JPH01312863A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH01312863A JPH01312863A JP14225488A JP14225488A JPH01312863A JP H01312863 A JPH01312863 A JP H01312863A JP 14225488 A JP14225488 A JP 14225488A JP 14225488 A JP14225488 A JP 14225488A JP H01312863 A JPH01312863 A JP H01312863A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 240000007049 Juglans regia Species 0.000 description 1
- 235000009496 Juglans regia Nutrition 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 235000020234 walnut Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、リードフレーム−Fの半導体素子を樹脂封+
hする樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
hする樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
従来、この種樹脂封止型半導体装置の製造方法は次に示
す手順によって行われる。すなわち、第2図に示すよう
に上下2つの金型1.2を型締めすることにより樹脂封
止前のリードフレーム3を挟圧保持した後、このリード
フレーム3上の半導体素子4を樹脂封止する。この場合
、両金型1゜2のキャビティ5内にはタブレット形状の
モールド樹脂が圧入される。なお、6はリードフレーム
3のタイバー、7は半導体素子4とリード8を接続する
ワイヤである。この後、両金型1. 2の型開きをして
成形品を取り出し、めっき等の外装処理とリード成形加
工を施す。
す手順によって行われる。すなわち、第2図に示すよう
に上下2つの金型1.2を型締めすることにより樹脂封
止前のリードフレーム3を挟圧保持した後、このリード
フレーム3上の半導体素子4を樹脂封止する。この場合
、両金型1゜2のキャビティ5内にはタブレット形状の
モールド樹脂が圧入される。なお、6はリードフレーム
3のタイバー、7は半導体素子4とリード8を接続する
ワイヤである。この後、両金型1. 2の型開きをして
成形品を取り出し、めっき等の外装処理とリード成形加
工を施す。
ところで、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、モールド樹脂(図示せず)および金型1,2が
約180℃の温度に加熱され、かつ約50〜1.00
kg/ cII!の圧力に加圧されて行われるため、両
金型1.2のリードフレーム3に対する当接部位に熱歪
があったり、またリードフレーム3の表裏両面上であっ
て両金型1.2が当接する部位Aにフレーム生産時にお
けるフレーム厚さのばらつきあるいは圧延、パンチング
時に発生する損傷があったりすると、この部位へに樹脂
封止時にモールド樹脂が浸入してばりが発生していた。
いては、モールド樹脂(図示せず)および金型1,2が
約180℃の温度に加熱され、かつ約50〜1.00
kg/ cII!の圧力に加圧されて行われるため、両
金型1.2のリードフレーム3に対する当接部位に熱歪
があったり、またリードフレーム3の表裏両面上であっ
て両金型1.2が当接する部位Aにフレーム生産時にお
けるフレーム厚さのばらつきあるいは圧延、パンチング
時に発生する損傷があったりすると、この部位へに樹脂
封止時にモールド樹脂が浸入してばりが発生していた。
この結果、めっき処理工程の以前にぼり取り工程および
その修正、検査工程を必要とし、半導体装置の製造を煩
雑にするばかりか、製造に多大の時間を費やし、半導体
装置の生産性が低下するという問題があった。また、ぼ
り取り工程が必要であることは、封止樹脂部分に分離・
除去力が作用して損傷することがあり、品質としての信
頼性が低下するという問題もあった。
その修正、検査工程を必要とし、半導体装置の製造を煩
雑にするばかりか、製造に多大の時間を費やし、半導体
装置の生産性が低下するという問題があった。また、ぼ
り取り工程が必要であることは、封止樹脂部分に分離・
除去力が作用して損傷することがあり、品質としての信
頼性が低下するという問題もあった。
因に、ぼり取り工程には、電解ぼり取り、水圧ぼり取り
、砂や胡桃の殻からなる粉末を用いた液体ホーニング、
ショツトブラスト法、ブラシ掛は法あるいはこれら方法
の組み合わせによるものがある。
、砂や胡桃の殻からなる粉末を用いた液体ホーニング、
ショツトブラスト法、ブラシ掛は法あるいはこれら方法
の組み合わせによるものがある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、リー
ドフレーム上におけるぼり発生を防止することができ、
もって半導体装置の生産性および品質上の信頼性を高め
ることができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供
するものである。
ドフレーム上におけるぼり発生を防止することができ、
もって半導体装置の生産性および品質上の信頼性を高め
ることができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供
するものである。
本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リー
ドフレームの表裏両面上であって、少なくとも両金型が
当接する部位に銀薄膜あるいは銅薄膜を形成し、この薄
膜の厚さを0.1〜10μmの寸法に設定するものであ
る。
ドフレームの表裏両面上であって、少なくとも両金型が
当接する部位に銀薄膜あるいは銅薄膜を形成し、この薄
膜の厚さを0.1〜10μmの寸法に設定するものであ
る。
本発明においては、樹脂封止時にリードフレームの表裏
両面上であって金型が当接する部位に対し銀薄膜あるい
は銅薄膜によってモールド樹脂の浸入を阻止することが
できる。
両面上であって金型が当接する部位に対し銀薄膜あるい
は銅薄膜によってモールド樹脂の浸入を阻止することが
できる。
以下、本発明における樹脂封止型半導体装置の製造方法
について説明する。
について説明する。
第1図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法
を説明するための断面図で、同図において第2図と同一
の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略
する。
を説明するための断面図で、同図において第2図と同一
の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略
する。
先ず、上下2つの金型1,2を型締めすることにより樹
脂封止前のリードフレーム3を挟圧保持する。この際、
予めリードフレーム3の表裏両面上であって、少なくと
も両金型1,2が当接する部位Aに電気めっき法によっ
て銀薄膜21を形成する。この銀薄膜21の厚さは0.
1−10μmの寸法に設定されている。次いで、リード
フレーム3上の半導体素子4を樹脂封止する。しかる後
、両金型1.2の型開きをして成形品を取り出し、めっ
き等の外装処理とリード成形加工を施す。
脂封止前のリードフレーム3を挟圧保持する。この際、
予めリードフレーム3の表裏両面上であって、少なくと
も両金型1,2が当接する部位Aに電気めっき法によっ
て銀薄膜21を形成する。この銀薄膜21の厚さは0.
1−10μmの寸法に設定されている。次いで、リード
フレーム3上の半導体素子4を樹脂封止する。しかる後
、両金型1.2の型開きをして成形品を取り出し、めっ
き等の外装処理とリード成形加工を施す。
このようにして、樹脂封止型半導体装置を製造すること
ができる。
ができる。
したがって、本発明においては、樹脂封止時にリードフ
レーム3の表裏両面上であって金型l。
レーム3の表裏両面上であって金型l。
2が当接する部位Aに対し銀薄膜21によってモールド
樹脂の浸入を阻止することができる。すなわち、リード
フレーム3が損傷することにより凹部があっても、これ
をi艮薄月り21が1里めることになるからである。ま
た、両金型1.2に熱歪があっても、銀薄膜21によっ
て型締め時における面圧の均一性を保持することができ
ると共に、面圧を向上させることができる。
樹脂の浸入を阻止することができる。すなわち、リード
フレーム3が損傷することにより凹部があっても、これ
をi艮薄月り21が1里めることになるからである。ま
た、両金型1.2に熱歪があっても、銀薄膜21によっ
て型締め時における面圧の均一性を保持することができ
ると共に、面圧を向上させることができる。
なお、本実施例においては、銀薄膜21の厚さを0.1
〜10μmの寸法に設定する例を示したが、本発明は特
に1〜5μ編の寸法に設定することが好ましい。
〜10μmの寸法に設定する例を示したが、本発明は特
に1〜5μ編の寸法に設定することが好ましい。
また、本実施例においては、外装処理としてのめっき処
理を半田電気めっきあるいは半田液浸漬処理を施す。こ
の場合、半田めっき処理は、銀薄膜21上に直接であっ
ても、銀薄II! 2 ]を除去してからであっても何
等差し支えない。
理を半田電気めっきあるいは半田液浸漬処理を施す。こ
の場合、半田めっき処理は、銀薄膜21上に直接であっ
ても、銀薄II! 2 ]を除去してからであっても何
等差し支えない。
さらに、本実施例においては、リードフレーム3上に銀
薄膜21を形成する例を示したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、銀薄膜21の代わりに銅薄膜であ
っても実施例と同様の効果を奏する。
薄膜21を形成する例を示したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、銀薄膜21の代わりに銅薄膜であ
っても実施例と同様の効果を奏する。
因に、本発明における製造方法を新しい金型に適用した
ところリードフレーム上の樹脂ぼりの発生は皆無であっ
たが、きわめて古い金型に適用したところ若干リードフ
レーム表面に樹脂ばりが発生した。しかしながら、これ
はリードフレームに対する密着性、接着性に乏しいため
、めっき処理前の通常の脱脂および洗浄工程で簡単に除
去することができ、特にぼり取り工程が必要でないこと
が立証されている。
ところリードフレーム上の樹脂ぼりの発生は皆無であっ
たが、きわめて古い金型に適用したところ若干リードフ
レーム表面に樹脂ばりが発生した。しかしながら、これ
はリードフレームに対する密着性、接着性に乏しいため
、めっき処理前の通常の脱脂および洗浄工程で簡単に除
去することができ、特にぼり取り工程が必要でないこと
が立証されている。
以上説明したように本発明によれば、リードフレームの
表裏両面上であって、少なくとも両金型が当接する部位
に銀薄膜あるいは銅薄膜を形成し、この薄膜の厚さを0
.1〜lOμmの寸法に設定するので、樹脂封止時にリ
ードフレームの表裏両面上であって金型が当接する部位
に対し薄膜によってモールド樹脂の浸入を阻止すること
ができる。したがって、従来必要としたぼり取り工程お
よびその修正、検査工程が不要になるから、半導体装置
製造の簡素化および製造時間の短縮化を図ることができ
、半導体装置の生産性を高めることができる。また、ぼ
り取り工程が不要であることは、従来のように封止樹脂
部分に分離・除去力が作用して損傷することがないから
、品質としての信十真性を向上させることもできる。
表裏両面上であって、少なくとも両金型が当接する部位
に銀薄膜あるいは銅薄膜を形成し、この薄膜の厚さを0
.1〜lOμmの寸法に設定するので、樹脂封止時にリ
ードフレームの表裏両面上であって金型が当接する部位
に対し薄膜によってモールド樹脂の浸入を阻止すること
ができる。したがって、従来必要としたぼり取り工程お
よびその修正、検査工程が不要になるから、半導体装置
製造の簡素化および製造時間の短縮化を図ることができ
、半導体装置の生産性を高めることができる。また、ぼ
り取り工程が不要であることは、従来のように封止樹脂
部分に分離・除去力が作用して損傷することがないから
、品質としての信十真性を向上させることもできる。
第1図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法
を説明するための断面図、第2図は従来の樹脂封止型半
導体装置の製造方法を説明するための断面図である。 1.2・・・・金型、3− ・−−リードフレーム、4
・・・・半導体素子、21・・・・銀薄膜、A・・・・
金型が当接する部位。
を説明するための断面図、第2図は従来の樹脂封止型半
導体装置の製造方法を説明するための断面図である。 1.2・・・・金型、3− ・−−リードフレーム、4
・・・・半導体素子、21・・・・銀薄膜、A・・・・
金型が当接する部位。
Claims (2)
- (1)上下2つの金型を型締めすることによりリードフ
レームを挟圧保持した後、このリードフレーム上の半導
体素子をモールド樹脂によって封止する樹脂封止型半導
体装置の製造方法において、前記リードフレームの表裏
両面上であって、少なくとも前記両金型が当接する部位
に銀薄膜を形成し、この銀薄膜の厚さを0.1〜10μ
mの寸法に設定することを特徴とする樹脂封止型半導体
装置の製造方法。 - (2)請求項1において、銀薄膜が銅薄膜であることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14225488A JPH01312863A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14225488A JPH01312863A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01312863A true JPH01312863A (ja) | 1989-12-18 |
Family
ID=15311041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14225488A Pending JPH01312863A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01312863A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020047627A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-09 JP JP14225488A patent/JPH01312863A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020047627A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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