JPH01296237A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH01296237A JPH01296237A JP12732088A JP12732088A JPH01296237A JP H01296237 A JPH01296237 A JP H01296237A JP 12732088 A JP12732088 A JP 12732088A JP 12732088 A JP12732088 A JP 12732088A JP H01296237 A JPH01296237 A JP H01296237A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist layer
- photoresist
- dissolution rate
- resist pattern
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 37
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 abstract description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 abstract 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 28
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 14
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- DFFRKINFMOHQLN-UHFFFAOYSA-N C1=CC(=CC=C1C(=O)C2(C=CC(=CC2O)O)O)O Chemical compound C1=CC(=CC=C1C(=O)C2(C=CC(=CC2O)O)O)O DFFRKINFMOHQLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、半導体集積回路装置の製造に適用するレジ
ストパターンの形成方法に関し、さらに詳しくは、微細
パターンを高精度て形成し得るようにしたレジストパタ
ーンの形成方法に係るものである。
ストパターンの形成方法に関し、さらに詳しくは、微細
パターンを高精度て形成し得るようにしたレジストパタ
ーンの形成方法に係るものである。
第4図(a)ないしくC)は従来例でのこの種の半導体
集積回路装置の製造に適用されるレジストパターンの形
成方法を主要な工程順に示すそれぞれに断面図である。
集積回路装置の製造に適用されるレジストパターンの形
成方法を主要な工程順に示すそれぞれに断面図である。
すなわち、これらの第4図(a)ないしくC)に示す従
来例方法においては、まず、シリコン半導体基板などの
被パターン形成基板l上にあって、被パターニング層と
して、通常の場合、1種類だけのポジ型フォトレジスト
を塗布し、かつ乾燥させてフォトレジスト層7を形成さ
せ(同図(a) ) 、ついで、このレジスト層7に対
して、所望のマスク6を介して露光させ(同図(b))
、その後、アルカリ現像液を用いて現像させ(同図(C
))、このようにして所期のレジストパターン7aを形
成させている。
来例方法においては、まず、シリコン半導体基板などの
被パターン形成基板l上にあって、被パターニング層と
して、通常の場合、1種類だけのポジ型フォトレジスト
を塗布し、かつ乾燥させてフォトレジスト層7を形成さ
せ(同図(a) ) 、ついで、このレジスト層7に対
して、所望のマスク6を介して露光させ(同図(b))
、その後、アルカリ現像液を用いて現像させ(同図(C
))、このようにして所期のレジストパターン7aを形
成させている。
こSで、第5図には、アルカリ現像液に対する実用露光
量での前記フォトレジスト層7における露光部の深さ方
向の溶解速度を示しであるが、この第5図のグラフから
明らかなように、フォトレジスト層7は、被パターン形
成基板l側よりも表面側に至るほど、その溶解速度が速
い。
量での前記フォトレジスト層7における露光部の深さ方
向の溶解速度を示しであるが、この第5図のグラフから
明らかなように、フォトレジスト層7は、被パターン形
成基板l側よりも表面側に至るほど、その溶解速度が速
い。
また、第6図には、露光時における光学像8と現像後に
得られるレジストパターン7aとの関係を示してあり、
この第6図での相互関係の説明から容易に理解できるよ
うに、パターン寸法が小さくなるほど、光の回折現象な
どに基づく光学像8のコントラストが悪くなり、本来の
レジストパターン7aを形成することになる未露光部で
さえも、これが表面側から少し¥、露光されることにな
って、現像後のレジストパターン7aの上部に幾分かの
丸みを生じ、同レジストパターン7aの断面形状が面粗
る傾向にある。
得られるレジストパターン7aとの関係を示してあり、
この第6図での相互関係の説明から容易に理解できるよ
うに、パターン寸法が小さくなるほど、光の回折現象な
どに基づく光学像8のコントラストが悪くなり、本来の
レジストパターン7aを形成することになる未露光部で
さえも、これが表面側から少し¥、露光されることにな
って、現像後のレジストパターン7aの上部に幾分かの
丸みを生じ、同レジストパターン7aの断面形状が面粗
る傾向にある。
さらに、露光時における光の吸収量は、当然。
フォトレジスト層7の表面側の方が、被パターン形成基
板l側よりも多くなるために、前記の第5図に示した溶
解速度に差を生じ、その結果、特に微細パターンの形成
においては、現像後に得られるレジストパターン7aの
断面形状が、前記の第6図に見られるように、お工よそ
三角形に近い形状となる。
板l側よりも多くなるために、前記の第5図に示した溶
解速度に差を生じ、その結果、特に微細パターンの形成
においては、現像後に得られるレジストパターン7aの
断面形状が、前記の第6図に見られるように、お工よそ
三角形に近い形状となる。
このように、従来例によるレジストパターンの形成方法
においては、フォトレジスト層7での塗布パターンの厚
さ方向の表面側と基板側とで、露光後のアルカリ現像液
に対する溶解速度の差が大きいため、特に、微細パター
ンを形成させる場合などにあっては、最終的に形成され
るレジストパターン7aの断面形状が、三角形状を呈す
ることになり、所期通りの正確なエツジ部をもつ断面形
状のレジストパターンを得られないと云う実用上。
においては、フォトレジスト層7での塗布パターンの厚
さ方向の表面側と基板側とで、露光後のアルカリ現像液
に対する溶解速度の差が大きいため、特に、微細パター
ンを形成させる場合などにあっては、最終的に形成され
るレジストパターン7aの断面形状が、三角形状を呈す
ることになり、所期通りの正確なエツジ部をもつ断面形
状のレジストパターンを得られないと云う実用上。
好ましくない問題点があった。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたもので、その目的とするところは、特に、微細
パターンを形成させる場合などにあって、最終的に得ら
れるレジストパターンの断面形状を、所要の正確な断面
形状であるエツジ部をもった矩形々状に可及的に近付け
、解像度、ならびに受光感度を向上させ得るようにした
。この種のレジストパターンの形成方法を提供すること
である。
なされたもので、その目的とするところは、特に、微細
パターンを形成させる場合などにあって、最終的に得ら
れるレジストパターンの断面形状を、所要の正確な断面
形状であるエツジ部をもった矩形々状に可及的に近付け
、解像度、ならびに受光感度を向上させ得るようにした
。この種のレジストパターンの形成方法を提供すること
である。
前記目的を達成するために、この発明に係るレジストパ
ターンの形成方法は、被パターン形成基板上にポジ型フ
すトレジストを塗布させる場合。
ターンの形成方法は、被パターン形成基板上にポジ型フ
すトレジストを塗布させる場合。
同ポジ型フォトレジストへの添加剤に用いられるポリヒ
ドロキシベンゾフェノンの構造および添加量の組合せを
変化させて、同一露光量でのアルカリ現像液に対する溶
解速度に差を与え、被パターン形成基板に対しては、溶
解速度の速い組合せのポジ型フォトレジストから、溶解
速度の遅い組合せのポジ型フォトレジストへ、順次に少
なくとも2層以上に亘って塗ノーし、かつ乾燥させて多
層構造によるフォトレジスト層を形成させるようにした
ものである。
ドロキシベンゾフェノンの構造および添加量の組合せを
変化させて、同一露光量でのアルカリ現像液に対する溶
解速度に差を与え、被パターン形成基板に対しては、溶
解速度の速い組合せのポジ型フォトレジストから、溶解
速度の遅い組合せのポジ型フォトレジストへ、順次に少
なくとも2層以上に亘って塗ノーし、かつ乾燥させて多
層構造によるフォトレジスト層を形成させるようにした
ものである。
すなわち、この発明は、被パターン形成基板上に、ポジ
型フォトレジストを塗布、乾燥させてフォトレジスト層
を形成させ、その後、マスクを介してフォトレジスト層
を露光させ、かつアルカリ現像液により現像させてレジ
ストパターンを形成させる方法において、nη記フォト
レジスト層として、 で表わされるポリヒドロキシベンゾフェノンを添加させ
たポジ型フォトレジストを用い、このポリヒドロキシベ
ンゾフェノンの添加量を調整して、同一露光量での前記
アルカリ現像液に対する溶解速度に差を与え、前記被パ
ターン形成基板に対しては、溶解速度の速い組合せのポ
ジ型フォトレジストから、溶解速度の遅い組合せのポジ
型フォトレジストへ、順次に少なくとも2層以上に亘り
塗布、乾燥させて多層構造によるフォトレジスト層を形
成させ、この多層構造のフォトレジスト層を同−露光量
で露光させることを特徴とするレジストパターンの形成
方法である。
型フォトレジストを塗布、乾燥させてフォトレジスト層
を形成させ、その後、マスクを介してフォトレジスト層
を露光させ、かつアルカリ現像液により現像させてレジ
ストパターンを形成させる方法において、nη記フォト
レジスト層として、 で表わされるポリヒドロキシベンゾフェノンを添加させ
たポジ型フォトレジストを用い、このポリヒドロキシベ
ンゾフェノンの添加量を調整して、同一露光量での前記
アルカリ現像液に対する溶解速度に差を与え、前記被パ
ターン形成基板に対しては、溶解速度の速い組合せのポ
ジ型フォトレジストから、溶解速度の遅い組合せのポジ
型フォトレジストへ、順次に少なくとも2層以上に亘り
塗布、乾燥させて多層構造によるフォトレジスト層を形
成させ、この多層構造のフォトレジスト層を同−露光量
で露光させることを特徴とするレジストパターンの形成
方法である。
(作 用)
従って、この発明方法においては、同一露光量でのアル
カリ現像液に対する溶解速度に差を生ずるように、添加
剤として、ポリヒドロキシベンゾフェノンの添加量を調
整した複数種類のポジ型フォトレジストを用い、被パタ
ーン形成基板に対して、溶解速度の速い組合せのポジ型
フォトレジストから、溶解速度の遅い組合せのポジ型フ
ォトレジストへ、順次に、少なくとも2層以上に亘り塗
布、乾燥させて多層構造によるフォトレジスト層を形成
させ、この多層構造のフォトレジスト層を同一露光量で
露光させるようにしたので、フォトレジスト層の被パタ
ーン形成基板側と表面露光側とのアルカリ現像液による
溶解速度の差を小さくし得るのである。
カリ現像液に対する溶解速度に差を生ずるように、添加
剤として、ポリヒドロキシベンゾフェノンの添加量を調
整した複数種類のポジ型フォトレジストを用い、被パタ
ーン形成基板に対して、溶解速度の速い組合せのポジ型
フォトレジストから、溶解速度の遅い組合せのポジ型フ
ォトレジストへ、順次に、少なくとも2層以上に亘り塗
布、乾燥させて多層構造によるフォトレジスト層を形成
させ、この多層構造のフォトレジスト層を同一露光量で
露光させるようにしたので、フォトレジスト層の被パタ
ーン形成基板側と表面露光側とのアルカリ現像液による
溶解速度の差を小さくし得るのである。
以下、この発明に係るレジストパターンの形成方法の一
実施例につき、第1図ないし第3図を参照して詳細に説
明する。
実施例につき、第1図ないし第3図を参照して詳細に説
明する。
この実施例方法においては、レジストパターン形成のた
めのフォトレジストとして、 口 で表わされる添加剤の所要重量tの組合せをそれぞれに
添加させた。アルカリ現像液によって現像処理される複
数種類のポジ型フォトレジストを用いる。
めのフォトレジストとして、 口 で表わされる添加剤の所要重量tの組合せをそれぞれに
添加させた。アルカリ現像液によって現像処理される複
数種類のポジ型フォトレジストを用いる。
すなわち、−層具体的には、三菱化成工業■製ポジ型フ
ォトレジストM(:PR−200011の固形分に対し
、添加剤として、2,1,4.4’−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノンを、それぞれに3w1J、10胃t!k
−J>添加させた2種類のポジ型フォトレジストを調
製して用い、かつ別に、この添加剤を全く添加しないポ
ジ型フォトレジストを用いる。
ォトレジストM(:PR−200011の固形分に対し
、添加剤として、2,1,4.4’−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノンを、それぞれに3w1J、10胃t!k
−J>添加させた2種類のポジ型フォトレジストを調
製して用い、かつ別に、この添加剤を全く添加しないポ
ジ型フォトレジストを用いる。
第1図はこの実施例方法に用いるところの、添加剤の添
加量をそれぞれに異ならせた場合、および添加剤を添加
させない場合におけるそれぞれのポジ型フォトレジスト
にあって、その露光量に対する露光処理のためのアルカ
リ現像液による溶解速度の関係を示すグラフである。
加量をそれぞれに異ならせた場合、および添加剤を添加
させない場合におけるそれぞれのポジ型フォトレジスト
にあって、その露光量に対する露光処理のためのアルカ
リ現像液による溶解速度の関係を示すグラフである。
この第1図のグラフから明らかなように、ポジ型フォト
レジストでの露光量に対するアルカリ現像液での溶解速
度は、添加剤を全く添加しないポジ型フォトレジスト、
添加剤を3wt%添加したポジ型フォトレジスト、添加
剤をlO胃tX添加したポジ型フォトレジストの順序で
、次第に速くなることが判る。
レジストでの露光量に対するアルカリ現像液での溶解速
度は、添加剤を全く添加しないポジ型フォトレジスト、
添加剤を3wt%添加したポジ型フォトレジスト、添加
剤をlO胃tX添加したポジ型フォトレジストの順序で
、次第に速くなることが判る。
次に、第2図(a)ないしくC)はこの実施例での半導
体集積回路装置の製造に適用されるレジストパターンの
形成方法を主要な工程順に示すそれぞれに断面図である
。
体集積回路装置の製造に適用されるレジストパターンの
形成方法を主要な工程順に示すそれぞれに断面図である
。
すなわち、これらの第2図(a)ないしくC)に示す従
来例方法においては、まず、シリコン半導体基板などの
被パターン形成基板l上にあって、被パターニング層と
して、添加剤を10wt、%i添加したポジ型フォトレ
ジスト層2を塗布し、かつ同層2を100℃の温度で7
0秒間に亘り、ホットプレートによりベーキング処理し
て厚さ0.匂lとし、次に、添加剤を3冑tt添加した
ポジ型フォトレジスト層3を塗布し、かつ同層3を10
0℃の温度で70秒間に亘り、ホットプレートによりベ
ーキング処理して厚さ0.4μIとし、次に、添加剤を
全く添加しないポジ型フォトレジスト層4を塗布し、か
つ同層4を100℃の温度で70秒間に亘り、ホットプ
レートによりベーキング処理して厚さ0.4μmとし、
このようにして、これらの各ポジ型フォトレジスト2,
3.および4を順次に積層塗布、かつ乾燥させてなるフ
ォトレジスト層5を、全体の厚さ1.16μmで形成さ
せる(同第2図(a))。
来例方法においては、まず、シリコン半導体基板などの
被パターン形成基板l上にあって、被パターニング層と
して、添加剤を10wt、%i添加したポジ型フォトレ
ジスト層2を塗布し、かつ同層2を100℃の温度で7
0秒間に亘り、ホットプレートによりベーキング処理し
て厚さ0.匂lとし、次に、添加剤を3冑tt添加した
ポジ型フォトレジスト層3を塗布し、かつ同層3を10
0℃の温度で70秒間に亘り、ホットプレートによりベ
ーキング処理して厚さ0.4μIとし、次に、添加剤を
全く添加しないポジ型フォトレジスト層4を塗布し、か
つ同層4を100℃の温度で70秒間に亘り、ホットプ
レートによりベーキング処理して厚さ0.4μmとし、
このようにして、これらの各ポジ型フォトレジスト2,
3.および4を順次に積層塗布、かつ乾燥させてなるフ
ォトレジスト層5を、全体の厚さ1.16μmで形成さ
せる(同第2図(a))。
つまり、こ工では、被パターン形成基板l上にあって、
最初に塗布、かつ乾燥されるところの。
最初に塗布、かつ乾燥されるところの。
添加剤をlowtJ添加したポジ型フォトレジスト層2
が、相対的に溶解速度の速い組合せのポジ型フオドレジ
スト層に相当し、次に塗布、かつ乾燥されるところの、
添加剤を3胃11添加したポジ型フォトレジスト層3が
、これよりも溶解速度の遅い組合せのポジ型フォトレジ
スト層に相当し、最後に塗布、かつ乾燥されるところの
、添加剤を全く添加しないポジ型フォトレジスト層4が
、最も溶解速度の遅い組合せのポジ型フォトレジスト層
に相当しており、これらの各ポジ型フォトレジスト2.
3.および4によってフォトレジスト層5が形成される
ことになる。
が、相対的に溶解速度の速い組合せのポジ型フオドレジ
スト層に相当し、次に塗布、かつ乾燥されるところの、
添加剤を3胃11添加したポジ型フォトレジスト層3が
、これよりも溶解速度の遅い組合せのポジ型フォトレジ
スト層に相当し、最後に塗布、かつ乾燥されるところの
、添加剤を全く添加しないポジ型フォトレジスト層4が
、最も溶解速度の遅い組合せのポジ型フォトレジスト層
に相当しており、これらの各ポジ型フォトレジスト2.
3.および4によってフォトレジスト層5が形成される
ことになる。
従って、この実施例方法の場合、前記フォトレジスト層
5は、これを被パターン形成基板l側から見るとき、各
ポジ型フォトレジスト2,3.および4が溶解速度の速
い組合せの順に積層形成され、また、これを反対側の表
面露光側から見るとき、各ポジ型フォトレジスト2.3
.および4が溶解速度の遅い組合せの順に積層形成され
て、こSでのフォトレジスト層5を構成する。
5は、これを被パターン形成基板l側から見るとき、各
ポジ型フォトレジスト2,3.および4が溶解速度の速
い組合せの順に積層形成され、また、これを反対側の表
面露光側から見るとき、各ポジ型フォトレジスト2.3
.および4が溶解速度の遅い組合せの順に積層形成され
て、こSでのフォトレジスト層5を構成する。
また次に、レンズの開口数N、A= 0.42のg−線
縮少投影露光装置を用い、前記被パターン形成基板l上
に積層形成されたフォトレジスト層5に対し、所望のマ
スク6を介して所定通りの露光を行ない(同第2図(b
))、その後、アルカリ現像液として、こぎでは、2.
38wt%iのテトラメチルアンモニウムヒドロオキシ
ド水溶液を用い、前記露光後のフォトレジスト層5を現
像処理させることで、線巾0.5μmのライン・アンド
・スペースパターンによるレジストパターン5aを形成
させた(同第2図(C))。
縮少投影露光装置を用い、前記被パターン形成基板l上
に積層形成されたフォトレジスト層5に対し、所望のマ
スク6を介して所定通りの露光を行ない(同第2図(b
))、その後、アルカリ現像液として、こぎでは、2.
38wt%iのテトラメチルアンモニウムヒドロオキシ
ド水溶液を用い、前記露光後のフォトレジスト層5を現
像処理させることで、線巾0.5μmのライン・アンド
・スペースパターンによるレジストパターン5aを形成
させた(同第2図(C))。
このようにして、最終的に得られるレジストパターン5
aは、その断面形状が殆んど矩形々状となって、所期通
りの断面形状に可及的に近いものを形成できるのであり
、結果的に、解像度、ならびに受光感度を向上し得る。
aは、その断面形状が殆んど矩形々状となって、所期通
りの断面形状に可及的に近いものを形成できるのであり
、結果的に、解像度、ならびに受光感度を向上し得る。
そしてこのことは、特に、微細パターンの形成において
も、その断面形状が所期通りに形成されることを意味し
、最も困難であるとされていた微細化レジストパターン
の蹟密な形成の実現可能性を示唆しており、これによっ
て半導体集積回路装置の一層の高密度化、高集積化を図
り得るのである。
も、その断面形状が所期通りに形成されることを意味し
、最も困難であるとされていた微細化レジストパターン
の蹟密な形成の実現可能性を示唆しており、これによっ
て半導体集積回路装置の一層の高密度化、高集積化を図
り得るのである。
また、第3図はこの実施例方法おけるアルカリ現像液に
対する実用露光量でのフォトレジスト層5における露光
部のレジストの深さ方向の溶解速度の関係を示すもので
あるが、この第3図のグラフから明らかなように、この
実施例方法を適用するときは、フォトレジスト層5に対
する被パターン形成基板l側と表面露光側とのアルカリ
現像液による溶解速度の差が、実用上、差し支えのない
程度まで小さくなっていることが判る。
対する実用露光量でのフォトレジスト層5における露光
部のレジストの深さ方向の溶解速度の関係を示すもので
あるが、この第3図のグラフから明らかなように、この
実施例方法を適用するときは、フォトレジスト層5に対
する被パターン形成基板l側と表面露光側とのアルカリ
現像液による溶解速度の差が、実用上、差し支えのない
程度まで小さくなっていることが判る。
なお、前記実施例方法においては、フォトレジスト層ヱ
して、添加剤をl0wt%添加したポジ型フォトレジス
ト層、添加剤を3w1J添加したポジ型フォトレジスト
層、添加剤を全く添加しないポジ型フォトレジスト層の
順序で、被パターン形成基板上に3層のポジ型フォトレ
ジスト層を積層形成させる場合について述べたが、必ず
しも、その添加剤の添加量、および積層数に限定される
ものではなく、被パターン形成基板側から見て、アルカ
リ現像液による溶解速度の速い組合せのポジ型フォトレ
ジスト層から、同溶解速度の遅い組合せのポジ型フォト
レジスト層の順であれば、この添加剤の添加量、および
積層数を任意に設定することができ、同様な作用、効果
が得られる。
して、添加剤をl0wt%添加したポジ型フォトレジス
ト層、添加剤を3w1J添加したポジ型フォトレジスト
層、添加剤を全く添加しないポジ型フォトレジスト層の
順序で、被パターン形成基板上に3層のポジ型フォトレ
ジスト層を積層形成させる場合について述べたが、必ず
しも、その添加剤の添加量、および積層数に限定される
ものではなく、被パターン形成基板側から見て、アルカ
リ現像液による溶解速度の速い組合せのポジ型フォトレ
ジスト層から、同溶解速度の遅い組合せのポジ型フォト
レジスト層の順であれば、この添加剤の添加量、および
積層数を任意に設定することができ、同様な作用、効果
が得られる。
また、この実施例方法では、被パターン形成基板として
、シリコン半導体基板を用いる場合について述べたが、
アルミニウムとか、あるいはその他の基板であってもよ
く、さらには、3層レジストの中間層や、2層レジスト
の平担化層のような無機化合物、有機化合物からなる基
板に対しても適用できることは勿論である。
、シリコン半導体基板を用いる場合について述べたが、
アルミニウムとか、あるいはその他の基板であってもよ
く、さらには、3層レジストの中間層や、2層レジスト
の平担化層のような無機化合物、有機化合物からなる基
板に対しても適用できることは勿論である。
(発明の効果〕
以上詳述したように、この発明によれば、被パターン形
成基板上に、ポジ型フォトレジストを塗布、乾燥させて
フォトレジスト層を形成させ、その後、マスクを介して
フォトレジスト層を露光させ、かつアルカリ現像液によ
り現像させてレジストパターンを形成させる方法におい
て、被パターン形成基板上にポジ型フォトレジストを塗
布させる場合、同ポジ型フォトレジストへの添加剤に用
いられるポリヒドロキシベンゾフェノンの構造および添
加量の組合せを変化させて、同一露光量でのアルカリ現
像液に対する溶解速度に差を与え?被パターン形成基板
に対しては、溶解速度の速い組合せのポジ型フォトレジ
ストから、溶解速度の遅い組合せのポジ型フォトレジス
トへ、順次に少なくとも2層以上に亘って塗布し、かつ
乾燥させて多層構造によるフォトレジスト層を形成させ
、この多層構造のフォトレジスト層を同一露光量で露光
させるようにしたから、アルカリ現像液を用いた露光後
のフォトレジスト層の現像処理に際しては、このフォト
レジスト層の被パターン形成基板側と表面露光側とで、
アルカリ現像液による溶解速度の差が小さくなり、この
ために現像処理後に得られるレジストパターンを、殆ん
ど矩形々状に可及的に近付けた所期通りの断面形状に形
成することができると共に、その解像度、ならびに受光
感度をも向上でき、特に、高精度による微細パターンの
形成が可能になって、半導体集積回路装置の一層の高密
度化、高集積化を図り得るなどの優れた特長を有するも
のである。
成基板上に、ポジ型フォトレジストを塗布、乾燥させて
フォトレジスト層を形成させ、その後、マスクを介して
フォトレジスト層を露光させ、かつアルカリ現像液によ
り現像させてレジストパターンを形成させる方法におい
て、被パターン形成基板上にポジ型フォトレジストを塗
布させる場合、同ポジ型フォトレジストへの添加剤に用
いられるポリヒドロキシベンゾフェノンの構造および添
加量の組合せを変化させて、同一露光量でのアルカリ現
像液に対する溶解速度に差を与え?被パターン形成基板
に対しては、溶解速度の速い組合せのポジ型フォトレジ
ストから、溶解速度の遅い組合せのポジ型フォトレジス
トへ、順次に少なくとも2層以上に亘って塗布し、かつ
乾燥させて多層構造によるフォトレジスト層を形成させ
、この多層構造のフォトレジスト層を同一露光量で露光
させるようにしたから、アルカリ現像液を用いた露光後
のフォトレジスト層の現像処理に際しては、このフォト
レジスト層の被パターン形成基板側と表面露光側とで、
アルカリ現像液による溶解速度の差が小さくなり、この
ために現像処理後に得られるレジストパターンを、殆ん
ど矩形々状に可及的に近付けた所期通りの断面形状に形
成することができると共に、その解像度、ならびに受光
感度をも向上でき、特に、高精度による微細パターンの
形成が可能になって、半導体集積回路装置の一層の高密
度化、高集積化を図り得るなどの優れた特長を有するも
のである。
第1図はこの発明の一実施例方法に用いる添加剤の添加
量をそれぞれに異ならせた場合、および添加剤を添加さ
せない場合における。ポジ型フォトレジストでの露光量
に対するアルカリ現像液での溶解速度の関係を示すグラ
フ、第2図(a)ないしくC)は同上実施例での半導体
集積回路装置の製造に適用されるレジストパターンの形
成方法を主要な工程順に示すそれぞれに断面図、第3図
は同上実施例方法におけるアルカリ現像液に対する実用
露光量でのポジ型フォトレジストの深さ方向と同上露光
部での溶解速度との関係を示すグラフであり、また、第
4図(a)ないしくC)は従来例での半導体集積回路の
製造に適用されるレジストパターンの形成方法を主要な
工程順に示すそれぞれに断面図、第5図は同上従来例方
法におけるアルカリ現像液に対する実用露光量でのポジ
型フォトレジストの深さ方向と同上露光部での溶解速度
との関係を示すグラフ、第6図は同上従来例方法での露
光時における光学像と現像後に得られるレジストパター
ンとの関係を示す説明図である。 l・・・・被パターン形成基板。 2・・・・添加剤を10wt$添加させたポジ型フォト
レジスト層、3・・・・添加剤を3wt!に添加させた
ポジ型フォトレジスト層、4・・・・添加剤を添加させ
ないポジ型フォトレジスト層、5・・・・各ポジ型フォ
トレジストを積層塗布させたフォトレジスト層、5a・
・・・現像処理されたレジストパターン。 6・・・・露光用のマスク。 代理人 大 岩 増 雄 第1図 第3図 レジ又¥−リ:SVZ過ゴタΦ拉、1ヒ第2図 6;露光用シマスフ sa;aa処理されたレシスヒパター′−第4図 竿5図 第6図 。 昭和 年 月 日 特許庁長官数 パミ5八i−゛ 、事件の表示 特願昭63−127320号:1発
明の名称 レジストパターンの形成方法 へ、補正をする者 代表者志岐守哉 三菱電機株式会社内 5、補正の対象 6、補正の内容 (1) 明細書10頁16行のr 1.16 μm
Jをrl、2μmJと補正する。 (2) 同書12頁7行のrO,5μmJをrO,5
5μm」と補正する。 (3)同書17頁9行の「露光用のマスク」の後に「、
T・・・・、フォトレジスト層、em・・・・レジスト
パターン、8・・・・露光時における光学像」を加入す
る。 (4)図面の第4図および第6図を別紙のとおシ補正す
る。 以上 第4図 7d; しジλトlぐ9−フ
量をそれぞれに異ならせた場合、および添加剤を添加さ
せない場合における。ポジ型フォトレジストでの露光量
に対するアルカリ現像液での溶解速度の関係を示すグラ
フ、第2図(a)ないしくC)は同上実施例での半導体
集積回路装置の製造に適用されるレジストパターンの形
成方法を主要な工程順に示すそれぞれに断面図、第3図
は同上実施例方法におけるアルカリ現像液に対する実用
露光量でのポジ型フォトレジストの深さ方向と同上露光
部での溶解速度との関係を示すグラフであり、また、第
4図(a)ないしくC)は従来例での半導体集積回路の
製造に適用されるレジストパターンの形成方法を主要な
工程順に示すそれぞれに断面図、第5図は同上従来例方
法におけるアルカリ現像液に対する実用露光量でのポジ
型フォトレジストの深さ方向と同上露光部での溶解速度
との関係を示すグラフ、第6図は同上従来例方法での露
光時における光学像と現像後に得られるレジストパター
ンとの関係を示す説明図である。 l・・・・被パターン形成基板。 2・・・・添加剤を10wt$添加させたポジ型フォト
レジスト層、3・・・・添加剤を3wt!に添加させた
ポジ型フォトレジスト層、4・・・・添加剤を添加させ
ないポジ型フォトレジスト層、5・・・・各ポジ型フォ
トレジストを積層塗布させたフォトレジスト層、5a・
・・・現像処理されたレジストパターン。 6・・・・露光用のマスク。 代理人 大 岩 増 雄 第1図 第3図 レジ又¥−リ:SVZ過ゴタΦ拉、1ヒ第2図 6;露光用シマスフ sa;aa処理されたレシスヒパター′−第4図 竿5図 第6図 。 昭和 年 月 日 特許庁長官数 パミ5八i−゛ 、事件の表示 特願昭63−127320号:1発
明の名称 レジストパターンの形成方法 へ、補正をする者 代表者志岐守哉 三菱電機株式会社内 5、補正の対象 6、補正の内容 (1) 明細書10頁16行のr 1.16 μm
Jをrl、2μmJと補正する。 (2) 同書12頁7行のrO,5μmJをrO,5
5μm」と補正する。 (3)同書17頁9行の「露光用のマスク」の後に「、
T・・・・、フォトレジスト層、em・・・・レジスト
パターン、8・・・・露光時における光学像」を加入す
る。 (4)図面の第4図および第6図を別紙のとおシ補正す
る。 以上 第4図 7d; しジλトlぐ9−フ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被パターン形成基板上に、ポジ型フォトレジストを塗
布、乾燥させてフォトレジスト層を形成させ、その後、
マスクを介してフォトレジスト層を露光させ、かつアル
カリ現像液により現像させてレジストパターンを形成さ
せる方法において、前記フォトレジスト層として、 式;▲数式、化学式、表等があります▼(m,n=1〜
5) で表わされるポリヒドロキシベンゾフェノンを添加させ
たポジ型フォトレジストを用い、このポリヒドロキシベ
ンゾフェノンの添加量を調整して、同一露光量での前記
アルカリ現像液に対する溶解速度に差を与え、前記被パ
ターン形成基板に対しては、溶解速度の速い組合せのポ
ジ型フォトレジストから、溶解速度の遅い組合せのポジ
型フォトレジストへ、順次に少なくとも2層以上に亘り
塗布、乾燥させて多層構造によるフォトレジスト層を形
成させ、この多層構造のフォトレジスト層を同一露光量
で露光させることを特徴とするレジストパターンの形成
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12732088A JPH01296237A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12732088A JPH01296237A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01296237A true JPH01296237A (ja) | 1989-11-29 |
Family
ID=14957016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12732088A Pending JPH01296237A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01296237A (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52143103A (en) * | 1976-05-21 | 1977-11-29 | Hoechst Ag | Presensitized lithographic press plate |
JPS59121045A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-12 | Hitachi Ltd | 有機樹脂膜の加工方法 |
JPS6155922A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成方法 |
JPS61141441A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
JPS62135824A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-18 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | フオトレジスト組成物 |
JPS62147452A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-07-01 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | フオトレジスト組成物 |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP12732088A patent/JPH01296237A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52143103A (en) * | 1976-05-21 | 1977-11-29 | Hoechst Ag | Presensitized lithographic press plate |
JPS59121045A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-12 | Hitachi Ltd | 有機樹脂膜の加工方法 |
JPS6155922A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成方法 |
JPS61141441A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
JPS62135824A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-18 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | フオトレジスト組成物 |
JPS62147452A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-07-01 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | フオトレジスト組成物 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW434681B (en) | Method for forming resist pattern | |
JPS6313035A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
JP2002075857A (ja) | レジストパタン形成方法 | |
JPH0210362A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
TW407302B (en) | Photomask for use in manufacturing semiconductor and method of forming resist pattern | |
JPS58218119A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
JPH01296237A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
TW201543165A (zh) | 製作半導體裝置的方法與光敏材料 | |
JPH0664337B2 (ja) | 半導体集積回路用ホトマスク | |
CN115793413B (zh) | 基于对位差与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置 | |
US20080213524A1 (en) | Method for Making Three-Dimensional Structures on a Substrate Having Micron Dimensions, and an Article of Manufacture Three-Dimensional Objects on a Substrate with Micron Dimensions | |
JPS63275115A (ja) | 半導体装置のパタ−ン形成方法 | |
JPS58204532A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
KR100272519B1 (ko) | 반도체소자의 패터닝방법 | |
KR100525090B1 (ko) | 마스크 사이즈보다 미세한 폭을 갖는 감광막 패턴 형성 방법 | |
KR940007052B1 (ko) | 다층레지스트를 이용한 패턴형성방법 | |
JPH04194939A (ja) | マスク形成方法およびパターン形成方法 | |
JPH0272361A (ja) | 二層構造電子線レジスト | |
JPH0562894A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
JPH0194622A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
JPH0210357A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
JPS63202025A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS62265723A (ja) | レジスト露光方法 | |
JPH03180024A (ja) | 多層レジスト膜形成方法 | |
JPH0513325A (ja) | パターン形成方法 |