
・・酸化薄膜、7・・低耐圧用ゲート、8・・・高耐圧
用ゲート。
域、5・・・酸化厚膜、5.・・フィールド絶縁膜、6
・・酸化薄膜、7・・低耐圧用ゲート、8・・・高耐圧
用ゲート。
Claims (1)
- 半導体基板の上面に設けられたフィールド絶縁膜により
区画される高耐圧用及び低耐圧用ゲート形成領域を有す
るMOS集積回路において、前記フィールド絶縁膜が前
記高耐圧ゲート形成領域のゲート絶縁膜と同じ厚さを有
することを特徴とするMOS集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63305210A JPH02151065A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | Mos集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63305210A JPH02151065A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | Mos集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02151065A true JPH02151065A (ja) | 1990-06-11 |
Family
ID=17942378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63305210A Pending JPH02151065A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | Mos集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02151065A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04222457A (ja) * | 1990-03-12 | 1992-08-12 | Alcatel Nv | スイッチングコンバータ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61160968A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPS63104463A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Nec Corp | 絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置 |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP63305210A patent/JPH02151065A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61160968A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPS63104463A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Nec Corp | 絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04222457A (ja) * | 1990-03-12 | 1992-08-12 | Alcatel Nv | スイッチングコンバータ |
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