JPH0152808B2 - - Google Patents
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- JPH0152808B2 JPH0152808B2 JP56017247A JP1724781A JPH0152808B2 JP H0152808 B2 JPH0152808 B2 JP H0152808B2 JP 56017247 A JP56017247 A JP 56017247A JP 1724781 A JP1724781 A JP 1724781A JP H0152808 B2 JPH0152808 B2 JP H0152808B2
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- sio
- gap forming
- glass
- core
- groove
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/133—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores composed of particles, e.g. with dust cores, with ferrite cores with cores composed of isolated magnetic particles
- G11B5/1335—Assembling or shaping of elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はビデオテープレコーダ用画像ヘツド
に使用する狭トラツク幅の磁気ヘツドの製造方法
に関する。
に使用する狭トラツク幅の磁気ヘツドの製造方法
に関する。
一般にVTR用画像ヘツドはトラツク幅が20〜
30μmの狭トラツク幅であり、さらには記録密度
の向上に伴いギヤツプ長も狭ギヤツプ化の傾向に
ある、精密な加工と複雑な工程を経て作製されて
いる。
30μmの狭トラツク幅であり、さらには記録密度
の向上に伴いギヤツプ長も狭ギヤツプ化の傾向に
ある、精密な加工と複雑な工程を経て作製されて
いる。
かかる磁気ヘツドの製造工程を説明すると、
Mn−Zn単結晶フエライト等の磁性材料から一対
の平板を切り出し、平板の所定面に一方向の例え
ばＵ字形溝を穿設してこれを突合せてトラツク幅
に該当する部分を形成し、平板より適当なブロツ
クを切り出し、一方のブロツクに巻線用溝並びに
溶着横溝を加工しコ字形ブロツクとし、両ブロツ
クのＵ字形溝に補強用ガラスを充填し、突合せす
るギヤツプ形成面を鏡面研摩したのち、所定のギ
ヤツプを構成するためギヤツプ形成面に蒸着、ス
パツター法等でギヤツプ長に相当する薄膜を付着
させ、ギヤツプ形成膜を介して両ブロツクを圧力
をかけて付合せ、先の補強用ガラスより溶融温度
の低い接合ガラスを巻線用溝と溶着横溝に入れて
加熱溶着させて磁気ヘツドコアを作製している。
Mn−Zn単結晶フエライト等の磁性材料から一対
の平板を切り出し、平板の所定面に一方向の例え
ばＵ字形溝を穿設してこれを突合せてトラツク幅
に該当する部分を形成し、平板より適当なブロツ
クを切り出し、一方のブロツクに巻線用溝並びに
溶着横溝を加工しコ字形ブロツクとし、両ブロツ
クのＵ字形溝に補強用ガラスを充填し、突合せす
るギヤツプ形成面を鏡面研摩したのち、所定のギ
ヤツプを構成するためギヤツプ形成面に蒸着、ス
パツター法等でギヤツプ長に相当する薄膜を付着
させ、ギヤツプ形成膜を介して両ブロツクを圧力
をかけて付合せ、先の補強用ガラスより溶融温度
の低い接合ガラスを巻線用溝と溶着横溝に入れて
加熱溶着させて磁気ヘツドコアを作製している。
以上の如く、ガラスボンデイング工程が２回必
要なため、工程が繁雑となり、しかも補強用ガラ
ス及び接合ガラスの２種類の高、低融点ガラスを
使い分ける必要がある。従つて熱処理工程の長時
間化に伴いギヤツプ形成面がガラスによる熱浸蝕
にさらされる度合が高くなる。
要なため、工程が繁雑となり、しかも補強用ガラ
ス及び接合ガラスの２種類の高、低融点ガラスを
使い分ける必要がある。従つて熱処理工程の長時
間化に伴いギヤツプ形成面がガラスによる熱浸蝕
にさらされる度合が高くなる。
そこでこの発明は、かかるガラス溶着を１回と
することができると共に、特定の複合ガラスター
ゲツトを用いてスパツター法によりギヤツプ形成
膜を被着することにより、フエライトコアの接合
強度並びにギヤツプ長寸法精度を向上させる狭ト
ラツク幅の磁気ヘツドを簡単に製造する方法を目
的としている。
することができると共に、特定の複合ガラスター
ゲツトを用いてスパツター法によりギヤツプ形成
膜を被着することにより、フエライトコアの接合
強度並びにギヤツプ長寸法精度を向上させる狭ト
ラツク幅の磁気ヘツドを簡単に製造する方法を目
的としている。
すなわちこの発明は、磁気回路を構成するフエ
ライトコアの一方に、トラツク幅を構成する所定
深さの縦溝と巻線用並びにガラス溶着用横溝を加
工し、上記縦溝端が巻線用横溝に連通するよう構
成し、他方のコアにトラツク幅を構成する縦溝を
加工後、ギヤツプ突合せ面を研摩し、この研摩面
に所定ギヤツプ長の1/2の厚さとなるようギヤツ
プ形成膜を、特定の構成からなる複合ガラスター
ゲツトを用いてスパツターにより被着させ、１対
のフエライトコアをトラツク幅が一致するよう組
合せ、溶着用横溝を上にしてこの横溝と巻線用横
溝にギヤツプ形成膜とほぼ同一温度で溶着できる
ガラス棒を挿入し、加熱圧着することを要旨とす
る。
ライトコアの一方に、トラツク幅を構成する所定
深さの縦溝と巻線用並びにガラス溶着用横溝を加
工し、上記縦溝端が巻線用横溝に連通するよう構
成し、他方のコアにトラツク幅を構成する縦溝を
加工後、ギヤツプ突合せ面を研摩し、この研摩面
に所定ギヤツプ長の1/2の厚さとなるようギヤツ
プ形成膜を、特定の構成からなる複合ガラスター
ゲツトを用いてスパツターにより被着させ、１対
のフエライトコアをトラツク幅が一致するよう組
合せ、溶着用横溝を上にしてこの横溝と巻線用横
溝にギヤツプ形成膜とほぼ同一温度で溶着できる
ガラス棒を挿入し、加熱圧着することを要旨とす
る。
この発明による製造方法では、ガラス溶着が１
回で完了し、しかもギヤツプ形成膜に用いるガラ
スとトラツク幅部分の補強用ガラスおよびコア溶
着用のガラスがほぼ同一溶融温度を有しているた
め、熱処理工程によるギヤツプ形成面の熱侵蝕は
減少する。いずれの部分においても強固な溶着力
が得られ、ギヤツプ寸法精度も向上する。
回で完了し、しかもギヤツプ形成膜に用いるガラ
スとトラツク幅部分の補強用ガラスおよびコア溶
着用のガラスがほぼ同一溶融温度を有しているた
め、熱処理工程によるギヤツプ形成面の熱侵蝕は
減少する。いずれの部分においても強固な溶着力
が得られ、ギヤツプ寸法精度も向上する。
次に、研摩したコアのギヤツプ形成面に、スパ
ツターによりギヤツプ形成膜を被着する際に使用
する複合ターゲツトを説明する。
ツターによりギヤツプ形成膜を被着する際に使用
する複合ターゲツトを説明する。
複合ターゲツトは、B2O3、Na2O、K2O、
ZnO、MgO、PbO、Al2O3等の低融点化金属酸化
物を単独又は混合して、SiO2と合せた全体で2.5
〜10wt％となるように調整した低融点化金属酸
化物組成片、すなわち、SiO2からなるターゲツ
ト板の露出面のSiO2量に対して2.5〜10wt％の低
融点化金属酸化物のみを含有する組成片、あるい
は、上記SiO2ターゲツトの露出面のSiO2量およ
び当該組成片中に含有されるSiO2量との合計量
に対して2.5〜10wt％の低融点化金属酸化物と
SiO2を共に含む組成片を、SiO2からなるターゲ
ツト板上に例えば扇状に、あるいは点対称に貼着
したものである。
ZnO、MgO、PbO、Al2O3等の低融点化金属酸化
物を単独又は混合して、SiO2と合せた全体で2.5
〜10wt％となるように調整した低融点化金属酸
化物組成片、すなわち、SiO2からなるターゲツ
ト板の露出面のSiO2量に対して2.5〜10wt％の低
融点化金属酸化物のみを含有する組成片、あるい
は、上記SiO2ターゲツトの露出面のSiO2量およ
び当該組成片中に含有されるSiO2量との合計量
に対して2.5〜10wt％の低融点化金属酸化物と
SiO2を共に含む組成片を、SiO2からなるターゲ
ツト板上に例えば扇状に、あるいは点対称に貼着
したものである。
この複合ターゲツトを使用して例えばスパツタ
リングを行なうと、一度のスパツター作業で安定
した複合ガラス層を上記のギヤツプ形成面に被着
させることができ、得られた複合ガラス層の組成
は複合ターゲツトに調整した組成とほぼ同等とな
る。従つてこの複合ガラス層を被着したコア同志
を加熱圧着すると強固な均一組成のギヤツプ形成
膜を得ることができ、磁気ヘツドの狭ギヤツプ形
成が容易になる効果を有する。
リングを行なうと、一度のスパツター作業で安定
した複合ガラス層を上記のギヤツプ形成面に被着
させることができ、得られた複合ガラス層の組成
は複合ターゲツトに調整した組成とほぼ同等とな
る。従つてこの複合ガラス層を被着したコア同志
を加熱圧着すると強固な均一組成のギヤツプ形成
膜を得ることができ、磁気ヘツドの狭ギヤツプ形
成が容易になる効果を有する。
ここで、複合ターゲツトにおいて低融点化金属
酸化物の含有量を2.5〜10wt％とするのは、2.5wt
％未満であると圧接時の温度が900℃以上になり、
フエライト自身の磁気特性を損う欠点があり、ま
た10wt％を超えると圧接時の温度が650℃以下と
なり、フエライトとガラスとの反応を抑止する範
囲での圧接温度は650℃以下となり、溶着用ホウ
ケイ酸ガラスの溶融温度700℃より低下し、ギヤ
ツプはがれを生じる欠点があるため、低融点化金
属酸化物の含有量を2.5〜10wt％とする。
酸化物の含有量を2.5〜10wt％とするのは、2.5wt
％未満であると圧接時の温度が900℃以上になり、
フエライト自身の磁気特性を損う欠点があり、ま
た10wt％を超えると圧接時の温度が650℃以下と
なり、フエライトとガラスとの反応を抑止する範
囲での圧接温度は650℃以下となり、溶着用ホウ
ケイ酸ガラスの溶融温度700℃より低下し、ギヤ
ツプはがれを生じる欠点があるため、低融点化金
属酸化物の含有量を2.5〜10wt％とする。
以下に、この発明による磁気ヘツドコアの製造
方法を図面に基づいて説明する。
方法を図面に基づいて説明する。
まず第１図のａ図に示す如く、フエライト素材
のブロツクを所定寸法に切出し、一対の磁気ヘツ
ドを構成するコア１，１ａを準備する。
のブロツクを所定寸法に切出し、一対の磁気ヘツ
ドを構成するコア１，１ａを準備する。
次に、コア１，１ａの所定表面に、トラツク幅
を規制する縦溝２を所定間隔で穿設し、一対のコ
ア１，１ａのち一方のコア１ａに縦溝２先端が連
通する如く断面コ字状に巻線を収容し、かつガラ
ス溶着にも使用する横溝３を設ける。さらにこの
コア１ａの縦溝２とは反対側の面を加工し、コア
１と突合せたとき溶着用横溝となるべき後方溝４
を設ける。
を規制する縦溝２を所定間隔で穿設し、一対のコ
ア１，１ａのち一方のコア１ａに縦溝２先端が連
通する如く断面コ字状に巻線を収容し、かつガラ
ス溶着にも使用する横溝３を設ける。さらにこの
コア１ａの縦溝２とは反対側の面を加工し、コア
１と突合せたとき溶着用横溝となるべき後方溝４
を設ける。
以上の溝２〜４を加工した各コア１，１ａの接
合用面に生じるチツピングを除去するために、表
面をラツプあるいはポリツシユする。その後この
研摩した接合用面すなわちギヤツプ形成面に、所
定の溶融温度の組成となすべく調整作製された上
述の複合ターゲツトを用いて、スパツター法によ
つて所定厚のガラス層５，５ａを形成する。
合用面に生じるチツピングを除去するために、表
面をラツプあるいはポリツシユする。その後この
研摩した接合用面すなわちギヤツプ形成面に、所
定の溶融温度の組成となすべく調整作製された上
述の複合ターゲツトを用いて、スパツター法によ
つて所定厚のガラス層５，５ａを形成する。
また、予め鏡面研摩した表面に所定厚のガラス
形成層を得るべく、複合ターゲツトによつてスパ
ツター膜を形成した上で、トラツク幅を規制する
縦溝２、巻線用横溝３、後方溝４を加工してもよ
い。この溝加工の際エツジにチツピングを生じな
いよう加工条件等を選定する必要があるが、スパ
ツター法により高い強度が得られる。
形成層を得るべく、複合ターゲツトによつてスパ
ツター膜を形成した上で、トラツク幅を規制する
縦溝２、巻線用横溝３、後方溝４を加工してもよ
い。この溝加工の際エツジにチツピングを生じな
いよう加工条件等を選定する必要があるが、スパ
ツター法により高い強度が得られる。
次に、ガラス層５，５ａを設けた各コア１，１
ａを、第２図のａ図に示すごとく、ガラス層５，
５ａを対向させ、さらにトラツク幅を規制する縦
溝２を相合致するように組合せて両側から加圧す
る。そして被着させたガラス層５，５ａとほぼ同
一の溶融温度を有する溶着用ガラス棒６，７を、
後方溝４側を上方にして、後方溝４と横溝３内に
挿入し、両コア１，１ａを接合中心へ加圧した状
態で、所定の温度まで加熱保持する。このとき横
溝３内に挿入したガラス棒７は溶融して連通する
縦溝２内へも流入してトラツク部の補強ガラスを
形成する。
ａを、第２図のａ図に示すごとく、ガラス層５，
５ａを対向させ、さらにトラツク幅を規制する縦
溝２を相合致するように組合せて両側から加圧す
る。そして被着させたガラス層５，５ａとほぼ同
一の溶融温度を有する溶着用ガラス棒６，７を、
後方溝４側を上方にして、後方溝４と横溝３内に
挿入し、両コア１，１ａを接合中心へ加圧した状
態で、所定の温度まで加熱保持する。このとき横
溝３内に挿入したガラス棒７は溶融して連通する
縦溝２内へも流入してトラツク部の補強ガラスを
形成する。
こうして溶着が完了したのち冷却し、第２図ｂ
図に示す如く、１点鎖線上すなわち縦溝２の中央
部でブロツクをスライスし、両面をラツプ仕上げ
する。
図に示す如く、１点鎖線上すなわち縦溝２の中央
部でブロツクをスライスし、両面をラツプ仕上げ
する。
すると第３図に示すように、磁気ヘツド用のフ
エライトコアチツプ８が得られ、上記の一回のガ
ラスボンデイングによつて、トラツク面の補強ガ
ラス７′と横溝における補強ガラス７′が共有さ
れ、さらにバツクサイドの溶着用ガラス６′とが
同時に溶着され、熱侵蝕による性能の劣化が少な
く寸法精度のすぐれたフエライトコアチツプ８が
得られる。
エライトコアチツプ８が得られ、上記の一回のガ
ラスボンデイングによつて、トラツク面の補強ガ
ラス７′と横溝における補強ガラス７′が共有さ
れ、さらにバツクサイドの溶着用ガラス６′とが
同時に溶着され、熱侵蝕による性能の劣化が少な
く寸法精度のすぐれたフエライトコアチツプ８が
得られる。
以下にこの発明による実施例を示しその効果を
明らかにする。
明らかにする。
フエライトコアに10×５×1.6mmのブロツクを
使用し、縦溝は溝幅200μm、溝深400μmで切残し
幅20μmすなわちトラツク幅20μmとなるよう溝加
工し、さらに横溝、後方溝を加工した。
使用し、縦溝は溝幅200μm、溝深400μmで切残し
幅20μmすなわちトラツク幅20μmとなるよう溝加
工し、さらに横溝、後方溝を加工した。
ギヤツプ形成面を研摩後、ガラス層を被着させ
るが、複合ターゲツトには、SiO2ターゲツト板
上に低融点化金属酸化物組成片としてホウケイサ
ンガラスを貼着したものを使用した。その組成は
ホウケイサンガラスが組成比、SiO280wt％、
Al2O32wt％、B2O313wt％、Na2O5wt％であり、
前記組成片中のSiO2量とターゲツト板の露出面
のSiO2量の合計に対してAl2O3、B2O3、Na2Oの
合計が7.5wt％となるようSiO2ターゲツト板上の
ホウケイサンガラスとの表面積比を５：３とし
た。
るが、複合ターゲツトには、SiO2ターゲツト板
上に低融点化金属酸化物組成片としてホウケイサ
ンガラスを貼着したものを使用した。その組成は
ホウケイサンガラスが組成比、SiO280wt％、
Al2O32wt％、B2O313wt％、Na2O5wt％であり、
前記組成片中のSiO2量とターゲツト板の露出面
のSiO2量の合計に対してAl2O3、B2O3、Na2Oの
合計が7.5wt％となるようSiO2ターゲツト板上の
ホウケイサンガラスとの表面積比を５：３とし
た。
この複合ターゲツトを使用したスパツターによ
るガラス形成層厚を片側0.15μmとした。
るガラス形成層厚を片側0.15μmとした。
次に、加熱条件を800℃×1.5時間として、被着
した複合のガラス層を対向させてフエライトコア
を所定位置に組み、加熱圧着した。このときの溶
着用ガラスには0.5mmφのホウケイサンガラス棒
を使用した。
した複合のガラス層を対向させてフエライトコア
を所定位置に組み、加熱圧着した。このときの溶
着用ガラスには0.5mmφのホウケイサンガラス棒
を使用した。
さらに溶着完了後冷却し、スライス後ラツプ仕
上げを行ない0.2mmｔのフエライトコアチツプに
仕上げた。
上げを行ない0.2mmｔのフエライトコアチツプに
仕上げた。
以上の如く、この発明方法により作製した
VTR画像ヘツド用フエライトコアチツプは、ギ
ヤツプ寸法精度も所定の0.3μmに対して±５％の
範囲内で、トラツク幅は所定どおりにおさまつて
おり、ギヤツプ形成面は完全に溶着され、補強ガ
ラスによる溶着強度も高くなつている。しかも上
記のすぐれた特性のコアチツプが所定の加工のほ
か、１回のスパツター作業と１回のガラスボンデ
イングの簡易な製造工程によつて得られた。
VTR画像ヘツド用フエライトコアチツプは、ギ
ヤツプ寸法精度も所定の0.3μmに対して±５％の
範囲内で、トラツク幅は所定どおりにおさまつて
おり、ギヤツプ形成面は完全に溶着され、補強ガ
ラスによる溶着強度も高くなつている。しかも上
記のすぐれた特性のコアチツプが所定の加工のほ
か、１回のスパツター作業と１回のガラスボンデ
イングの簡易な製造工程によつて得られた。
第１図から第３図はこの発明による製造方法の
工程を示すコアの説明図である。 図中、１，１ａ……コア、２……縦溝、３……
横溝、４……後方溝、５，５ａ……ガラス層、
６，７……溶着用ガラス棒、６′……溶着ガラス、
７′……補強ガラス、８……コアチツプ。
工程を示すコアの説明図である。 図中、１，１ａ……コア、２……縦溝、３……
横溝、４……後方溝、５，５ａ……ガラス層、
６，７……溶着用ガラス棒、６′……溶着ガラス、
７′……補強ガラス、８……コアチツプ。
Claims (1)
- １ 磁気回路を構成する一対のコアの各ギヤツプ
形成面に、磁気ヘツドのトラツク幅を構成する縦
溝を形成してコアの一方に設けた巻線用横溝に前
記縦溝先端が連通するよう構成し、さらに前記の
コアにガラス溶着用後方溝を形成した後に、ギヤ
ツプ形成面を研摩して得られた研摩面に非磁性体
のギヤツプ形成膜を被着させるか、または各コア
のギヤツプ形成面を研摩してギヤツプ形成膜を被
着したのち上記の溝加工を施し、一対のコアをト
ラツク幅が一致するよう組合せた後、溶着用後方
溝を上にしてこの後方溝と巻線用横溝に上記ギヤ
ツプ形成膜とほぼ同一温度で溶着できるガラス棒
を挿入し、一対のコアを加熱圧着する磁気ヘツド
コアの製造方法において、低融点化金属酸化物、
B2O3、Na2O、K2O、ZnO、MgO、PbO、Al2O3
のうち少なくとも１種を、SiO2ターゲツト板の
露出面のSiO2量あるいはSiO2ターゲツト板の露
出面のSiO2量と低融点化金属酸化物組成片に含
有のSiO2量の合計に対し、2.5〜10wt％となるよ
う調整した低融点化金属酸化物組成片を、SiO2
ターゲツト板上に貼着した復合ターゲツトを使用
してスパツター法により、各コアのギヤツプ形成
面にギヤツプ形成膜を被着させることを特徴とす
る磁気ヘツドコアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1724781A JPS57133515A (en) | 1981-02-06 | 1981-02-06 | Production of magnetic head core |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1724781A JPS57133515A (en) | 1981-02-06 | 1981-02-06 | Production of magnetic head core |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57133515A JPS57133515A (en) | 1982-08-18 |
| JPH0152808B2 true JPH0152808B2 (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=11938615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1724781A Granted JPS57133515A (en) | 1981-02-06 | 1981-02-06 | Production of magnetic head core |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57133515A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8202059A (nl) * | 1982-05-19 | 1983-12-16 | Philips Nv | Glas gekitte magneetkop en werkwijze voor zijn vervaardiging. |
| JPS59193516A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-02 | Pioneer Electronic Corp | 磁気ヘツド |
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| JPS6083205A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS60231905A (ja) * | 1984-04-30 | 1985-11-18 | Nec Kansai Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
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| JPS61190704A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
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| JPH04123302A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-23 | Minebea Co Ltd | 磁気ヘッド |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53108409A (en) * | 1977-03-03 | 1978-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head and preparation thereof |
-
1981
- 1981-02-06 JP JP1724781A patent/JPS57133515A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53108409A (en) * | 1977-03-03 | 1978-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head and preparation thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57133515A (en) | 1982-08-18 |
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