JPH02143108A - 螢光ｘ線非破壊検査装置 - Google Patents
螢光ｘ線非破壊検査装置Info
- Publication number
- JPH02143108A JPH02143108A JP63297798A JP29779888A JPH02143108A JP H02143108 A JPH02143108 A JP H02143108A JP 63297798 A JP63297798 A JP 63297798A JP 29779888 A JP29779888 A JP 29779888A JP H02143108 A JPH02143108 A JP H02143108A
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- JP
- Japan
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- rays
- film thickness
- transmitted
- sample
- fluorescent
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- Pending
Links
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- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
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Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表面実装されたプリント回路基板等の電子部品
にＸ線を透過させ、透過させたＸ８１１１強度に基づい
て透過Ｘｉ像による検査ｊａ能に加えて、表面処理され
ている膜厚を励起されたＸ１強度に基づいて測定する装
置に関する。
にＸ線を透過させ、透過させたＸ８１１１強度に基づい
て透過Ｘｉ像による検査ｊａ能に加えて、表面処理され
ている膜厚を励起されたＸ１強度に基づいて測定する装
置に関する。
表面実装されたプリント回！基板の検査は、先ず目視に
より行なうか、あるいは放射線透過試験装置Ｆによ実行
されている。その後、欠陥無しと判断された一部表面処
理部孜厚をうず電流方式、あるいは螢光Ｘ線式の非破壊
式膜厚計によって測定している。
より行なうか、あるいは放射線透過試験装置Ｆによ実行
されている。その後、欠陥無しと判断された一部表面処
理部孜厚をうず電流方式、あるいは螢光Ｘ線式の非破壊
式膜厚計によって測定している。
このように、従来の手順では、１個の試料に対して、２
種類の装置を使用する必要性があり、数多くの試料を検
査する場合には、複数の試料の欠！＠稜査した後に、膜
厚検査を順に実施する必要がある為、一連の検査に長時
間を要していた。
種類の装置を使用する必要性があり、数多くの試料を検
査する場合には、複数の試料の欠！＠稜査した後に、膜
厚検査を順に実施する必要がある為、一連の検査に長時
間を要していた。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、表面
実装されたプリント回路基板の欠陥・膜厚監査を、−台
の装置によって実行できる装置を提供することを目的と
する。
実装されたプリント回路基板の欠陥・膜厚監査を、−台
の装置によって実行できる装置を提供することを目的と
する。
本発明は、プリント回ａ基板のような大型試料に、これ
を透通するレベルのＸ線を照射し、透過Ｘ線を壜像した
像の明度に基づいて、画像処理し、欠陥検査した後にス
ルーホール等の微小部にＸ線を照射するためコリメータ
スリットを設定し、目的表面処理部のケイ光Ｘ線強度の
みを検出し、そのＸ線強度に基づいて膜厚演算し、膜厚
検査を実行することによって、一連の検査を一台の装置
によって可能にしたことを特徴とする。
を透通するレベルのＸ線を照射し、透過Ｘ線を壜像した
像の明度に基づいて、画像処理し、欠陥検査した後にス
ルーホール等の微小部にＸ線を照射するためコリメータ
スリットを設定し、目的表面処理部のケイ光Ｘ線強度の
みを検出し、そのＸ線強度に基づいて膜厚演算し、膜厚
検査を実行することによって、一連の検査を一台の装置
によって可能にしたことを特徴とする。
（作用〕
試料はＸＹＺａ軸可動式テーブルに置かれ、上部に設け
られたＸｉ発住部により放出される大面積ｘ＆ｉｌが該
試料を透過し、その透過Ｘ線は撮像器等により画像処理
される。この際、透過Ｘ線強度による画像は、厚み測定
の位置情報入力用として記憶される。ｉ３過画像により
欠陥検査した後、厚み測定位置を人力することにより、
所定の位置にテーブルが移動し、コリメータスリットが
設定され、目的部位からの励起された螢光ｘ′４ＩＡを
検出、予め用意しである表面処理膜厚（組成）とＸ線強
度の関係を表す検量線に基づいて膜厚を算出する。
られたＸｉ発住部により放出される大面積ｘ＆ｉｌが該
試料を透過し、その透過Ｘ線は撮像器等により画像処理
される。この際、透過Ｘ線強度による画像は、厚み測定
の位置情報入力用として記憶される。ｉ３過画像により
欠陥検査した後、厚み測定位置を人力することにより、
所定の位置にテーブルが移動し、コリメータスリットが
設定され、目的部位からの励起された螢光ｘ′４ＩＡを
検出、予め用意しである表面処理膜厚（組成）とＸ線強
度の関係を表す検量線に基づいて膜厚を算出する。
（Ｘ施例）
以下、本発明を図面に基づき具体的に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す模式図である。
Ｘ線発生部ｌより放出される一次Ｘ線は、欠陥１食査に
要する照射面積とする為の第一コリメータ２を透過し試
料３及びＸＹＺ３軸可動ステージ４を透過させる。透過
Ｘ線は、撮像器５により検出され、得られたビデオ信号
は、Ａ／Ｄ変換器６へ与えられて量子化され、走査画素
にアドレスを関連づけて画像処理装置７に送られる。＠
像はモニタＴＶ８で表示され、中央制御演算器９により
欠陥検査の判断を実行する。次に、画像処理装置７で膜
厚測定部を入力することによって、膜厚測定微小部Ｘｉ
照射位置に合うようにステージ４が駆動し、設定された
後、第２コリメークスリツ目０が設定され、細く絞られ
た一次Ｘ線は試才４３に照射され、目的表面膜より発生
する螢光Ｘ線をＸ線検出Ｂ１１で検出し、得られた信号
はリニアアンプ１２でｊ前幅され、マルチチャネルアナ
ライザーＡ）１３で波形処理され、中央制御演算器９に
送られ、予め用意しである膜厚（組成）とＸ線強度の関
係を表す検１１線に基づいて膜厚を算出する．以上によ
り、スルーホールづまりや配線パターンの断線、ふくら
み等の欠陥検査と、目的部位の膜厚検査を一連の操作で
可能とする。
要する照射面積とする為の第一コリメータ２を透過し試
料３及びＸＹＺ３軸可動ステージ４を透過させる。透過
Ｘ線は、撮像器５により検出され、得られたビデオ信号
は、Ａ／Ｄ変換器６へ与えられて量子化され、走査画素
にアドレスを関連づけて画像処理装置７に送られる。＠
像はモニタＴＶ８で表示され、中央制御演算器９により
欠陥検査の判断を実行する。次に、画像処理装置７で膜
厚測定部を入力することによって、膜厚測定微小部Ｘｉ
照射位置に合うようにステージ４が駆動し、設定された
後、第２コリメークスリツ目０が設定され、細く絞られ
た一次Ｘ線は試才４３に照射され、目的表面膜より発生
する螢光Ｘ線をＸ線検出Ｂ１１で検出し、得られた信号
はリニアアンプ１２でｊ前幅され、マルチチャネルアナ
ライザーＡ）１３で波形処理され、中央制御演算器９に
送られ、予め用意しである膜厚（組成）とＸ線強度の関
係を表す検１１線に基づいて膜厚を算出する．以上によ
り、スルーホールづまりや配線パターンの断線、ふくら
み等の欠陥検査と、目的部位の膜厚検査を一連の操作で
可能とする。
以上詳述した如く、本発明はＸ線発生部より出射される
ＸｋｌＡを試料に照射することにより得られる透過Ｘ！
，ｉと励起Ｘ線の２つの情報を利用するため、表面実装
されたプリント回路基板等の欠陥検査と膜厚検査を実行
することができ、これにより、複数の検査装置の設置の
必要性がなくなり、また検査時間の短縮が可能である等
、優れた効果を発揮する。
ＸｋｌＡを試料に照射することにより得られる透過Ｘ！
，ｉと励起Ｘ線の２つの情報を利用するため、表面実装
されたプリント回路基板等の欠陥検査と膜厚検査を実行
することができ、これにより、複数の検査装置の設置の
必要性がなくなり、また検査時間の短縮が可能である等
、優れた効果を発揮する。
・・ステージ
・・・撮像器
・・・Ａ／Ｄ変喚器
・・・画像処理装置
・・・モニタＴＶ
・・・中央制御演算器
・・第２コリメータスリフト
・・Ｘ線検出器
・・リニアアンプ
・・マルチチャネルアナライザー（ＭＣＡ）・・ＣＲＴ
以上
第１図は本発明の実施例を示す模式図である。
出願人 セイコー電子工業株式会社
代理人 弁理士 林 敬 之 助
・Ｘ線発生部
２・・・第１コリメータ
３ ・ ・ ・試料
Claims (1)
- 測定対象の表面処理固体試料にＸ線を照射するＸ線発生
部と、透過したＸ線強度を検出するＸ線検出部と、表面
処理膜より励起された螢光Ｘ線を検出するＸ線検出部と
、透過Ｘ線像を画像処理し、加えて、表面処理膜からの
螢光Ｘ線強度に基づいて膜厚を算出する画像処理膜厚演
算器を具備することを特徴とする螢光Ｘ線非破壊検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297798A JPH02143108A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 螢光ｘ線非破壊検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297798A JPH02143108A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 螢光ｘ線非破壊検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02143108A true JPH02143108A (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=17851307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63297798A Pending JPH02143108A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 螢光ｘ線非破壊検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02143108A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100455644B1 (ko) * | 2001-10-26 | 2004-11-15 | (주)쎄미시스코 | 엑스선 발생장치 및 이를 구비한 엑스선 검사장치 |
| CN117129458A (zh) * | 2023-10-26 | 2023-11-28 | 北京林业大学 | 荧光检测装置、设备及荧光检测方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231762A (en) * | 1975-09-05 | 1977-03-10 | Hitachi Ltd | Method of measuring thickness and composition of thin film formed on s ubstrate |
| JPS5515055A (en) * | 1978-07-19 | 1980-02-01 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Radiant-ray measuring unit |
| JPS61148310A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 螢光ｘ線膜厚計 |
| JPS61226645A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Toshiba Corp | プリント基板検査装置 |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP63297798A patent/JPH02143108A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231762A (en) * | 1975-09-05 | 1977-03-10 | Hitachi Ltd | Method of measuring thickness and composition of thin film formed on s ubstrate |
| JPS5515055A (en) * | 1978-07-19 | 1980-02-01 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Radiant-ray measuring unit |
| JPS61148310A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 螢光ｘ線膜厚計 |
| JPS61226645A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Toshiba Corp | プリント基板検査装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100455644B1 (ko) * | 2001-10-26 | 2004-11-15 | (주)쎄미시스코 | 엑스선 발생장치 및 이를 구비한 엑스선 검사장치 |
| CN117129458A (zh) * | 2023-10-26 | 2023-11-28 | 北京林业大学 | 荧光检测装置、设备及荧光检测方法 |
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