JPH0153807B2 - - Google Patents
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- JPH0153807B2 JPH0153807B2 JP57103944A JP10394482A JPH0153807B2 JP H0153807 B2 JPH0153807 B2 JP H0153807B2 JP 57103944 A JP57103944 A JP 57103944A JP 10394482 A JP10394482 A JP 10394482A JP H0153807 B2 JPH0153807 B2 JP H0153807B2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
<発明の技術分野>
本発明はトランジスタ回路に関するもので、特
にトランジスタの温度特性を利用したトランジス
タ回路に関する。
にトランジスタの温度特性を利用したトランジス
タ回路に関する。
<発明の技術的背景>
従来、半導体集積回路(以下ICという)の熱
破壊を防ぐため、ICの基板の温度が所定温度以
上になつた時に、その発熱源、例えば出力トラン
ジスタを強制的にオフ状態にするトランジスタ回
路、すなわち温度遮断回路が採用されている。こ
の温度遮断回路は、トランジスタの温度特性を利
用したものであるが、その一例として第1図に示
すものが知られている。すなわち、Vcc電源端子
と接地端子G間には、定電流源1と逆バイアスさ
れるツエナーダイオード2が直列されており、ま
たツエナーダイオード2には抵抗3,4の直列回
路が並列接続されている。そして、さらに抵抗
3,4の接続点にそのベースを接続し、エミツタ
を端子Gに接続するトランジスタ5を具備してお
り、コレクタは出力端子outに接続されている。
破壊を防ぐため、ICの基板の温度が所定温度以
上になつた時に、その発熱源、例えば出力トラン
ジスタを強制的にオフ状態にするトランジスタ回
路、すなわち温度遮断回路が採用されている。こ
の温度遮断回路は、トランジスタの温度特性を利
用したものであるが、その一例として第1図に示
すものが知られている。すなわち、Vcc電源端子
と接地端子G間には、定電流源1と逆バイアスさ
れるツエナーダイオード2が直列されており、ま
たツエナーダイオード2には抵抗3,4の直列回
路が並列接続されている。そして、さらに抵抗
3,4の接続点にそのベースを接続し、エミツタ
を端子Gに接続するトランジスタ5を具備してお
り、コレクタは出力端子outに接続されている。
さて、かかる構成においては、ツエナーダイオ
ード2の電圧をVzとし、抵抗3,4の抵抗値を
R3,R4とすると、抵抗4の両端の電圧V4は、 V4=R4/R3+R4・Vz ……(1) で示される。そして、このV4が、トランジスタ
5のベースエミツタ間電圧VBE5より大きくなる
と、トランジスタ5が導通し、コレクタ電流すな
わち出力電流Iputが得られる。
ード2の電圧をVzとし、抵抗3,4の抵抗値を
R3,R4とすると、抵抗4の両端の電圧V4は、 V4=R4/R3+R4・Vz ……(1) で示される。そして、このV4が、トランジスタ
5のベースエミツタ間電圧VBE5より大きくなる
と、トランジスタ5が導通し、コレクタ電流すな
わち出力電流Iputが得られる。
さて、かかる構成の温度特性は、ツエナーダイ
オードの温度係数が正であり、またトランジスタ
5のベース、エミツタ間電圧VBE5が負であるので
第2図の様に示される。図において、aがトラン
ジスタ5のVBE特性、bが抵抗4の電圧V4を示し
たものである。従つて、温度Tp以上になるとト
ランジスタ5がオンすることになり、この出力電
流によつて、例えば発熱源である出力トランジス
タ(図示せず)をオフ状態にすることにより遮断
温度Tpを有する温度遮断回路が提供できるとい
うものである。
オードの温度係数が正であり、またトランジスタ
5のベース、エミツタ間電圧VBE5が負であるので
第2図の様に示される。図において、aがトラン
ジスタ5のVBE特性、bが抵抗4の電圧V4を示し
たものである。従つて、温度Tp以上になるとト
ランジスタ5がオンすることになり、この出力電
流によつて、例えば発熱源である出力トランジス
タ(図示せず)をオフ状態にすることにより遮断
温度Tpを有する温度遮断回路が提供できるとい
うものである。
<背景技術の問題点>
さて、かかる従来の回路においてはツエナーダ
イオードを用いているため電源電圧Vccをツエナ
ー電圧(約6(V))以下にすることができない。
従つてICの技術的動向である低電源電圧化、低
消費電力化には極めて不都合である。また、ツエ
ナーダイオード自体の温度変化量も+0.07%/℃
程度と小さいため、回路全体としての温度感度も
小さい。
イオードを用いているため電源電圧Vccをツエナ
ー電圧(約6(V))以下にすることができない。
従つてICの技術的動向である低電源電圧化、低
消費電力化には極めて不都合である。また、ツエ
ナーダイオード自体の温度変化量も+0.07%/℃
程度と小さいため、回路全体としての温度感度も
小さい。
<発明の目的>
従つて、本発明は低電源電圧での動作が可能で
あり、また温度感度も大きなトランジスタ回路を
提供することを目的としている。
あり、また温度感度も大きなトランジスタ回路を
提供することを目的としている。
<発明の概要>
本発明に係るトランジスタ回路においてはツエ
ナーダイオードのツエナー電圧にかえて、トラン
ジスタのベース・エミツタ間電圧を利用している
ため、低電圧での動作が可能である。
ナーダイオードのツエナー電圧にかえて、トラン
ジスタのベース・エミツタ間電圧を利用している
ため、低電圧での動作が可能である。
<発明の実施例>
以下図面を参照しながら本発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
第3図は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。ベースを共通接続する2つのNPN型トラン
ジスタ6,11のコレクタは各々、電源電圧端子
Vccに接続されている。またトランジスタ6のエ
ミツタは抵抗7,8を介して接地端子Gに接続さ
れている。一方、トランジスタ11のエミツタも
抵抗12を介して、接地端子Gに接続されてい
る。9はトランジスタ6と11の共通ベース接続
に接続された電流源である。またPNP型トラン
ジスタ10のベースは抵抗7,8の接続点Aに、
エミツタはトランジスタ6と11の共通ベース接
続に、コレクタは接地端子Gに各々接続されてい
る。
る。ベースを共通接続する2つのNPN型トラン
ジスタ6,11のコレクタは各々、電源電圧端子
Vccに接続されている。またトランジスタ6のエ
ミツタは抵抗7,8を介して接地端子Gに接続さ
れている。一方、トランジスタ11のエミツタも
抵抗12を介して、接地端子Gに接続されてい
る。9はトランジスタ6と11の共通ベース接続
に接続された電流源である。またPNP型トラン
ジスタ10のベースは抵抗7,8の接続点Aに、
エミツタはトランジスタ6と11の共通ベース接
続に、コレクタは接地端子Gに各々接続されてい
る。
さらにNPN型トランジスタ13のベースはト
ランジスタ11のエミツタと抵抗12の接続点B
に、エミツタは接地端子Gに、コレクタは出力端
子outに各々接続されている。
ランジスタ11のエミツタと抵抗12の接続点B
に、エミツタは接地端子Gに、コレクタは出力端
子outに各々接続されている。
さて、トランジスタ6,10,11のエミツタ
接地増幅率βが十分におおきいと仮定すると、ト
ランジスタ6のコレクタ電流I6と等しい電流が抵
抗7,8を流れ、またトランジスタ11のコレク
タ電流I11に等しい電流が抵抗12を流れる。そ
してトランジスタ10のベース・エミツタ間はト
ランジスタ6のベース・エミツタ間電圧VBE6と、
抵抗7の電圧降下によつてバイアスされるため、
トランジスタ10のベース・エミツタ間電圧VBE
10は、 VBE10=VBE6+R7・I6 ……(2) で示される。ここでR7は抵抗7の抵抗値である。
接地増幅率βが十分におおきいと仮定すると、ト
ランジスタ6のコレクタ電流I6と等しい電流が抵
抗7,8を流れ、またトランジスタ11のコレク
タ電流I11に等しい電流が抵抗12を流れる。そ
してトランジスタ10のベース・エミツタ間はト
ランジスタ6のベース・エミツタ間電圧VBE6と、
抵抗7の電圧降下によつてバイアスされるため、
トランジスタ10のベース・エミツタ間電圧VBE
10は、 VBE10=VBE6+R7・I6 ……(2) で示される。ここでR7は抵抗7の抵抗値である。
また、トランジスタ11のエミツタと抵抗12
の接続点Bの電圧VBが低く、トランジスタ13
がオフの状態である時、VBと抵抗7と8の接続
点の電位VAとの関係は、 VB=VA+VBE10−VBE11 ……(3) となる。ここでVBE11はトランジスタ11のベー
スエミツタ間電圧である。
の接続点Bの電圧VBが低く、トランジスタ13
がオフの状態である時、VBと抵抗7と8の接続
点の電位VAとの関係は、 VB=VA+VBE10−VBE11 ……(3) となる。ここでVBE11はトランジスタ11のベー
スエミツタ間電圧である。
さらに、VBE10=VBE11であるとすると、
VB=VA ……(4)
となる。また、VA,VBは各々抵抗8,12の電
圧降下、すなわち VA=I6・R8 ……(5) VB=I11・R12 ……(6) で示される。ここでR8,R12は抵抗8,12の抵
抗値である。従つてR8=R12とすれば、 I6=I11 ……(7) の関係となる。
圧降下、すなわち VA=I6・R8 ……(5) VB=I11・R12 ……(6) で示される。ここでR8,R12は抵抗8,12の抵
抗値である。従つてR8=R12とすれば、 I6=I11 ……(7) の関係となる。
ところで、能動状態にあるトランジスタのベー
ス・エミツタ間電圧VBEはダイオード方程式で示
されるため、 VBE=kT/q・lnIc/A・Is ……(8) で表わされる。ここでqは電子1個の電荷量、k
はボルツマン定数、Tは絶対温度、Aはエミツタ
面積、Icはコレクタ電流、Isは飽和電流である。
従つて、この(8)式の関係を(2)式に代入すると、 VBE10=kT/qlnI6/A6・Is+R7・I6 ……(9) ここでA6はトランジスタ6のエミツタ面積であ
る。またVBE10=VBE11であるから(9)式はさらに kT/qlnI11/A11・Is=kT/qlnI6/A6・Is+R7・I6…
…(10) この(10)式に(7)式の関係を代入すると I6=I11=VT/R7・lnA6/A11 ……(11) となる。ここでVTは熱電圧kT/qを示す。
ス・エミツタ間電圧VBEはダイオード方程式で示
されるため、 VBE=kT/q・lnIc/A・Is ……(8) で表わされる。ここでqは電子1個の電荷量、k
はボルツマン定数、Tは絶対温度、Aはエミツタ
面積、Icはコレクタ電流、Isは飽和電流である。
従つて、この(8)式の関係を(2)式に代入すると、 VBE10=kT/qlnI6/A6・Is+R7・I6 ……(9) ここでA6はトランジスタ6のエミツタ面積であ
る。またVBE10=VBE11であるから(9)式はさらに kT/qlnI11/A11・Is=kT/qlnI6/A6・Is+R7・I6…
…(10) この(10)式に(7)式の関係を代入すると I6=I11=VT/R7・lnA6/A11 ……(11) となる。ここでVTは熱電圧kT/qを示す。
従つてトランジスタ6と11のエミツタ面積比
をNとすると(11)式はさらに、 I6=I11=VT/R7・lnN ……(12) となる。またさらに、VA,VBは、 VA=VB=R12/R7・VT・lnN =R8/R7・VT・lnN ……(13) と示される。尚、Nは、トランジスタの幾何学的
寸法で決まる定数であり、温度依存性は無い。
をNとすると(11)式はさらに、 I6=I11=VT/R7・lnN ……(12) となる。またさらに、VA,VBは、 VA=VB=R12/R7・VT・lnN =R8/R7・VT・lnN ……(13) と示される。尚、Nは、トランジスタの幾何学的
寸法で決まる定数であり、温度依存性は無い。
また、ICの抵抗は、同一プロセスの拡散工程
で形成されるため、同一の温度係数を持つと考え
てよい。よつて、R7とR8は次の式で示される。
で形成されるため、同一の温度係数を持つと考え
てよい。よつて、R7とR8は次の式で示される。
R7=R70{1+α7(T−Tp)}
R8=R80{1+α8(T−Tp)}
ここで
R70、R80:基準温度TpでのR7、R8の値
T :温度
α7、α8:R7、R8の温度係数
同一IC内の抵抗では、α7α8と考えてよく、抵
抗比R8/R7は、 R8/R7=R80/R70 となり、温度依存性がない。
抗比R8/R7は、 R8/R7=R80/R70 となり、温度依存性がない。
以上から、VBの温度係数は、N、R7、R8に依
存しないことが解る。
存しないことが解る。
また、熱電圧VTは、
VT=kT/q
であり、VTの温度係数は、絶対温度Tに比例す
る。従つてVBとして絶対温度Tに比例した電圧
が得られることになる。また、必要とされる電源
電圧Vccは抵抗12における電圧降下分、および
トランジスタ11のベース・エミツタ間電圧VBE
11の和程度約1.2V以上あれば良く、極めて低い電
圧での動作が可能である。
る。従つてVBとして絶対温度Tに比例した電圧
が得られることになる。また、必要とされる電源
電圧Vccは抵抗12における電圧降下分、および
トランジスタ11のベース・エミツタ間電圧VBE
11の和程度約1.2V以上あれば良く、極めて低い電
圧での動作が可能である。
尚、トランジスタの%温度係数は、従来、常温
(T=300゜K)では、近似的に(T+1)/T=
1.0033と求められ、温度変化量は、+0.33%/℃と
されている。本実施例においてもトランジスタ
VBの温度変化量は、+0.33%/℃となり、ツエナー
ダイオードの+0.07%/℃に比し、大幅に高くな
る。またトランジスタ13のベース・エミツタ間
電圧VBE13とVBの関係を示すと第4図のように示
され、CがVBE13、dがVBを示す。従つてVBが
VBEより大きくなる温度Tpでトランジスタ13が
オンになる。
(T=300゜K)では、近似的に(T+1)/T=
1.0033と求められ、温度変化量は、+0.33%/℃と
されている。本実施例においてもトランジスタ
VBの温度変化量は、+0.33%/℃となり、ツエナー
ダイオードの+0.07%/℃に比し、大幅に高くな
る。またトランジスタ13のベース・エミツタ間
電圧VBE13とVBの関係を示すと第4図のように示
され、CがVBE13、dがVBを示す。従つてVBが
VBEより大きくなる温度Tpでトランジスタ13が
オンになる。
また、第5図は本発明に係るトランジスタ回路
の実験回路を示すもので電流源9として、抵抗
9′を用いている。そしてトランジスタ6とトラ
ンジスタ11のエミツタ面積比Nを3、またトラ
ンジスタ6と11のコレクタ電流I6,I11を各々
100μAと設定し、抵抗7の抵抗値を(11)式より283
(Ω)としている。
の実験回路を示すもので電流源9として、抵抗
9′を用いている。そしてトランジスタ6とトラ
ンジスタ11のエミツタ面積比Nを3、またトラ
ンジスタ6と11のコレクタ電流I6,I11を各々
100μAと設定し、抵抗7の抵抗値を(11)式より283
(Ω)としている。
また、電圧VA,VBを300mVに設定し、(5)(6)式
より抵抗7,8として3KΩのものを使用した。
より抵抗7,8として3KΩのものを使用した。
さらに、電流源となる抵抗9′の抵抗値は
37KΩとしている。
37KΩとしている。
第6図は、その実験結果を示すもので、eが実
測値、fが理論値である。実験の結果も145℃で
の実測値の誤差は−4.2%に過ぎず、VBの温度追
従性が良いことを示している。
測値、fが理論値である。実験の結果も145℃で
の実測値の誤差は−4.2%に過ぎず、VBの温度追
従性が良いことを示している。
また第7図はトランジスタのコレクタ電流をパ
ラメータとして、温度Tに対し、ベース・エミツ
タ間電圧がどのように変化するかを示す特性図に
第5図の実験回路で得られたVBの実測値hの特
性を重ねたものである。従つて、例えば、第5図
の実験回路で第3図に示すようなトランジスタ1
3を駆動する場合、トランジスタ13のコレクタ
電流IBを10μAと設定(gの特性)すれば、Tが
145℃以上になるとトランジスタ13が能動状態
になりこの出力電流を用いて発熱源、例えば出力
トランジスタをオフにするようにすれば、145℃
で動作する温度遮断回路が提供できることにな
る。
ラメータとして、温度Tに対し、ベース・エミツ
タ間電圧がどのように変化するかを示す特性図に
第5図の実験回路で得られたVBの実測値hの特
性を重ねたものである。従つて、例えば、第5図
の実験回路で第3図に示すようなトランジスタ1
3を駆動する場合、トランジスタ13のコレクタ
電流IBを10μAと設定(gの特性)すれば、Tが
145℃以上になるとトランジスタ13が能動状態
になりこの出力電流を用いて発熱源、例えば出力
トランジスタをオフにするようにすれば、145℃
で動作する温度遮断回路が提供できることにな
る。
第8図は、その一実施例を示すもので、トラン
ジスタ13のコレクタが発熱源となる出力トラン
ジスタ15のベースに接続されている。また14
は出力トランジスタ15の駆動電流源である。
ジスタ13のコレクタが発熱源となる出力トラン
ジスタ15のベースに接続されている。また14
は出力トランジスタ15の駆動電流源である。
さて、かかる構成において、出力トランジスタ
15の動作によりICチツプの温度が上がり、例
えば前述した温度設定値145℃を越えたとすると、
トランジスタ13がオン状態になり電流源14の
電流I14を引き込み、トランジスタ15をオフ状
態にする。そして、この動作によりICチツプの
温度上昇を止める。
15の動作によりICチツプの温度が上がり、例
えば前述した温度設定値145℃を越えたとすると、
トランジスタ13がオン状態になり電流源14の
電流I14を引き込み、トランジスタ15をオフ状
態にする。そして、この動作によりICチツプの
温度上昇を止める。
また第9図は本発明に係るトランジスタ回路の
他の実施例を示す回路図で、絶対温度に比例する
出力電流Iputを出力する電流源回路を示す回路図
である。
他の実施例を示す回路図で、絶対温度に比例する
出力電流Iputを出力する電流源回路を示す回路図
である。
本実施例においては、抵抗8と12の接続点に
ダイオード接続されたトランジスタ16のコレク
タを接続し、さらにこのトランジスタ16とカレ
ントミラー回路20を構成するトランジスタ17
が備えられている。かかる構成においては、出力
電流Iputは、トランジスタ6と11のコレクタ電
流I6,I11の和の電流に等しいため、 Iput=I6+I11 ……(15) と示される。従つて(12)式より Iput=2・VT/R7・lnN ……(16) が得られ、絶対温度Tに比例した電流が得られる
ことになる。
ダイオード接続されたトランジスタ16のコレク
タを接続し、さらにこのトランジスタ16とカレ
ントミラー回路20を構成するトランジスタ17
が備えられている。かかる構成においては、出力
電流Iputは、トランジスタ6と11のコレクタ電
流I6,I11の和の電流に等しいため、 Iput=I6+I11 ……(15) と示される。従つて(12)式より Iput=2・VT/R7・lnN ……(16) が得られ、絶対温度Tに比例した電流が得られる
ことになる。
なお、以上の実施例においてはトランジスタ6
とトランジスタ11のエミツタ面積の比をN対1
にした場合について説明したが、この比を1対1
にすることができる。
とトランジスタ11のエミツタ面積の比をN対1
にした場合について説明したが、この比を1対1
にすることができる。
第10図はトランジスタ6と11のエミツタ面
積比を1対1にした場合の実施例を示す。図にお
いて第3図の実施例の各構成要素に対応する素子
には同一の符号を付しており、トランジスタ6′
と11のエミツタ面g比が1対1に設定されてい
る。トランジスタ6′,10,11のエミツタ接
地電流増幅率が十分に大きいとすると、トランジ
スタ10のベース・エミツタ間電圧VBE10は第3
図の実施例と同様に VBE10=KT/qlnI6′/A6′Is+R7・I6′ ……(17) と示される。そして、VBE10をトランジスタ11
のベース・エミツタ間電圧VBE11に等しく設定す
ると(17)式はさらに、 KT/qlnI11/A11・Is=KT/qlnI′6/A′6・Is+R7・
I′6 ……(18) となる。(18)式はさらに、 R7・I′6=KT/qlnI11/A11・A′6/I′6……(19) と示される。今、A11=A′6であるから、 R7・I′6=KT/qlnI11/I′6 ……(20) が得られる。ここで I11=N・I′6 ……(21) とすると(21)式は、 I′6=1/R7・KT/qlnN ……(22) が得られ、(11)式に対応する。また抵抗7,8′の
接続点Aの電位VAとトランジスタ11のエミツ
タ電位VBは、 VA=I′6・R′8 ……(23) VB=I11・R′12 ……(24) と示されるため、これらの電位を等しくするため
には(21)式の関係より、 R′8=N・R′12 ……(25) とする必要がある。つまり、トランジスタ11と
6′のエミツタ面積が等しい場合には抵抗8′を1
2′のN倍の抵抗値にすれば、同様な動作をする。
そしてVBは、 VB=R′12・I11=R′8/N・I11 =R′8/N・NI′6=R′8/R7・KT/qlnN……(26
) と求められ(13)式に対応した関係が得られる。
従つて絶対温度Tに比例した電圧を得ることがで
き、温度係数も大きなものとなる。
積比を1対1にした場合の実施例を示す。図にお
いて第3図の実施例の各構成要素に対応する素子
には同一の符号を付しており、トランジスタ6′
と11のエミツタ面g比が1対1に設定されてい
る。トランジスタ6′,10,11のエミツタ接
地電流増幅率が十分に大きいとすると、トランジ
スタ10のベース・エミツタ間電圧VBE10は第3
図の実施例と同様に VBE10=KT/qlnI6′/A6′Is+R7・I6′ ……(17) と示される。そして、VBE10をトランジスタ11
のベース・エミツタ間電圧VBE11に等しく設定す
ると(17)式はさらに、 KT/qlnI11/A11・Is=KT/qlnI′6/A′6・Is+R7・
I′6 ……(18) となる。(18)式はさらに、 R7・I′6=KT/qlnI11/A11・A′6/I′6……(19) と示される。今、A11=A′6であるから、 R7・I′6=KT/qlnI11/I′6 ……(20) が得られる。ここで I11=N・I′6 ……(21) とすると(21)式は、 I′6=1/R7・KT/qlnN ……(22) が得られ、(11)式に対応する。また抵抗7,8′の
接続点Aの電位VAとトランジスタ11のエミツ
タ電位VBは、 VA=I′6・R′8 ……(23) VB=I11・R′12 ……(24) と示されるため、これらの電位を等しくするため
には(21)式の関係より、 R′8=N・R′12 ……(25) とする必要がある。つまり、トランジスタ11と
6′のエミツタ面積が等しい場合には抵抗8′を1
2′のN倍の抵抗値にすれば、同様な動作をする。
そしてVBは、 VB=R′12・I11=R′8/N・I11 =R′8/N・NI′6=R′8/R7・KT/qlnN……(26
) と求められ(13)式に対応した関係が得られる。
従つて絶対温度Tに比例した電圧を得ることがで
き、温度係数も大きなものとなる。
<発明の効果>
以上説明した様に本発明に係るトランジスタ回
路によれば、極めて低い電圧で動作可能であり、
また温度係数も高いので低電源電圧化を図つた
ICの温度遮断回路として用いるのに好都合であ
る。
路によれば、極めて低い電圧で動作可能であり、
また温度係数も高いので低電源電圧化を図つた
ICの温度遮断回路として用いるのに好都合であ
る。
第1図は従来のトランジスタ回路の一例を示す
回路図、第2図はその説明に供する図、第3図乃
至第10図は本発明に係るトランジスタ回路の一
実施例を示す回路図、及びその説明に供する図で
ある。 6,6′,11,13,15,16,17……
NPN型トランジスタ、7,8,8′,9′,12,
12′……抵抗、9,14……電流源。
回路図、第2図はその説明に供する図、第3図乃
至第10図は本発明に係るトランジスタ回路の一
実施例を示す回路図、及びその説明に供する図で
ある。 6,6′,11,13,15,16,17……
NPN型トランジスタ、7,8,8′,9′,12,
12′……抵抗、9,14……電流源。
Claims (1)
- 1 ベースが共通接続される第1、第2のトラン
ジスタと、前記第1、第2のトランジスタのコレ
クタを各々第1の電源端子に接続する第1、第2
の接続手段と、前記第1のトランジスタのエミツ
タと第2の電源端子との間に直列接続される第
1、第2の抵抗と、前記第2のトランジスタのエ
ミツタと前記第2の電源端子との間に接続される
第3の抵抗と、前記第1、第2のトランジスタの
共通ベース接続と前記第1の電源端子間に接続さ
れる電流源と、エミツタ、ベース、コレクタを有
する第3のトランジスタと、前記第3のトランジ
スタのベースを前記第1、第2の抵抗の接続点
に、エミツタを前記第1、第2のトランジスタの
共通ベース接続に、コレクタを前記第2の電源端
子に各々接続する第4、第5、第6の接続手段と
を有することを特徴とするトランジスタ回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57103944A JPS58221507A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | トランジスタ回路 |
DE19833321912 DE3321912A1 (de) | 1982-06-18 | 1983-06-16 | Temperaturmess-transistorschaltung |
US06/505,435 US4574205A (en) | 1982-06-18 | 1983-06-17 | Temperature detecting transistor circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57103944A JPS58221507A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | トランジスタ回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58221507A JPS58221507A (ja) | 1983-12-23 |
JPH0153807B2 true JPH0153807B2 (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14367547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57103944A Granted JPS58221507A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | トランジスタ回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4574205A (ja) |
JP (1) | JPS58221507A (ja) |
DE (1) | DE3321912A1 (ja) |
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IT1235681B (it) * | 1989-02-22 | 1992-09-21 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito di protezione termica con ristretto campo di variazione della soglia di intervento. |
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US8087823B2 (en) * | 2008-08-18 | 2012-01-03 | International Business Machines Corporation | Method for monitoring thermal control |
CN104359579A (zh) * | 2014-11-05 | 2015-02-18 | 天津市畅悦电子科技有限公司 | 一种温度感应电路 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US4204133A (en) * | 1977-10-14 | 1980-05-20 | Rca Corporation | Temperature-sensitive control circuits |
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-
1982
- 1982-06-18 JP JP57103944A patent/JPS58221507A/ja active Granted
-
1983
- 1983-06-16 DE DE19833321912 patent/DE3321912A1/de active Granted
- 1983-06-17 US US06/505,435 patent/US4574205A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4574205A (en) | 1986-03-04 |
JPS58221507A (ja) | 1983-12-23 |
DE3321912C2 (ja) | 1988-06-09 |
DE3321912A1 (de) | 1983-12-22 |
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