JPH02103967A - 光センサ用パッケージ - Google Patents
光センサ用パッケージInfo
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- JPH02103967A JPH02103967A JP63257706A JP25770688A JPH02103967A JP H02103967 A JPH02103967 A JP H02103967A JP 63257706 A JP63257706 A JP 63257706A JP 25770688 A JP25770688 A JP 25770688A JP H02103967 A JPH02103967 A JP H02103967A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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-
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は受光素子を有する光センサ用パッケージに関
するものである。 〔従来の技術〕 第４図は従来の光センサ用パッケージの断面図を示した
ものである。図において、（１）はフレーム、（２）は
チップ、（３）はＡｕ線、（４）は透明モールド樹脂で
あり、光は透明モールド樹脂（４」を通してチップ（２
１上に達する。 次に構造について説明する。フレーム（１）上のダイパ
ッド位置にチップ（２）をダイボンディングし、チップ
（２）上のパッドと、フレーム（υの外部リード部をＡ
ｕ線（３）もしくはＡｌ線によりワイヤボンディングし
て、そして透明モールド樹脂（４）により全体をパッケ
ージングされている。 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の光センサ用パッケージは以とのように構成されて
いたので、チップは透明モールド樹脂と直接接触してい
るため製造時等にそれぞれの材料の熱膨張係数の違いに
よりストレスが生じたり、また水分の浸み込み等による
汚染を受ける等の問題があり、さらにＡｕ線等によるワ
イヤボンディングが必要で、コスト面並びにワイヤボン
ディング自身の信頼性や強度にも問題があり、加えて透
明モールド樹脂の使用による平担性の問題や傷がつき易
いなどの問題点があった。 この発明はと記のような問題点を解決するためになされ
たもので、チップ上の汚染やストレスをなくするととも
に、ワイヤボンディングが不要な光センサ用パッケージ
を得ることを目的とする。 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る光センサ用パッケージはチップ上に形成
したバンプを介してリードフレームと接続し、チップと
光入力部であるガラスとの間を中空に保ち、チップ裏面
からチップ全体及びフレーム部を黒樹脂で包み込むよう
にして構成したものである。 〔作用〕 この発明の光センサ用パッケージはフレームとチップの
接続をチップとに形成したバンプを介して行なうことに
より、Ａｕ線等によるワイヤボンディングを不要とし、
かつ−度にリードフレームとの接続が可能となる。さら
に、内部は中空構造をとり、チップ表面がモールド樹脂
と直接接触しないため、製造時等において熱膨張係数の
違いによるストレスがなく、また、水分の浸み込みによ
る汚染を防止する。 〔実施例〕 第１図はこの発明の一実施例を示す光センサ用パッケー
ジの断面図、第２図は第１図の展開斜視図である。図に
おいて、（１）はチップ、（２）はバンプ、（３）はリ
ードフレーム、（４）は光透過性窓材であるガラス、（
５）は樹脂Ａ、（６１は樹脂Ｂ’ｔ’ある。 次に、構造について説明する。チップ（１）上に形成し
たバンプ（２）を介して、チップ（１）をリードフレー
ム（３）が接続している。そして、リードフレーム（３
）の上にガラス
するものである。 〔従来の技術〕 第４図は従来の光センサ用パッケージの断面図を示した
ものである。図において、（１）はフレーム、（２）は
チップ、（３）はＡｕ線、（４）は透明モールド樹脂で
あり、光は透明モールド樹脂（４」を通してチップ（２
１上に達する。 次に構造について説明する。フレーム（１）上のダイパ
ッド位置にチップ（２）をダイボンディングし、チップ
（２）上のパッドと、フレーム（υの外部リード部をＡ
ｕ線（３）もしくはＡｌ線によりワイヤボンディングし
て、そして透明モールド樹脂（４）により全体をパッケ
ージングされている。 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の光センサ用パッケージは以とのように構成されて
いたので、チップは透明モールド樹脂と直接接触してい
るため製造時等にそれぞれの材料の熱膨張係数の違いに
よりストレスが生じたり、また水分の浸み込み等による
汚染を受ける等の問題があり、さらにＡｕ線等によるワ
イヤボンディングが必要で、コスト面並びにワイヤボン
ディング自身の信頼性や強度にも問題があり、加えて透
明モールド樹脂の使用による平担性の問題や傷がつき易
いなどの問題点があった。 この発明はと記のような問題点を解決するためになされ
たもので、チップ上の汚染やストレスをなくするととも
に、ワイヤボンディングが不要な光センサ用パッケージ
を得ることを目的とする。 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る光センサ用パッケージはチップ上に形成
したバンプを介してリードフレームと接続し、チップと
光入力部であるガラスとの間を中空に保ち、チップ裏面
からチップ全体及びフレーム部を黒樹脂で包み込むよう
にして構成したものである。 〔作用〕 この発明の光センサ用パッケージはフレームとチップの
接続をチップとに形成したバンプを介して行なうことに
より、Ａｕ線等によるワイヤボンディングを不要とし、
かつ−度にリードフレームとの接続が可能となる。さら
に、内部は中空構造をとり、チップ表面がモールド樹脂
と直接接触しないため、製造時等において熱膨張係数の
違いによるストレスがなく、また、水分の浸み込みによ
る汚染を防止する。 〔実施例〕 第１図はこの発明の一実施例を示す光センサ用パッケー
ジの断面図、第２図は第１図の展開斜視図である。図に
おいて、（１）はチップ、（２）はバンプ、（３）はリ
ードフレーム、（４）は光透過性窓材であるガラス、（
５）は樹脂Ａ、（６１は樹脂Ｂ’ｔ’ある。 次に、構造について説明する。チップ（１）上に形成し
たバンプ（２）を介して、チップ（１）をリードフレー
ム（３）が接続している。そして、リードフレーム（３
）の上にガラス
【４】が配置してあり、このガラス（４
）とチップ（υの間を中空に保つように、リードフレー
ム（３）の周囲を樹脂Ａ（５）で覆っている。その上か
ら、チップ（１）とリードフレーム（３）部を樹脂Ｂ（
６）で包み込むようにして構成している。 ついで、この発明の光センサ用パッケージのアセンブリ
の方法について説明する。第３図はこの発明の光センサ
用パッケージの組立工程を示す各断面図である。まず、
通常の工程により製造されたチップ（１）のバットとに
、Ａｕ等によりバンプ（２）を形成する。一方、ガラス
（４）トに蒸着等によりリードフレーム（電極）（３）
を形成するＣ第３図（ａ））。 次に、このチップ（１１とリードフレーム（３）をバン
プｔ２１を介して熱圧着等により接続する（第３図（ｂ
））。 モールド樹脂により封止する際に、チップ（１）とガラ
ス（４）の間が中空に保たれるように、前工程としてリ
ードフレーム（３１の周辺部をあらかじめ高融点の樹脂
Ａ（５）で封止した後（第３図（Ｃ））、チップ（１］
全体とリードフレーム（３）部を包み込むようにして樹
脂Ｂ（樹脂Ａよりも低い融点の樹脂）でパッケージング
を行なう（第３図（ｄ））。このように、あらかじめ筒
融点の樹脂Ａ（５）等により封止しておくことにより、
全体の封止の際に中空内部からの気体の吹き出しや、も
しくは樹脂の流れ込みがなくなり、それに伴なう僚密性
の低下が生じない。 樹脂Ａ（５）によるパッケージングの際に、ガラス（４
）との接着をよくするために、ガラス（４）の接着面を
粗く加工しておいてもよい。また、封止の際に、中空部
に樹脂が流れ込まない程度の間隔や樹脂粘度である場合
には、前工程としての樹脂Ａ（５）による封止の必要は
ない。 また、上記実施例ではリードフレーム（３）の形成をガ
ラス面上に蒸着することにより行なった場合について説
明したが、ポリイミド等のフィルム上にＣｕ箔を貼りつ
けて、エツチング等によりフィンガーリードに加工し、
そしてチップ上のバンプを介して接続するＴＡＢ （Ｔ
ａｐａ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式を
用いてもよい。 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、チップ上に形成したバ
ンプを介してリードフレームと接続するため、ワイヤボ
ンディングの必要がなくなり、Ａｕ線等が不要となりコ
スト低減が可能であるとともに、−度でボンディングが
可能となる。また、中空構造のため、チップ上のストレ
スや汚染がなくなり光入力部にガラスを使用するため、
高い平担性を有し、傷のつきにくいパッケージが得られ
る。
）とチップ（υの間を中空に保つように、リードフレー
ム（３）の周囲を樹脂Ａ（５）で覆っている。その上か
ら、チップ（１）とリードフレーム（３）部を樹脂Ｂ（
６）で包み込むようにして構成している。 ついで、この発明の光センサ用パッケージのアセンブリ
の方法について説明する。第３図はこの発明の光センサ
用パッケージの組立工程を示す各断面図である。まず、
通常の工程により製造されたチップ（１）のバットとに
、Ａｕ等によりバンプ（２）を形成する。一方、ガラス
（４）トに蒸着等によりリードフレーム（電極）（３）
を形成するＣ第３図（ａ））。 次に、このチップ（１１とリードフレーム（３）をバン
プｔ２１を介して熱圧着等により接続する（第３図（ｂ
））。 モールド樹脂により封止する際に、チップ（１）とガラ
ス（４）の間が中空に保たれるように、前工程としてリ
ードフレーム（３１の周辺部をあらかじめ高融点の樹脂
Ａ（５）で封止した後（第３図（Ｃ））、チップ（１］
全体とリードフレーム（３）部を包み込むようにして樹
脂Ｂ（樹脂Ａよりも低い融点の樹脂）でパッケージング
を行なう（第３図（ｄ））。このように、あらかじめ筒
融点の樹脂Ａ（５）等により封止しておくことにより、
全体の封止の際に中空内部からの気体の吹き出しや、も
しくは樹脂の流れ込みがなくなり、それに伴なう僚密性
の低下が生じない。 樹脂Ａ（５）によるパッケージングの際に、ガラス（４
）との接着をよくするために、ガラス（４）の接着面を
粗く加工しておいてもよい。また、封止の際に、中空部
に樹脂が流れ込まない程度の間隔や樹脂粘度である場合
には、前工程としての樹脂Ａ（５）による封止の必要は
ない。 また、上記実施例ではリードフレーム（３）の形成をガ
ラス面上に蒸着することにより行なった場合について説
明したが、ポリイミド等のフィルム上にＣｕ箔を貼りつ
けて、エツチング等によりフィンガーリードに加工し、
そしてチップ上のバンプを介して接続するＴＡＢ （Ｔ
ａｐａ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式を
用いてもよい。 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、チップ上に形成したバ
ンプを介してリードフレームと接続するため、ワイヤボ
ンディングの必要がなくなり、Ａｕ線等が不要となりコ
スト低減が可能であるとともに、−度でボンディングが
可能となる。また、中空構造のため、チップ上のストレ
スや汚染がなくなり光入力部にガラスを使用するため、
高い平担性を有し、傷のつきにくいパッケージが得られ
る。
第１図はこの発明の一実施例による光センサ用パッケー
ジを示す断面図、第２図は第１図の展開斜視図、第３図
はこの発明の光センサ用パッケージの組立工程を示す断
面図、第４図は従来の光センサ用パッケージの断面図で
ある。 図において、（１］はチップ、（２）はバンプ、（３）
はリードフレーム、（４）はガラス、＋５１ ＋６１は
樹脂ＡおよびＢである。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
ジを示す断面図、第２図は第１図の展開斜視図、第３図
はこの発明の光センサ用パッケージの組立工程を示す断
面図、第４図は従来の光センサ用パッケージの断面図で
ある。 図において、（１］はチップ、（２）はバンプ、（３）
はリードフレーム、（４）はガラス、＋５１ ＋６１は
樹脂ＡおよびＢである。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 受光素子を含むチップ上に形成したバンプを介してリー
ドフレームとの接続を行ない、該リードフレーム上に光
透過性窓材を配置し、該チップと該光透過性窓材の間を
中空に保つように、該チップ裏面から該チップ全体及び
該リードフレームを樹脂で包み込むようにして構成した
ことを特徴とする光センサ用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257706A JPH02103967A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光センサ用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257706A JPH02103967A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光センサ用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103967A true JPH02103967A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17309980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63257706A Pending JPH02103967A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光センサ用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02103967A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0550750U (ja) * | 1991-12-04 | 1993-07-02 | ソニー株式会社 | 赤外線受光装置 |
| FR2771551A1 (fr) * | 1997-11-21 | 1999-05-28 | Ela Medical Sa | Composant microelectromecanique, tel que microcapteur ou microactionneur, reportable sur un substrat de circuit hybride |
| US6071760A (en) * | 1996-01-17 | 2000-06-06 | Sony Corporation | Solid-state image sensing device |
| JP2014123588A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Seiko Instruments Inc | 光学デバイス及び光学デバイスの製造方法 |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63257706A patent/JPH02103967A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0550750U (ja) * | 1991-12-04 | 1993-07-02 | ソニー株式会社 | 赤外線受光装置 |
| US6071760A (en) * | 1996-01-17 | 2000-06-06 | Sony Corporation | Solid-state image sensing device |
| US6368898B1 (en) | 1996-01-17 | 2002-04-09 | Sony Corporation | Solid-state image sensing device |
| US6399995B1 (en) | 1996-01-17 | 2002-06-04 | Sony Corporation | Solid state image sensing device |
| FR2771551A1 (fr) * | 1997-11-21 | 1999-05-28 | Ela Medical Sa | Composant microelectromecanique, tel que microcapteur ou microactionneur, reportable sur un substrat de circuit hybride |
| EP0921566A1 (fr) * | 1997-11-21 | 1999-06-09 | ELA MEDICAL (Société anonyme) | Composant microélectromécanique, tel que microcapteur ou microactionneur reportable sur un substrat de circuit hybride |
| JP2014123588A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Seiko Instruments Inc | 光学デバイス及び光学デバイスの製造方法 |
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