JPH01312863A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH01312863A JPH01312863A JP14225488A JP14225488A JPH01312863A JP H01312863 A JPH01312863 A JP H01312863A JP 14225488 A JP14225488 A JP 14225488A JP 14225488 A JP14225488 A JP 14225488A JP H01312863 A JPH01312863 A JP H01312863A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、リードフレーム−Ｆの半導体素子を樹脂封＋
ｈする樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
ｈする樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
従来、この種樹脂封止型半導体装置の製造方法は次に示
す手順によって行われる。すなわち、第２図に示すよう
に上下２つの金型１．２を型締めすることにより樹脂封
止前のリードフレーム３を挟圧保持した後、このリード
フレーム３上の半導体素子４を樹脂封止する。この場合
、両金型１゜２のキャビティ５内にはタブレット形状の
モールド樹脂が圧入される。なお、６はリードフレーム
３のタイバー、７は半導体素子４とリード８を接続する
ワイヤである。この後、両金型１． ２の型開きをして
成形品を取り出し、めっき等の外装処理とリード成形加
工を施す。
す手順によって行われる。すなわち、第２図に示すよう
に上下２つの金型１．２を型締めすることにより樹脂封
止前のリードフレーム３を挟圧保持した後、このリード
フレーム３上の半導体素子４を樹脂封止する。この場合
、両金型１゜２のキャビティ５内にはタブレット形状の
モールド樹脂が圧入される。なお、６はリードフレーム
３のタイバー、７は半導体素子４とリード８を接続する
ワイヤである。この後、両金型１． ２の型開きをして
成形品を取り出し、めっき等の外装処理とリード成形加
工を施す。
ところで、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、モールド樹脂（図示せず）および金型１，２が
約１８０℃の温度に加熱され、かつ約５０〜１．００
ｋｇ／ ｃＩＩ！の圧力に加圧されて行われるため、両
金型１．２のリードフレーム３に対する当接部位に熱歪
があったり、またリードフレーム３の表裏両面上であっ
て両金型１．２が当接する部位Ａにフレーム生産時にお
けるフレーム厚さのばらつきあるいは圧延、パンチング
時に発生する損傷があったりすると、この部位へに樹脂
封止時にモールド樹脂が浸入してばりが発生していた。
いては、モールド樹脂（図示せず）および金型１，２が
約１８０℃の温度に加熱され、かつ約５０〜１．００
ｋｇ／ ｃＩＩ！の圧力に加圧されて行われるため、両
金型１．２のリードフレーム３に対する当接部位に熱歪
があったり、またリードフレーム３の表裏両面上であっ
て両金型１．２が当接する部位Ａにフレーム生産時にお
けるフレーム厚さのばらつきあるいは圧延、パンチング
時に発生する損傷があったりすると、この部位へに樹脂
封止時にモールド樹脂が浸入してばりが発生していた。
この結果、めっき処理工程の以前にぼり取り工程および
その修正、検査工程を必要とし、半導体装置の製造を煩
雑にするばかりか、製造に多大の時間を費やし、半導体
装置の生産性が低下するという問題があった。また、ぼ
り取り工程が必要であることは、封止樹脂部分に分離・
除去力が作用して損傷することがあり、品質としての信
頼性が低下するという問題もあった。
その修正、検査工程を必要とし、半導体装置の製造を煩
雑にするばかりか、製造に多大の時間を費やし、半導体
装置の生産性が低下するという問題があった。また、ぼ
り取り工程が必要であることは、封止樹脂部分に分離・
除去力が作用して損傷することがあり、品質としての信
頼性が低下するという問題もあった。
因に、ぼり取り工程には、電解ぼり取り、水圧ぼり取り
、砂や胡桃の殻からなる粉末を用いた液体ホーニング、
ショツトブラスト法、ブラシ掛は法あるいはこれら方法
の組み合わせによるものがある。
、砂や胡桃の殻からなる粉末を用いた液体ホーニング、
ショツトブラスト法、ブラシ掛は法あるいはこれら方法
の組み合わせによるものがある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、リー
ドフレーム上におけるぼり発生を防止することができ、
もって半導体装置の生産性および品質上の信頼性を高め
ることができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供
するものである。
ドフレーム上におけるぼり発生を防止することができ、
もって半導体装置の生産性および品質上の信頼性を高め
ることができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供
するものである。
本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リー
ドフレームの表裏両面上であって、少なくとも両金型が
当接する部位に銀薄膜あるいは銅薄膜を形成し、この薄
膜の厚さを０．１〜１０μｍの寸法に設定するものであ
る。
ドフレームの表裏両面上であって、少なくとも両金型が
当接する部位に銀薄膜あるいは銅薄膜を形成し、この薄
膜の厚さを０．１〜１０μｍの寸法に設定するものであ
る。
本発明においては、樹脂封止時にリードフレームの表裏
両面上であって金型が当接する部位に対し銀薄膜あるい
は銅薄膜によってモールド樹脂の浸入を阻止することが
できる。
両面上であって金型が当接する部位に対し銀薄膜あるい
は銅薄膜によってモールド樹脂の浸入を阻止することが
できる。
以下、本発明における樹脂封止型半導体装置の製造方法
について説明する。
について説明する。
第１図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法
を説明するための断面図で、同図において第２図と同一
の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略
する。
を説明するための断面図で、同図において第２図と同一
の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略
する。
先ず、上下２つの金型１，２を型締めすることにより樹
脂封止前のリードフレーム３を挟圧保持する。この際、
予めリードフレーム３の表裏両面上であって、少なくと
も両金型１，２が当接する部位Ａに電気めっき法によっ
て銀薄膜２１を形成する。この銀薄膜２１の厚さは０．
１−１０μｍの寸法に設定されている。次いで、リード
フレーム３上の半導体素子４を樹脂封止する。しかる後
、両金型１．２の型開きをして成形品を取り出し、めっ
き等の外装処理とリード成形加工を施す。
脂封止前のリードフレーム３を挟圧保持する。この際、
予めリードフレーム３の表裏両面上であって、少なくと
も両金型１，２が当接する部位Ａに電気めっき法によっ
て銀薄膜２１を形成する。この銀薄膜２１の厚さは０．
１−１０μｍの寸法に設定されている。次いで、リード
フレーム３上の半導体素子４を樹脂封止する。しかる後
、両金型１．２の型開きをして成形品を取り出し、めっ
き等の外装処理とリード成形加工を施す。
このようにして、樹脂封止型半導体装置を製造すること
ができる。
ができる。
したがって、本発明においては、樹脂封止時にリードフ
レーム３の表裏両面上であって金型ｌ。
レーム３の表裏両面上であって金型ｌ。
２が当接する部位Ａに対し銀薄膜２１によってモールド
樹脂の浸入を阻止することができる。すなわち、リード
フレーム３が損傷することにより凹部があっても、これ
をｉ艮薄月り２１が１里めることになるからである。ま
た、両金型１．２に熱歪があっても、銀薄膜２１によっ
て型締め時における面圧の均一性を保持することができ
ると共に、面圧を向上させることができる。
樹脂の浸入を阻止することができる。すなわち、リード
フレーム３が損傷することにより凹部があっても、これ
をｉ艮薄月り２１が１里めることになるからである。ま
た、両金型１．２に熱歪があっても、銀薄膜２１によっ
て型締め時における面圧の均一性を保持することができ
ると共に、面圧を向上させることができる。
なお、本実施例においては、銀薄膜２１の厚さを０．１
〜１０μｍの寸法に設定する例を示したが、本発明は特
に１〜５μ編の寸法に設定することが好ましい。
〜１０μｍの寸法に設定する例を示したが、本発明は特
に１〜５μ編の寸法に設定することが好ましい。
また、本実施例においては、外装処理としてのめっき処
理を半田電気めっきあるいは半田液浸漬処理を施す。こ
の場合、半田めっき処理は、銀薄膜２１上に直接であっ
ても、銀薄ＩＩ！ ２ ］を除去してからであっても何
等差し支えない。
理を半田電気めっきあるいは半田液浸漬処理を施す。こ
の場合、半田めっき処理は、銀薄膜２１上に直接であっ
ても、銀薄ＩＩ！ ２ ］を除去してからであっても何
等差し支えない。
さらに、本実施例においては、リードフレーム３上に銀
薄膜２１を形成する例を示したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、銀薄膜２１の代わりに銅薄膜であ
っても実施例と同様の効果を奏する。
薄膜２１を形成する例を示したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、銀薄膜２１の代わりに銅薄膜であ
っても実施例と同様の効果を奏する。
因に、本発明における製造方法を新しい金型に適用した
ところリードフレーム上の樹脂ぼりの発生は皆無であっ
たが、きわめて古い金型に適用したところ若干リードフ
レーム表面に樹脂ばりが発生した。しかしながら、これ
はリードフレームに対する密着性、接着性に乏しいため
、めっき処理前の通常の脱脂および洗浄工程で簡単に除
去することができ、特にぼり取り工程が必要でないこと
が立証されている。
ところリードフレーム上の樹脂ぼりの発生は皆無であっ
たが、きわめて古い金型に適用したところ若干リードフ
レーム表面に樹脂ばりが発生した。しかしながら、これ
はリードフレームに対する密着性、接着性に乏しいため
、めっき処理前の通常の脱脂および洗浄工程で簡単に除
去することができ、特にぼり取り工程が必要でないこと
が立証されている。
以上説明したように本発明によれば、リードフレームの
表裏両面上であって、少なくとも両金型が当接する部位
に銀薄膜あるいは銅薄膜を形成し、この薄膜の厚さを０
．１〜ｌＯμｍの寸法に設定するので、樹脂封止時にリ
ードフレームの表裏両面上であって金型が当接する部位
に対し薄膜によってモールド樹脂の浸入を阻止すること
ができる。したがって、従来必要としたぼり取り工程お
よびその修正、検査工程が不要になるから、半導体装置
製造の簡素化および製造時間の短縮化を図ることができ
、半導体装置の生産性を高めることができる。また、ぼ
り取り工程が不要であることは、従来のように封止樹脂
部分に分離・除去力が作用して損傷することがないから
、品質としての信十真性を向上させることもできる。
表裏両面上であって、少なくとも両金型が当接する部位
に銀薄膜あるいは銅薄膜を形成し、この薄膜の厚さを０
．１〜ｌＯμｍの寸法に設定するので、樹脂封止時にリ
ードフレームの表裏両面上であって金型が当接する部位
に対し薄膜によってモールド樹脂の浸入を阻止すること
ができる。したがって、従来必要としたぼり取り工程お
よびその修正、検査工程が不要になるから、半導体装置
製造の簡素化および製造時間の短縮化を図ることができ
、半導体装置の生産性を高めることができる。また、ぼ
り取り工程が不要であることは、従来のように封止樹脂
部分に分離・除去力が作用して損傷することがないから
、品質としての信十真性を向上させることもできる。
第１図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法
を説明するための断面図、第２図は従来の樹脂封止型半
導体装置の製造方法を説明するための断面図である。 １．２・・・・金型、３− ・−−リードフレーム、４
・・・・半導体素子、２１・・・・銀薄膜、Ａ・・・・
金型が当接する部位。
を説明するための断面図、第２図は従来の樹脂封止型半
導体装置の製造方法を説明するための断面図である。 １．２・・・・金型、３− ・−−リードフレーム、４
・・・・半導体素子、２１・・・・銀薄膜、Ａ・・・・
金型が当接する部位。
Claims (2)
- （１）上下２つの金型を型締めすることによりリードフ
レームを挟圧保持した後、このリードフレーム上の半導
体素子をモールド樹脂によって封止する樹脂封止型半導
体装置の製造方法において、前記リードフレームの表裏
両面上であって、少なくとも前記両金型が当接する部位
に銀薄膜を形成し、この銀薄膜の厚さを０．１〜１０μ
ｍの寸法に設定することを特徴とする樹脂封止型半導体
装置の製造方法。 - （２）請求項１において、銀薄膜が銅薄膜であることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14225488A JPH01312863A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14225488A JPH01312863A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01312863A true JPH01312863A (ja) | 1989-12-18 |
Family
ID=15311041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14225488A Pending JPH01312863A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01312863A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020047627A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-09 JP JP14225488A patent/JPH01312863A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020047627A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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