JPH02145550A - カルボン酸アンモニウム誘導体およびこれを用いた磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、潤滑剤として有用な新規なカルボン酸アンモ
ニウム誘導体に関する。

さらに本発明は、磁気テープ、磁気ディスク等の磁気記
録媒体に関し、特にカルボン酸アンモニウム誘導体を潤
滑剤として保持する磁気記録媒体に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、非磁性支持体の一方の面に磁性層を有してな
る磁気記録媒体において、上記磁性層に潤滑効果に優れ
る新規なカルボン酸アンモニウム誘導体を潤滑剤として
混入あるいは塗布することにより、磁気記録媒体の走行
性や耐久性の改善を図るものである。

（従来の技術〕 従来より磁気記録の分野においては、ポリエステルフィ
ルムやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ＞フィルム
等の非磁性支持体の上にｒ−ＦｅｗＯｚ、Ｇｏを含有す
る７　−Ｆ　ｅ　ｔｏｙ、　　Ｆ　ｅ　３０４Ｃｏをき
存するＦ　ｅｚｏａ、７　　Ｆ　ｅｚｏ、とＦｅ＝０４
とのへルトライド化合物、Ｃｒａ２等の酸化物磁性粉末
あるいはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を主成分とする合金ｉｌｌ
性粉末等の粉末磁性材ｔ４を塩化ビニル−酢酸ビニル系
共重合体、ポリエステル樹脂５ポリウレタン樹脂等の有
機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布・乾燥す
ることにより作成されるいわゆる塗布型の磁気記録媒体
が広く使用されている。

これに対して、高密度Ｌイｌ気記録への要求の高まりと
ともに、金属あるいはＣｏ−Ｎｉ合金等の合金からなる
磁性材料を、メツキや真空薄膜形成技術（真空茎着法、
スパッタリング法、イオンブレーティング法等）によっ
てポリエステルフィルム・やポリイミドフィルム等の非
磁性支持体上に直接被着して金属磁性７ｙｔ膜を形成し
た、いわゆる金属薄ｎ９型の磁気記録媒体が提案され注
目を集めている。この金属薄膜型の磁気記録媒体は、抗
磁力角形比、短波長域における電磁変換特性等に優れる
こと、磁性層の厚みを極めて薄くすることが可能である
ため記録ＮＶｆｆや再生時の厚みｔ１失が著しく小さい
こと、磁性層中に非磁性材＃４であるバインダー等を含
有しないために磁性（オ料の充填密度を高くできる等の
数々のＩり点を有している。

これらの磁気記録媒体は磁気ヘッドと摺接しながら使用
されるので、優れた電磁変換特性を保持しドロンブアウ
ト等の障害を防止する観点からは磁性層の表面が十分に
平滑に形成され、磁気ヘッドとの接触性が良好に保たれ
ていることが必要である。しかし、磁性層の表面の平滑
性が掻めて高い場合には、磁気ヘッドやガイドローラー
等の摺動部材に対する実質的な接触面積が大きくなり過
ぎ、凝着現象（いわゆる貼付き）が起き易くなる。

このような貼付きが起こると、走行性や磁性層の耐久性
がかえって低下する。

そこで、この問題を解決するために各種の潤滑剤を使用
することが検討されており、従来より高級脂肪酸やその
エステル等を上記磁気記録媒体の磁性層に混入したり、
あるいは磁性層の表面に塗布することにより１２擦係数
を低減させようとする試みがなされている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、磁気記録媒体に使用される潤滑剤には、■特
に寒冷地における使用に際しても所定の潤滑効果が確保
されるように低温特性に優れること、■磁気ヘッドと磁
性層との間のスペーシングを考慮しζ掻めて薄く塗布で
き、しかも十分な潤滑効果が発揮されること、■潤滑効
果が長時間持禎すること等の特性が要求される。

しかしながら、従来使用されている各種の潤滑剤は低温
条イ１下で固化したり、また特に磁性層の表面に塗布さ
れた場合に長期間の使用にともなって次第に磁気ヘッド
等により削り取られる等の問題点を有しており、潤滑効
果が持続しにくいのが実情であった。

そこで本発明は、かかる実情に鑑みて提案されたもので
あり、各種使用条件下においてもイ３れた潤滑性を発揮
づる新規な化合物の開発を目的とするものである。

さらに本発明は、各種使用条件下において優れた潤滑性
が維持されると共に、走行性や耐久性に優れた磁気記録
媒体の提供を目的とする。

〔課題を解決するための手段） 本発明者らは上述の目的を達成するために検討を重ねた
結果、潤滑効果を持続させるためには潤滑剤のもｆ（性
層に対する吸看性を高めることが有効であり、そのため
には該潤滑剤の構造をカルボン酸アンモニウム誘導体と
し、かつそのアンモニウムの部分に水酸基を導入した新
規な化合物がこの目的に適合することを見出した。本発
明はかかる知見にもとづいて提案されたものである。

すなわち本発明は、−取代（ｒ） Ｒ７べＣＯＯ’）、（Ｎ”Ｈ３−Ｒ２）、　　・・・（
１）（ただし、式中ｎは１〜３の整数を表し、Ｒ７は炭
化水素基、パーフルオロアルキル基、もしくはパーフル
オロアルキル基とポリメチレン基が直鎖状に結合したフ
ッ化アルキル基のいずれかひとつを表し、Ｒ２は水酸基
、もしくは水酸基を有する炭化水素基のいずれかひとつ
を表す。）で表される新規なカルボン酸アンモニウム誘
導体を提供するものである。

さらに本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体の少なく
とも一方の面に磁性層を有してなる磁気記録媒体であっ
て、−取代（１） ％式％（） （ただし、式中ｎは１〜３の整数を表し、Ｒ９は炭化水
素基、パーフルオロアルキル基、もしくはパーフルオロ
アルキル基とポリメチレン基が直鎖状に結合したフッ化
アルキル基のいずれかひとつを表し、Ｒ２は水酸基、も
しくは水酸基を有する炭化水素基のいずれかひとつを表
す。）で表されるカルボン酸アンモニウム誘導体を保持
することを特徴とするものである。

本発明のカルボン酸アンモニウム誘導体は、負電荷部分
が各種のカルボン酸、すなわち飽和脂肪族カルボン酸、
不飽和脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸、パーフル
オロアルキルカルボン酸あるいはフッ化アルキルカルボ
ン酸に由来するイオンであり、正電荷部分がヒドロキシ
ルアンモニウムイオンあるいは水酸基修飾炭化水素基を
有する第１アミンに由来するイオンである。負電荷部分
は１価ないし３価のカルボン酸イオンであるから、この
価数ｎに対応して正電荷部分の個￥’Ｉｎも同様に決ま
る。ｎの値が４となると、たとえば非常に薄く塗布する
ことが困難となる等の取扱い性の低下が生じるので、実
用上好ましくない。

上記負電荷部分がカルボン酸イオンである場合、すなわ
ち上記−取代（１）中のＲ１が炭化水素基である場合、
この炭化水素基は飽和脂肪族炭化水素基、不飽和脂肪族
炭化水素基、あるいは芳香族炭化水素基のいずれかであ
る。特にＲ５が飽和脂肪族炭化水素基あるいは不飽和脂
肪族炭化水素基である場合、その炭素数は特に限定され
るものではないが、十分な潤滑効果を発揮させる観点か
ら１０以上に選ぶことが好ましい。

上記負電荷部分がパーフルオロアルキルカルボン酸イオ
ンである場合、すなわち上記−取代（１）中のＲ１がパ
ーフルオロアルキル基である場合は、その炭素数は３以
上であることが好ましい。炭素数が３未満では、フッ素
導入による潤滑効果が十分に現れない。炭素数の上限に
ついては特に制限（ホないが、炭素数が１２を越えると
固化を起こしやすい等の取扱い上の問題が生ずる虞れが
ある。

また上記負電荷部分がフン化アルキルカルボン酸イオン
である場合、すなわち上記−取代（１）中のＲ１がパー
フルオロアルキル基とポリメチレン基が直鎖状に結合し
たフッ化アルキル基である場合、母体となるフン化アル
キルカルボン酸はたとえば次のような経路にて合成する
ことができる。

ここで、上記パーフルオロアルキル基の炭素数ｉは自然
数とする。炭素数ｉの上限は特に限定されるものではな
いが、１０以上となると固化が生し易く取扱い性や潤滑
性が低下するため、実用性を損なわない範囲で適宜設定
すれば良い。

上記ポリメチレン基の炭素数ｊは２以上の整数とする。

これは上述の反応経路からも明らかなように、カルボン
酸（是）の合成が不飽和カルボン酸メチルエステル（２
）の二重結合へのヨウ化パーフルオロアルキル（１）の
付加反応を基本としているためであり、不飽和カルボン
酸（？）として最も低分子のアクリル酸メチルを使用し
た場合でもｊ＝２であることによる。このｊの値は、あ
る程度大きい方がカルボン酸アンモニウム誘導体とされ
た場合の融点が上昇し、特にハードディスクの製造工程
においてアニール処理を経る際に耐熱性の点で有利とな
ることから、より好ましくは５以上に選ばれる。また、
炭素数ｊの上限は特に限定されるものではないので、実
用性を損なわない範囲で適宜設定することができる。

一方、正電荷部分はヒドロキシルアミンに由来するイオ
ン（すなわちヒドロキシルアンモニウムイオン）、また
は水酸基を有する炭化水素基を側鎖に持つ第１アミンに
由来するイオンからなる。

このうちヒドロキシルアミンとは、上記−取代（１）中
のＲ２が水酸基である場合に相当する。

一方、第１アミンとは上記−取代（１）中のＲ２が水酸
基を有する炭化水素基である場合に相当する。このよう
な第１アミンの合成法としては、ラインヘソケルーラン
コフの方法（Ｈ，Ｒｅ１ｎｈｅｃｋｅｌ　＆Ｄ、Ｒａｎ
ｋｏｆｆ、　Ｂｅｒ、、９５．８７６　（１９６２））
　、シャピロらの方法（Ｄ、５ｈａｐｉｒｏ＋ｅｔ、ａ
ｌ、、　Ｊ、　Ａｍ、　Ｃｈｅｍ、　Ｓｏｃ賎、　２１
７０（１９５Ｂ））等、種々知られており、いずれも容
易に行うことができる。

上記−取代（］）中のＲ２に導入される水酸基の数は１
〜４個とすることが好ましい。４個より多い場合には固
化が起こり易く、取扱い性の低下をきたす虞れがある。

Ｒ２の炭素数は特に限定されるものではないが、潤滑性
を十分に発揮させる観点から１２以上とすることが好ま
しい。

以上のようなカルボン酸とヒドロキシルアミンもしくは
第一アミンとを？８融し、適当な有機ン容媒から再結晶
させることにより、本発明にかかるカルボン酸アンモニ
ウム誘導体を得ることができる。

ここで、本発明が適用される磁気記録媒体としては、ま
ず磁性材料を分散剤その他の添加剤と共に分散混練して
なる磁性塗料を非磁性支持体の表面に塗布することによ
り磁性層を形成したいわゆる塗布型の磁気記録媒体、お
よび真空ＷＪ膜形成技術により非磁性支持体上に直接も
ｎ性材料を被着して磁性層を形成したいわゆる金属薄膜
型の磁気記録媒体が挙げられる。

これらの磁気記録媒体において使用される磁性材料、結
合剤その他の添加物、非磁性支持体等としては、従来公
知の材料がいずれも使用可能であり、何ら限定されるも
のではない。

本発明において磁性層にカルボン酸アンモニウム誘導体
を保持させる方法としては、磁性層に内添する方法と磁
性層の表面にコーティングする方法がある。前者は塗布
型の磁気記録媒体に適用可能であり、後者は塗布型、金
属薄膜型のいずれの磁気記録媒体にも適用可能である。

また内添とコーティングを併用しても良い。

ここでカルボン酸アンモニウム誘導体を磁性層に内添す
る場合には、結合剤１００重量部に対して０．２〜２０
重量部の範囲で添加する。

カルボン酸アンモニウム誘導体を磁性層の表面にコーテ
ィングする場合には、その塗布量は０．５〜１００　ｍ
ｇ／ｍ”　、より好ましくは１〜２０ｍｇ／ｍｔとする
。コーティングに際しては、カルボン酸アンモニウム誘
導体を適当な有機溶媒に溶解してこれを塗布もしくは噴
霧するか、あるいはこの（容イ夜中に浸漬すれば良い。

上述のカルボン酸アンモニウム誘導体は、単独で磁気記
録媒体の潤滑剤として使用しても良いが、従来公知の潤
滑剤と組み合わせて用いても良い。

あるいは、パーフルオロアルキルカルホンテル　カルボ
ン酸パーフルオロアルキルエステルパーフルオロアルキ
ルカルボン酸パーフルオロアルキルエステル、あるいは
これらの３Ｍ’Ａ体と絹み合わせて使用することも可能
である。

本発明の磁気記録媒体は、非（イ１性支持体上の（イ２
性層を形成しなかった方の面にハ・ツクコート層が設け
られているものであっても良い。この場合、バックコー
ト層にも前述のカルボン酸アンモニウム誘導体を内添あ
るいはコーティングにより保持させることができる。

〔作用］ 本発明にかかるカルボン酸アンモニウム８Ｋ　Ａ’Ｊ体
は、正１部分の窒素原子に水酸基あるいは水酸基を存す
る炭化水素基が結合されているため、磁性粉末あるいは
磁性層に対して優れた吸着性を示し、容易に脱落するこ
とがない。

このようなカルボン酸アンモニウム誘導体を潤滑剤とし
て使用する磁気記録媒体は、磁気ヘッドと摺接しながら
長時間走行した後にも良好な走行性を維持することがで
きる。この潤滑作用は低温条件下においても失われるこ
とはない。したがって、磁気記録媒体の耐久性が向上す
る。

〔実施例〕 以下、本発明の好適な実施例を実験例にもとづいて説明
する。

まず、本発明にかかるカルボン酸アンモニウム誘導体と
してペンタデカフルオロオクタン酸１−ヒドロキシメチ
ルヘプタデシルアンモニウムを合成した例について述べ
る。

はじめに、前述のラインへツケルーランコフの方法によ
り、ステアリン酸クロリドを出発物質として正電荷部分
の母体となる第１アミン、すなわちｌ−ヒドロキシメチ
ルヘプタデシルアミンを合成した。このときの合成経路
を次に示す。

ｒｌ Ｃ１６１！３３ＣＩＩ□ＣＯＣρ う Ｃ＋ｂｌｌｉｚ（ＩＨＣＯＣρ ｒ ♀ すなわち、まずステアリン酸クロリド（〉）のα位に臭
素を導入してα−ブロモステアリン酸クロリド（６）と
し、次にメタノールの活性水原子をそのアシル基で置換
してα−ブロモステアリン酸メチル（７）とし、さらに
亜硝酸ナトリウムを作用させて先に導入した臭素原子を
ニトロ基に置換してα−二トロステアリン酸メチル（聾
）とした後、水素化リチウムアルミニウムで還元して１
−ヒドロキシメチルヘプタデシルアミン（嘗）を得た。

この１−ヒドロキシメチルヘプタデシルアミン（ｐ）と
ペンタデカフルオロオクタン酸を等モルずつ混合し、１
００°Ｃで５分間溶融した後、この溶融物をフレオンと
メタノールの混合溶媒中から再結晶させて、９５％の収
率でペンタデカフルオロオクタン酸１−ヒドロキシメチ
ルヘプタデシルアンモニウムを得た。これを化合物ｌと
命名した。

第１図に、上述のようにして得られた化合物１の赤外吸
収スペクトルを示す、このスペクトルをみると、まず３
０００ｃｍ−’付近を中心とする幅広いＮ−Ｈ伸縮振動
および２０００ｃｍ−’付近の結合振動等から得られた
化合物が第１アミンの塩となっていることが裏付けられ
る。その他、３２００ｃｍ−’付近の水酸基の伸縮振動
、１６８０ｃｍ−’付近のカルボニル基の伸縮振動、　
１２６０〜１１２０ｃ　ｍ−’付近のＣ−Ｆ結合の伸縮
振動等が特徴的に現れている。

上述の化合物ｌの合成例に準じ、使用したカルボン酸お
よび第１アミンの種類を変えてさらに種々のカルボン酸
アンモニウム誘導体を合成し、化合物２〜化合物８と命
名した。以上、化合物１〜化合物８を第１表に示す、な
お比較のために、ノナデカフルオロデカン酸アンモニウ
ム（化合物９）も併せて示す。この化合物９は、正電荷
部分に水酸基を持たない点で本発明のカルボン酸アンモ
ニウム誘導体とは異なっている。

（以下余白） 第１表 次に、第１表に示す化合物を使用して以下に示す磁気記
録媒体を作成した。

まず、本発明を塗布型の磁気テープに適用した例につい
て説明する。

実施例１ まず、以下の組成にしたがって磁性塗料組成物を調製し
た。

Ｃｏ被着７−Ｆｅｚｏｚ 塩化とニ）１−酢酸ビニ１￥共重合体〔結合剤］（Ｕ、
Ｃ，Ｃ，社製、商品名ＶＡＧＩＩ）ポリウレタン樹脂〔
結合剤〕 （日本ポリウレタン社製、商品名　Ｍ５０３３）カーボ
ンブラック〔帯電防止剤〕 レシチン〔分散剤〕 メチルエチルケトン メチルイソフ゛チルケトン〔）容斉目 １００重量部 １０、５重量部 １０、５重量部 ５東屋部 １重量部 １５０重量部 １５０重量部 上記の磁性塗料組成物に前述の第１表に示ずペンタデカ
２ルオロオクタン酸１−ヒドロキシメチル−・ブタデシ
ルアンモニウム（化合物１）を潤滑剤として１．５重量
部添加し、ボールミルにて２４時間混合してから３μｍ
のフィルターで濾過し、さらにイソシアネート系硬化剤
を４重量部添加して３０分間攪拌した。この（ａ性塗料
を１４μｍ厚のＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚みが５μ
ｍとなるように塗布し、磁場配向処理を行った後乾燥し
で巻き取った。さらにカレンダー処理を経てｌ／２イン
チ幅に裁断し、サンプルテープを作成した。

実施例２〜実施例８ 潤滑剤として上述のペンタデカフルオロオクタン酸］ー
ヒドロキソメチルヘプクデシルアンモニウム（化合物１
）の代わりに、ｎ７１述の第１表に示す化合物２ないし
化合物８をそれぞれ添加した他は、実施例１と同様にサ
ンプルテープを作成した。

デカン酸アンモニウム（第１表中、化合物９）を使用し
た他は、実施例１と同様にサンプルテープを作成した。

上述のようにして作成された各サンプルテープについて
、エージング前後の摩擦係数およびスティックスリップ
を温度２５°Ｃ，相対温度６０％、および温度４０°Ｃ
，相対湿度８０％の各条件下で測定した。

この結果を第２表に示す。なお、スティックスリップの
評価は良好な場合をＯ、不良である場合を×とした。

（以下余白） 比較例１ 本比較例では、潤滑剤としてノナデカフルオＬ：Ｉ第２
表 この表から明らかなように、潤滑剤と本発明にかかるカ
ルボン酸アンモニウム誘導体を使用した各実施例では、
比較例に比べて摩擦係数が低減され、スティックスリッ
プ特性も向上している。

次に、本発明を金属薄膜型の磁気ディスクに適用した例
について説明する。

実施例９ まず非磁性金属下地層を形成するため、厚さ１５μｍの
Ｎ１−Ｐメツキ層を形成したＡｌ−Ｍｇ合金基板（厚さ
１．５ｍｍ、外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ）を用意し、
このメンキ層の上にガス圧　ｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒ、基
板温度１５０”Ｃにて電子ビーム蒸着によりＢｉを２０
０人の膜厚に被着した。

次いで、この非磁性金属下地層の上に同様にガス圧Ｉ　
Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒ、基板温度１５０°Ｃにて電子ビー
ム蒸着によりＣｏを１０００人の膜厚に被着し、金属磁
性薄膜を形成し、さらにこの金属磁性薄膜の上に真空蒸
着法によりカーボン保護膜を形成した。

最後に上記カーボン保護膜の表面に、潤滑剤として前述
の第１表に示すペンタデカフルオロオクタン酸１−ヒド
ロキシメチルヘプタデシルアンモニウム（化合物ｌ）を
塗布量が５ｍｇ／ｍ”となるように塗布し、サンプルデ
ィスクを作成した。

実施例１０〜実施例１６ 潤滑剤として上述のペンタデカフルオロオクタン酸ｌ−
ヒドロキシメチルヘプタデシルアンモニウム（化合物１
）の代わりに、前述の第１表に示す化合物２ないし化合
物８をそれぞれ添加した他は、実施例９と同様にサンプ
ルディスクを作成した。

上述のようにして作成された各サンプルディスクについ
て、コンタクト・スタート・ストップ（Ｃ３Ｓ）特性を
測定した。すなわち、フェライト（ｆｆ気ヘッドのヘッ
ド荷重を９．５ｇとしてコンタクト・スタート・ストッ
プを２００００回繰り返した後、各サンプルディスクと
フェライト磁気ヘッドとの間の静止摩擦係数を測定した
。この結果を第３表に示す。

（以下余白） 比較例２ 本比較例では、潤滑剤としてノナデカフルオロデカン酸
アンモニウム（第１表中、化合物９）を使用した他は、
実施例９と同様にサンプルディスクを作成した。

第３表 第３表より、実施例９〜実施例１６ではいずれも比較例
２よりも優れたＣ８Ｓ特性が達成されていることが明ら
かである。

さらに、本発明を金属薄膜型の磁気テープに適用した例
について説明する。

実施例１７ まず、１４μｍ厚のＰＥＴフィルムに斜め蒸着法により
Ｃｏを被着させ、膜厚１０００人の強磁性金属薄膜を形
成した。続いて、この強磁性金属薄股上に潤滑剤として
前述の第１表に示すペンクデ力フルオロオクタン酸１−
ヒドロキシメチルヘプタデンルアンモニウム（化合物１
）を塗布量が５ｍｇ／　ｍ　Ｚとなるように塗布し、磁
場配向処理、カレンダー処理を経て１／２インチに裁断
し、サンプルテープを作成した。

実施例１８〜実施例２４ 潤滑剤として上述のペンタデカフルオロオクタン酸ｌ−
ヒドロキシメチルヘプタデシルアンモニウム（化合物ｌ
）の代わりに、前述の第１表に示す化合物２ないし化合
物８をそれぞれ添加した他は、実施例１７と同様にサン
プルテープを作成した。

比較例３ 本比較例では、潤滑剤としてノナデカフルオロカルボン
酸アンモニウム（第１表中、化合物９）を使用した他は
、実施例１３と同様にサンプルテープを作成した。

サンプルテープに一定の張力を与丈て５ｍｍ／秒のテー
プ速度で該ガイドピンと摺接させながら走行させて測定
し、たちのである。スチル耐久性は、ポーズ状態に保持
した場合に再生出力が３　ｄ　Ｂ低下するまでの時間（
分）で表した。またシャトル耐久性は、１回につき２分
間のシャトル走行を行い、再生出力が３ｄＢ低下するま
でのシャトル回数で評価した。これらの結果を第４表に
示す。

（以下余白） 比較例４ 実施例１７と同様に強磁性金属薄膜を形成した後、潤滑
剤を塗布せずにサンプルテープを作成した。

上述のようにして作成された各サンプルテープについて
、温度２５°Ｃ１相対湿度５０％、および−５°Ｃの各
条件下で動摩擦係数、スチル耐久性およびシャトル耐久
性を測定した。上記動摩擦係数は、ステンレス（ＳＵＳ
３０４）製のガイドピンを使用し、第４表 第４表（続き） 潤滑剤を使用しなかった比較例４では、温度２５°Ｃ１
相対湿度６０％において既に摩擦係数が大きくかつ耐久
性が著しく劣っているために、他の条件における試験は
行わなかった。このときのサンプルテープの走行は不安
定であり、磁性層の摩耗も観察された。潤滑剤としてノ
ナデカフルオロデカン酸アンモニウム（化合物９）を使
用した比較例３ではこれら緒特性がかなり改善されてい
る。しかし、本発明を適用した実施例１７ないし実施例
２４の結果はこの比較例３よりもさらに著しく改善され
たものであり、シャトル走行を１５０回繰り返した後で
も再生出力の３ｄＢ低下はみられず、サンプルテープの
走行も極めて安定しており、摩耗も認められなかった。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明のカルボン酸
アンモニウム誘導体は、潤滑効果を長期間にわたって安
定に）Ｉｔ持することのできる有用な化合物である。

また、本発明の磁気記録媒体は磁性層に上記カルボン酸
アンモニウム誘導体が潤滑剤として保持されているため
、各種使用条件下において優れた走行安定性や耐摩耗性
を発揮することができる。

特に、従来走行安定性や耐摩耗性に改善すべき点の多か
った金属薄膜型の磁気記録媒体においてこれらの問題点
が解決されることにより、高密度で高品質の磁気記録再
生が高い信顧性をもって行えるようになる。

あるペンタデカフルオロオクタンＦ、Ｑ　Ｉ−ヒドロキ
シメチルヘブクデシルアンモニウム（化合物ｌ）の赤外
線唆収スペクトルである。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） （ただし、式中ｎは１〜３の整数を表し、Ｒ＿１は炭化
   水素基、パーフルオロアルキル基、もしくはパーフルオ
   ロアルキル基とポリメチレン基が直鎖状に結合したフッ
   化アルキル基のいずれかひとつを表し、Ｒ＿２は水酸基
   、もしくは水酸基を有する炭化水素基のいずれかひとつ
   を表す。）で表されるカルボン酸アンモニウム誘導体。
2. （２）非磁性支持体の少なくとも一方の面に磁性層を有
   してなる磁気記録媒体において、 上記磁性層が一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） （ただし、式中ｎは１〜３の整数を表し、Ｒ＿１は炭化
   水素基、パーフルオロアルキル基、もしくはパーフルオ
   ロアルキル基とポリメチレン基が直鎖状に結合したフッ
   化アルキル基のいずれかひとつを表し、Ｒ＿２は水酸基
   、もしくは水酸基を有する炭化水素基のいずれかひとつ
   を表す。）で表されるカルボン酸アンモニウム誘導体を
   保持することを特徴とする磁気記録媒体。