JPH02134813A - レジストの塗布方法 - Google Patents
レジストの塗布方法Info
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- JPH02134813A JPH02134813A JP28763688A JP28763688A JPH02134813A JP H02134813 A JPH02134813 A JP H02134813A JP 28763688 A JP28763688 A JP 28763688A JP 28763688 A JP28763688 A JP 28763688A JP H02134813 A JPH02134813 A JP H02134813A
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- resist
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- film thickness
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- Pending
Links
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
スピンコート法により半導体ウェファ−上にフォトレジ
ストを塗布する場合のレジストの塗布方法に関し、 レジスト膜厚の均一性の向上を目的とし、スピンコート
法によりウェファ−上にレジストを塗布する場合、ウェ
ファ−のエツジ領域に対してガスを吹付けるように構成
する。
ストを塗布する場合のレジストの塗布方法に関し、 レジスト膜厚の均一性の向上を目的とし、スピンコート
法によりウェファ−上にレジストを塗布する場合、ウェ
ファ−のエツジ領域に対してガスを吹付けるように構成
する。
〔産業上の利用分野］
本発明はスピンコート法により半導体ウェファ−上にフ
ォトレジストを塗布する場合のレジストの塗布方法に関
する。
ォトレジストを塗布する場合のレジストの塗布方法に関
する。
半導体装置の構造には、１個の半導体基板に対し金属又
は絶縁物の蒸着と、それらをパターニングするフォトリ
ソグラフィー工程が複数回行われる。このような半導体
装置の構造において、近時のＬＳＩの高密度、高集積化
に伴い、フォトリソグラフィー工程におけるレジストパ
ターニングの微細化が必要不可欠となって来ている。こ
のためウェファ−上のレジストの膜厚分布を均一にして
パターン精度の向上を行うことが要望されている。
は絶縁物の蒸着と、それらをパターニングするフォトリ
ソグラフィー工程が複数回行われる。このような半導体
装置の構造において、近時のＬＳＩの高密度、高集積化
に伴い、フォトリソグラフィー工程におけるレジストパ
ターニングの微細化が必要不可欠となって来ている。こ
のためウェファ−上のレジストの膜厚分布を均一にして
パターン精度の向上を行うことが要望されている。
特にスピンコート法でレジストを塗布する場合にはウェ
ファ−周辺にエツジビード（レジストの盛り上がり）が
生ずるため、この膜厚制御はパターン精度の向上に大き
な影響を与えている。
ファ−周辺にエツジビード（レジストの盛り上がり）が
生ずるため、この膜厚制御はパターン精度の向上に大き
な影響を与えている。
〔従来の技術］
第２図は従来のスピンコート法に用いるレジストコータ
を示す図である。これはレジストコータカップ１の中に
スピンナー２が設けられ、該スピンナー２は駆動モータ
３により回転駆動されるようになっている。そしてレジ
ストの塗布は、スピンナー２上にレジストを塗布すべき
ウェファ−４を取り付け、その表面にレジスト塗布ノズ
ル５から適量のレジストを滴下し、スピンナー２を回転
してレジストを遠心力によりウェファ−４の表面に広げ
てレジスト膜を形成するのである。
を示す図である。これはレジストコータカップ１の中に
スピンナー２が設けられ、該スピンナー２は駆動モータ
３により回転駆動されるようになっている。そしてレジ
ストの塗布は、スピンナー２上にレジストを塗布すべき
ウェファ−４を取り付け、その表面にレジスト塗布ノズ
ル５から適量のレジストを滴下し、スピンナー２を回転
してレジストを遠心力によりウェファ−４の表面に広げ
てレジスト膜を形成するのである。
上記従来のレジストコータでレジストを塗布する場合、
レジストの粘性、スピンナーの回転数等でレジスト膜厚
分布の不均一が発生する。特にウェファ−エツジでの膜
厚分布に異常が発生し易い。
レジストの粘性、スピンナーの回転数等でレジスト膜厚
分布の不均一が発生する。特にウェファ−エツジでの膜
厚分布に異常が発生し易い。
（以下エツジビードと称する。）
このエツジビードと称する膜厚分布異常は第３図に示す
ように中心方向に比べて厚くなる傾向がある。このため
、パターニング時の露光時にマスクがウェファ−中心部
のレジストに密着せずパタニング精度に悪影響を及ぼす
。特にレジスト塗布膜厚が厚い場合はこのエツジビード
領域が数ミリにおよぶこともある。
ように中心方向に比べて厚くなる傾向がある。このため
、パターニング時の露光時にマスクがウェファ−中心部
のレジストに密着せずパタニング精度に悪影響を及ぼす
。特にレジスト塗布膜厚が厚い場合はこのエツジビード
領域が数ミリにおよぶこともある。
第４図はスピンナーの回転数とエツジビードの領域幅と
レジスト膜厚の変化を示す図であり、曲線Ａでスピンナ
ー回転数とレジスト膜厚との関係を示し、曲線Ｂでスピ
ンナー回転数とエツジビード領域幅との関係を示してい
る。図よりスピンナー回転数を増加させるとエツジビー
ド領域幅を減少させるが、塗布膜厚も減少させてしまう
。これは所定膜厚維持のためには望ましくない。このた
め、塗布膜厚維持とエツジビード領域幅減少を両５立さ
せる必要がある。
レジスト膜厚の変化を示す図であり、曲線Ａでスピンナ
ー回転数とレジスト膜厚との関係を示し、曲線Ｂでスピ
ンナー回転数とエツジビード領域幅との関係を示してい
る。図よりスピンナー回転数を増加させるとエツジビー
ド領域幅を減少させるが、塗布膜厚も減少させてしまう
。これは所定膜厚維持のためには望ましくない。このた
め、塗布膜厚維持とエツジビード領域幅減少を両５立さ
せる必要がある。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、レジスト膜厚の均一
性を向上可能としたレジストの塗布方法を提供すること
を目的とする。
性を向上可能としたレジストの塗布方法を提供すること
を目的とする。
（課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明のレジストの塗布方
法は、スピンコート法によりウェファ−１１上にレジス
ト１２を塗布する場合、ウェファ−１１のエツジ領域に
対してウェファ−中心から外方に向かう方向にガスを吹
き付けることを特徴とする。
法は、スピンコート法によりウェファ−１１上にレジス
ト１２を塗布する場合、ウェファ−１１のエツジ領域に
対してウェファ−中心から外方に向かう方向にガスを吹
き付けることを特徴とする。
スピンナー回転数依存の遠心力とウェファ−エツジ領域
で発生する表面張力との釣り合いでエツジビードの大き
さが決定されるので、この釣り合いを破るように核部に
ガスを吹き付けることにより、ウェファ−のエツジ領域
以外のレジスト膜厚に影響を与えずにエツジビードの発
生を抑えることができ、膜厚の均一性を向上することが
できる。
で発生する表面張力との釣り合いでエツジビードの大き
さが決定されるので、この釣り合いを破るように核部に
ガスを吹き付けることにより、ウェファ−のエツジ領域
以外のレジスト膜厚に影響を与えずにエツジビードの発
生を抑えることができ、膜厚の均一性を向上することが
できる。
第１図は本発明方法の実施例を説明するための図である
。
。
同図において、１０はレジストコータのスピンナー １
１はその上に真空吸引等で固定されたウェファ−１１２
はレジストであり、１３が本発明の要点であるガス吹付
けのためのノズルである。
１はその上に真空吸引等で固定されたウェファ−１１２
はレジストであり、１３が本発明の要点であるガス吹付
けのためのノズルである。
該ノズル１３はウェファ−１１の中心から外方に向かう
方向で且つウェファ−の表面に対し約４５゜の角度でウ
ェファ−周辺類にガスを吹き付けることができるように
配置されている。
方向で且つウェファ−の表面に対し約４５゜の角度でウ
ェファ−周辺類にガスを吹き付けることができるように
配置されている。
ノズル１３から噴射するガスの流量はスピンナー１０の
回転数、レジストの粘度により適正値を決定しなければ
ならないが、本実施例ではスピンナーの回転数５０Ｏｒ
ｐｍ、レジスト粘度１５ｃｐのときノズル１３を３木用
いＮ２ガスを約３尼／ｍｉｎで流した。その結果エツジ
ビード領域を従来の１ ｃｍから１／１０の約１ ｍｍ
に抑えることができた。このときのレジスト膜厚は３．
９ ｔｍと通常のコーティング方法と変わりなかった。
回転数、レジストの粘度により適正値を決定しなければ
ならないが、本実施例ではスピンナーの回転数５０Ｏｒ
ｐｍ、レジスト粘度１５ｃｐのときノズル１３を３木用
いＮ２ガスを約３尼／ｍｉｎで流した。その結果エツジ
ビード領域を従来の１ ｃｍから１／１０の約１ ｍｍ
に抑えることができた。このときのレジスト膜厚は３．
９ ｔｍと通常のコーティング方法と変わりなかった。
なお本実施例では吹き付はガスとしてＮ２ガスを用いた
が、その他アルゴン、空気、ヘリウム、水素、酸素、水
蒸気等の単独ガス、又はこれらの混合ガスを用いること
もできる。またガス中にレジストの溶剤を混入させ、エ
ツジビード生成部分を溶解すると共によりガスによりエ
ツジビードを除去することもできる。
が、その他アルゴン、空気、ヘリウム、水素、酸素、水
蒸気等の単独ガス、又はこれらの混合ガスを用いること
もできる。またガス中にレジストの溶剤を混入させ、エ
ツジビード生成部分を溶解すると共によりガスによりエ
ツジビードを除去することもできる。
以上説明した様に、本発明によれば、スピンコート法に
よりウェファ−上にレジストを塗布する場合、ウェファ
−のエツジ領域にガスを吹き付けることによりエツジビ
ードの発生を抑え、塗布膜厚の均一化を行うことができ
る。これによりレジストパターニング精度の著しい向上
が可能となり、またウェファ−内におけるチップ良品率
も上がり、ウェファ−周辺領域での良品チップ取得率の
向上が達成される。
よりウェファ−上にレジストを塗布する場合、ウェファ
−のエツジ領域にガスを吹き付けることによりエツジビ
ードの発生を抑え、塗布膜厚の均一化を行うことができ
る。これによりレジストパターニング精度の著しい向上
が可能となり、またウェファ−内におけるチップ良品率
も上がり、ウェファ−周辺領域での良品チップ取得率の
向上が達成される。
第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は従
来のレジストコータを示す図、第３図は従来技術の問題
点を説明するための図、第４図はスピンナーの回転数と
エツジビード領域幅及びレジスト膜厚との関係を示す図
である。 図において、 １０はスピンナー １１はウェファ− １２はレジスト、 １３はノズル、 １４はガス を示す。
来のレジストコータを示す図、第３図は従来技術の問題
点を説明するための図、第４図はスピンナーの回転数と
エツジビード領域幅及びレジスト膜厚との関係を示す図
である。 図において、 １０はスピンナー １１はウェファ− １２はレジスト、 １３はノズル、 １４はガス を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、スピンコート法によりウエファー（１１）上にレジ
スト（１２）を塗布する場合、ウエファー（１１）のエ
ッジ領域に対して１ウエファー中心から外方に向かう方
向にガスを吹付けることを特徴とするレジストの塗布方
法。 ２、上記ガスに、窒素、アルゴン、空気、ヘリウム、水
素、酸素、水蒸気から選択した１つ、又はこれらの混合
ガスを用いる請求項１記載のレジストの塗布方法。 ３、上記ガス中に、レジストの溶剤を混入させることを
特徴とする請求項１記載のレジストの塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28763688A JPH02134813A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | レジストの塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28763688A JPH02134813A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | レジストの塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02134813A true JPH02134813A (ja) | 1990-05-23 |
Family
ID=17719793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28763688A Pending JPH02134813A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | レジストの塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02134813A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03245870A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 塗布液塗布装置および塗布液塗布方法 |
| US5378511A (en) * | 1993-03-22 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Material-saving resist spinner and process |
| US5449405A (en) * | 1991-10-29 | 1995-09-12 | International Business Machines Corporation | Material-saving resist spinner and process |
| JP2013171937A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜塗布装置 |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP28763688A patent/JPH02134813A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03245870A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 塗布液塗布装置および塗布液塗布方法 |
| US5449405A (en) * | 1991-10-29 | 1995-09-12 | International Business Machines Corporation | Material-saving resist spinner and process |
| US5378511A (en) * | 1993-03-22 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Material-saving resist spinner and process |
| JP2013171937A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜塗布装置 |
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