JPH0158277B2 - - Google Patents
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- JPH0158277B2 JPH0158277B2 JP57199644A JP19964482A JPH0158277B2 JP H0158277 B2 JPH0158277 B2 JP H0158277B2 JP 57199644 A JP57199644 A JP 57199644A JP 19964482 A JP19964482 A JP 19964482A JP H0158277 B2 JPH0158277 B2 JP H0158277B2
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- nickel
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/08—Perforated or foraminous objects, e.g. sieves
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/18—Electroplating using modulated, pulsed or reversing current
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S204/00—Chemistry: electrical and wave energy
- Y10S204/09—Wave forms
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、少くとも１種の光沢剤を含むニツケ
ル電解浴中でニツケルを基材上に析出させること
によりスクリーン材を製造する方法に関する。 従来の技術及びその問題点 米国特許第2226384号明細書には、第１工程で
形成されたスクリーンの骨組上に金属を電解析出
させてスクリーンを製造する方法が記載されてい
る。スクリーンの骨組上に金属を電解析出するこ
とにより形成されたスクリーンは、該骨組の下面
及び側面部が金属の析出を防止する電気絶縁材料
により形成されているならば、みつろうのような
ストリツピング剤で予めスクリーンの骨組をコー
トしておくことにより骨組から外すことができ
る。 上記の公知方法の欠点は、電解析出中にスクリ
ーン基材上もしくはスクリーンの骨組上に形成さ
れるランド（lands）が金属部のまわりに成長し
その結果最終的に得られたスクリーン材が実質的
に円状の横断面のランドを有し、メツシユが小さ
くなるということである。 問題点を解決するための手段 公知技術の上記の要素及び条件に鑑み、本発明
はこの欠点を除去した、また特に基材上又はスク
リーンの骨組上に折出される金属を基材、特にス
クリーン基材に対し直角な一方向にのみ又は実質
上それ等の方向だけに成長させる電解形成方法を
提供することを主な目的としている。本発明の方
法によれば、基材の又はスクリーンの骨組のメツ
シユの開口の大きさが、形成されたスクリーンに
於いて実質的に維持される。 本発明の方法では、スクリーン基材を含む或い
は含まない金属スクリーンであつて、必要に応じ
どのようにメツシユを小さくしても最大限の通孔
と最大限の強度を同時に有し、スクリーン材の通
孔が１つの側面の方向にのみ寸法が大きくなつて
いて、スクリーン基材のあらゆる方向に析出金属
を成長させる方法とは異なり、フイルター材とし
て使用される場合にほとんど目づまりが起らない
金属スクリーンを製造することが特に可能であ
る。 本発明によるとこの目的は、特定の光沢材を含
有するニツケル電解浴中で、基材又はスクリーン
の骨組の表面と実質的に直角な方向にニツケルの
析出を生じさせるパルス化電流によりスクリーン
基材上にニツケルを析出させることにより達成さ
れる。斯くして、基材又はスクリーンの骨組のメ
ツシユの大きさは実質的に維持されるのである。 即ち、本発明は、
ル電解浴中でニツケルを基材上に析出させること
によりスクリーン材を製造する方法に関する。 従来の技術及びその問題点 米国特許第2226384号明細書には、第１工程で
形成されたスクリーンの骨組上に金属を電解析出
させてスクリーンを製造する方法が記載されてい
る。スクリーンの骨組上に金属を電解析出するこ
とにより形成されたスクリーンは、該骨組の下面
及び側面部が金属の析出を防止する電気絶縁材料
により形成されているならば、みつろうのような
ストリツピング剤で予めスクリーンの骨組をコー
トしておくことにより骨組から外すことができ
る。 上記の公知方法の欠点は、電解析出中にスクリ
ーン基材上もしくはスクリーンの骨組上に形成さ
れるランド（lands）が金属部のまわりに成長し
その結果最終的に得られたスクリーン材が実質的
に円状の横断面のランドを有し、メツシユが小さ
くなるということである。 問題点を解決するための手段 公知技術の上記の要素及び条件に鑑み、本発明
はこの欠点を除去した、また特に基材上又はスク
リーンの骨組上に折出される金属を基材、特にス
クリーン基材に対し直角な一方向にのみ又は実質
上それ等の方向だけに成長させる電解形成方法を
提供することを主な目的としている。本発明の方
法によれば、基材の又はスクリーンの骨組のメツ
シユの開口の大きさが、形成されたスクリーンに
於いて実質的に維持される。 本発明の方法では、スクリーン基材を含む或い
は含まない金属スクリーンであつて、必要に応じ
どのようにメツシユを小さくしても最大限の通孔
と最大限の強度を同時に有し、スクリーン材の通
孔が１つの側面の方向にのみ寸法が大きくなつて
いて、スクリーン基材のあらゆる方向に析出金属
を成長させる方法とは異なり、フイルター材とし
て使用される場合にほとんど目づまりが起らない
金属スクリーンを製造することが特に可能であ
る。 本発明によるとこの目的は、特定の光沢材を含
有するニツケル電解浴中で、基材又はスクリーン
の骨組の表面と実質的に直角な方向にニツケルの
析出を生じさせるパルス化電流によりスクリーン
基材上にニツケルを析出させることにより達成さ
れる。斯くして、基材又はスクリーンの骨組のメ
ツシユの大きさは実質的に維持されるのである。 即ち、本発明は、
【式】基に属さない少
なくとも１個の不飽和結合を有する第二種光沢剤
に属する有機化合物の少なくとも１種を含有する
ニツケル電解浴中でスクリーン基材のランド上に
ニツケルを析出させる方法であつて、 無電流パルス区間又は連続した逆電流パルス区
間T1によつて隔てられたパルス電流区間Ｔを含
むパルス化電流を用いて電解を行ない、パルス電
流区間Ｔが連続している場合には、パルス電流区
間Ｔを0.1〜10msecの間で調節し、かつ無電流パ
ルス区間又は逆電流パルス区間T1を0.1〜
9900msecの間で調節し、 パルス電流区間Ｔがパルス電流期間ｔと無電流
パルス区間t′とに細分される場合には、周波数ｆ
＝１／ｔ＋t1を0.4乃至104Hz、比率Ｃ＝ｔ／ｔ＋t1× 100％をＯ＜Ｃ＜100％として、パルス電流区間Ｔ
を0.1〜9900msecの間で調節し、かつ無電流パル
ス区間又は逆電流パルス区間T1を０〜9900msec
の間で調節して、 （スクリーン基材面に直角方向の金属増分）／
（スクリーン基材面に平行方向の金属増分）で表
わされる増大割合が少なくとも4.4となるように
ニツケルを析出させることを特徴とするスクリー
ン材を電解法により製造する方法を提供するもの
である。 本発明方法では、基に属さない少なくとも１個
の不飽和結合を有する第二種光沢剤の光沢剤の性
質を示す有機化合物の少なくとも１種を含有する
ニツケル電解浴を用いる。このような第２種光沢
剤としては各種のものが公知であり、いずれも用
いることができるが、ブチンジオール、エチレン
シアノヒドリン等が好適である。ニツケル電解浴
としては、公知のものを用いればよい。 上記のような光沢剤の存在により、最初のスク
リーン基材のメツシユ開口に実質的に対応するメ
ツシユ開口を有する目的のスクリーン材が形成さ
れる。 本発明では、無電流パルス区間又は連続した逆
電流パルス区間により区分されたパルス電流区間
を含むパルス化電流による電解を行なう。パルス
電流区間Ｔと無電流パルス区間又は逆電流パルス
区間T1とは、各々独立して0.1乃至9900msecの間
で調整可能である。パルス電流区間Ｔが連続して
いる場合には、パルス電流区間Ｔが0.1乃至
10msec、好ましくは0.1乃至1.0msecであるとき
にスクリーン基材に直角な方向に金属は析出して
良好な結果が得られる。この場合には、無電流パ
ルス区間又は逆電流パルス区間T1は0.1乃至
9900msecの間で調節される。パルス電流区間が
長い場合より、パルス電流区間が短い場合の方が
スクリーン基材上へのニツケル金属析出は良好に
行われる。 パルス電流区間Ｔと無電流パルス区間又は逆電
流パルス区間T1との比は１：１乃至１：1000で
あるのが有利であり、好ましくは１：１乃至１：
20、更に好ましくは１：５乃至１：15である。 パルス電流区間を、パルス電流期間ｔ及び無電
流パルス期間t1の短いパルスに細分し、周波数ｆ
＝１／ｔ＋t1を0.4乃至104Hzに選択し、比率Ｃ＝ ｔ／ｔ＋t1×100％をＯ＜Ｃ＜100％に選択した場合 に、極めて良好な結果が得られる。パルス電流区
間Ｔを細分する場合には、パルス電流区間Ｔは
0.1乃至9900msecの間で調節され、無電流パルス
区間または逆電流パルス区間T1は０乃至
9900msecの間で調節される。 スクリーン基材ニツケル金属を析出させるに
は、パルス電流区間と無電流パルス区間とで構成
されるパルス化電流を印加するのが好ましい。何
故ならば、これによりスクリーン基材のものとメ
ツシユ開口に悪影響を及ぼすことなく、ニツケル
金属析出の増大割合が25以上となるからである。 本発明の方法を実施するには、例えばパルス化
電流発生装置が備えられ、陽極保持部、スクリー
ン基材を固定するための陰極保持部、陽極保持
部、陰極接続部、及び電解浴を収容する容器を有
する装置を用いればよい。パルス化電流発生装置
は公知のものである（例えば、A.J.Avila、M.J.
BrownのPlating1970；No.５、p1105：Desing、
factors in Pulse plating）。 本発明の好ましい実施例を添付図面を用いて以
下に説明する。 第１図は、少くとも１種の光沢剤を含有する電
解浴中でスクリーン基材上に金属を析出させてス
クリーン材を製造するための装置を示している。 該装置には、電解浴１０を収容するための容器
９、陰極であるスクリーン基材１を保持するため
の陽極保持部６、及び陽極８を保持するための陰
極保持部７が備えられている。 該陰極保持部６及び陽極保持部７は、直流源１
２に接続されているパルス化電流発生装置１１に
接続されている。 上面２ａ及び下面２ｂを有するランド２によつ
て仕切られているメツシユ開口３が備えられてい
るスクリーン基材１を第２図に示す。パルス化電
流を用いることによつて、電解中の金属の析出は
増大領域４に実質的に集中するので、該スクリー
ン基材より第３図に示すスクリーン材が得られ
る。該増大領域はスクリーン基材に対して実質的
に直角な方向に延びている。 第３図は、本発明の方法により第２図のスクリ
ーン基材から得られたスクリーン材の断面図であ
り、ランドの下面２ｂ上に析出する金属は少な
く、この析出した金属部は第３図に於いて第二の
増大領域５として示されている。 第４図は、本発明の方法により第２図のスクリ
ーン基材より得られたスクリーン材の断面図であ
る。 第５図は、金属析出の増大割合を説明するため
の図面である。得られた結果を説明するために、
第５図に示す増分Ａ１，Ａ２，Ｂ１及びＢ２を用
いて、増大割合をA1＋A2／B1＋B2として定義する。 第６ａ図は、パルス電流区間Ｔと無電流パルス
区間T1との関係を説明する電流−時間のグラフ
である。第６ａ図の電流を「PP」で表わす。 第６ｂ図は、パルス電流区間Ｔと逆電流パルス
区間T1との関係を説明する電流−時間のグラフ
である。第６ｂ図の電流を「PP」で表わす。 第６ｃ図は、第６ａ図の電流に於て、パルス電
流区間Ｔをパルス電流期間ｔと無電流パルス期間
t1とに細分した場合の電流−時間のグラフであ
る。第６ｃ図の電流を「PPP」で表わす。 第６ｄ図は、第６ｂ図の電流に於いて、パルス
電流区間Ｔをパルス電流期間ｔと無電流パルス期
間t′1とに細分し、逆電流パルス区間T1をパルス
電流区間t2及び無電流パルス期間t′2に細分した場
合の電流−時間のグラフである。第６ｄ図の電流
を「PPP」で表わす。 実施例 以下の実施例により、本発明を更に説明する。 実施例 １ 溶液１リツトル当り光沢剤として少くとも80mg
の２−ブチン１，４−ジオールを含む公知のワツ
トのニツケル浴内にみつろうで覆われたニツケル
スクリーンプレート１を陰極として垂直方向に設
置する。使用したニツケル浴は１当り250乃至
300ｇのNiSO4・6H2O、25乃至35ｇのNiCl2・
6H2O及び30乃至40ｇのH3BO3を含有しており、
PHは3.5乃至4.5の範囲であり、温度は55乃至65℃
の間である。該ニツケル浴は20A／ｄm2の電流密
度で使用可能である。ブチンジオールの代りにエ
チレンシアノヒドリンを使用してもよい。 スクリーンプレート１には、スリツトの形状を
した幅120μmの開口３が設けられている。開口３
は、上面２ａ及び下面２ｂによつて境界づけられ
るランドによつて互いに隔てられている。 実施例における条件と金属析出の増大割合を下
記の第１表に示す。
に属する有機化合物の少なくとも１種を含有する
ニツケル電解浴中でスクリーン基材のランド上に
ニツケルを析出させる方法であつて、 無電流パルス区間又は連続した逆電流パルス区
間T1によつて隔てられたパルス電流区間Ｔを含
むパルス化電流を用いて電解を行ない、パルス電
流区間Ｔが連続している場合には、パルス電流区
間Ｔを0.1〜10msecの間で調節し、かつ無電流パ
ルス区間又は逆電流パルス区間T1を0.1〜
9900msecの間で調節し、 パルス電流区間Ｔがパルス電流期間ｔと無電流
パルス区間t′とに細分される場合には、周波数ｆ
＝１／ｔ＋t1を0.4乃至104Hz、比率Ｃ＝ｔ／ｔ＋t1× 100％をＯ＜Ｃ＜100％として、パルス電流区間Ｔ
を0.1〜9900msecの間で調節し、かつ無電流パル
ス区間又は逆電流パルス区間T1を０〜9900msec
の間で調節して、 （スクリーン基材面に直角方向の金属増分）／
（スクリーン基材面に平行方向の金属増分）で表
わされる増大割合が少なくとも4.4となるように
ニツケルを析出させることを特徴とするスクリー
ン材を電解法により製造する方法を提供するもの
である。 本発明方法では、基に属さない少なくとも１個
の不飽和結合を有する第二種光沢剤の光沢剤の性
質を示す有機化合物の少なくとも１種を含有する
ニツケル電解浴を用いる。このような第２種光沢
剤としては各種のものが公知であり、いずれも用
いることができるが、ブチンジオール、エチレン
シアノヒドリン等が好適である。ニツケル電解浴
としては、公知のものを用いればよい。 上記のような光沢剤の存在により、最初のスク
リーン基材のメツシユ開口に実質的に対応するメ
ツシユ開口を有する目的のスクリーン材が形成さ
れる。 本発明では、無電流パルス区間又は連続した逆
電流パルス区間により区分されたパルス電流区間
を含むパルス化電流による電解を行なう。パルス
電流区間Ｔと無電流パルス区間又は逆電流パルス
区間T1とは、各々独立して0.1乃至9900msecの間
で調整可能である。パルス電流区間Ｔが連続して
いる場合には、パルス電流区間Ｔが0.1乃至
10msec、好ましくは0.1乃至1.0msecであるとき
にスクリーン基材に直角な方向に金属は析出して
良好な結果が得られる。この場合には、無電流パ
ルス区間又は逆電流パルス区間T1は0.1乃至
9900msecの間で調節される。パルス電流区間が
長い場合より、パルス電流区間が短い場合の方が
スクリーン基材上へのニツケル金属析出は良好に
行われる。 パルス電流区間Ｔと無電流パルス区間又は逆電
流パルス区間T1との比は１：１乃至１：1000で
あるのが有利であり、好ましくは１：１乃至１：
20、更に好ましくは１：５乃至１：15である。 パルス電流区間を、パルス電流期間ｔ及び無電
流パルス期間t1の短いパルスに細分し、周波数ｆ
＝１／ｔ＋t1を0.4乃至104Hzに選択し、比率Ｃ＝ ｔ／ｔ＋t1×100％をＯ＜Ｃ＜100％に選択した場合 に、極めて良好な結果が得られる。パルス電流区
間Ｔを細分する場合には、パルス電流区間Ｔは
0.1乃至9900msecの間で調節され、無電流パルス
区間または逆電流パルス区間T1は０乃至
9900msecの間で調節される。 スクリーン基材ニツケル金属を析出させるに
は、パルス電流区間と無電流パルス区間とで構成
されるパルス化電流を印加するのが好ましい。何
故ならば、これによりスクリーン基材のものとメ
ツシユ開口に悪影響を及ぼすことなく、ニツケル
金属析出の増大割合が25以上となるからである。 本発明の方法を実施するには、例えばパルス化
電流発生装置が備えられ、陽極保持部、スクリー
ン基材を固定するための陰極保持部、陽極保持
部、陰極接続部、及び電解浴を収容する容器を有
する装置を用いればよい。パルス化電流発生装置
は公知のものである（例えば、A.J.Avila、M.J.
BrownのPlating1970；No.５、p1105：Desing、
factors in Pulse plating）。 本発明の好ましい実施例を添付図面を用いて以
下に説明する。 第１図は、少くとも１種の光沢剤を含有する電
解浴中でスクリーン基材上に金属を析出させてス
クリーン材を製造するための装置を示している。 該装置には、電解浴１０を収容するための容器
９、陰極であるスクリーン基材１を保持するため
の陽極保持部６、及び陽極８を保持するための陰
極保持部７が備えられている。 該陰極保持部６及び陽極保持部７は、直流源１
２に接続されているパルス化電流発生装置１１に
接続されている。 上面２ａ及び下面２ｂを有するランド２によつ
て仕切られているメツシユ開口３が備えられてい
るスクリーン基材１を第２図に示す。パルス化電
流を用いることによつて、電解中の金属の析出は
増大領域４に実質的に集中するので、該スクリー
ン基材より第３図に示すスクリーン材が得られ
る。該増大領域はスクリーン基材に対して実質的
に直角な方向に延びている。 第３図は、本発明の方法により第２図のスクリ
ーン基材から得られたスクリーン材の断面図であ
り、ランドの下面２ｂ上に析出する金属は少な
く、この析出した金属部は第３図に於いて第二の
増大領域５として示されている。 第４図は、本発明の方法により第２図のスクリ
ーン基材より得られたスクリーン材の断面図であ
る。 第５図は、金属析出の増大割合を説明するため
の図面である。得られた結果を説明するために、
第５図に示す増分Ａ１，Ａ２，Ｂ１及びＢ２を用
いて、増大割合をA1＋A2／B1＋B2として定義する。 第６ａ図は、パルス電流区間Ｔと無電流パルス
区間T1との関係を説明する電流−時間のグラフ
である。第６ａ図の電流を「PP」で表わす。 第６ｂ図は、パルス電流区間Ｔと逆電流パルス
区間T1との関係を説明する電流−時間のグラフ
である。第６ｂ図の電流を「PP」で表わす。 第６ｃ図は、第６ａ図の電流に於て、パルス電
流区間Ｔをパルス電流期間ｔと無電流パルス期間
t1とに細分した場合の電流−時間のグラフであ
る。第６ｃ図の電流を「PPP」で表わす。 第６ｄ図は、第６ｂ図の電流に於いて、パルス
電流区間Ｔをパルス電流期間ｔと無電流パルス期
間t′1とに細分し、逆電流パルス区間T1をパルス
電流区間t2及び無電流パルス期間t′2に細分した場
合の電流−時間のグラフである。第６ｄ図の電流
を「PPP」で表わす。 実施例 以下の実施例により、本発明を更に説明する。 実施例 １ 溶液１リツトル当り光沢剤として少くとも80mg
の２−ブチン１，４−ジオールを含む公知のワツ
トのニツケル浴内にみつろうで覆われたニツケル
スクリーンプレート１を陰極として垂直方向に設
置する。使用したニツケル浴は１当り250乃至
300ｇのNiSO4・6H2O、25乃至35ｇのNiCl2・
6H2O及び30乃至40ｇのH3BO3を含有しており、
PHは3.5乃至4.5の範囲であり、温度は55乃至65℃
の間である。該ニツケル浴は20A／ｄm2の電流密
度で使用可能である。ブチンジオールの代りにエ
チレンシアノヒドリンを使用してもよい。 スクリーンプレート１には、スリツトの形状を
した幅120μmの開口３が設けられている。開口３
は、上面２ａ及び下面２ｂによつて境界づけられ
るランドによつて互いに隔てられている。 実施例における条件と金属析出の増大割合を下
記の第１表に示す。
【表】
第１表の試験例２及び４の結果を比較すると、
0.1乃至1msecの大きさの小さなパルスの方が10
乃至100msecの大きさの大きなパルスよりも有効
であることが分る。 第１表の結果より、パルス電流区間と無電流パ
ルス区間とが交互に存在するパルス化電流の場合
には極めて良好な結果が得られ、一定方向のパル
ス電流期間と逆電流パルス期間との場合にも同等
の結果が得られるが、電流効率は悪くなることが
判るであろう。 試験例１、２及び６の結果を比較すると、小さ
なパルスを用いるならば、パルス化電流は金属析
出の増大割合に明らかな影響を及ぼすことが更に
明白となるであろう。大きなパルスを用いた場合
には、金属析出の増大割合は小さなものとなる。 パルス電流区間内の無電流パルス区間の長いも
のを使用すると金属析出の増大割合は増加する
が、（第１表中の試験例４及び６の結果参照）、多
数のパルス電流期間と無電流パルス期間より成る
パルス電流区間を用いても金属析出増大の割合は
高くならない（試験例２及び７の結果参照）。し
かし、大きなパルスの場合には効果は改善される
（試験例４及び８の結果参照）。 しかしながら、上記の結果は使用する材料によ
つて大きく変化する。 ニツケルスクリーンプレートである陰極１とニ
ツケルの陽極８との距離は60mmである。陰極１の
全表面により測定すると、スイツチオンされた
（switched on）DC電流は5A／ｄm2である。浴液
の温度は60℃である。60分の間電解を行なつて第
１表の結果が得られた。 ランド２の上面２ａの上にみつろうが存在して
いるので、電解中に生じた析出金属により構成さ
れた既製のニツケルスクリーンは処理後取除くこ
とが出来る。第二の増大領域５により形成される
ランドを有する既製のスクリーン材が取除かれる
様にランドの下面２ｂも覆うことができるのは明
らかである。 第３図の最終製品は、最初のニツケルスクリー
ンプレートの上面２ａ及び下面２ｂ上にみつろう
の様なストリツピング手段を施すことなしに使用
出来ることは明白である。ニツケルスクリーン基
材１の厚さは通常75μmである。 実施例 ２ ２−ブチン−１，４−ジオールに代えて、プロ
パルギルアルコール95mg／を用いること以外は
実施例１と同様のニツケル浴を用いて、実施例１
における試験例２と同様の条件で、六角形状の内
径120μmの開口を設けたニツケルスクリーンプレ
ート上にニツケルを析出させた。その結果、増大
割合は6.0であつた。 実施例 ３ ２−ブチン−１，４−ジオールに代えて、トリ
フエニルメタン染料85mg／を用いること以外は
実施例１と同様のニツケル浴を用いて、実施例１
における試験片７と同様の条件で、実施例２で用
いたものと同様のニツケルスクリーンプレート上
に陽極ニツケルを析出させた。その結果、増大割
合は4.8であつた。 実施例 ４ ２−ブチン−１，４−ジオールに代えて、Ｎ−
メチルキノリニウムブロマイド90mg／を用いる
こと以外は、実施例１と同様のニツケル浴を用い
て、実施例１における試験例２と同様の条件で、
実施例２で用いたものと同様のニツケルスクリー
ンプレート上にニツケルを析出させた。その結
果、増大割合は5.0であつた。
0.1乃至1msecの大きさの小さなパルスの方が10
乃至100msecの大きさの大きなパルスよりも有効
であることが分る。 第１表の結果より、パルス電流区間と無電流パ
ルス区間とが交互に存在するパルス化電流の場合
には極めて良好な結果が得られ、一定方向のパル
ス電流期間と逆電流パルス期間との場合にも同等
の結果が得られるが、電流効率は悪くなることが
判るであろう。 試験例１、２及び６の結果を比較すると、小さ
なパルスを用いるならば、パルス化電流は金属析
出の増大割合に明らかな影響を及ぼすことが更に
明白となるであろう。大きなパルスを用いた場合
には、金属析出の増大割合は小さなものとなる。 パルス電流区間内の無電流パルス区間の長いも
のを使用すると金属析出の増大割合は増加する
が、（第１表中の試験例４及び６の結果参照）、多
数のパルス電流期間と無電流パルス期間より成る
パルス電流区間を用いても金属析出増大の割合は
高くならない（試験例２及び７の結果参照）。し
かし、大きなパルスの場合には効果は改善される
（試験例４及び８の結果参照）。 しかしながら、上記の結果は使用する材料によ
つて大きく変化する。 ニツケルスクリーンプレートである陰極１とニ
ツケルの陽極８との距離は60mmである。陰極１の
全表面により測定すると、スイツチオンされた
（switched on）DC電流は5A／ｄm2である。浴液
の温度は60℃である。60分の間電解を行なつて第
１表の結果が得られた。 ランド２の上面２ａの上にみつろうが存在して
いるので、電解中に生じた析出金属により構成さ
れた既製のニツケルスクリーンは処理後取除くこ
とが出来る。第二の増大領域５により形成される
ランドを有する既製のスクリーン材が取除かれる
様にランドの下面２ｂも覆うことができるのは明
らかである。 第３図の最終製品は、最初のニツケルスクリー
ンプレートの上面２ａ及び下面２ｂ上にみつろう
の様なストリツピング手段を施すことなしに使用
出来ることは明白である。ニツケルスクリーン基
材１の厚さは通常75μmである。 実施例 ２ ２−ブチン−１，４−ジオールに代えて、プロ
パルギルアルコール95mg／を用いること以外は
実施例１と同様のニツケル浴を用いて、実施例１
における試験例２と同様の条件で、六角形状の内
径120μmの開口を設けたニツケルスクリーンプレ
ート上にニツケルを析出させた。その結果、増大
割合は6.0であつた。 実施例 ３ ２−ブチン−１，４−ジオールに代えて、トリ
フエニルメタン染料85mg／を用いること以外は
実施例１と同様のニツケル浴を用いて、実施例１
における試験片７と同様の条件で、実施例２で用
いたものと同様のニツケルスクリーンプレート上
に陽極ニツケルを析出させた。その結果、増大割
合は4.8であつた。 実施例 ４ ２−ブチン−１，４−ジオールに代えて、Ｎ−
メチルキノリニウムブロマイド90mg／を用いる
こと以外は、実施例１と同様のニツケル浴を用い
て、実施例１における試験例２と同様の条件で、
実施例２で用いたものと同様のニツケルスクリー
ンプレート上にニツケルを析出させた。その結
果、増大割合は5.0であつた。
第１図は、本発明で用いる装置の説明図、第２
図はスクリーン基材の断面図、第３図及び第４図
は本発明の方法により得られたスクリーン材の断
面図、第５図は金属析出の増大割合の説明図、第
６ａ図乃至第６ｄ図はパルス化電流の電流−時間
のグラフである。 １…スクリーン基材（陰極）、２…ランド、３
…メツシユ開口、４…第一の増大領域、５…第二
の増大領域、６…陰極保持部、７…陽極保持部、
８…陽極、９…容器、１０…電解浴、１１…パル
ス化電流発生装置、１２…直流源、Ｔ…パルス電
流区間、T1…無電流パルス区間又は逆電流パル
ス区間、ｔ，t1，t2…パルス電流期間、t1，t′1，
t′3…無電流パルス期間。
図はスクリーン基材の断面図、第３図及び第４図
は本発明の方法により得られたスクリーン材の断
面図、第５図は金属析出の増大割合の説明図、第
６ａ図乃至第６ｄ図はパルス化電流の電流−時間
のグラフである。 １…スクリーン基材（陰極）、２…ランド、３
…メツシユ開口、４…第一の増大領域、５…第二
の増大領域、６…陰極保持部、７…陽極保持部、
８…陽極、９…容器、１０…電解浴、１１…パル
ス化電流発生装置、１２…直流源、Ｔ…パルス電
流区間、T1…無電流パルス区間又は逆電流パル
ス区間、ｔ，t1，t2…パルス電流期間、t1，t′1，
t′3…無電流パルス期間。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 【式】基に属さない少なくとも１個の 不飽和結合を有する第二種光沢剤に属する有機化
合物の少なくとも１種を含有するニツケル電解浴
中でスクリーン基材のランド上にニツケルを析出
させる方法であつて、 無電流パルス区間又は連続した逆電流パルス区
間T1によつて隔てられたパルス電流区間Ｔを含
むパルス化電流を用いて電解を行ない、 パルス電流区間Ｔが連続している場合には、パ
ルス電流区間Ｔを0.1〜10msecの間で調節し、か
つ無電流パルス区間又は逆電流パルス区間T1を
0.1〜9900msecの間で調節し、 パルス電流区間Ｔがパルス電流期間ｔと無電流パ
ルス期間t1とに細分される場合には、周波数ｆ＝
１／ｔ＋t1を0.4乃至104Hz、比率Ｃ＝ｔ／ｔ＋t1×100 ％をＯ＜Ｃ＜100％として、パルス電流区間Ｔを
0.1〜9900msecの間で調節し、かつ無電流パルス
区間又は逆電流パルス区間T1を０〜9900msecの
間で調節して、 （スクリーン基材面に直角方向の金属増分）／
（スクリーン基材面に平行方向の金属増分）で表
わされる増大割合が少なくとも4.4となるように
ニツケルを析出させることを特徴とするスクリー
ン材を電解法により製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8105150 | 1981-11-13 | ||
| NL8105150A NL8105150A (nl) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | Werkwijze voor het vervaardigen van zeefmateriaal, verkregen zeefmateriaal, alsmede inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891189A JPS5891189A (ja) | 1983-05-31 |
| JPH0158277B2 true JPH0158277B2 (ja) | 1989-12-11 |
Family
ID=19838368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57199644A Granted JPS5891189A (ja) | 1981-11-13 | 1982-11-12 | スクリーン材の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4436591A (ja) |
| EP (1) | EP0079642B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5891189A (ja) |
| AT (1) | ATE32532T1 (ja) |
| DE (1) | DE3278119D1 (ja) |
| HK (1) | HK10590A (ja) |
| NL (1) | NL8105150A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009299195A (ja) * | 1995-11-21 | 2009-12-24 | Atotech Deutsche Gmbh | 金属層の電解析出のための方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8204381A (nl) * | 1982-11-12 | 1984-06-01 | Stork Screens Bv | Werkwijze voor het electrolytisch vervaardigen van een metalen voortbrengsel alsmede electrolytisch vervaardigd metalen voortbrengsel. |
| NL8401454A (nl) * | 1984-05-07 | 1985-12-02 | Stork Screens Bv | Zeefmateriaal voor bedrukken van materialen. |
| FR2630753B1 (fr) * | 1988-05-02 | 1992-01-03 | Piolat Ind | Cadres perfores en nickel et leur procede de fabrication |
| EP0448888A1 (fr) * | 1990-03-27 | 1991-10-02 | Ets Michel S.A. | Procédé de traitement galvanique par courants pulsés |
| US5167776A (en) * | 1991-04-16 | 1992-12-01 | Hewlett-Packard Company | Thermal inkjet printhead orifice plate and method of manufacture |
| NL9200350A (nl) * | 1992-02-26 | 1993-09-16 | Stork Screens Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een metaalschuim en verkregen metaalschuim. |
| US5495979A (en) * | 1994-06-01 | 1996-03-05 | Surmet Corporation | Metal-bonded, carbon fiber-reinforced composites |
| US5486280A (en) * | 1994-10-20 | 1996-01-23 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Process for applying control variables having fractal structures |
| DK172937B1 (da) * | 1995-06-21 | 1999-10-11 | Peter Torben Tang | Galvanisk fremgangsmåde til dannelse af belægninger af nikkel, kobalt, nikkellegeringer eller kobaltlegeringer |
| CA2233163A1 (en) * | 1995-10-30 | 1997-05-09 | Kimberly-Clark Corporation | Fiber spin pack |
| US5876580A (en) * | 1996-01-12 | 1999-03-02 | Micromodule Systems | Rough electrical contact surface |
| DE10037521C2 (de) * | 1999-11-18 | 2002-04-25 | Saxon Screens Rotationsschablo | Verfahren zur elektrolytischen Herstellung von Rotationssiebdruckformen |
| NL1021095C2 (nl) * | 2002-07-17 | 2004-01-20 | Stork Veco Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van metalen zeefmateriaal, metalen zeefmateriaal en toepassing daarvan. |
| NL1021096C2 (nl) * | 2002-07-17 | 2004-01-20 | Stork Veco Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van metalen zeefmateriaal, metalen zeefmateriaal en toepassing daarvan. |
| DE10259361A1 (de) * | 2002-12-18 | 2004-07-08 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Auffüllen von Materialtrennungen an einer Oberfläche |
| SE0403047D0 (sv) * | 2004-12-14 | 2004-12-14 | Polymer Kompositer I Goeteborg | Pulse-plating method and apparatus |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2226381A (en) | 1938-04-22 | 1940-12-24 | Edward O Norris Inc | Process of producing electrolytic foraminous sheets |
| US2226384A (en) | 1938-12-14 | 1940-12-24 | Edward O Norris Inc | Process of electrolytically producing foraminous sheets |
| US2678909A (en) | 1949-11-05 | 1954-05-18 | Westinghouse Electric Corp | Process of electrodeposition of metals by periodic reverse current |
| US2706170A (en) | 1951-11-15 | 1955-04-12 | Sperry Corp | Electroforming low stress nickel |
| CH629542A5 (de) | 1976-09-01 | 1982-04-30 | Inoue Japax Res | Verfahren und vorrichtung zur galvanischen materialablagerung. |
| SU717157A1 (ru) | 1977-03-22 | 1980-02-25 | Ленинградский Ордена Трудового Красного Знамени Технологический Институт Им. Ленсовета | Способ электрохимического нанесени металлических покрытий |
| NL8002197A (nl) | 1980-04-15 | 1981-11-16 | Stork Screens Bv | Werkwijze voor het electrolytisch vervaardigen van een zeef, in het bijzonder cylindervormige zeef, alsmede zeef. |
-
1981
- 1981-11-13 NL NL8105150A patent/NL8105150A/nl not_active Application Discontinuation
-
1982
- 1982-09-30 US US06/429,447 patent/US4436591A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-11-04 DE DE8282201389T patent/DE3278119D1/de not_active Expired
- 1982-11-04 EP EP82201389A patent/EP0079642B1/en not_active Expired
- 1982-11-04 AT AT82201389T patent/ATE32532T1/de not_active IP Right Cessation
- 1982-11-12 JP JP57199644A patent/JPS5891189A/ja active Granted
-
1990
- 1990-02-08 HK HK105/90A patent/HK10590A/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009299195A (ja) * | 1995-11-21 | 2009-12-24 | Atotech Deutsche Gmbh | 金属層の電解析出のための方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0079642A1 (en) | 1983-05-25 |
| US4436591A (en) | 1984-03-13 |
| EP0079642B1 (en) | 1988-02-17 |
| NL8105150A (nl) | 1983-06-01 |
| JPS5891189A (ja) | 1983-05-31 |
| DE3278119D1 (en) | 1988-03-24 |
| HK10590A (en) | 1990-02-16 |
| ATE32532T1 (de) | 1988-03-15 |
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