JPH02121252A - Charged particle beam compound device - Google Patents
Charged particle beam compound deviceInfo
- Publication number
- JPH02121252A JPH02121252A JP27422888A JP27422888A JPH02121252A JP H02121252 A JPH02121252 A JP H02121252A JP 27422888 A JP27422888 A JP 27422888A JP 27422888 A JP27422888 A JP 27422888A JP H02121252 A JPH02121252 A JP H02121252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- ion beam
- target
- electron
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 61
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 56
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004157 plasmatron Methods 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、イオンビームと電子ビームとを同時にターゲ
ットに照射するようにし、イオンビームによるターゲッ
トのエツチングやデボジンヨン等と電子ビームによるタ
ーゲットの表面観察とを同時に行うようにした荷電粒子
ビーム複合装置に関する。Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention irradiates a target with an ion beam and an electron beam at the same time, and performs etching and debossing of the target with the ion beam, and surface observation of the target with the electron beam. The present invention relates to a charged particle beam composite device that simultaneously performs the following operations.
（従来の技術）
オージェ電子分析装置では、電子ビーム照射により試料
等のターゲットから発生したオージェ電子を分光し、試
料の分析を行っている。この装置では、深さ方向の分析
を行うために、電子ビームコラム側面部にデュオプラズ
マトロン等のイオン源を取り付け、このイオン源からの
イオンビームを試料に照射し、試料のエツチングを行い
ながら電子ビームを照射し、分析や観察を行っている。(Prior Art) An Auger electron analyzer analyzes a sample by spectroscopy of Auger electrons generated from a target such as a sample by electron beam irradiation. In this device, in order to perform depth analysis, an ion source such as a duoplasmatron is attached to the side of the electron beam column, and the ion beam from this ion source is irradiated onto the sample, etching the sample while etching the electrons. A beam is irradiated to perform analysis and observation.
この方法では、電子ビームとイオンビームの軸を合せた
りする作業が面倒であると共に、デュオプラズマトロン
イオン源からの比較的大きなイオンビームを試料に照射
する関係上、微小領域のエツチングを行うことが困難で
ある。In this method, it is troublesome to align the axes of the electron beam and ion beam, and because the sample is irradiated with a relatively large ion beam from the duo-plasmatron ion source, it is difficult to etch small areas. Have difficulty.
（発明が解決しようとする課題）
これを解決するため、第３図の電子ビーム・イオンビー
ム複合装置が考えられる。この装置では、電子銃１とイ
オン銃２とが同一コラム上に取り付けられている。電子
銃１からの電子ビームＥＢは、集束レンズ３によって集
束され、イオン銃２からのイオンビームＩＢは、集束レ
ンズ４によって集束され、両方のビーム共に電磁偏向器
５の中心にクロスオーバーを形成する。電子ビームとイ
オンビームは電磁偏向器５によって同−光軸Ｏに合され
、対物レンズ６によってターゲット７上に細く集束され
る。(Problem to be Solved by the Invention) In order to solve this problem, the electron beam/ion beam combined device shown in FIG. 3 can be considered. In this device, an electron gun 1 and an ion gun 2 are mounted on the same column. The electron beam EB from the electron gun 1 is focused by a focusing lens 3, and the ion beam IB from the ion gun 2 is focused by a focusing lens 4, and both beams form a crossover at the center of the electromagnetic deflector 5. . The electron beam and the ion beam are aligned on the same optical axis O by an electromagnetic deflector 5, and narrowly focused onto a target 7 by an objective lens 6.
このような光学系により、電子ビームとイオンビームを
同時にターゲット７に照射することがてきるが、ターゲ
ット７上で両方のビームを走査するため、静電偏向器を
用いると、電子はマイナスの電荷を持ち、イオンはプラ
スの電荷を持っていることから、電子ビームとイオンビ
ームの走査方向が逆となり、同一の走査領域で同時に２
種のビムを走査することができない。With such an optical system, it is possible to simultaneously irradiate the target 7 with an electron beam and an ion beam, but if an electrostatic deflector is used to scan both beams on the target 7, the electrons will have a negative charge. Since the ions have a positive charge, the scanning directions of the electron beam and ion beam are opposite, and two beams are simultaneously scanned in the same scanning area.
Unable to scan seed bim.
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、その目
的は、電子ビームとイオンビームを同時に同一領域で走
査することができる荷電粒子ビーム複合装置を実現する
ことにある。The present invention has been made in view of these points, and its purpose is to realize a charged particle beam combination device that can simultaneously scan the same area with an electron beam and an ion beam.
（課題を解決するための手段）
本発明の請求項１に基づ＜ｍｉ’Ｎ粒子ビーム複合装置
は、イオンビーム発生源と、電子ビーム発生源と、イオ
ンビームと電子ビームとを同一光軸上に導くための手段
と、イオンビームと電子ビームとをターゲット上に集束
するためのレンズと、イオンビームと電子ビームとをタ
ーゲット上で２次元的に走査するための偏向手段とを備
え、前記偏向手段を電磁偏向コイルと静電偏向板とによ
って構成したことを特徴としている。(Means for Solving the Problems) Based on claim 1 of the present invention, the <mi'N particle beam composite device has an ion beam generation source, an electron beam generation source, and an ion beam and an electron beam that are aligned on the same optical axis. a lens for focusing the ion beam and the electron beam on the target; and a deflection means for scanning the ion beam and the electron beam two-dimensionally on the target; It is characterized in that the deflection means is composed of an electromagnetic deflection coil and an electrostatic deflection plate.
本発明の請求項２に基づく荷電粒子ビーム複合装置は、
イオンビーム発生源と、電子ビーム発生源と、イオンビ
ームと電子ビームとを同一光軸上に導くための手段と、
イオンビームと電子ビームとをターゲット上に集束する
ためのレンズと、イオンビームと電子ビームとをターゲ
ット上で２次元的に走査するための偏向手段と、２次電
子検出器とを備え、前記偏向手段を電磁偏向コイルと静
電偏向板とによって構成し、ターゲットと２次電子検出
器との間にエネルギーフィルタを設けたことを特徴とし
ている。The charged particle beam composite device according to claim 2 of the present invention includes:
an ion beam generation source, an electron beam generation source, means for guiding the ion beam and the electron beam onto the same optical axis;
A lens for focusing an ion beam and an electron beam on a target, a deflection means for scanning the ion beam and an electron beam two-dimensionally on the target, and a secondary electron detector, The device is characterized by comprising an electromagnetic deflection coil and an electrostatic deflection plate, and an energy filter is provided between the target and the secondary electron detector.
（作用）
請求項１の発明では、電子ビームとイオンビームを走査
するため静電偏向板と電磁偏向コイルとより成る偏向器
を用いる。イオンビームは静電偏向板によって偏向され
、電子ビームは静電偏向板と電磁偏向コイルによって偏
向される。静電偏向板と電磁偏向コイルの両者に印加す
る偏向信号強度を調整し、イオンビームの走査領域と電
子ビームの走査領域とを一致させる。(Function) In the first aspect of the invention, a deflector including an electrostatic deflection plate and an electromagnetic deflection coil is used to scan the electron beam and the ion beam. The ion beam is deflected by an electrostatic deflection plate, and the electron beam is deflected by an electrostatic deflection plate and an electromagnetic deflection coil. The intensity of the deflection signal applied to both the electrostatic deflection plate and the electromagnetic deflection coil is adjusted to match the scanning area of the ion beam and the scanning area of the electron beam.
請求項２の発明では、電子ビーム照射に基づく２次電子
のみを検出するために、ターゲットと２次電子検出器と
の間にエネルギーフィルターを設ける。In the invention of claim 2, an energy filter is provided between the target and the secondary electron detector in order to detect only secondary electrons based on electron beam irradiation.
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。第１図は本発明に基づく荷電粒子ビーム複合装置の要
部を示しており、電子ビームとイオンビームとの複合ビ
ームＣＢは、対物レンズ６によって試料であるターゲッ
ト７上に細く集束される。対物レンズ６は静電レンズ１
１と電磁レンズ１２によって構成されており、イオンビ
ームＩＢは質量が大きいので図中実線で示すようにほと
んど静電レンズ１１によってのみ集束される。又、電子
ビームＥＢは、図中点線で示すように、静電レンズ１１
と電磁レンズ１２の両方によって集束作用を受ける。こ
の静電レンズ１１と電磁レンズ１２の両者のレンズ強度
を適宜調整することにより、イオンビームと電子ビーム
を同時にターゲット７上に細く集束〆るご′とができる
。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows the main parts of a charged particle beam composite device according to the present invention, in which a composite beam CB of an electron beam and an ion beam is narrowly focused onto a target 7, which is a sample, by an objective lens 6. Objective lens 6 is electrostatic lens 1
1 and an electromagnetic lens 12, and since the ion beam IB has a large mass, it is almost focused only by the electrostatic lens 11, as shown by the solid line in the figure. Further, the electron beam EB passes through the electrostatic lens 11 as shown by the dotted line in the figure.
and the electromagnetic lens 12. By appropriately adjusting the lens strengths of both the electrostatic lens 11 and the electromagnetic lens 12, the ion beam and electron beam can be narrowly focused onto the target 7 at the same time.
電子ビームとイオンビームのターゲット７上の照射位置
は、偏向器１３によって変えられるが、偏向器１３は、
静電偏向板１４と偏向コイル１５から構成されている。The irradiation positions of the electron beam and the ion beam on the target 7 are changed by the deflector 13.
It is composed of an electrostatic deflection plate 14 and a deflection coil 15.
ターゲット７へのビームの照射によって発生した２次電
子は、マイクロチャンネルプレート等の２次電子検出器
１６によって検出される。ターゲット７と２次電子検出
器１６との間には、メツシュ電極１７が配置されており
、このメツシュ電極１７には電源１８からＩＯＶ程度の
電圧が印加されている。Secondary electrons generated by irradiating the target 7 with the beam are detected by a secondary electron detector 16 such as a microchannel plate. A mesh electrode 17 is arranged between the target 7 and the secondary electron detector 16, and a voltage of approximately IOV is applied to the mesh electrode 17 from a power source 18.
上述した構成の動作は次の通りである。ターゲット７の
表面をイオンビームによってエツチングし、このエツチ
ングされた部分を電子ビーム照射による２次電子像によ
って観察する場合、対物レンズ６によってイオンビーム
と電子ビームは同時に細く集束されてターゲット７上に
照射される。The operation of the above-described configuration is as follows. When etching the surface of the target 7 with an ion beam and observing this etched portion with a secondary electron image produced by electron beam irradiation, the ion beam and electron beam are simultaneously narrowly focused by the objective lens 6 and irradiated onto the target 7. be done.
ターゲット７上のイオンビームと電子ビームの照射位置
を移動するため、偏向器１３に偏向信号が供給される。In order to move the irradiation positions of the ion beam and electron beam on the target 7, a deflection signal is supplied to the deflector 13.
第２図は、静電偏向板１４と偏向コイル１５に偏向信号
を供給した場合の電子ビームＥＢとイオンビームＩＢの
偏向の状態を示す概念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram showing the state of deflection of the electron beam EB and ion beam IB when a deflection signal is supplied to the electrostatic deflection plate 14 and the deflection coil 15.
今、偏向コイル１５に信号を供給せず、静電偏向板１４
にのみ偏向信号を供給すれば、電界Ｅによってのみ電子
ビームＥＢとイオンビームＩＢは偏向される。電子ビー
ムとイオンビームは先に述べたように、電荷が逆極性で
あるので、第２図＜ａ）に示すように、両者は反対の向
きに偏向される。Now, without supplying a signal to the deflection coil 15, the electrostatic deflection plate 14
If a deflection signal is supplied only to the electric field E, the electron beam EB and the ion beam IB will be deflected only by the electric field E. As mentioned above, since the charges of the electron beam and the ion beam are opposite in polarity, they are deflected in opposite directions, as shown in FIG. 2<a).
次に、電磁偏向コイル１５にも偏向信号を供給すれば、
偏向磁界が発生するが、イオンは質量が大きいためにこ
の磁界によってはほとんど影響されない。しかしながら
、電子は磁界Ｂによって大きな作用を受け、例えば、静
電界Ｅによって受ける力よりも磁界Ｂによって受ける力
がはるかに大きい場合には、第２図（ｂ）に示すように
７１’−ビームＥＢはイオンビームＩＢより同し方向に
大きく偏向される。Next, if a deflection signal is also supplied to the electromagnetic deflection coil 15,
A deflecting magnetic field is generated, but the ions are hardly affected by this magnetic field because of their large mass. However, the electrons are strongly acted upon by the magnetic field B, for example, if the force exerted by the magnetic field B is much larger than the force exerted by the electrostatic field E, then the 71'-beam EB as shown in FIG. is deflected to a greater extent in the same direction than the ion beam IB.
この静電界Ｅと磁界Ｂが電子に与える力が等しい場合は
、電子は結果的に偏向を受けず、第２図（ｃ）に示すよ
うに直進する。When the electrostatic field E and the magnetic field B exert equal forces on the electrons, the electrons are not deflected and travel straight as shown in FIG. 2(c).
この概念図を用いて説明したことから明らかなように、
電界と磁界の強さを適宜１週整することにより、ターゲ
ット７上の所定領域を電子ビームとイオンビームとによ
って同時に走査することが可能となる。もちろん、この
走査領域は、電子ビームを広くし、イオンビームの走査
領域を電子ビームの走査領域の中心部分に限定すること
も任意に行うことができ、又その逆も容易に行うことが
できる。As is clear from the explanation using this conceptual diagram,
By adjusting the strength of the electric field and magnetic field appropriately for one week, it becomes possible to simultaneously scan a predetermined area on the target 7 with the electron beam and the ion beam. Of course, this scanning area can be arbitrarily changed by widening the electron beam and limiting the ion beam scanning area to the central part of the electron beam scanning area, or vice versa.
電子ビームとイオンビームのターゲット７への照射に伴
って、２次電子が発生するが、電子ビームによる２次電
子のエネルギーは、イオンビームによる２次電子のエネ
ルギーに比べて高いことから、電子ビームによる２次電
子像を得る場合には、メツシュ電極１７に電源１８から
１．０ Ｖ程度の電圧を印加してエネルギーフィルター
を構成し、電子ビームに基づく２次電子のみメツシュ電
極１７を透過させて２次電子検出器１６によって検出す
れば良い。もちろん、電子ビームによるターゲットの表
面像を観察する場合には、電子ビームの照射によっての
み発生ずる反射電子を検出するようにしても良い。Secondary electrons are generated as the target 7 is irradiated with the electron beam and ion beam, but since the energy of the secondary electrons from the electron beam is higher than that of the secondary electrons from the ion beam, the electron beam When obtaining a secondary electron image, a voltage of about 1.0 V is applied to the mesh electrode 17 from the power supply 18 to form an energy filter, and only the secondary electrons generated by the electron beam are transmitted through the mesh electrode 17. It may be detected by the secondary electron detector 16. Of course, when observing the surface image of the target by the electron beam, reflected electrons generated only by the electron beam irradiation may be detected.
このように、イオンビームによるターゲット７の所定領
域のエツチングを行いながら、電子ビームによるエツチ
ング部分の２次電子像の観察を行うことができる。なお
、この実施例では、イオンビームによるエツチングを例
に説明したが、イオンビームによるデポジションに本発
明を適用することも可能であり、又、オージェ電子分光
における深さ方向の分析にも適用することができる。In this way, while etching a predetermined region of the target 7 with the ion beam, it is possible to observe the secondary electron image of the portion etched with the electron beam. In this example, etching using an ion beam was explained as an example, but the present invention can also be applied to deposition using an ion beam, and can also be applied to analysis in the depth direction in Auger electron spectroscopy. be able to.
（発明の効果）
以上説明したように、請求項１の発明では、偏向器とし
て静電偏向板と電磁偏向コイルとを組合せて用いるため
、ターゲットの同一領域を同時に電子ビームとイオンビ
ームとで走査することができる。(Effects of the Invention) As explained above, in the invention of claim 1, since an electrostatic deflection plate and an electromagnetic deflection coil are used in combination as a deflector, the same area of the target is simultaneously scanned by an electron beam and an ion beam. can do.
請求項２の発明では、２次電子検出器とターゲットとの
間にエネルギーフィルタを設け、電子ビーム照射に基づ
く２次電子のみ検出できるようにしたため、電子ビーム
による２次電子像を観察することかできる。In the invention of claim 2, an energy filter is provided between the secondary electron detector and the target so that only secondary electrons based on electron beam irradiation can be detected, so that it is possible to observe a secondary electron image caused by the electron beam. can.
第１図は、本発明の一実施例である荷電粒子ビーム複合
装置の要部を示す図、ＭＳ２図は、電子ビームとイオン
ビームの偏向の状態を示す概念図、第３図は、電子ビー
ム・イオンビーム複合装置の従来例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the main parts of a charged particle beam composite device that is an embodiment of the present invention, MS2 diagram is a conceptual diagram showing the deflection states of an electron beam and an ion beam, and FIG. 3 is a diagram showing the electron beam - It is a diagram showing a conventional example of an ion beam composite device.
Claims (2)
オンビームと電子ビームとを同一光軸上に導くための手
段と、イオンビームと電子ビームとをターゲット上に集
束するためのレンズと、イオンビームと電子ビームとを
ターゲット上で２次元的に走査するための偏向手段とを
備え、前記偏向手段を電磁偏向コイルと静電偏向板とに
よって構成したことを特徴とする荷電粒子ビーム複合装
置。(1) an ion beam generation source, an electron beam generation source, means for guiding the ion beam and the electron beam onto the same optical axis, and a lens for focusing the ion beam and the electron beam on a target; A charged particle beam composite device comprising a deflection means for two-dimensionally scanning an ion beam and an electron beam on a target, the deflection means comprising an electromagnetic deflection coil and an electrostatic deflection plate. .
オンビームと電子ビームとを同一光軸上に導くための手
段と、イオンビームと電子ビームとをターゲット上に集
束するためのレンズと、イオンビームと電子ビームとを
ターゲット上で２次元的に走査するための偏向手段と、
２次電子検出器とを備え、前記偏向手段を電磁偏向コイ
ルと静電偏向板とによって構成し、ターゲットと２次電
子検出器との間にエネルギーフィルタを設けたことを特
徴とする荷電粒子ビーム複合装置。(2) an ion beam generation source, an electron beam generation source, means for guiding the ion beam and the electron beam onto the same optical axis, and a lens for focusing the ion beam and the electron beam on a target; Deflection means for two-dimensionally scanning the ion beam and the electron beam on the target;
A charged particle beam comprising a secondary electron detector, wherein the deflection means is constituted by an electromagnetic deflection coil and an electrostatic deflection plate, and an energy filter is provided between the target and the secondary electron detector. Composite device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27422888A JPH02121252A (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Charged particle beam compound device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27422888A JPH02121252A (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Charged particle beam compound device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02121252A true JPH02121252A (en) | 1990-05-09 |
Family
ID=17538803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27422888A Pending JPH02121252A (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Charged particle beam compound device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02121252A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6348690B1 (en) | 1997-08-07 | 2002-02-19 | Hitachi, Ltd. | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam |
| JP2004071573A (en) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Fei Co | Apparatus with coaxial barrel of focused-ion beam and scanning electron microscope, and method for image forming and processing |
| JP2005243368A (en) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Sii Nanotechnology Inc | Removing image noise in fib / sem composite device |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP27422888A patent/JPH02121252A/en active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6348690B1 (en) | 1997-08-07 | 2002-02-19 | Hitachi, Ltd. | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam |
| US6452178B2 (en) | 1997-08-07 | 2002-09-17 | Hitachi, Ltd. | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam |
| US6987265B2 (en) | 1997-08-07 | 2006-01-17 | Hitachi, Ltd. | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam |
| US7012252B2 (en) | 1997-08-07 | 2006-03-14 | Hitachi, Ltd. | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam |
| US7232996B2 (en) | 1997-08-07 | 2007-06-19 | Hitachi, Ltd. | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam |
| US7439506B2 (en) | 1997-08-07 | 2008-10-21 | Hitachi, Ltd. | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam |
| US8134125B2 (en) | 1997-08-07 | 2012-03-13 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus of an inspection system using an electron beam |
| US8604430B2 (en) | 1997-08-07 | 2013-12-10 | Hitachi, Ltd. | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam |
| JP2004071573A (en) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Fei Co | Apparatus with coaxial barrel of focused-ion beam and scanning electron microscope, and method for image forming and processing |
| JP2005243368A (en) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Sii Nanotechnology Inc | Removing image noise in fib / sem composite device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6043491A (en) | Scanning electron microscope | |
| JP2810797B2 (en) | Reflection electron microscope | |
| US6949744B2 (en) | Electron microscopy system, electron microscopy method and focusing system for charged particles | |
| US4835399A (en) | Charged particle beam apparatus | |
| EP0084850B1 (en) | Apparatus for irradiation with charged particle beams | |
| US6617579B2 (en) | Scanning electronic beam apparatus | |
| KR100695983B1 (en) | Scanning electron microscope | |
| US4841143A (en) | Charged particle beam apparatus | |
| JP2714009B2 (en) | Charged beam device | |
| JPH02121252A (en) | Charged particle beam compound device | |
| US7394069B1 (en) | Large-field scanning of charged particles | |
| JPH0378739B2 (en) | ||
| EP0150941A1 (en) | Charged-particle optical systems | |
| JP2817277B2 (en) | X-ray gun | |
| JPS61114453A (en) | Charged particle ray device | |
| JPS63216256A (en) | Charged particle beam device | |
| JPH02121247A (en) | Charged particle beam compound device | |
| JPS63274049A (en) | Scanning type electron microscope | |
| JP3101141B2 (en) | Electron beam equipment | |
| JPS60121654A (en) | Ion microbeam device | |
| JPS595551A (en) | Charged corpuscular ray apparatus | |
| JPS61224254A (en) | Charged particle beam device | |
| JPS63216260A (en) | Charged particle beam image lithography device | |
| JPS61220263A (en) | Ion micro beam apparatus | |
| JPH0218850A (en) | Charged particle beam device |