JPH01305548A - 放熱取付け装置 - Google Patents
放熱取付け装置Info
- Publication number
- JPH01305548A JPH01305548A JP63238624A JP23862488A JPH01305548A JP H01305548 A JPH01305548 A JP H01305548A JP 63238624 A JP63238624 A JP 63238624A JP 23862488 A JP23862488 A JP 23862488A JP H01305548 A JPH01305548 A JP H01305548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- interface device
- plastic layer
- flexible plastic
- interface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012120 mounting media Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
- H01L2023/4037—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
- H01L2023/405—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink heatsink to package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は一般的には、完全に封止された半導体装置を取
付は表面に取付けるための改良された熱伝導性で好まし
くは絶縁性のインタフェース装置に関し、さらに詳細に
は、封止半導体装置のシース部とシャシ−取付は表面の
間に熱伝導性マウント媒体を与えるインタフェース装置
に関する。本発明によれば、完全封止装置の外表面とた
とえばシャシ−上の係合取付は表面を形成する個々の表
面間の排出されない残存空気の除去、減少を通して、封
止装置と取付は表面の間で熱伝導性が増大する。
付は表面に取付けるための改良された熱伝導性で好まし
くは絶縁性のインタフェース装置に関し、さらに詳細に
は、封止半導体装置のシース部とシャシ−取付は表面の
間に熱伝導性マウント媒体を与えるインタフェース装置
に関する。本発明によれば、完全封止装置の外表面とた
とえばシャシ−上の係合取付は表面を形成する個々の表
面間の排出されない残存空気の除去、減少を通して、封
止装置と取付は表面の間で熱伝導性が増大する。
（従来の技術）
半導体装置と電気的シャシ−のような取付け（マウント
）パッドの間で熱伝導性のインタフェースが望まれるこ
とは従来より知られていた。これに関して、電気絶縁性
熱伝導性層が、シャシ−部材と封止半導体装置のシース
部の表面との間のマウントパッドとして用いられる。こ
のような配列が本発明に関連して適当に設計されたとき
は、半導体装置の寸法および容積をそれ程増大させない
でまた他の通常の組立動作に影響を与えないで半導体装
置の電気特性および寿命を高めることがわかった。イン
タフェース自体は完全」ｊ土手導体の表面に直接付着す
るが、でな（プれば半導体装置がマウン１〜されるシャ
シ−表面またはその他人面に付着してよい。
）パッドの間で熱伝導性のインタフェースが望まれるこ
とは従来より知られていた。これに関して、電気絶縁性
熱伝導性層が、シャシ−部材と封止半導体装置のシース
部の表面との間のマウントパッドとして用いられる。こ
のような配列が本発明に関連して適当に設計されたとき
は、半導体装置の寸法および容積をそれ程増大させない
でまた他の通常の組立動作に影響を与えないで半導体装
置の電気特性および寿命を高めることがわかった。イン
タフェース自体は完全」ｊ土手導体の表面に直接付着す
るが、でな（プれば半導体装置がマウン１〜されるシャ
シ−表面またはその他人面に付着してよい。
近年になって、完全封止半導体装置が広く商業的に用い
られるようになってきた。封止半導体装置のシース部と
シャシ−取付は表面の間に適当なインタフェース装置を
備えるために、通常、シリコングリースまたは他の手段
を用いて、係合する取付は表面間において排出されずに
保持された空気の発生、存在を減少させることが示唆さ
れている。このような保持空気は封止半導体装置（アッ
センブリ）と取付は表面の間の熱インピーダンスを増大
させ、半導体装置が一定の通常期待される電気的動作パ
ラメータにさらされる間にポットスポットが生じること
がある。本発明は、封止半導体装置およびシャシ−の係
合表面間での保持空気の発生、存在を減少することがわ
かった。この保持空気を減少させるために、適度に軟ら
かで柔軟性のある材料でできた比較的薄い層（この層は
熱的に伝導性を有し、望ましくは電気的には絶縁性を有
する）が備えられる。柔らかさ、柔軟性、横断面厚さな
ど特性の適当な組合せによって保持空気の量を効果的に
減少、除去し、それによってアッセンブリの熱特性を改
良できることがわかった。
られるようになってきた。封止半導体装置のシース部と
シャシ−取付は表面の間に適当なインタフェース装置を
備えるために、通常、シリコングリースまたは他の手段
を用いて、係合する取付は表面間において排出されずに
保持された空気の発生、存在を減少させることが示唆さ
れている。このような保持空気は封止半導体装置（アッ
センブリ）と取付は表面の間の熱インピーダンスを増大
させ、半導体装置が一定の通常期待される電気的動作パ
ラメータにさらされる間にポットスポットが生じること
がある。本発明は、封止半導体装置およびシャシ−の係
合表面間での保持空気の発生、存在を減少することがわ
かった。この保持空気を減少させるために、適度に軟ら
かで柔軟性のある材料でできた比較的薄い層（この層は
熱的に伝導性を有し、望ましくは電気的には絶縁性を有
する）が備えられる。柔らかさ、柔軟性、横断面厚さな
ど特性の適当な組合せによって保持空気の量を効果的に
減少、除去し、それによってアッセンブリの熱特性を改
良できることがわかった。
熱特性が改良されれば、もちろんインタフェース配列全
体と組合せて用いる半導体装置の性能および寿命が高め
られる。
体と組合せて用いる半導体装置の性能および寿命が高め
られる。
インタフェース層の物理的特性と厚さの組合せは通常の
組立て動作、工作に対して何ら障害にならないことがわ
かった。すなわち、インタフェース層が存在しても通常
の組立て動作の効果をそこなうこともなく、また通常の
組立て動作に多くの時間が加わることもないことがわか
った。従って、本発明のインタフェース層は通常の組立
て、工作過程において通常行なわれる動作と両立するこ
とになる。封止半導体装置どマウン１へ表面の間の熱伝
導性を高めるために、柔らかくかつ柔軟性かあリ、丈夫
で耐久性があり、この形式の装置に関して行なわれる組
立て動作を行なってもそれに耐えろるインタフェース層
が備えられる。
組立て動作、工作に対して何ら障害にならないことがわ
かった。すなわち、インタフェース層が存在しても通常
の組立て動作の効果をそこなうこともなく、また通常の
組立て動作に多くの時間が加わることもないことがわか
った。従って、本発明のインタフェース層は通常の組立
て、工作過程において通常行なわれる動作と両立するこ
とになる。封止半導体装置どマウン１へ表面の間の熱伝
導性を高めるために、柔らかくかつ柔軟性かあリ、丈夫
で耐久性があり、この形式の装置に関して行なわれる組
立て動作を行なってもそれに耐えろるインタフェース層
が備えられる。
これらの改善された結果を達成するために、インタフェ
ース層には一定の特性、特徴が必要である。すなわち、
インタフェース層は、１０ミル（２，５４Ｘ １０−２
ｃｒｎ＞より小さい厚さで軟らかくかつ柔軟性あるよう
に設計されている。インタフェース層の硬度望ましくは
八−ショア スケールで１０〜３０デュロメータである
べきである。
ース層には一定の特性、特徴が必要である。すなわち、
インタフェース層は、１０ミル（２，５４Ｘ １０−２
ｃｒｎ＞より小さい厚さで軟らかくかつ柔軟性あるよう
に設計されている。インタフェース層の硬度望ましくは
八−ショア スケールで１０〜３０デュロメータである
べきである。
柔軟性特徴によって保持された空気の減少、除去が可能
となる。この場合、厚さは封止半導体装置のシース部と
取付（プ表面の間で良好な熱伝導性が達成される程度で
ある。
となる。この場合、厚さは封止半導体装置のシース部と
取付（プ表面の間で良好な熱伝導性が達成される程度で
ある。
インタフェース層に必要な所望の特性、特徴は自然に存
在する物質には容易に見出されない。したがって、本発
明は、熱伝導性と柔らかで柔軟性があるという物理的特
性などの特性の新規な組合せを得ようとするものである
。
在する物質には容易に見出されない。したがって、本発
明は、熱伝導性と柔らかで柔軟性があるという物理的特
性などの特性の新規な組合せを得ようとするものである
。
（発明の概要）
−〇 −
本発明によれば、封止半導体装置のシース部と取（＝Ｉ
け表面の間に熱伝導性のあるインタフェース装置を備え
、その封止半導体装置と取付は表面間の熱伝導性を高め
る。本発明によるインタフェース装置は合成樹脂ででき
た柔らかで柔軟可塑層であるが、しかし丈夫で低熱イン
ピーダンス（抵抗）を有する。
け表面の間に熱伝導性のあるインタフェース装置を備え
、その封止半導体装置と取付は表面間の熱伝導性を高め
る。本発明によるインタフェース装置は合成樹脂ででき
た柔らかで柔軟可塑層であるが、しかし丈夫で低熱イン
ピーダンス（抵抗）を有する。
また、この可塑層はシリコンゴム、エポキシ樹脂、ポリ
エステルおよびポリウレタンからなるグループから選択
された合成樹脂である。さらに、この層は、Ａ−ショア
（Ａ−８ｈＯｒｅ）スケールで約１０デュロメータの硬
度（１０〜６０デュロメータの硬度が許容できることが
わかっている）が望ましい。
エステルおよびポリウレタンからなるグループから選択
された合成樹脂である。さらに、この層は、Ａ−ショア
（Ａ−８ｈＯｒｅ）スケールで約１０デュロメータの硬
度（１０〜６０デュロメータの硬度が許容できることが
わかっている）が望ましい。
熱伝導性を高めるためには、樹脂はこの熱伝導性を高め
る物質と混合するのがよい。特に、熱伝導性を高めるた
めに用いられる物質には、アルミナ、窒化ホウ素、窒化
アルミニウムとその混合物、アルミナと窒化ホウ素の混
合物、および細かく分割された鉄、アルミニウム、鋼よ
うな分割金属粒子が含まれる。このような物質は、混合
固体（すなわち配合樹脂固体）の体積％で２０％〜５０
％の範囲でシリコンゴムに加えることができる。このよ
うな物質のリストは１９８７年１０月３０日に出願され
、本願と同じ譲受人に譲受された同時係属出願第０７／
１１４．．８５５号に記載されている。
る物質と混合するのがよい。特に、熱伝導性を高めるた
めに用いられる物質には、アルミナ、窒化ホウ素、窒化
アルミニウムとその混合物、アルミナと窒化ホウ素の混
合物、および細かく分割された鉄、アルミニウム、鋼よ
うな分割金属粒子が含まれる。このような物質は、混合
固体（すなわち配合樹脂固体）の体積％で２０％〜５０
％の範囲でシリコンゴムに加えることができる。このよ
うな物質のリストは１９８７年１０月３０日に出願され
、本願と同じ譲受人に譲受された同時係属出願第０７／
１１４．．８５５号に記載されている。
従って、本発明の主たる目的は、封止半導体装置のシー
ス部とその取付は表面の間に取付り、挿入される改良さ
れたインタフェース装置であって、Ａ−ショア スケー
ルで約１０〜６０デュロメータのｖｌＡ度を有する合成
樹脂の軟らかで柔軟性のある可塑性層であるインタフェ
ース装置を提供することである。
ス部とその取付は表面の間に取付り、挿入される改良さ
れたインタフェース装置であって、Ａ−ショア スケー
ルで約１０〜６０デュロメータのｖｌＡ度を有する合成
樹脂の軟らかで柔軟性のある可塑性層であるインタフェ
ース装置を提供することである。
本発明の別の目的は、封止半導体装置のシース部とその
取付【プ表面の間に、合成樹脂の軟らかくて柔軟性のあ
る可塑性層であるインタフェース装置であって、合成樹
脂はシリコンゴム、エポキシ、ポリエステルおよびポリ
ウレタンからなるグループから選択され、その可塑性層
は熱伝導性を高めるため細かく分割された固体で充填さ
れている、前記インタフェース装置を提供することであ
る。
取付【プ表面の間に、合成樹脂の軟らかくて柔軟性のあ
る可塑性層であるインタフェース装置であって、合成樹
脂はシリコンゴム、エポキシ、ポリエステルおよびポリ
ウレタンからなるグループから選択され、その可塑性層
は熱伝導性を高めるため細かく分割された固体で充填さ
れている、前記インタフェース装置を提供することであ
る。
本発明の他の目的は、以下の明細書の説明、特許請求の
範囲、および添付図面を参照することによって当業者に
明らかになるだろう。
範囲、および添付図面を参照することによって当業者に
明らかになるだろう。
（実施例）
本発明の好適実施例を説明する。第２図および第３図に
は完全刺止半導体装＠１０が示されている。シース部１
１は半導体装置１０をその中に「完全に封止するために
用いられている。すなわち、完全封止半導体装置１０は
、そこから導電性タブ部材１２−１２が延びているシー
ス部１１を備えている。ナツト・ボルト結合体１４によ
って半導体装置１０がベース取付は板（シャシ−）１５
に結合されている。別の取付は手段として、半導体装置
をシャシ−の表面に向かって機械的に偏倚させるために
取付（プクリップを用いてもよい。
は完全刺止半導体装＠１０が示されている。シース部１
１は半導体装置１０をその中に「完全に封止するために
用いられている。すなわち、完全封止半導体装置１０は
、そこから導電性タブ部材１２−１２が延びているシー
ス部１１を備えている。ナツト・ボルト結合体１４によ
って半導体装置１０がベース取付は板（シャシ−）１５
に結合されている。別の取付は手段として、半導体装置
をシャシ−の表面に向かって機械的に偏倚させるために
取付（プクリップを用いてもよい。
第２図および第３図に示された封止半導体素子や装置は
市販されていることはもちろんである。
市販されていることはもちろんである。
第２図および第３図においてさらに、完全封止７半導体
装置のベース部に沿ってインタフェース装置１６が配置
されている。インタフェース装置１６は、アルミナ、窒
化ホウ素、アルミナと窒化ホウ素の混合物、窒化アルミ
ニウム、微細に分割された金属粒子のような熱伝導性固
体粒子と混合されているのが望ましい、シリコンゴム、
エポキシ、ポリエステルおよびポリウレタンからなるグ
ループから選ばれた合成樹脂の柔らかで柔軟性のある可
塑性層（パッド）の形をしている。さらに、層１６は、
封止半導体装置１０のシース部１１の平坦表面に均一に
付着される。次の組立て工稈を容易にするために、イン
タフェース層１６の外表面上に接着層１７を用いてもよ
い。インタフェース層１６の外表面は、シャシ−その他
の取付は部材への接着を容易にするために、第３図に示
されたナツト・ボルト結合体１４の代りに接着剤膜で被
覆してもよい。感圧接着剤、熱活性接着剤、溶媒を主成
分とする接着剤のような適当な接＠剤を用いることがで
きる。感圧接着膜を用いるときはそれを被覆する離型膜
を用いてもよい。感圧接着剤のような接着剤は熱論市販
されている。
装置のベース部に沿ってインタフェース装置１６が配置
されている。インタフェース装置１６は、アルミナ、窒
化ホウ素、アルミナと窒化ホウ素の混合物、窒化アルミ
ニウム、微細に分割された金属粒子のような熱伝導性固
体粒子と混合されているのが望ましい、シリコンゴム、
エポキシ、ポリエステルおよびポリウレタンからなるグ
ループから選ばれた合成樹脂の柔らかで柔軟性のある可
塑性層（パッド）の形をしている。さらに、層１６は、
封止半導体装置１０のシース部１１の平坦表面に均一に
付着される。次の組立て工稈を容易にするために、イン
タフェース層１６の外表面上に接着層１７を用いてもよ
い。インタフェース層１６の外表面は、シャシ−その他
の取付は部材への接着を容易にするために、第３図に示
されたナツト・ボルト結合体１４の代りに接着剤膜で被
覆してもよい。感圧接着剤、熱活性接着剤、溶媒を主成
分とする接着剤のような適当な接＠剤を用いることがで
きる。感圧接着膜を用いるときはそれを被覆する離型膜
を用いてもよい。感圧接着剤のような接着剤は熱論市販
されている。
第３図に示されるように、半導体装置１０はシャシ−１
５の表面十に取イ」りられ、層１６は月ｒｌ＝半導体装
＠１０とシャシ−１５の間のインタフェースとなる。層
１６は封止シース１１の表面に適所に形成されるので、
この形式の装置について通常行なわれる組立て加工、動
作の邪魔になったり、手間がかかるようにすることはな
い。
５の表面十に取イ」りられ、層１６は月ｒｌ＝半導体装
＠１０とシャシ−１５の間のインタフェースとなる。層
１６は封止シース１１の表面に適所に形成されるので、
この形式の装置について通常行なわれる組立て加工、動
作の邪魔になったり、手間がかかるようにすることはな
い。
接着層１７が用いられるとぎは十分な接着力が与えられ
、適当な強度と耐久性をもつ装置が得られる。厚さはで
きるだ（）小さく（望ましくは約０．７ミル（０，７Ｘ
２．５４Ｘ１０’ｒｍ＞がよい）して熱伝導性に対する
抵抗性を少なくするのが望ましい。この層の軟質性（Ａ
−ショア スケールで１０〜３０デュロメータの範囲が
望ましい）は排出されないで残る空気を減少させるのに
都合がよく、これが装置の有利な特徴を与える。１０〜
６０デユロメ一タ硬度が適当であることがわがっている
。
、適当な強度と耐久性をもつ装置が得られる。厚さはで
きるだ（）小さく（望ましくは約０．７ミル（０，７Ｘ
２．５４Ｘ１０’ｒｍ＞がよい）して熱伝導性に対する
抵抗性を少なくするのが望ましい。この層の軟質性（Ａ
−ショア スケールで１０〜３０デュロメータの範囲が
望ましい）は排出されないで残る空気を減少させるのに
都合がよく、これが装置の有利な特徴を与える。１０〜
６０デユロメ一タ硬度が適当であることがわがっている
。
好適実施例では、層１６は約５〜１ｏミル（５〜Ｉ Ｑ
ｘ ２．５４Ｘ １０−３ｃｍ）の厚さを有するシリ−
１ンゴムでできている。このような厚さは、適当な柔軟
性を与えて残存空気を減少させるとともに、装置全体の
電気的保全性をそこなうことなしに適当な機械的強度を
勺える。
ｘ ２．５４Ｘ １０−３ｃｍ）の厚さを有するシリ−
１ンゴムでできている。このような厚さは、適当な柔軟
性を与えて残存空気を減少させるとともに、装置全体の
電気的保全性をそこなうことなしに適当な機械的強度を
勺える。
上記実施例とは別の好適実施例にＪ３いて、層１６はシ
ャシ−１５の取イ」（プ表面に適所に形成されその一ト
で封止半導体装置１０を受けるように設泪される。した
がって、このような構成においては、インタフェース膜
はシャシ−１５の外表面に直接材＠されることになる。
ャシ−１５の取イ」（プ表面に適所に形成されその一ト
で封止半導体装置１０を受けるように設泪される。した
がって、このような構成においては、インタフェース膜
はシャシ−１５の外表面に直接材＠されることになる。
また、次の組立て動作においては、シースされた半導体
装置は組立て条件に構造的に合致Ｊるように適所に取付
けられる。
装置は組立て条件に構造的に合致Ｊるように適所に取付
けられる。
インタフェース厚さや特性のような他の特性は前述のも
のと同じである。
のと同じである。
第１図に示されるように、従来のトランジスタその他の
半導体装置はシャシ−との直接接着のために金属接地板
を用いていた。しかし、応用分野によっては、このよう
な金属部材を用いると完全に均一で、完全に接着する一
対の係合表面を達成することが困難になる。この場合、
半導体装置やシＡ７シ一部材の平坦でないとない性質の
ため、半導体装置の金属パッド部材と取付はシャシ−の
表面の間の接触領域が減少する。
半導体装置はシャシ−との直接接着のために金属接地板
を用いていた。しかし、応用分野によっては、このよう
な金属部材を用いると完全に均一で、完全に接着する一
対の係合表面を達成することが困難になる。この場合、
半導体装置やシＡ７シ一部材の平坦でないとない性質の
ため、半導体装置の金属パッド部材と取付はシャシ−の
表面の間の接触領域が減少する。
当業者は本発明の精神および範囲から離れることなしに
上記実施例の変形、修正をなしうるであろう。
上記実施例の変形、修正をなしうるであろう。
第１図は、従来用いられた通常の形式の封止半導体装置
の斜視図であってざらにシース部の平坦表面に固定され
た接地板の形をした金属インタフェース装置を示す。 第２図は、完全封止半導体装置の斜視図であって、その
シース部とその取付は表面の間には本発明のインタフェ
ース装置が挿入されている。 第３図は第２図に示された完全封止半導体装置の側面図
であって、通常のシャシ−の表面に取付りられだその装
置とシャシ−表面に装置を固定するように用いられてい
る取付けねじを示している。 １ｏ・・・完全封止半導体装置、１１・・・シース部、
１２・・・導電性タブ部材、１４・・・ナラ１〜・ボル
ト結合体、１５・・・シャシ−１１６・・・インタフェ
ース装置、１７・・・接着剤層。
の斜視図であってざらにシース部の平坦表面に固定され
た接地板の形をした金属インタフェース装置を示す。 第２図は、完全封止半導体装置の斜視図であって、その
シース部とその取付は表面の間には本発明のインタフェ
ース装置が挿入されている。 第３図は第２図に示された完全封止半導体装置の側面図
であって、通常のシャシ−の表面に取付りられだその装
置とシャシ−表面に装置を固定するように用いられてい
る取付けねじを示している。 １ｏ・・・完全封止半導体装置、１１・・・シース部、
１２・・・導電性タブ部材、１４・・・ナラ１〜・ボル
ト結合体、１５・・・シャシ−１１６・・・インタフェ
ース装置、１７・・・接着剤層。
Claims (7)
- （１）封止半導体装置とそのマウント表面の間の熱導電
度を上げるためにその封止半導体のシース部とそのマウ
ント表面の間に取付けるインタフェース装置であって、 （イ）封止半導体装置の前記シース部の平坦表面に接着
された、シリコンゴム、エポキシ、ポリエステル、ポリ
ウレタンからなるグループから選択された合成樹脂の軟
らかい柔軟性のある可塑性層を含み、 （ロ）この柔軟性層は約２．５４×１０＾−＾３ｃｍよ
り小さい厚さとＡショアスケールで約１０〜６０デュロ
メータの硬度を有する、 前記インタフェース装置。 - （２）請求項１に記載されたインタフェース装置であっ
て、前記軟らかい柔軟可塑層はシリコンゴムでできてい
る装置。 - （３）請求項１に記載されたインタフェース装置であっ
て、前記軟らかい柔軟可塑性層、粒状の熱伝導性のある
固体と混合されている、装置。 - （４）請求項３に記載されたインタフェース装置であっ
て、前記熱伝導性粒状固体は、アルミナ、窒化ホウ素、
窒化アルミニウム、アルミナと窒化ホウ素の混合物およ
び金属粒子からなるグループの中から選択される、装置
。 - （５）請求項１に記載されたインタフェース装置であっ
て、前記軟らかい柔軟可塑性層は、Ａ−ショアスケール
で約２０デュロメータの硬度を有する、装置。 - （６）請求項５に記載されたインタフェース装置であっ
て、前記軟らかい柔軟可塑性層はシリコンゴムでできて
いる、装置。 - （７）請求項１に記載されたインタフェース装置であっ
て、前記軟らかい柔軟可塑性層の外表面は感圧接着剤膜
で被覆されている、装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US199195 | 1980-10-21 | ||
| US19919588A | 1988-05-26 | 1988-05-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01305548A true JPH01305548A (ja) | 1989-12-08 |
Family
ID=22736595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63238624A Pending JPH01305548A (ja) | 1988-05-26 | 1988-09-22 | 放熱取付け装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01305548A (ja) |
| KR (1) | KR890017799A (ja) |
| CA (1) | CA1307355C (ja) |
| DE (1) | DE3836002A1 (ja) |
| FR (1) | FR2632119B1 (ja) |
| GB (1) | GB2219133B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303485A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| WO2012070463A1 (ja) * | 2010-11-22 | 2012-05-31 | 株式会社東芝 | 圧接構造用セラミックスヒートシンク材およびそれを用いた半導体モジュール並びに半導体モジュールの製造方法 |
| JP2015012050A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 株式会社リコー | 放熱部品、電子機器 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI88452C (fi) * | 1990-03-29 | 1993-05-10 | Nokia Mobile Phones Ltd | Konstruktion foer att foerbaettra avkylning av en effekttransistor |
| DE4037488A1 (de) * | 1990-11-24 | 1992-05-27 | Bosch Gmbh Robert | Leistungsbausteine mit elektrisch isolierender thermischer ankopplung |
| DE4105152A1 (de) * | 1991-02-20 | 1992-09-03 | Export Contor Aussenhandel | Elektronische schaltungsanordnung |
| DE4108667C2 (de) * | 1991-03-16 | 2000-05-04 | Bosch Gmbh Robert | Verbundanordnung aus einer metallischen Grundplatte und einer keramischen Leiterplatte sowie Verfahren zu deren Herstellung |
| DE4237763C2 (de) * | 1992-11-09 | 1996-01-25 | Siemens Ag | Vorrichtung zur isolierten Befestigung von wärmeerzeugenden Halbleiter-Bauteilen |
| DE4302917C1 (de) * | 1993-02-03 | 1994-07-07 | Bosch Gmbh Robert | Anordnung zur Wärmeableitung von auf Leiterplatten montierten Leistungsbauelementen |
| US5545473A (en) * | 1994-02-14 | 1996-08-13 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Thermally conductive interface |
| US5591034A (en) * | 1994-02-14 | 1997-01-07 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Thermally conductive adhesive interface |
| FR2718600B1 (fr) * | 1994-04-11 | 1996-06-14 | Sagem | Dispositif de bridage de composants électriques de puissance sur un châssis. |
| DE19506664A1 (de) * | 1995-02-25 | 1996-02-29 | Bosch Gmbh Robert | Elektrisches Gerät |
| DE19543920C2 (de) * | 1995-11-24 | 2000-11-16 | Eupec Gmbh & Co Kg | Leistungshalbleiter-Modul |
| US5738936A (en) * | 1996-06-27 | 1998-04-14 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Thermally conductive polytetrafluoroethylene article |
| DE19734110C1 (de) * | 1997-08-07 | 1998-11-19 | Bosch Gmbh Robert | Elektrisches Gerät mit einer Leiterplatte und Verfahren zum Fügen des Geräts |
| JPH11186003A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Yazaki Corp | Ｐｔｃ素子の放熱構造 |
| JP4086946B2 (ja) | 1998-01-05 | 2008-05-14 | 日東電工株式会社 | 熱伝導性感圧接着シ―ト類およびこれを用いた電子部品と放熱部材との固定方法 |
| DE19835127A1 (de) * | 1998-08-04 | 2000-02-10 | Wuerth Elektronik Gmbh | Leiterplatte mit einem Heatsink und Verfahren zum Anbringen eines Heatsink |
| JP3740117B2 (ja) * | 2002-11-13 | 2006-02-01 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| JP4154325B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2008-09-24 | 株式会社日立産機システム | 電気回路モジュール |
| US20070013053A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Peter Chou | Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1086003A (en) * | 1964-03-13 | 1967-10-04 | Ass Elect Ind | Mounting arrangements for electronic devices |
| GB1265007A (ja) * | 1968-12-09 | 1972-03-01 | ||
| US3846824A (en) * | 1973-06-13 | 1974-11-05 | Gen Electric | Improved thermally conductive and electrically insulative mounting systems for heat sinks |
| US4394530A (en) * | 1977-09-19 | 1983-07-19 | Kaufman Lance R | Power switching device having improved heat dissipation means |
| EP0002883B1 (en) * | 1977-12-23 | 1981-01-07 | International Business Machines Corporation | A thermal interface between surfaces of a heat source and heat sink |
| DE3169519D1 (en) * | 1980-06-21 | 1985-05-02 | Lucas Ind Plc | Semi-conductor power device assembly and method of manufacture thereof |
| US4396936A (en) * | 1980-12-29 | 1983-08-02 | Honeywell Information Systems, Inc. | Integrated circuit chip package with improved cooling means |
| EP0065686A3 (en) * | 1981-05-21 | 1984-10-10 | General Electric Company | Power device module |
| US4654754A (en) * | 1982-11-02 | 1987-03-31 | Fairchild Weston Systems, Inc. | Thermal link |
| JPS6028252A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Toshiba Corp | 樹脂封止半導体装置 |
| US4602678A (en) * | 1983-09-02 | 1986-07-29 | The Bergquist Company | Interfacing of heat sinks with electrical devices, and the like |
| US4574879A (en) * | 1984-02-29 | 1986-03-11 | The Bergquist Company | Mounting pad for solid-state devices |
| US4666545A (en) * | 1984-06-27 | 1987-05-19 | The Bergquist Company | Method of making a mounting base pad for semiconductor devices |
| GB8610814D0 (en) * | 1986-05-02 | 1986-06-11 | Trw Transport Elect Ltd | Adhesive mountings |
| EP0276345B1 (en) * | 1987-01-28 | 1993-03-17 | Unisys Corporation | Elastic bladder method of fabricating an integrated circuit package having bonding pads in a stepped cavity |
-
1988
- 1988-09-02 CA CA000576364A patent/CA1307355C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-21 KR KR1019880012188A patent/KR890017799A/ko not_active Application Discontinuation
- 1988-09-22 JP JP63238624A patent/JPH01305548A/ja active Pending
- 1988-10-05 FR FR888813027A patent/FR2632119B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-10 GB GB8823716A patent/GB2219133B/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-21 DE DE3836002A patent/DE3836002A1/de not_active Ceased
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303485A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| WO2012070463A1 (ja) * | 2010-11-22 | 2012-05-31 | 株式会社東芝 | 圧接構造用セラミックスヒートシンク材およびそれを用いた半導体モジュール並びに半導体モジュールの製造方法 |
| KR101472234B1 (ko) * | 2010-11-22 | 2014-12-11 | 가부시끼가이샤 도시바 | 압접 구조용 세라믹 히트 싱크재, 그를 이용한 반도체 모듈 및 반도체 모듈의 제조 방법 |
| US9057569B2 (en) | 2010-11-22 | 2015-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic heat sink material for pressure contact structure and semiconductor module using the same |
| JP5996435B2 (ja) * | 2010-11-22 | 2016-09-21 | 株式会社東芝 | 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
| JP2016181715A (ja) * | 2010-11-22 | 2016-10-13 | 株式会社東芝 | 圧接構造用セラミックスヒートシンク材およびそれを用いた半導体モジュール |
| JP2015012050A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 株式会社リコー | 放熱部品、電子機器 |
| US9668374B2 (en) | 2013-06-27 | 2017-05-30 | Ricoh Company, Ltd. | Heat dissipating component and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2219133B (en) | 1991-11-20 |
| KR890017799A (ko) | 1989-12-18 |
| CA1307355C (en) | 1992-09-08 |
| FR2632119A1 (ja) | 1989-12-01 |
| GB2219133A (en) | 1989-11-29 |
| DE3836002A1 (de) | 1989-11-30 |
| FR2632119B1 (ja) | 1994-09-02 |
| GB8823716D0 (en) | 1988-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01305548A (ja) | 放熱取付け装置 | |
| TW549011B (en) | Dissipation of heat from a circuit board having bare silicon chips mounted thereon | |
| EP0987757B1 (en) | Heat dissipator for electronic device | |
| JP2008509025A (ja) | 熱伝導性多層フィルム | |
| JP3498823B2 (ja) | 放熱スペーサーおよびその用途 | |
| US20070132098A1 (en) | Elastic conductive resin, and electronic device including elastic conductive bumps made of the elastic conductive resin | |
| US20030075312A1 (en) | Structure and method of attaching a heat transfer part having a compressible interface | |
| US20040226707A1 (en) | Method of manufacturing an elastomeric heat sink with a pressure sensitive adhesive backing | |
| JPH0224383B2 (ja) | ||
| EP0805618B1 (en) | Heat dissipating spacer for electronic equipments | |
| KR101979926B1 (ko) | 열 전도 부재 | |
| JP2001291680A (ja) | イオン注入機用静電チャック | |
| KR101895573B1 (ko) | 복합 열전 부재 | |
| JP3484107B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP2000101005A (ja) | 放熱材 | |
| JP3092699B2 (ja) | 放熱スペーサーとその用途およびシリコーン組成物 | |
| JP2000211055A (ja) | 導電性と熱伝導性を備えたシ―ト | |
| JP3431576B2 (ja) | 熱伝導材 | |
| JP5395544B2 (ja) | 機能性成形体および機能性成形体の製造方法 | |
| JP3791053B2 (ja) | 導電性接着剤及び電子部品搭載装置 | |
| JPS63245484A (ja) | 接着剤組成物 | |
| JPH08125440A (ja) | 水晶発振器の搭載構造およびプリント板ユニット | |
| JP4251905B2 (ja) | 導電性基材 | |
| JP3656690B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2912076B2 (ja) | 半導体装置 |