JPH02117150A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02117150A JPH02117150A JP27221888A JP27221888A JPH02117150A JP H02117150 A JPH02117150 A JP H02117150A JP 27221888 A JP27221888 A JP 27221888A JP 27221888 A JP27221888 A JP 27221888A JP H02117150 A JPH02117150 A JP H02117150A
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- silicon
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
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Landscapes
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- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に素子分離領
域形成工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
域形成工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
第2図(a)、(b)は従来の半導体装置の素子分離領
域の形成方法を説明するための工程順に示した断面図で
ある。
域の形成方法を説明するための工程順に示した断面図で
ある。
まず、第2図(a)に示すように、シリコン基板1の表
面にシリコン酸化膜2、シリコン窒化膜3を積層し、ホ
トリソグラフィ技術でシリコン窒化膜3を選択エツチン
グし、このシリコン窒化膜3をマスクとしてシリコン基
板1と同導電型のイオン8を注入してイオン注入層9を
形成する。
面にシリコン酸化膜2、シリコン窒化膜3を積層し、ホ
トリソグラフィ技術でシリコン窒化膜3を選択エツチン
グし、このシリコン窒化膜3をマスクとしてシリコン基
板1と同導電型のイオン8を注入してイオン注入層9を
形成する。
次に、第2図<b>に示すように、熱酸化してフィール
ド酸化膜1oを形成すると同時にイオン注入層9の結晶
回復を行い、チャネルストッパー11を形成する。シリ
コン窒化膜3、シリコン酸化膜2を除去し、配線拡散層
12を形成する。
ド酸化膜1oを形成すると同時にイオン注入層9の結晶
回復を行い、チャネルストッパー11を形成する。シリ
コン窒化膜3、シリコン酸化膜2を除去し、配線拡散層
12を形成する。
このように、フィールド酸化膜10のみをマスクとして
配線拡散層12を形成すると、配線拡散層12とチャネ
ルストッパー11とが位置13でぶつかる構造になる。
配線拡散層12を形成すると、配線拡散層12とチャネ
ルストッパー11とが位置13でぶつかる構造になる。
上述した従来の素子分離方法では、配線拡散層2が高濃
度のチャネルストッパー11とぶつかっている為、配線
拡散層12の側面容量が増加する。従って、配線拡散層
容量が大きくなり、MOSトランジスタで駆動する負荷
が重(なるので、回路特性、特にアクセス時間が遅くな
るという欠点がある。高速デバイスではその効果がより
顕著に現れてきている。
度のチャネルストッパー11とぶつかっている為、配線
拡散層12の側面容量が増加する。従って、配線拡散層
容量が大きくなり、MOSトランジスタで駆動する負荷
が重(なるので、回路特性、特にアクセス時間が遅くな
るという欠点がある。高速デバイスではその効果がより
顕著に現れてきている。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1
のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、第2のシリコン酸
化膜を順次堆積する工程と、ホトリソクラクイ法により
素子分離領域を形成しようとする領域の前記第2のシリ
コン膜、シリコン窒化膜を順次エツチングして開口部を
形成する工程と、第3のシリコン酸化膜を全面に被着し
異方性エツチングすることにより前記開口部端に前記第
3のシリコン酸化膜のサイドウオールを形成する工程と
、チャネルストッパー形成用の不純物をイオン注入する
工程と、エツチングにより前記サイドウオール及び第2
のシリコン酸化膜を除去する工程と、前記シリコン窒化
膜を耐酸化性マスクとして熱酸化して素子分離絶縁膜を
形成する工程とを含んで構成される。
のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、第2のシリコン酸
化膜を順次堆積する工程と、ホトリソクラクイ法により
素子分離領域を形成しようとする領域の前記第2のシリ
コン膜、シリコン窒化膜を順次エツチングして開口部を
形成する工程と、第3のシリコン酸化膜を全面に被着し
異方性エツチングすることにより前記開口部端に前記第
3のシリコン酸化膜のサイドウオールを形成する工程と
、チャネルストッパー形成用の不純物をイオン注入する
工程と、エツチングにより前記サイドウオール及び第2
のシリコン酸化膜を除去する工程と、前記シリコン窒化
膜を耐酸化性マスクとして熱酸化して素子分離絶縁膜を
形成する工程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第1図(a)〜(g)は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図である。
めの工程順に示した断面図である。
まず、第1図(a)に示すように、P型シリコン基板l
を900 ’Cで熱酸化して第1のシリコン酸化[2を
約40nmの厚さに形成し、その上にCVD法によりシ
リコン窒化膜3を200 nmの厚さに、第2のシリコ
ン酸化M4を200〜500nmの厚さに形成する。
を900 ’Cで熱酸化して第1のシリコン酸化[2を
約40nmの厚さに形成し、その上にCVD法によりシ
リコン窒化膜3を200 nmの厚さに、第2のシリコ
ン酸化M4を200〜500nmの厚さに形成する。
次に、第1図(b)に示すように、ホトレジスト5のマ
スクを用いて素子分離領域の第2のシリコン酸化膜4、
シリコン窒化膜3を順次ウェットエツチングあるいはド
ライエツチングにより選択除去する。
スクを用いて素子分離領域の第2のシリコン酸化膜4、
シリコン窒化膜3を順次ウェットエツチングあるいはド
ライエツチングにより選択除去する。
次に、第1図(C)に示すように、全面に第3のシリコ
ン酸化膜6をCVD法により300〜700nmの厚さ
に形成する。
ン酸化膜6をCVD法により300〜700nmの厚さ
に形成する。
次に、第1図(d)に示すように、異方性エツチングに
より全面エツチングして第2のシリコン酸化膜6による
サイドウオール7を形成する。そしてチャネルストッパ
ー形成用のイオン(例えばホウ素)8を加速エネルギー
50keV、ドーズu I X 10 ”cm−2で注
入してイオン注入層9を形成する。この時、サイドウオ
ール7の幅は第3のシリコン酸化膜6の膜厚によりほぼ
決定されるがシリコン窒化膜3と第2のシリコン酸化膜
4との段差にも関係する。段差が小さい場合、例えば段
差が約200nmの時に第3のシリコン酸化膜6を約6
00 nmと3倍も形成すると段部での第3のシリコン
酸化膜6の形状がなだらかになってしまい、サイドウオ
ール7の幅が正確に制御出来なくなる。一般には、段差
は第3のシリコン酸化膜6の膜厚と同程度か段差の方が
大きいことが望ましい。このサイドウオール7を設けた
為チャネルストッパー形成用イオン8はサイドウオール
7の分だけ内側にしか入いらない。
より全面エツチングして第2のシリコン酸化膜6による
サイドウオール7を形成する。そしてチャネルストッパ
ー形成用のイオン(例えばホウ素)8を加速エネルギー
50keV、ドーズu I X 10 ”cm−2で注
入してイオン注入層9を形成する。この時、サイドウオ
ール7の幅は第3のシリコン酸化膜6の膜厚によりほぼ
決定されるがシリコン窒化膜3と第2のシリコン酸化膜
4との段差にも関係する。段差が小さい場合、例えば段
差が約200nmの時に第3のシリコン酸化膜6を約6
00 nmと3倍も形成すると段部での第3のシリコン
酸化膜6の形状がなだらかになってしまい、サイドウオ
ール7の幅が正確に制御出来なくなる。一般には、段差
は第3のシリコン酸化膜6の膜厚と同程度か段差の方が
大きいことが望ましい。このサイドウオール7を設けた
為チャネルストッパー形成用イオン8はサイドウオール
7の分だけ内側にしか入いらない。
次に、第1図(e)に示すように、弗酸系ウェットエツ
チングにより第3のシリコン酸化膜6、サイドウオール
7、第1のシリコン酸化膜2を除去する。
チングにより第3のシリコン酸化膜6、サイドウオール
7、第1のシリコン酸化膜2を除去する。
次に、第1図(f>に示すように、1000℃で酸化し
てフィールド酸化膜10を600〜800 nmの厚さ
に形成すると共にイオン注入層9の結晶回復を行い、チ
ャネルストッパー11を形成する。そしてシリコン窒化
膜3を除去して素子分離領域の形成を終了する。このよ
うに、サイドウオール7を設けてイオン注入すると、チ
ャネルストッパ11はフィールド酸化膜10の端よりサ
イドウオール7の分だけ内側に形成される。
てフィールド酸化膜10を600〜800 nmの厚さ
に形成すると共にイオン注入層9の結晶回復を行い、チ
ャネルストッパー11を形成する。そしてシリコン窒化
膜3を除去して素子分離領域の形成を終了する。このよ
うに、サイドウオール7を設けてイオン注入すると、チ
ャネルストッパ11はフィールド酸化膜10の端よりサ
イドウオール7の分だけ内側に形成される。
次に、第1図(g)に示すように、シリコン窒化膜3、
シリコン酸化wA2を除去し、通常の方法で配線拡散層
12を形成する。配線拡散層12とチャネルストッパー
11とは離れて形成される為、配線拡散層12の配線容
量を軽減される。
シリコン酸化wA2を除去し、通常の方法で配線拡散層
12を形成する。配線拡散層12とチャネルストッパー
11とは離れて形成される為、配線拡散層12の配線容
量を軽減される。
上記実施例では、イオン注入のマスクとなるシリコン窒
化膜3とシリコン酸化膜2の開口部と2本の配線層12
との間に二つのサイドウオール7を設けたが、配線容量
を軽減したい側に一つだけサイドウオールを設けても良
い。
化膜3とシリコン酸化膜2の開口部と2本の配線層12
との間に二つのサイドウオール7を設けたが、配線容量
を軽減したい側に一つだけサイドウオールを設けても良
い。
以上説明したように、本発明は、素子分離絶縁膜を形成
する領域の端部にシリコン酸化膜によるサイドウオール
を形成した後チャネルストッパー形成用のイオン注入を
行なう事により配線拡散層とチャネルストッパーとが直
接ぶつからないように素子分離領域を形成出来るように
したので、配線拡散層の配線容量を軽減出来る効果があ
る。
する領域の端部にシリコン酸化膜によるサイドウオール
を形成した後チャネルストッパー形成用のイオン注入を
行なう事により配線拡散層とチャネルストッパーとが直
接ぶつからないように素子分離領域を形成出来るように
したので、配線拡散層の配線容量を軽減出来る効果があ
る。
第1図(a)〜(g)は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図、第2図(a)、(b)は従
来の半導体装置の素子分離領域の形成方法を説明するた
めの工程順に示した断面図である。 1・・・シリコン基板、2・・・シリコン酸化膜、3・
・・シリコン窒化膜、4・・・シリコン酸化膜、5・・
・ホトレジスト、6・・・シリコン酸化膜、7・・・サ
イドウオール、8・・・イオン、9・・・イオン注入層
、10山フイールド酸化膜、11・・・チャネルストッ
パー12・・・配線拡散層。
めの工程順に示した断面図、第2図(a)、(b)は従
来の半導体装置の素子分離領域の形成方法を説明するた
めの工程順に示した断面図である。 1・・・シリコン基板、2・・・シリコン酸化膜、3・
・・シリコン窒化膜、4・・・シリコン酸化膜、5・・
・ホトレジスト、6・・・シリコン酸化膜、7・・・サ
イドウオール、8・・・イオン、9・・・イオン注入層
、10山フイールド酸化膜、11・・・チャネルストッ
パー12・・・配線拡散層。
Claims (1)
- 半導体基板上に第1のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜
、第2のシリコン酸化膜を順次堆積する工程と、ホトリ
ソグラフィ法により素子分離領域を形成しようとする領
域の前記第2のシリコン膜、シリコン窒化膜を順次エッ
チングして開口部を形成する工程と、第3のシリコン酸
化膜を全面に被着し異方性エッチングすることにより前
記開口部端に前記第3のシリコン酸化膜のサイドウォー
ルを形成する工程と、チャネルストッパー形成用の不純
物をイオン注入する工程と、エッチングにより前記サイ
ドウォール及び第2のシリコン酸化膜を除去する工程と
、前記シリコン窒化膜を耐酸化性マスクとして熱酸化し
て素子分離絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27221888A JPH02117150A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27221888A JPH02117150A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02117150A true JPH02117150A (ja) | 1990-05-01 |
Family
ID=17510760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27221888A Pending JPH02117150A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02117150A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4109184A1 (de) * | 1990-11-17 | 1992-05-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Verfahren zum bilden einer feldoxidschicht eines halbleiterbauteils |
US5137843A (en) * | 1990-12-22 | 1992-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Isolation method for semiconductor device |
JPH05182959A (ja) * | 1990-12-26 | 1993-07-23 | Korea Electron Telecommun | ローカルポリ酸化物を利用した半導体素子隔離方法 |
KR970053451A (ko) * | 1995-12-27 | 1997-07-31 | 김주용 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
US5686348A (en) * | 1996-08-19 | 1997-11-11 | United Microelectronics Corp. | Process for forming field isolation structure with minimized encroachment effect |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP27221888A patent/JPH02117150A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4109184A1 (de) * | 1990-11-17 | 1992-05-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Verfahren zum bilden einer feldoxidschicht eines halbleiterbauteils |
DE4109184C2 (de) * | 1990-11-17 | 1995-12-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Verfahren zum Bilden einer Feldoxidschicht eines Halbleiterbauteils |
US5137843A (en) * | 1990-12-22 | 1992-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Isolation method for semiconductor device |
JPH05182959A (ja) * | 1990-12-26 | 1993-07-23 | Korea Electron Telecommun | ローカルポリ酸化物を利用した半導体素子隔離方法 |
KR970053451A (ko) * | 1995-12-27 | 1997-07-31 | 김주용 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
US5686348A (en) * | 1996-08-19 | 1997-11-11 | United Microelectronics Corp. | Process for forming field isolation structure with minimized encroachment effect |
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