JPH0214571A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0214571A JPH0214571A JP63164164A JP16416488A JPH0214571A JP H0214571 A JPH0214571 A JP H0214571A JP 63164164 A JP63164164 A JP 63164164A JP 16416488 A JP16416488 A JP 16416488A JP H0214571 A JPH0214571 A JP H0214571A
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- reset
- reset gate
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 15
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
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- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は固体撮像装置にかかり、特に信号電荷の検出部
を有する固体撮像装置に関する。
を有する固体撮像装置に関する。
(従来の技術)
第8図は電荷検出部を有する従来の固体撮像装置の部分
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
p型半導体基板10の表面にn型不純物層3゜4を形成
し、その上に絶縁層9を介して転送電極7.7′を形成
することにより信号電荷を転送するための電荷転送部を
形成している。
し、その上に絶縁層9を介して転送電極7.7′を形成
することにより信号電荷を転送するための電荷転送部を
形成している。
また、高濃度n 型不純物層1′は電荷転送部より転送
された信号電荷を一時蓄積し、検出するためのフローテ
ィング接合型電荷検出部(以下FDという)を構成して
おり、検出された信号はバッファ8を介して出力信号O
8として取出される。n型不純物層3′は電荷転送部の
n型不純物層4と高濃度n 型不純物層1′との間に形
成され、その上に形成される電極6(以下OGアゲート
いう)と共に出力ゲート部を形成し、電荷転送部から転
送される信号電荷をFDに転送する最終ゲートとして機
能する。またこの部分はFDとの境界部(以下FJ部と
いう)において信号電荷を蓄積するためのバリアとなる
。
された信号電荷を一時蓄積し、検出するためのフローテ
ィング接合型電荷検出部(以下FDという)を構成して
おり、検出された信号はバッファ8を介して出力信号O
8として取出される。n型不純物層3′は電荷転送部の
n型不純物層4と高濃度n 型不純物層1′との間に形
成され、その上に形成される電極6(以下OGアゲート
いう)と共に出力ゲート部を形成し、電荷転送部から転
送される信号電荷をFDに転送する最終ゲートとして機
能する。またこの部分はFDとの境界部(以下FJ部と
いう)において信号電荷を蓄積するためのバリアとなる
。
検出された信号電荷は、電極5(以下リセットゲートと
いう)の操作によってn型不純物層2を介し電圧RDが
印加された高濃度n+型不純物層1(以下リセットドレ
インという)に掃出される。
いう)の操作によってn型不純物層2を介し電圧RDが
印加された高濃度n+型不純物層1(以下リセットドレ
インという)に掃出される。
第9図は第8図中に示すXl−X2の部分のポテンシャ
ル図であり、第10図はリセットゲート5および転送電
極7,7′に印加されるパルスのタイミングを示すタイ
ミングチャートである。なおこの場合における電荷転送
部の駆動方法は2相駆動であり、φH1’ φH2は転
送電極7.7′に印加されるパルスで、R8はリセット
ゲート5に印加されるリセットパルスである。
ル図であり、第10図はリセットゲート5および転送電
極7,7′に印加されるパルスのタイミングを示すタイ
ミングチャートである。なおこの場合における電荷転送
部の駆動方法は2相駆動であり、φH1’ φH2は転
送電極7.7′に印加されるパルスで、R8はリセット
ゲート5に印加されるリセットパルスである。
第9図(a)は第10図中のタイミングaにおいてリセ
ットゲート5にハイレベルパルスが印加されたタイミン
グすなわち電荷掃出し時の状態を示している。この時、
確実な電荷掃出しのためにリセットゲート5下のポテン
シャルはリセットドレイン1の印加電圧値より高くなけ
ればならない。
ットゲート5にハイレベルパルスが印加されたタイミン
グすなわち電荷掃出し時の状態を示している。この時、
確実な電荷掃出しのためにリセットゲート5下のポテン
シャルはリセットドレイン1の印加電圧値より高くなけ
ればならない。
第9図(b)は第10図中のタイミングbにおいてFJ
部に電荷が蓄積された状態を示しており、同図中のQ
はFJ部の最大電荷蓄積容量をF、Jmax 示している。
部に電荷が蓄積された状態を示しており、同図中のQ
はFJ部の最大電荷蓄積容量をF、Jmax 示している。
このように従来の固体撮像装置では、第9図(b)に示
す電荷蓄積状態において、OGアゲート下のポテンシャ
ルはリセットゲート5下のポテンシャルよりも高く形成
されているため、第11図および第12図に示されるよ
うに最大蓄積電荷iQ はOGアゲート下のポテ
ンシャルによP、Jmax って制限され、また転送されてきた信号電荷QTが最大
蓄積電荷量Q を超えると、P、、Lmax QQ の電荷が電荷転送部に逆流して取残T−F
、Jmax される。すなわち、第11図は第10図に示すタイミン
グbで最大蓄積電荷量Q より大きなP、Jmax 電荷量の信号電荷Q、がFJ部に転送された状態を示し
ており、また第12図は第10図に示すタイミングCで
QQ の電荷が電荷転送部にT−P、Jmax 取り残された状態をそれぞれ示している。
す電荷蓄積状態において、OGアゲート下のポテンシャ
ルはリセットゲート5下のポテンシャルよりも高く形成
されているため、第11図および第12図に示されるよ
うに最大蓄積電荷iQ はOGアゲート下のポテ
ンシャルによP、Jmax って制限され、また転送されてきた信号電荷QTが最大
蓄積電荷量Q を超えると、P、、Lmax QQ の電荷が電荷転送部に逆流して取残T−F
、Jmax される。すなわち、第11図は第10図に示すタイミン
グbで最大蓄積電荷量Q より大きなP、Jmax 電荷量の信号電荷Q、がFJ部に転送された状態を示し
ており、また第12図は第10図に示すタイミングCで
QQ の電荷が電荷転送部にT−P、Jmax 取り残された状態をそれぞれ示している。
このような取り残し電荷が生じた場合、見かけ上転送効
率が劣化した状態となり、例えばエリアセンサの場合に
は画像の横流れを生じ、画質を著しく劣化させてしまう
。
率が劣化した状態となり、例えばエリアセンサの場合に
は画像の横流れを生じ、画質を著しく劣化させてしまう
。
また信号電荷が複数存在する場合、例えば二次元上に配
列されたフォトダイオードによって光電変換された信号
電荷を所定期間内に順次転送手段によって転送し、これ
を電荷検出部において従来のように検出する場合におい
ては、複数のフォトダイオードのそれぞれの飽和電荷量
にばらつきがあり、しかもそのすべてまたは一部の飽和
出力が最大蓄積電荷量Q 以下の値であったときは
、F、Jmax 遭数のフォトダイオードのうちもっとも小さい飽和電荷
量Q に達する元以上の強い一様光が5ATa+i
n 入射することによって出力にむらを生じてしまう。
列されたフォトダイオードによって光電変換された信号
電荷を所定期間内に順次転送手段によって転送し、これ
を電荷検出部において従来のように検出する場合におい
ては、複数のフォトダイオードのそれぞれの飽和電荷量
にばらつきがあり、しかもそのすべてまたは一部の飽和
出力が最大蓄積電荷量Q 以下の値であったときは
、F、Jmax 遭数のフォトダイオードのうちもっとも小さい飽和電荷
量Q に達する元以上の強い一様光が5ATa+i
n 入射することによって出力にむらを生じてしまう。
第13図はこのような状態における出力むらを生じた一
所定期間(読み出し周期)の出力波形を示またちのであ
る。図に示すように飽和出力電圧V、(Q の出
力電圧)を含むフオトダ5ATIl+n SATm
in イオードの飽和出力電圧がV (Q )F
、Jmax P、Jsax 出力電圧)より小さいために出力波形にむらが生じてい
る。このような出力をモニター等に出力した場合、強い
光が入射すると位置によってむらが生じ、非常に見苦し
い画像となる。
所定期間(読み出し周期)の出力波形を示またちのであ
る。図に示すように飽和出力電圧V、(Q の出
力電圧)を含むフオトダ5ATIl+n SATm
in イオードの飽和出力電圧がV (Q )F
、Jmax P、Jsax 出力電圧)より小さいために出力波形にむらが生じてい
る。このような出力をモニター等に出力した場合、強い
光が入射すると位置によってむらが生じ、非常に見苦し
い画像となる。
また、いずれの信号電荷にせよ、装置の外部に出力され
る値の最大値が大きく、これが装置外部の信号処理回路
等の外部回路の入力許容値を超えた場合には、入力許容
値を超えない正常な波形部にも影響を与える場合がある
。そこでこのような影響を軽減するために外部回路の入
力許容値を最大出力値より大きくなるように余裕をもっ
て設計すると、回路の消費電力が大きくなる等の問題が
発生する。
る値の最大値が大きく、これが装置外部の信号処理回路
等の外部回路の入力許容値を超えた場合には、入力許容
値を超えない正常な波形部にも影響を与える場合がある
。そこでこのような影響を軽減するために外部回路の入
力許容値を最大出力値より大きくなるように余裕をもっ
て設計すると、回路の消費電力が大きくなる等の問題が
発生する。
第14図は一般的な外部回路の入出力特性を示したもの
である。ここでV は入力が増加し N5AT でも出力が飽和して増加しなくなる点である入力許容振
幅値を表わしている。
である。ここでV は入力が増加し N5AT でも出力が飽和して増加しなくなる点である入力許容振
幅値を表わしている。
また第15図(a)は外部回路に入力される従来の装置
の出力波形を、第15図(b)は外部回路の出力波形を
示している。第15図(a)に示すような入力許容振幅
値V 以上の出力が外N5AT 部回路に入力されると、第15図(b)に点円で示した
波形のように人力許容振幅値V 出力 N5AT 以下の正常な出力でも入力許容振幅値V 以 N5
AT 上の出力から影響を受けて波形が乱れる現像が発生する
。
の出力波形を、第15図(b)は外部回路の出力波形を
示している。第15図(a)に示すような入力許容振幅
値V 以上の出力が外N5AT 部回路に入力されると、第15図(b)に点円で示した
波形のように人力許容振幅値V 出力 N5AT 以下の正常な出力でも入力許容振幅値V 以 N5
AT 上の出力から影響を受けて波形が乱れる現像が発生する
。
本発明は上記問題点を解消するためになされたもので、
固体撮像装置の電荷検出部において生ずる大信号出力時
の転送効率の劣化やフォトダイオードの飽和出力むらの
ない固体撮像装置を提供することを目的とする。
固体撮像装置の電荷検出部において生ずる大信号出力時
の転送効率の劣化やフォトダイオードの飽和出力むらの
ない固体撮像装置を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は、電荷転送部から出力ゲートを介して転送され
た信号電荷を一時蓄積し検出するフローティング接合型
電荷検出部と、前記電荷検出部に隣接し前記電荷検出部
に一時蓄積された信号電荷をリセットゲートを介して所
定のタイミングで排出する電荷排出部とを備えた固体撮
像装置において、前記電荷検出部に電荷が蓄積されるタ
イミングでは前記リセットゲート下のポテンシャルが前
記出力ゲート下のポテンシャルよりも高くなるようなタ
イミングパルスを印加する手段を設けたものである。
た信号電荷を一時蓄積し検出するフローティング接合型
電荷検出部と、前記電荷検出部に隣接し前記電荷検出部
に一時蓄積された信号電荷をリセットゲートを介して所
定のタイミングで排出する電荷排出部とを備えた固体撮
像装置において、前記電荷検出部に電荷が蓄積されるタ
イミングでは前記リセットゲート下のポテンシャルが前
記出力ゲート下のポテンシャルよりも高くなるようなタ
イミングパルスを印加する手段を設けたものである。
また電荷検出部に゛蓄積される最大電荷量が複数の画素
から発生した最小電荷量以下となると良い。
から発生した最小電荷量以下となると良い。
(作 用)
本発明の固体撮像装置では電荷蓄積部における蓄積タイ
ミングにおいて、リセットゲート下のポテンシャルが出
力ゲート下のポテンシャルよりも高く設定されるため、
余分な転送電荷が電荷転送部に逆流して取り残されると
いう状態は発生しない。
ミングにおいて、リセットゲート下のポテンシャルが出
力ゲート下のポテンシャルよりも高く設定されるため、
余分な転送電荷が電荷転送部に逆流して取り残されると
いう状態は発生しない。
蓄積電荷量を複数画素からの最小電荷量以下にすると飽
和出力むらが発生しない。
和出力むらが発生しない。
(実施例)
以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
第1図は本発明にかかる固体撮像装置の構成を示す概略
断面図であって、第8図と同じ部分には同一番号を付し
てその詳細な説明を省略する。
断面図であって、第8図と同じ部分には同一番号を付し
てその詳細な説明を省略する。
第1図の構成においては、リセットゲートに印加するリ
セットパルスは第8図に示したR3そのものではなく、
これをレベル変換器9によりレベルを変えたR3’ と
なっている。
セットパルスは第8図に示したR3そのものではなく、
これをレベル変換器9によりレベルを変えたR3’ と
なっている。
第2図は、本発明による電荷蓄積装置のリセットゲート
に印加されるパルスのタイミング波形ヲ示した波形図で
ある。
に印加されるパルスのタイミング波形ヲ示した波形図で
ある。
同図に示すようにリセットゲートに印加されるパルスR
S’ は従来と異なってローレベル値が0より高く設定
されている。
S’ は従来と異なってローレベル値が0より高く設定
されている。
第3図(a)、(b)はそれぞれ第2図に示すタイミン
グパルス時のポテンシャルを示したもので、リセットモ
ードに相当するタイミングaにおいてはリセットゲート
にハイレベルが印加され、電荷掃き出しの状態にある。
グパルス時のポテンシャルを示したもので、リセットモ
ードに相当するタイミングaにおいてはリセットゲート
にハイレベルが印加され、電荷掃き出しの状態にある。
また、電荷蓄積モードに相当するタイミングbではリセ
ットゲートにローレベルが印加されており前述したよう
にこのローレベルは従来と異なってOVよりも高くなっ
ているので、リセットゲート下のポテンシャルがOGア
ゲート下ポテンシャルよりも高くなっている。このため
FJ部の最大蓄積電荷ff1Q、、、□8は図から明ら
かなように、リセットゲート5下のポテンシャルによっ
て制限されている。
ットゲートにローレベルが印加されており前述したよう
にこのローレベルは従来と異なってOVよりも高くなっ
ているので、リセットゲート下のポテンシャルがOGア
ゲート下ポテンシャルよりも高くなっている。このため
FJ部の最大蓄積電荷ff1Q、、、□8は図から明ら
かなように、リセットゲート5下のポテンシャルによっ
て制限されている。
第4図にリセットパルスのローレベルに対する最大蓄積
電荷IAQ の値をグラフとして示しP、Jma
x ている。図中Aの領域はOGアゲート下ポテンシャルよ
りリセットゲート下のポテンシャルの方が低い領域であ
り、最大蓄積電荷mQ はリセP、Jiax ットパルスのローレベル値に関係なく一定となる。
電荷IAQ の値をグラフとして示しP、Jma
x ている。図中Aの領域はOGアゲート下ポテンシャルよ
りリセットゲート下のポテンシャルの方が低い領域であ
り、最大蓄積電荷mQ はリセP、Jiax ットパルスのローレベル値に関係なく一定となる。
またBの領域は本発明にかかる領域であって、OGケー
ト下のポテンシャルよりリセットゲート下のポテンシャ
ルの方が高くかつリセットドレインの電圧より低い領域
である。図から明らかなようにリセットパルスのローレ
ベルを変えることによって最大蓄積電荷量Q を制
御することがp、JIIlax できる。さらにCの領域はリセットドレイン電圧よりリ
セットゲート下のポテンシャルの方が高い領域を示して
おり、電荷は常に掃き出し状態となって電荷蓄積量は起
らない。
ト下のポテンシャルよりリセットゲート下のポテンシャ
ルの方が高くかつリセットドレインの電圧より低い領域
である。図から明らかなようにリセットパルスのローレ
ベルを変えることによって最大蓄積電荷量Q を制
御することがp、JIIlax できる。さらにCの領域はリセットドレイン電圧よりリ
セットゲート下のポテンシャルの方が高い領域を示して
おり、電荷は常に掃き出し状態となって電荷蓄積量は起
らない。
このようにリセットパルスのローレベルの値を高くする
と前述した従来の信号電荷の取り残しが発生せず、画像
の劣化は発生しない。
と前述した従来の信号電荷の取り残しが発生せず、画像
の劣化は発生しない。
第15図は複数の感光画素の全てが飽和状態に達した場
合の読み出し周期の出力波形を示しており、第13図に
相当するものである。図中V 、は全での出力のうち
の最小出力値を示しSAT+l11n ており、本発明によってリセットパルスのローレベルを
制御し、最大蓄積電荷量Q を最小出P、Jmax 力値V 、に相当する電荷量Q 、と同等もSAT
m r n 5ATl11nしくは
それ以下に設定している。このように最大蓄積電荷量Q
を電荷量Q 、以下に設定P、Jmax
SATmtnすることによりその出力波形は第6
図に示すように=r=坦なものとなり、画素ごとの飽和
出力むらを見かけ上なくすことができ、電荷ff1Q
に達SATm 1 n する光より強い光が画素に入力した時に生ずる出力の不
均一をなくすことができる。
合の読み出し周期の出力波形を示しており、第13図に
相当するものである。図中V 、は全での出力のうち
の最小出力値を示しSAT+l11n ており、本発明によってリセットパルスのローレベルを
制御し、最大蓄積電荷量Q を最小出P、Jmax 力値V 、に相当する電荷量Q 、と同等もSAT
m r n 5ATl11nしくは
それ以下に設定している。このように最大蓄積電荷量Q
を電荷量Q 、以下に設定P、Jmax
SATmtnすることによりその出力波形は第6
図に示すように=r=坦なものとなり、画素ごとの飽和
出力むらを見かけ上なくすことができ、電荷ff1Q
に達SATm 1 n する光より強い光が画素に入力した時に生ずる出力の不
均一をなくすことができる。
第7図は本発明にかかる固体撮像装置を外部回路に接続
した場合の効果を説明するための波形図を示したもので
ある。第7図(a)に示すように最大蓄積電荷量Q
の出力値V の値をP、 Jmax
F、 Jmax■ と同等またはそれ以下に制御す
ることに N5AT より、外部回路にV 以上の出力を入力するN5A
T ことを防止している。
した場合の効果を説明するための波形図を示したもので
ある。第7図(a)に示すように最大蓄積電荷量Q
の出力値V の値をP、 Jmax
F、 Jmax■ と同等またはそれ以下に制御す
ることに N5AT より、外部回路にV 以上の出力を入力するN5A
T ことを防止している。
したがって第7図(b)に示すように、外部回路の出力
は良好な歪みのない出力が得られ、従来の装置で問題と
したような波形の乱れを無くすことができる。
は良好な歪みのない出力が得られ、従来の装置で問題と
したような波形の乱れを無くすことができる。
なお以上説明した実施例においては、最大蓄積電荷mQ
の制御方法としてリセットゲートF、ノIIa
X と出力ゲートに印加するタイミングパルスの太きさをレ
ベル変換手段を用いて特定の関係に保つようにしたが、
リセットゲート下のn型不純物層の1震度を従来より高
濃度に形成することによっても同様の効果を得ることが
できる。
の制御方法としてリセットゲートF、ノIIa
X と出力ゲートに印加するタイミングパルスの太きさをレ
ベル変換手段を用いて特定の関係に保つようにしたが、
リセットゲート下のn型不純物層の1震度を従来より高
濃度に形成することによっても同様の効果を得ることが
できる。
またOGゲートに印加する電圧を低くしたりOGアゲー
ト下n型不純物層の濃度を従来より低ra度に形成する
ことによっても同様の効果を得ることができる。
ト下n型不純物層の濃度を従来より低ra度に形成する
ことによっても同様の効果を得ることができる。
以上説明したように本発明では電荷検出部における蓄積
容量以上の電荷が転送された場合でも転送とコ〕残し電
荷の発生を防ぐことができるため画像の溝流れを防ぐこ
とができる。又、電荷検出部の蓄積容量の制御によって
画素の飽和出力のばらつきによる強い光の均一光の入射
による出力むらが防止できる。また、外部回路の入力許
容値を越える最大出力値の外部回路出力波形の乱れを防
ぐことができ、高画質を得ることができる。
容量以上の電荷が転送された場合でも転送とコ〕残し電
荷の発生を防ぐことができるため画像の溝流れを防ぐこ
とができる。又、電荷検出部の蓄積容量の制御によって
画素の飽和出力のばらつきによる強い光の均一光の入射
による出力むらが防止できる。また、外部回路の入力許
容値を越える最大出力値の外部回路出力波形の乱れを防
ぐことができ、高画質を得ることができる。
第1図は本発明による固体撮像装置の部分構成を示す断
面図、第2図は第1図におけるリセットゲートに印加さ
れる入力パルスのタイミング波形を示す波形図、第3図
は第1図のタイミングa。 bにおけるポテンシャル図、第4図はリセットパルスの
ローレベルに対する最大蓄積電荷量の関係を示すグラフ
、第5図および第6図は本発明による?I!1m蓄積装
置の読み出し周期における複数画素からの出力波形を示
すグラフ、第7図は本発明にかかる装置の出力波形と外
部回路出力波形を示すグラフ、第8図は従来の固体撮像
装置の断面構造図、第9図は第8図に示すXl−X2の
部分でのポテンシャル図、第10図は従来の人力パルス
タイミング図、第11図および第12図は従来装置にお
ける電荷取り残しの問題点を示すポテンシャル図、第1
3図および第14図は従来の問題点を示す出力波形図、
第15図は従来装置における外部回路入出力特性グラフ
である。 1・・・リセットドレイン、1′・・・フローティング
接合型電荷検出部、2. 3. 3’・・・不純物層、
5・・・リセットゲート、6・・・OGアゲート7.7
′・・・転送電極、8・・・バッファ、9・・・レベル
変換器、10・・・P型半導体基板。
面図、第2図は第1図におけるリセットゲートに印加さ
れる入力パルスのタイミング波形を示す波形図、第3図
は第1図のタイミングa。 bにおけるポテンシャル図、第4図はリセットパルスの
ローレベルに対する最大蓄積電荷量の関係を示すグラフ
、第5図および第6図は本発明による?I!1m蓄積装
置の読み出し周期における複数画素からの出力波形を示
すグラフ、第7図は本発明にかかる装置の出力波形と外
部回路出力波形を示すグラフ、第8図は従来の固体撮像
装置の断面構造図、第9図は第8図に示すXl−X2の
部分でのポテンシャル図、第10図は従来の人力パルス
タイミング図、第11図および第12図は従来装置にお
ける電荷取り残しの問題点を示すポテンシャル図、第1
3図および第14図は従来の問題点を示す出力波形図、
第15図は従来装置における外部回路入出力特性グラフ
である。 1・・・リセットドレイン、1′・・・フローティング
接合型電荷検出部、2. 3. 3’・・・不純物層、
5・・・リセットゲート、6・・・OGアゲート7.7
′・・・転送電極、8・・・バッファ、9・・・レベル
変換器、10・・・P型半導体基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電荷転送部から出力ゲートを介して転送された信号
電荷を一時蓄積し検出するフローティング接合型電荷検
出部と、前記電荷検出部に隣接し前記電荷検出部に一時
蓄積された信号電荷をリセットゲートを介して所定のタ
イミングで排出する電荷排出部とを備えた固体撮像装置
において、前記電荷検出部に電荷が蓄積されるタイミン
グで前記リセットゲート下のポテンシャルが前記出力ゲ
ート下のポテンシャルよりも高くなるようなタイミング
パルス印加手段を設けたことを特徴とする固体撮像装置
。 2、前記電荷検出部に蓄積される最大電荷量が複数の感
光画素により発生して前記電荷検出部に転送された信号
電荷のうち最小の電荷量以下となるようにリセットゲー
ト下および出力ゲート下のポテンシャルが決定されるこ
とを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63164164A JPH0214571A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63164164A JPH0214571A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0214571A true JPH0214571A (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=15787944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63164164A Pending JPH0214571A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0214571A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04352578A (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 電荷転送素子 |
US5183241A (en) * | 1990-11-29 | 1993-02-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Sheet feeding device for inverting a sheet |
US5233430A (en) * | 1991-01-18 | 1993-08-03 | Sony Corporation | Solid state imager wherein the horizontal transfer is accomplished with first and second clock voltages and the cross-over point between the voltages is above the medium level between the peak values of the voltages |
KR100313509B1 (ko) * | 1999-03-27 | 2001-11-07 | 김영환 | 고체촬상소자의 리셋 게이트 바이어싱회로 |
JP2003101882A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-04-04 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59112493A (ja) * | 1982-12-07 | 1984-06-28 | エヌ・ベ−・フイリップス・フル−イランペンファブリケン | 電荷転送装置 |
JPS59201468A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-15 | Toshiba Corp | 電荷転送デバイス |
JPS61184979A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-18 | Sony Corp | 電荷転送装置の出力回路 |
JPS61187368A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP63164164A patent/JPH0214571A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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