JPH0148672B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0148672B2 JPH0148672B2 JP3167883A JP3167883A JPH0148672B2 JP H0148672 B2 JPH0148672 B2 JP H0148672B2 JP 3167883 A JP3167883 A JP 3167883A JP 3167883 A JP3167883 A JP 3167883A JP H0148672 B2 JPH0148672 B2 JP H0148672B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- paste
- baking
- connection
- printing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 26
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
本発明はＷ又はMo導体の同時焼成多層基板上
にCu導体配線とガラス被覆層とを交互に複層形
成して成る多層配線基板のＷ又はMo導体とCu導
体との接続技術に関するものである。 最近、Ｗ又はMo導体の同時焼成多層基板技術
とCu導体材料とを使用した厚膜多層配線技術と
を組み合わせた多層配線基板が見られるようにな
つてきた。この方法は、Cu導体の導電率が高く、
マイグレーシヨンを起こしにくくて、Ｗ又はMo
導体の信号速度に比べて約20％（厚膜形成法）短
くなるため高速化用途例えばコンピユーター、テ
レビチユーナー等に最適である。又多層配線基板
の上部形成Cuの配線層は種類の異なるLSIを載せ
るときの設計変更部としても使用出来るためであ
る。 この多層配線基板の従来の作成法は、スルーホ
ールを設けたグリーンシート上にＷ又はMo粉末
を溶剤等で調製したペーストをスクリーン印刷に
てスルーホール埋めと配線部とを形成し、これを
所望枚数だけ積層接着して、樹脂抜き後非酸化零
囲気中にて焼結し、上面にＷ又はMo部の露出し
た多層基板を得る。この露出したＷ又はMo上に
Niメツキを施し、その上にCuペーストを印刷し
て窒素雰囲気中で焼き付け後、その上面をガラス
ペーストでスクリーン印刷して被覆し、窒素雰囲
気中で焼き付ける。このCuペースト印刷、焼き
付け、ガラスペースト印刷、焼き付け工程を反復
して所望の２〜５層を形成して作成されていた。 この従来法によると、Ｗ又はMo導体＋Niメツ
キ＋Cu導体との密着性は良好となるが、Cuペー
スト焼き付けとガラスペースト焼き付け工程の反
復形成で、３層形成品までは良好な接続結線が出
来るが、しかし４〜５層形成品になるにつれての
焼き付け回数が増加するにつれ接続部の結合が弱
くなり、接続不良の発生もみられる様になつてき
た。 本発明は焼き付け回数を増加して積層数をどん
なに増しても、接続結線部に異常が生ぜず強固な
結合状態であり、かつ多層配線基板として使用さ
れる時、導通抵抗の経時変化の起きないものを作
成すべく鋭意研究の結果、下記の方法を見い出し
た。 本発明の要旨を第１図Ａ図の多層配線基板の省
略断面図及びＢ図の一部拡大断面図により述べれ
ば、Ｗ又はMo導体２の同時焼成多層基板１上
に、Cu導体配線３とガラス被覆層４とを交互に
複層形成して成る多層配線基板のＷ又はMo導体
２とCu導体３との接続法において該Ｗ又はMo導
体２の接続部７にNiメツキ５を施し、その上に
更にNiペースト６を印刷し水素／窒素雰囲気で
焼き付けた後、Cuペースト３を印刷し窒素雰囲
気で焼き付けてＷ又はMo導体２とCu導体３との
接続を形成したことを特徴とするものである。 本発明の採用により、焼き付け回数を10回繰返
しても導通抵抗は殆ど変化しない強個な結線とな
り、かつ多層配線基板としての実用通電試験も
4000時間経過後も何等異常を認めず現在続行中で
ある。 本発明の導体接続法で強固な結線が出来た理由
として、Ｗ又はMoとCu間に、どちらとも反応し
やすいNi層を介在したこと、窒素雰囲気にて酸
化されるＷ又はMo層をNiメツキにて確実完全に
被覆したこと（直接のNiペースト被覆では不充
分）、Niペースト被覆によりCuペーストとの接触
凹凸面の食い込みにより、一段と反応結合層を強
固に形成したこと等によるものと判断される。ま
た窒素雰囲気中にてCuとガラスの焼き付けを行
つたのは、ガラス層の水素による強度劣化を防止
するためである。 以下、実施例につき説明するが、本発明の要旨
を越えない範囲内において、これに限定されな
い。 可塑剤、分散剤、溶剤等を添加して調製したア
ルミナ含有量96％の泥漿をキヤリアフイルム上
に、公知のドクターブレード工法でキヤステイン
グして、厚さ0.5mmのグリーンシートを成形した。
これを120×60mm寸法に裁断して10枚を作り、こ
の内の９枚に上下層との結線用のスルーホールを
穿設し、この孔内へＷ金属粉末よりなるベースト
を充填した。以上10枚のシート上面に所望の回路
配線をＷペーストでスクリーン印刷にて形成し、
乾燥後10枚を上、下層との導通のない１枚を最下
層として積層圧着した。これを脂樹抜き後、水素
と窒素との混合雰囲気中の1550℃にて焼結し、多
層基板を得た。この基板の最上面に露出したＷメ
タライズ上にNiメツキを厚さ３〜5μｍ施し、そ
の上にNi粉末よりなるペーストにて厚さ15〜20μ
ｍをクリーン印刷にて塗布し、水素と窒素との混
合雰囲気中の850℃にて焼き付けた。 次にNiメタライズ上を通り所望の回路配線を、
市販のデユポン製Ciペースト（No.9922）にて厚さ
15〜20μｍをスクリーン印刷して配線を形成し、
窒素雰囲気中の850℃にて焼き付けた。このCuメ
タライズ上面を市販のデユポン製ガラスペースト
（No.4175）にてスクリーン印刷を２回反復して厚
さ30〜40μｍの被覆層を形成し、乾燥後、窒素雰
囲気中の850℃にて焼き付けた。 以上のCuペーストでの回路配線印刷、焼き付
け、ガラスペースト被覆印刷、焼き付けの工程を
反復繰返して５層を形成し、目的の多層配線基板
を製作した。 比較例 上記実施例と同じ方法で10層形成したＷ配線の
同時焼成多層基板上にNiペースト印刷とその焼
き付けの工程を省略した以外はすべて実施例と同
じ方法で多層配線基板を製作した。 以上の実施例、比較例でのＷ配線の同時焼成基
板上にCuペースト配線印刷、焼き付け、ガラス
ペースト印刷、焼き付けを一層として、各層毎に
導通抵抗を測定したものを第１表に示す。
にCu導体配線とガラス被覆層とを交互に複層形
成して成る多層配線基板のＷ又はMo導体とCu導
体との接続技術に関するものである。 最近、Ｗ又はMo導体の同時焼成多層基板技術
とCu導体材料とを使用した厚膜多層配線技術と
を組み合わせた多層配線基板が見られるようにな
つてきた。この方法は、Cu導体の導電率が高く、
マイグレーシヨンを起こしにくくて、Ｗ又はMo
導体の信号速度に比べて約20％（厚膜形成法）短
くなるため高速化用途例えばコンピユーター、テ
レビチユーナー等に最適である。又多層配線基板
の上部形成Cuの配線層は種類の異なるLSIを載せ
るときの設計変更部としても使用出来るためであ
る。 この多層配線基板の従来の作成法は、スルーホ
ールを設けたグリーンシート上にＷ又はMo粉末
を溶剤等で調製したペーストをスクリーン印刷に
てスルーホール埋めと配線部とを形成し、これを
所望枚数だけ積層接着して、樹脂抜き後非酸化零
囲気中にて焼結し、上面にＷ又はMo部の露出し
た多層基板を得る。この露出したＷ又はMo上に
Niメツキを施し、その上にCuペーストを印刷し
て窒素雰囲気中で焼き付け後、その上面をガラス
ペーストでスクリーン印刷して被覆し、窒素雰囲
気中で焼き付ける。このCuペースト印刷、焼き
付け、ガラスペースト印刷、焼き付け工程を反復
して所望の２〜５層を形成して作成されていた。 この従来法によると、Ｗ又はMo導体＋Niメツ
キ＋Cu導体との密着性は良好となるが、Cuペー
スト焼き付けとガラスペースト焼き付け工程の反
復形成で、３層形成品までは良好な接続結線が出
来るが、しかし４〜５層形成品になるにつれての
焼き付け回数が増加するにつれ接続部の結合が弱
くなり、接続不良の発生もみられる様になつてき
た。 本発明は焼き付け回数を増加して積層数をどん
なに増しても、接続結線部に異常が生ぜず強固な
結合状態であり、かつ多層配線基板として使用さ
れる時、導通抵抗の経時変化の起きないものを作
成すべく鋭意研究の結果、下記の方法を見い出し
た。 本発明の要旨を第１図Ａ図の多層配線基板の省
略断面図及びＢ図の一部拡大断面図により述べれ
ば、Ｗ又はMo導体２の同時焼成多層基板１上
に、Cu導体配線３とガラス被覆層４とを交互に
複層形成して成る多層配線基板のＷ又はMo導体
２とCu導体３との接続法において該Ｗ又はMo導
体２の接続部７にNiメツキ５を施し、その上に
更にNiペースト６を印刷し水素／窒素雰囲気で
焼き付けた後、Cuペースト３を印刷し窒素雰囲
気で焼き付けてＷ又はMo導体２とCu導体３との
接続を形成したことを特徴とするものである。 本発明の採用により、焼き付け回数を10回繰返
しても導通抵抗は殆ど変化しない強個な結線とな
り、かつ多層配線基板としての実用通電試験も
4000時間経過後も何等異常を認めず現在続行中で
ある。 本発明の導体接続法で強固な結線が出来た理由
として、Ｗ又はMoとCu間に、どちらとも反応し
やすいNi層を介在したこと、窒素雰囲気にて酸
化されるＷ又はMo層をNiメツキにて確実完全に
被覆したこと（直接のNiペースト被覆では不充
分）、Niペースト被覆によりCuペーストとの接触
凹凸面の食い込みにより、一段と反応結合層を強
固に形成したこと等によるものと判断される。ま
た窒素雰囲気中にてCuとガラスの焼き付けを行
つたのは、ガラス層の水素による強度劣化を防止
するためである。 以下、実施例につき説明するが、本発明の要旨
を越えない範囲内において、これに限定されな
い。 可塑剤、分散剤、溶剤等を添加して調製したア
ルミナ含有量96％の泥漿をキヤリアフイルム上
に、公知のドクターブレード工法でキヤステイン
グして、厚さ0.5mmのグリーンシートを成形した。
これを120×60mm寸法に裁断して10枚を作り、こ
の内の９枚に上下層との結線用のスルーホールを
穿設し、この孔内へＷ金属粉末よりなるベースト
を充填した。以上10枚のシート上面に所望の回路
配線をＷペーストでスクリーン印刷にて形成し、
乾燥後10枚を上、下層との導通のない１枚を最下
層として積層圧着した。これを脂樹抜き後、水素
と窒素との混合雰囲気中の1550℃にて焼結し、多
層基板を得た。この基板の最上面に露出したＷメ
タライズ上にNiメツキを厚さ３〜5μｍ施し、そ
の上にNi粉末よりなるペーストにて厚さ15〜20μ
ｍをクリーン印刷にて塗布し、水素と窒素との混
合雰囲気中の850℃にて焼き付けた。 次にNiメタライズ上を通り所望の回路配線を、
市販のデユポン製Ciペースト（No.9922）にて厚さ
15〜20μｍをスクリーン印刷して配線を形成し、
窒素雰囲気中の850℃にて焼き付けた。このCuメ
タライズ上面を市販のデユポン製ガラスペースト
（No.4175）にてスクリーン印刷を２回反復して厚
さ30〜40μｍの被覆層を形成し、乾燥後、窒素雰
囲気中の850℃にて焼き付けた。 以上のCuペーストでの回路配線印刷、焼き付
け、ガラスペースト被覆印刷、焼き付けの工程を
反復繰返して５層を形成し、目的の多層配線基板
を製作した。 比較例 上記実施例と同じ方法で10層形成したＷ配線の
同時焼成多層基板上にNiペースト印刷とその焼
き付けの工程を省略した以外はすべて実施例と同
じ方法で多層配線基板を製作した。 以上の実施例、比較例でのＷ配線の同時焼成基
板上にCuペースト配線印刷、焼き付け、ガラス
ペースト印刷、焼き付けを一層として、各層毎に
導通抵抗を測定したものを第１表に示す。
【表】
(注) ×印は断線を示す。
第１表より明らかな様にＷメタライズ上にNi
メツキを施しそれにCuをメタライズした比較品
は、その焼き付けの回数が増加するに従つて導通
抵抗が大きくなり、５層形成品（焼き付け回数10
回）になると接続断線が発生する。それに対して
Ｗメタライズ−Niメツキ−Niペースト焼き付け
−Cuメタライズの本発明品は、焼き付け回数が
増加しても導通抵抗の増加はなく、５層形成品も
異常は認められず良好な導体接続の多層配線基板
が完了した、この基板の実用通電試験4000時間経
過後も異常なく現在続行中である。
第１表より明らかな様にＷメタライズ上にNi
メツキを施しそれにCuをメタライズした比較品
は、その焼き付けの回数が増加するに従つて導通
抵抗が大きくなり、５層形成品（焼き付け回数10
回）になると接続断線が発生する。それに対して
Ｗメタライズ−Niメツキ−Niペースト焼き付け
−Cuメタライズの本発明品は、焼き付け回数が
増加しても導通抵抗の増加はなく、５層形成品も
異常は認められず良好な導体接続の多層配線基板
が完了した、この基板の実用通電試験4000時間経
過後も異常なく現在続行中である。
第１図Ａは本発明の多層配線基板の省略断面図
を示し、図中円Ｂの拡大図をＢ図に示す。 １……セラミツク基板、２……Ｗ又はMo回路
配線、３，３′……Cu導体配線、４……ガラス被
覆層、５……Niメツキ、６……Niペースト焼き
付け層、７……接続部。
を示し、図中円Ｂの拡大図をＢ図に示す。 １……セラミツク基板、２……Ｗ又はMo回路
配線、３，３′……Cu導体配線、４……ガラス被
覆層、５……Niメツキ、６……Niペースト焼き
付け層、７……接続部。
Claims (1)
- １ Ｗ又はMo導体の同時焼成多層基板上に、Cu
導体配線とガラス被覆層とを交互に複層形成して
成る多層配線基板のＷ又はMo導体とCu導体との
接続法において、該Ｗ又はMo導体の接続部にNi
メツキを施し、その上に更にNiペーストを印刷
し水素／窒素雰囲気で焼き付けた後、Cuペース
トを印刷し窒素雰囲気で焼き付けてＷ又はMo導
体とCu導体との接続を形成したことを特徴とす
る多層配線基板の導体接続法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3167883A JPS59155995A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 多層配線基板の導体接続法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3167883A JPS59155995A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 多層配線基板の導体接続法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155995A JPS59155995A (ja) | 1984-09-05 |
| JPH0148672B2 true JPH0148672B2 (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=12337764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3167883A Granted JPS59155995A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 多層配線基板の導体接続法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155995A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153893A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-27 | 伊勢電子工業株式会社 | 多層プリント配線板 |
-
1983
- 1983-02-25 JP JP3167883A patent/JPS59155995A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59155995A (ja) | 1984-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4561831B2 (ja) | セラミック基板、電子装置およびセラミック基板の製造方法 | |
| EP0660651B1 (en) | Multilayer ceramic circuit substrate, process for producing the same, and electrically conductive material for use in multilayer ceramic circuit substrate | |
| JPS62279695A (ja) | セラミツク多層配線基板 | |
| JPH0148672B2 (ja) | ||
| JP3167796B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPH0466688B2 (ja) | ||
| JP2738600B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPH06334351A (ja) | 導体ペーストおよびそれを用いたセラミック多層配線基板 | |
| JPH08203769A (ja) | セラミック電子部品 | |
| JPS63239999A (ja) | セラミツク多層積層体の製造方法 | |
| JP2842707B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP2515165B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP3950950B2 (ja) | セラミック配線基板の製造方法 | |
| JPH03280491A (ja) | 回路基板 | |
| JPH0217952B2 (ja) | ||
| JPH0794839A (ja) | 回路基板 | |
| JPH0620516A (ja) | 導体組成物，セラミック多層基板及び半導体装置 | |
| JPH088505A (ja) | 低温焼成セラミック回路基板およびその製造法 | |
| JPS60198761A (ja) | ろう付け方法 | |
| JPH10208970A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH04369288A (ja) | 回路基板 | |
| JPS6381894A (ja) | セラミツクス回路基板の製造方法 | |
| JPH05343851A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPS62123795A (ja) | 配線基板 | |
| JPH0473994A (ja) | セラミック配線基板 |