JPH0143581Y2 - - Google Patents
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- JPH0143581Y2 JPH0143581Y2 JP18265683U JP18265683U JPH0143581Y2 JP H0143581 Y2 JPH0143581 Y2 JP H0143581Y2 JP 18265683 U JP18265683 U JP 18265683U JP 18265683 U JP18265683 U JP 18265683U JP H0143581 Y2 JPH0143581 Y2 JP H0143581Y2
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- Japan
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- valve
- supply
- flow control
- electromagnetic flow
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- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 102100027340 Slit homolog 2 protein Human genes 0.000 description 1
- 101710133576 Slit homolog 2 protein Proteins 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
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- Magnetically Actuated Valves (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本考案は、ソレノイドの吸引力によつてスプー
ルを摺動させて圧力流体の給排流量を制御する電
磁流量制御装置に関するものである。
ルを摺動させて圧力流体の給排流量を制御する電
磁流量制御装置に関するものである。
〈従来技術〉
一般にこの種の電磁流量制御装置Vを例えば第
1図に示すような流体圧回路に組込み、この電磁
流量制御装置Vを切換制御することによりポンプ
P0から流体圧シリンダCへ流入する圧力流体な
らびに流体圧シリンダCからタンクTへ流出する
圧力流体の流量を制御し、引張力Fにて引張られ
るピストンPの位置制御を行うものがある。
1図に示すような流体圧回路に組込み、この電磁
流量制御装置Vを切換制御することによりポンプ
P0から流体圧シリンダCへ流入する圧力流体な
らびに流体圧シリンダCからタンクTへ流出する
圧力流体の流量を制御し、引張力Fにて引張られ
るピストンPの位置制御を行うものがある。
このようなピストンPの位置制御等に用いられ
る電磁流量制御装置Vは、第2図に示すようにピ
ストンPの右進を制御する第1電磁流量制御バル
ブVaと、ピストンPの左進を制御する第2電磁
流量制御バルブVbより構成され、例えばピスト
ンPを右進させる場合には第1電磁流量制御バル
ブVaのソレノイド1aを励磁してスプール2a
を摺動させ、これによつてポンプP0に通じる側
部弁室3aと流体圧シリンダCに通じる中央弁室
4間をスリツト5aを介して連通させ、そのスリ
ツト開度に応じた流量を流体圧シリンダCに供給
し、またピストンPを左進させる場合には第2電
磁流量制御バルブVbのソレノイド1bを励磁し
てスプール2bを摺動させ、これによつてタンク
Tに通じる側部弁室3bと流体圧シリンダCに通
じる中央弁室4b間をスリツト5bを介して連通
させ、そのスリツト開度に応じた流量を流体圧シ
リンダCよりタンクTに排出させている。
る電磁流量制御装置Vは、第2図に示すようにピ
ストンPの右進を制御する第1電磁流量制御バル
ブVaと、ピストンPの左進を制御する第2電磁
流量制御バルブVbより構成され、例えばピスト
ンPを右進させる場合には第1電磁流量制御バル
ブVaのソレノイド1aを励磁してスプール2a
を摺動させ、これによつてポンプP0に通じる側
部弁室3aと流体圧シリンダCに通じる中央弁室
4間をスリツト5aを介して連通させ、そのスリ
ツト開度に応じた流量を流体圧シリンダCに供給
し、またピストンPを左進させる場合には第2電
磁流量制御バルブVbのソレノイド1bを励磁し
てスプール2bを摺動させ、これによつてタンク
Tに通じる側部弁室3bと流体圧シリンダCに通
じる中央弁室4b間をスリツト5bを介して連通
させ、そのスリツト開度に応じた流量を流体圧シ
リンダCよりタンクTに排出させている。
しかしながら、かかる従来装置は、ピストンP
の右進時には供給通路8より供給された圧力流体
が第1電磁流量制御バルブVaの側部弁室3aか
らスリツト5aを介して中央弁室4ならびに給排
通路7へ通過し、またピストンPの左進時には給
排通路7からの排出流体が中央弁室4からスリツ
ト5bを介して第2電磁流量制御バルブVbの側
部弁室3bならびに排出通路9へと通過するた
め、その圧力流体の流れ方向が反対となつてスリ
ツト5a,5bに作用するフローフオースに差異
が生じ、第10図Bに示すようにピストンPの右
進時と左進時とで制御特性がアンバランスとなる
傾向があつた。
の右進時には供給通路8より供給された圧力流体
が第1電磁流量制御バルブVaの側部弁室3aか
らスリツト5aを介して中央弁室4ならびに給排
通路7へ通過し、またピストンPの左進時には給
排通路7からの排出流体が中央弁室4からスリツ
ト5bを介して第2電磁流量制御バルブVbの側
部弁室3bならびに排出通路9へと通過するた
め、その圧力流体の流れ方向が反対となつてスリ
ツト5a,5bに作用するフローフオースに差異
が生じ、第10図Bに示すようにピストンPの右
進時と左進時とで制御特性がアンバランスとなる
傾向があつた。
このような問題に対処するには、第1、第2電
磁流量制御バルブのいずれにおいても圧力流体が
各弁室間を同じ条件で流通するようにバルブハウ
ジングに特別な通路を形成することで制御特性の
アンバランスを解消することができる。
磁流量制御バルブのいずれにおいても圧力流体が
各弁室間を同じ条件で流通するようにバルブハウ
ジングに特別な通路を形成することで制御特性の
アンバランスを解消することができる。
しかしながら上記通路をドリル加工する場合、
バルブハウジングの大きさに制限があるため、そ
の口径を大きくとることができず、従つて圧力損
失も大きく、大容量の流量制御に適用できないと
いう問題がある。
バルブハウジングの大きさに制限があるため、そ
の口径を大きくとることができず、従つて圧力損
失も大きく、大容量の流量制御に適用できないと
いう問題がある。
〈考案の目的〉
本考案はこのような問題を解決するためになさ
れたものでその目的とするところは第1、第2電
磁流量制御バルブの制御特性をアンバランスが生
じないようにすることである。
れたものでその目的とするところは第1、第2電
磁流量制御バルブの制御特性をアンバランスが生
じないようにすることである。
さらに本考案の他の目的とするところは、前記
第1、第2電磁流量制御バルブに通じる通路面積
を大きくして圧力損失を少なくすることである。
第1、第2電磁流量制御バルブに通じる通路面積
を大きくして圧力損失を少なくすることである。
〈考案の構成〉
本考案はかかる目的を達成するために、前記第
1、第2電磁流量制御バルブのいずれのバルブに
おいても圧力流体が各弁室間において同じ条件で
圧力流体が流出するように供給通路、給排通路な
らびに排出通路を構成したこと、さらにこの各通
路をバルブハウジングに挿嵌される中間スリーブ
に形成したことを特徴とする電磁流量制御装置で
ある。
1、第2電磁流量制御バルブのいずれのバルブに
おいても圧力流体が各弁室間において同じ条件で
圧力流体が流出するように供給通路、給排通路な
らびに排出通路を構成したこと、さらにこの各通
路をバルブハウジングに挿嵌される中間スリーブ
に形成したことを特徴とする電磁流量制御装置で
ある。
〈実施例〉
以下本考案の実施例を図面に基づいて説明す
る。第3図は本考案の電磁流量制御装置Vを示す
もので、バルブハウジングHと、中間スリーブS
と、第1電磁流量制御バルブVa、第2電磁流量
制御バルブVbとを備えている。
る。第3図は本考案の電磁流量制御装置Vを示す
もので、バルブハウジングHと、中間スリーブS
と、第1電磁流量制御バルブVa、第2電磁流量
制御バルブVbとを備えている。
バルブハウジングHにはその内孔40より外周
に開口する給排ポートP1、供給ポートP2なら
びに排出ポートP3が形成され、これらポートP
1,P2,P3を例えば第1図に示す流体圧シリ
ンダC、ポンプP0、タンクTにそれぞれ接続す
ることで、流体圧シリンダCに圧力流体が給排さ
れ、ピストンPの位置を制御することができる。
に開口する給排ポートP1、供給ポートP2なら
びに排出ポートP3が形成され、これらポートP
1,P2,P3を例えば第1図に示す流体圧シリ
ンダC、ポンプP0、タンクTにそれぞれ接続す
ることで、流体圧シリンダCに圧力流体が給排さ
れ、ピストンPの位置を制御することができる。
第1、第2電磁流量制御バルブVa,Vbは同一
構成をなし、それぞれ前記中間スリーブSに挿入
嵌合されるバルブ本体17a,17bを有してい
る。このバルブ本体17a,17bは先端部に支
持筒117a,117bを有し、この支持筒11
7a,117bの軸端側に第1弁室18a,18
bが形成され、支持筒117a,117bの外周
側に第2弁室19a,19bがそれぞれ形成され
る。またバルブ本体17a,17bにはそれぞれ
弁孔22a,22bが形成され、この弁孔22
a,22bにスプール20a,20bが摺動可能
に嵌合されている。このスプール20a,20b
には第4図に示すように直径方向に切欠かれたバ
イパス用スリツト21a,21bがそれぞれ軸方
向に所定の長さに亘つて形成され、スプール20
a,20bの軸方向移動によつてこのスリツト2
1a,21bを前記第2弁室19a,19bに対
応させ、第1、第2弁室18a,18b,19
a,19b間を連通制御するようになつている。
またスプール20a,20bにはソレノイド36
a,36bへの印加電流に応じた吸引力が付与さ
れ、前記弁孔22a,22b内を摺動するように
なつている。
構成をなし、それぞれ前記中間スリーブSに挿入
嵌合されるバルブ本体17a,17bを有してい
る。このバルブ本体17a,17bは先端部に支
持筒117a,117bを有し、この支持筒11
7a,117bの軸端側に第1弁室18a,18
bが形成され、支持筒117a,117bの外周
側に第2弁室19a,19bがそれぞれ形成され
る。またバルブ本体17a,17bにはそれぞれ
弁孔22a,22bが形成され、この弁孔22
a,22bにスプール20a,20bが摺動可能
に嵌合されている。このスプール20a,20b
には第4図に示すように直径方向に切欠かれたバ
イパス用スリツト21a,21bがそれぞれ軸方
向に所定の長さに亘つて形成され、スプール20
a,20bの軸方向移動によつてこのスリツト2
1a,21bを前記第2弁室19a,19bに対
応させ、第1、第2弁室18a,18b,19
a,19b間を連通制御するようになつている。
またスプール20a,20bにはソレノイド36
a,36bへの印加電流に応じた吸引力が付与さ
れ、前記弁孔22a,22b内を摺動するように
なつている。
一方中間スリーブSには前記バルブ本体17
a,17bを挿嵌するための支持孔50a,50
bがその中央に位置する仕切壁51を残して両端
に開口され、また外周部には第5図ないし第9図
に示すように供給通路53、給排通路54ならび
に排出通路55が形成されている。この供給通路
53は中間スリーブSの一端外周を占有する円弧
状凹溝53aと、径方向に貫通する多数の貫通孔
53bより構成され、同様に給排通路54は中間
スリーブSの中央外周ならびに他端外周の半分を
占有する円弧状凹溝54aと、径方向に貫通する
多数の貫通孔54bと、半径状に切欠いた切欠孔
54cより構成され、さらに排出通路55は中間
スリーブSの他端外周の半分を占有する円弧状凹
溝55aと、半円状に切欠いた切欠孔55bより
構成されている。このように中間スリーブSの外
周を有効に利用して供給通路53、給排通路5
4、排出通路55を形成することで、大きな通路
面積を確保するようになつている。
a,17bを挿嵌するための支持孔50a,50
bがその中央に位置する仕切壁51を残して両端
に開口され、また外周部には第5図ないし第9図
に示すように供給通路53、給排通路54ならび
に排出通路55が形成されている。この供給通路
53は中間スリーブSの一端外周を占有する円弧
状凹溝53aと、径方向に貫通する多数の貫通孔
53bより構成され、同様に給排通路54は中間
スリーブSの中央外周ならびに他端外周の半分を
占有する円弧状凹溝54aと、径方向に貫通する
多数の貫通孔54bと、半径状に切欠いた切欠孔
54cより構成され、さらに排出通路55は中間
スリーブSの他端外周の半分を占有する円弧状凹
溝55aと、半円状に切欠いた切欠孔55bより
構成されている。このように中間スリーブSの外
周を有効に利用して供給通路53、給排通路5
4、排出通路55を形成することで、大きな通路
面積を確保するようになつている。
上記供給通路53、給排通路54、排出通路5
5を有する中間スリーブSをバルブハウジングH
に挿嵌したとき、前記供給通路53はそれぞれ第
2弁室19a、供給ポートP2に対応して両者間
を接続し、同様に給排通路54はそれぞれ第1弁
室18a、第2弁室19b、給排ポートP1に対
応して両者間を接続し、さらに排出通路55はそ
れぞれ第1弁室18b、排出ポートP3に対応し
て両者間を接続するようになつている。
5を有する中間スリーブSをバルブハウジングH
に挿嵌したとき、前記供給通路53はそれぞれ第
2弁室19a、供給ポートP2に対応して両者間
を接続し、同様に給排通路54はそれぞれ第1弁
室18a、第2弁室19b、給排ポートP1に対
応して両者間を接続し、さらに排出通路55はそ
れぞれ第1弁室18b、排出ポートP3に対応し
て両者間を接続するようになつている。
上記構成の電磁流量制御装置Vにおいて、所定
の電流がソレノイド27aに印加されると、スプ
ール20aにはソレノイド27aに印加された電
流に比例した吸引力が作用する。これによりバイ
パス用スリツト21aが第2弁室9aに開口し、
第1弁室18aならびに第2弁室19aが互いに
連通される。このバイパス用スリツト21aの開
口面積はソレノイド27aに印加される電流に比
例した大きさに設定され、流体圧シリンダCには
第10図に示すようにソレノイド271aに印加
される電流に比例した量の圧力流体が供給ポート
P2、供給通路53、第2弁室19a、第1弁室
18a、給排通路54、給排ポートP1を介して
供給され、ピストンPを所定位置まで右進させ
る。
の電流がソレノイド27aに印加されると、スプ
ール20aにはソレノイド27aに印加された電
流に比例した吸引力が作用する。これによりバイ
パス用スリツト21aが第2弁室9aに開口し、
第1弁室18aならびに第2弁室19aが互いに
連通される。このバイパス用スリツト21aの開
口面積はソレノイド27aに印加される電流に比
例した大きさに設定され、流体圧シリンダCには
第10図に示すようにソレノイド271aに印加
される電流に比例した量の圧力流体が供給ポート
P2、供給通路53、第2弁室19a、第1弁室
18a、給排通路54、給排ポートP1を介して
供給され、ピストンPを所定位置まで右進させ
る。
またソレノイド27bに所定の電流を印加した
場合には前記と同様、スプール20bにはソレノ
イド27bに印加された電流に比例した吸引力が
発生する。これによりスリツト21bが第2弁室
19bに開口し、第1弁室18bならびに第2弁
室19bが互いに連通される。その結果このスリ
ツト21bの開口面積に応じた量の圧力流体が給
排ポートP1、給排通路54、第2弁室19b、
第1弁室18b、排出通路55、排出ポートP3
よりタンクTへ排出され、ピストンPは左進され
る。
場合には前記と同様、スプール20bにはソレノ
イド27bに印加された電流に比例した吸引力が
発生する。これによりスリツト21bが第2弁室
19bに開口し、第1弁室18bならびに第2弁
室19bが互いに連通される。その結果このスリ
ツト21bの開口面積に応じた量の圧力流体が給
排ポートP1、給排通路54、第2弁室19b、
第1弁室18b、排出通路55、排出ポートP3
よりタンクTへ排出され、ピストンPは左進され
る。
このようにピストンPを所定の位置へ左進させ
る場合、あるいは右進させる場合のいずれの場合
でも、圧力流体が前記スリツト21a,21bを
通過する際、スプール20a,20bに対してフ
ローフオースが作用する。
る場合、あるいは右進させる場合のいずれの場合
でも、圧力流体が前記スリツト21a,21bを
通過する際、スプール20a,20bに対してフ
ローフオースが作用する。
しかるに本考案では、上記いずれの場合でも圧
力流体を第2弁室19a,19b側よりスリツト
21a,21bを介して第1弁室18a,18b
へと通過させているため、同じ条件でもつてスプ
ール20a,21bにフローフオースを作用させ
ることができ、第10図Aに示すようにピストン
Pの左進あるいは右進時とでアンバランスのない
制御特性を得ることができ、また供給通路53、
給排通路54、排出通路55の各通路面積が大き
いため、圧力損失も少なく、大容量の流量制御が
できる。
力流体を第2弁室19a,19b側よりスリツト
21a,21bを介して第1弁室18a,18b
へと通過させているため、同じ条件でもつてスプ
ール20a,21bにフローフオースを作用させ
ることができ、第10図Aに示すようにピストン
Pの左進あるいは右進時とでアンバランスのない
制御特性を得ることができ、また供給通路53、
給排通路54、排出通路55の各通路面積が大き
いため、圧力損失も少なく、大容量の流量制御が
できる。
〈考案の効果〉
前記したように本考案は、同一構成の第1、第
2電磁流量制御バルブの各弁室に対して、その圧
力流体の流れ方向を一致させることで同じ条件で
もつてフローフオースが発生するように供給通
路、排出通路ならびに給排通路を連通した構成で
あるため、第1、第2電磁流量制御バルブのいず
れを作動させた場合でも同じ制御特性となり、例
えばピストンの位置制御等に利用した場合、ピス
トン左進位置と右進位置にアンバランスがなくな
り、高精度な位置制御が可能となる。
2電磁流量制御バルブの各弁室に対して、その圧
力流体の流れ方向を一致させることで同じ条件で
もつてフローフオースが発生するように供給通
路、排出通路ならびに給排通路を連通した構成で
あるため、第1、第2電磁流量制御バルブのいず
れを作動させた場合でも同じ制御特性となり、例
えばピストンの位置制御等に利用した場合、ピス
トン左進位置と右進位置にアンバランスがなくな
り、高精度な位置制御が可能となる。
また本考案は、中間スリーブの全外周面を有効
に利用して前記給排通路、供給通路ならびに排出
通路を形成した構成であるため、中間スリーブと
いう限られた体積内に大きな通路面積を確保する
ことができ、従つて圧力損失も少なくなり、大容
量の流量制御にも適用することができる。
に利用して前記給排通路、供給通路ならびに排出
通路を形成した構成であるため、中間スリーブと
いう限られた体積内に大きな通路面積を確保する
ことができ、従つて圧力損失も少なくなり、大容
量の流量制御にも適用することができる。
第1図は、電磁流量制御装置を流体圧シリンダ
に位置制御に利用した使用例を示す油圧回路図、
第2図は従来の電磁流量制御装置を示す断面図、
第3図は本考案の電磁流量制御装置の実施例を示
す断面図、第4図は第3図の−線断面矢視
図、第5図は中間スリーブの外観図、第6図ない
し第9図は第5図を−線、−線、−
線ないし−線でそれぞれ断面した断面矢視
図、第10図はソレノイドに印加される電流と流
量との関係を示す制御特性図である。 Va……第1電磁流量制御バルブ、Vb……第2
電磁流量制御バルブ、P1……給排ポート、P2
……供給ポート、P3……排出ポート、H……バ
ルブハウジング、S……中間スリーブ、17a,
17b……バルブ本体、18a,18b……第1
弁室1、19a,19b……第2弁室、20a,
20b……スプール、27a,27b……ソレノ
イド、53……供給通路、54……給排通路、5
5……排出通路。
に位置制御に利用した使用例を示す油圧回路図、
第2図は従来の電磁流量制御装置を示す断面図、
第3図は本考案の電磁流量制御装置の実施例を示
す断面図、第4図は第3図の−線断面矢視
図、第5図は中間スリーブの外観図、第6図ない
し第9図は第5図を−線、−線、−
線ないし−線でそれぞれ断面した断面矢視
図、第10図はソレノイドに印加される電流と流
量との関係を示す制御特性図である。 Va……第1電磁流量制御バルブ、Vb……第2
電磁流量制御バルブ、P1……給排ポート、P2
……供給ポート、P3……排出ポート、H……バ
ルブハウジング、S……中間スリーブ、17a,
17b……バルブ本体、18a,18b……第1
弁室1、19a,19b……第2弁室、20a,
20b……スプール、27a,27b……ソレノ
イド、53……供給通路、54……給排通路、5
5……排出通路。
Claims (1)
- 給排ポート、供給ポートならびに排出ポートを
有するバルブハウジングの内孔に中間スリーブを
挿嵌し、この中間スリーブには仕切壁を残してそ
れぞれ両端に開口する支持穴と、この支持穴より
外周に開口する供給通路、給排通路ならびに排出
通路を形成し、前記支持穴には第1、第2電磁流
量制御バルブのバルブ本体をそれぞれ挿嵌し、こ
の第1、第2電磁流量制御バルブのバルブ本体に
はソレノイドの吸引されるスプールの摺動によつ
て開閉制御される同一構成の第1、第2弁室を設
け、この第1電磁流量制御バルブの第1弁室なら
びに第2電磁流量制御バルブの第2弁室を前記給
排通路を介して前記給排ポートに接続し、第1電
磁流量制御バルブの第2弁室を前記供給通路を介
して前記供給ポートに接続し、第2電磁流量制御
バルブの第1弁室を前記排出通路を介して前記排
出ポートに接続したことを特徴とする電磁流量制
御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18265683U JPS6089479U (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 電磁流量制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18265683U JPS6089479U (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 電磁流量制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6089479U JPS6089479U (ja) | 1985-06-19 |
JPH0143581Y2 true JPH0143581Y2 (ja) | 1989-12-18 |
Family
ID=30395509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18265683U Granted JPS6089479U (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 電磁流量制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6089479U (ja) |
-
1983
- 1983-11-25 JP JP18265683U patent/JPS6089479U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6089479U (ja) | 1985-06-19 |
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