JPH0187549U - - Google Patents

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JPH0187549U
JPH0187549U JP18482687U JP18482687U JPH0187549U JP H0187549 U JPH0187549 U JP H0187549U JP 18482687 U JP18482687 U JP 18482687U JP 18482687 U JP18482687 U JP 18482687U JP H0187549 U JPH0187549 U JP H0187549U
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dam
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semiconductor
surround
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図A乃至Dは本考案に係る半導体装置の一
実施例を説明するための図であり、第2図は従来
例を説明するための図である。 1……絶縁基板、2……スルーホール、3……
金属膜、4,4′……半田層、5……半導体素子
、6,6′……金属細線、7……封止材料。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁基板上に接着された半導体素子、該半導体
    素子を囲むように配置された封止材料流れ止め用
    のダムを備え、このダム内に前記封止材料を充填
    して前記半導体素子を封止してなる半導体装置に
    おいて、前記ダムが前記半導体素子の接着に用い
    られる半田材料と同じ材料からなることを特徴と
    する半導体装置。
JP18482687U 1987-12-03 1987-12-03 Pending JPH0187549U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014220305A (ja) * 2013-05-06 2014-11-20 株式会社デンソー 多層基板およびこれを用いた電子装置、電子装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5916351A (ja) * 1982-07-19 1984-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子回路装置とその製造方法

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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