JPH01288011A - 静電誘導サイリスタの駆動回路 - Google Patents
静電誘導サイリスタの駆動回路Info
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- JPH01288011A JPH01288011A JP11750188A JP11750188A JPH01288011A JP H01288011 A JPH01288011 A JP H01288011A JP 11750188 A JP11750188 A JP 11750188A JP 11750188 A JP11750188 A JP 11750188A JP H01288011 A JPH01288011 A JP H01288011A
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- thyristor
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- induction thyristor
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- 230000006698 induction Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
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- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、静電誘導サイリスタの駆動回路に一関するら
のである。
のである。
[従来の技術1
高圧高周波のスイッチング動作に有利な静電誘導サイリ
スタ(以下、SIサイリスタと称す)を実用回路に使用
する場合、これまで問題になっていたのは、S■サイリ
スタの誤動作である。S■サイリスクは、その名の通り
サイリスタの性質を持ち、−度ターンオンすると、デー
ト電流を強制的に引き抜くか、アノード電流を保持電流
以下に落とさない限りターンオフしない。一方、ターン
オンは瞬間的なトリが電圧で起こる。従って、−度ター
ンオンすると電流が流れたままとなり、過電流が流れて
回路破損を招くことになる。そのため、オフ状態を維持
したい場合、誤動作を防止するため、デートにノイズに
よる不要なトリ〃信号が入らないように保護回路を設け
る必要があった。
スタ(以下、SIサイリスタと称す)を実用回路に使用
する場合、これまで問題になっていたのは、S■サイリ
スタの誤動作である。S■サイリスクは、その名の通り
サイリスタの性質を持ち、−度ターンオンすると、デー
ト電流を強制的に引き抜くか、アノード電流を保持電流
以下に落とさない限りターンオフしない。一方、ターン
オンは瞬間的なトリが電圧で起こる。従って、−度ター
ンオンすると電流が流れたままとなり、過電流が流れて
回路破損を招くことになる。そのため、オフ状態を維持
したい場合、誤動作を防止するため、デートにノイズに
よる不要なトリ〃信号が入らないように保護回路を設け
る必要があった。
第6図は従来のSIサイリスタの駆動回路を示すもので
ある。SIサイリスタQ、のアノードは負荷1を介して
高圧(140V)の電源に接続され、カソードが接地し
である。SIサイリスタQ、のデート側にはプッシュプ
ル構成のトランジスタTrBTr2が設けられ、トラン
ジスタTrlのコレクタは低圧(12〜15■)の電源
に接続され、トランジスタTr、、Tr2のベースには
制御回路2から駆動用のパルスが入力されるようになっ
ている。また、トランジスタTr+*Tr2の出力側に
は、制御回路2からのコントロール信号により制御され
る保護回路3が接続されている。この従来の駆動回路で
は、非動作時にプッシュプルの駆動用トランジスタTr
、、Tr2の出力部を保護回路3により強制的にグラン
ドに落として保護を起こなっている。このため、駆動回
路自体は簡易に構成できるが、保護回路3が複雑な構成
となり、回路全体で見るとコスト的に割高になるという
問題があった。
ある。SIサイリスタQ、のアノードは負荷1を介して
高圧(140V)の電源に接続され、カソードが接地し
である。SIサイリスタQ、のデート側にはプッシュプ
ル構成のトランジスタTrBTr2が設けられ、トラン
ジスタTrlのコレクタは低圧(12〜15■)の電源
に接続され、トランジスタTr、、Tr2のベースには
制御回路2から駆動用のパルスが入力されるようになっ
ている。また、トランジスタTr+*Tr2の出力側に
は、制御回路2からのコントロール信号により制御され
る保護回路3が接続されている。この従来の駆動回路で
は、非動作時にプッシュプルの駆動用トランジスタTr
、、Tr2の出力部を保護回路3により強制的にグラン
ドに落として保護を起こなっている。このため、駆動回
路自体は簡易に構成できるが、保護回路3が複雑な構成
となり、回路全体で見るとコスト的に割高になるという
問題があった。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、上述の点に鑑みて提供したものであって、制
御回路からの信号にてSIサイリスタのスイッチング動
作を誤動作なく確実に行なえるようにし、且つ、構成を
簡単にして低コスト化を図ることを目的とした静電誘導
サイリスタの駆動回路を提供するものである。
御回路からの信号にてSIサイリスタのスイッチング動
作を誤動作なく確実に行なえるようにし、且つ、構成を
簡単にして低コスト化を図ることを目的とした静電誘導
サイリスタの駆動回路を提供するものである。
[課題を解決するための手段]
1作用]
本発明は、静電誘導サイリスクのアノードを負荷を介し
て電源に接続すると共に、カソードを電界効果トランジ
スタを介して接地し、静電誘導サイリスクのデートと電
源との間に該デートに常時バイアスを与えるための抵抗
を接続し、上記デートをコンデンサにより接地し、上記
電界効果トランジスタのゲートにオンオフ信号を入力し
て該電界効果トランジスタのスイッチング動作に応じて
上記静電誘導サイリスタをスイッチングさせる制御回路
を設けることにより、制御回路からのオン信号で電界効
果トランジスタをオンさせて静電誘導サイリスタをター
ンオンさせ、オフ信号により電界効果トランジスタをオ
フさせて静電誘導サイリスクをターンオフさせるように
し、静電誘導サイリスタを70−ティングさせると共に
、デートには常時バイアスを与えて、ノイズ等により静
電誘導サイリスタが誤動作でターンオン等をしないよう
にしたものである。
て電源に接続すると共に、カソードを電界効果トランジ
スタを介して接地し、静電誘導サイリスクのデートと電
源との間に該デートに常時バイアスを与えるための抵抗
を接続し、上記デートをコンデンサにより接地し、上記
電界効果トランジスタのゲートにオンオフ信号を入力し
て該電界効果トランジスタのスイッチング動作に応じて
上記静電誘導サイリスタをスイッチングさせる制御回路
を設けることにより、制御回路からのオン信号で電界効
果トランジスタをオンさせて静電誘導サイリスタをター
ンオンさせ、オフ信号により電界効果トランジスタをオ
フさせて静電誘導サイリスクをターンオフさせるように
し、静電誘導サイリスタを70−ティングさせると共に
、デートには常時バイアスを与えて、ノイズ等により静
電誘導サイリスタが誤動作でターンオン等をしないよう
にしたものである。
[実施例1
以下、本発明の実施例を図面を参照しで説明する。従来
はSIサイリスタのスイッチング制御をデート端子で行
なっていたのに対して本発明では、第1図に示すように
、SIサイリスタQ、と直列にMOS型の電界効果トラ
ンジスタ(以下、MOSFETと称す)Q2を接続し、
SlサイリスタQ1のアノード電流のスイッチングをM
O8FE T Q 2のデート端子で行なう構造とした
ものである。つまり、SIサイリスタQ1のカソードを
70−ティングさせ強制的に電流を遮断するもので、こ
れにより、アノード電流の確実なオンオフ制御を得てい
るものである。SIサイリスタQ。
はSIサイリスタのスイッチング制御をデート端子で行
なっていたのに対して本発明では、第1図に示すように
、SIサイリスタQ、と直列にMOS型の電界効果トラ
ンジスタ(以下、MOSFETと称す)Q2を接続し、
SlサイリスタQ1のアノード電流のスイッチングをM
O8FE T Q 2のデート端子で行なう構造とした
ものである。つまり、SIサイリスタQ1のカソードを
70−ティングさせ強制的に電流を遮断するもので、こ
れにより、アノード電流の確実なオンオフ制御を得てい
るものである。SIサイリスタQ。
のアノードは負荷1を介して電源に接続しである。
この電源を供給する電源部4は、交流電源を整流するダ
イオードブリッジDBと、平滑用コンデンサC0とで構
成されている。SIサイリスタQ、のデートには、任意
の時にターンオンできるように、常時電源から抵抗R8
を介してバイアスを与えている。*た、SIサイリスタ
Q、のデート電圧が上昇しすぎて素子を破壊するのを防
止するためにデートとグランド間にツェナー電圧がIO
V前後のツェナーダイオードZD、を設けている。SI
サイリスタQ、のオンからオフへのスイッチングの瞬間
、SIサイリスタQ、のデートから電流が引き出される
ので、これを吸引するために先のツェナーダイオードZ
D、と並列にコンデンサC2を設けている。更に、負荷
1が誘導性の場合、SIサイリスタQ1のオフの区間に
逆起電力が発生するので、SIサイリスタQ、のアノー
ドとグランド間にダイオードD、を設けている。尚、負
荷1に誘導性がない場合は不要である。
イオードブリッジDBと、平滑用コンデンサC0とで構
成されている。SIサイリスタQ、のデートには、任意
の時にターンオンできるように、常時電源から抵抗R8
を介してバイアスを与えている。*た、SIサイリスタ
Q、のデート電圧が上昇しすぎて素子を破壊するのを防
止するためにデートとグランド間にツェナー電圧がIO
V前後のツェナーダイオードZD、を設けている。SI
サイリスタQ、のオンからオフへのスイッチングの瞬間
、SIサイリスタQ、のデートから電流が引き出される
ので、これを吸引するために先のツェナーダイオードZ
D、と並列にコンデンサC2を設けている。更に、負荷
1が誘導性の場合、SIサイリスタQ1のオフの区間に
逆起電力が発生するので、SIサイリスタQ、のアノー
ドとグランド間にダイオードD、を設けている。尚、負
荷1に誘導性がない場合は不要である。
次に、動作を説明する。今、制御回路2から制御信号が
出力されていない状態では、MO3FETQ2はオフで
あり、S■サイリスタQ、もオフで負荷1は通電されな
い。次に、第2図(&)に示すような制御信号が制御回
路2から出力されると、M OS F E T Q 2
はオンとなり、そのため、SIサイリスタQ1もオンと
なる。この時のS■サイリスタQ1にデートの電圧は第
2図(b)に示すようにLレベルとなり、アノード電流
は第2図(e)に示すように流れる。制御信号がLレベ
ルになると、M OS F E T Q !はオフとな
り、SIサイリスタQ1もオフする。ここで、SIサイ
リスタQ、は常に抵抗R5を介してデートにバイアスが
与えられているため、ノイズ等による誤動作は生じない
ものである。このように、MO8FETQ2のデートを
制御することにより、誤動作のない確実なスイッチング
を行なうことができるので、従来のような保護回路が不
要となり、大幅なコストダウンができる。また、ここで
使用するMO8FETQ2はSIサイリスタQ1のカソ
ード側に設けるため、耐圧的には数十ポルト程度のもの
でよく、これもコスト的に安価なものが使用できるもの
である。
出力されていない状態では、MO3FETQ2はオフで
あり、S■サイリスタQ、もオフで負荷1は通電されな
い。次に、第2図(&)に示すような制御信号が制御回
路2から出力されると、M OS F E T Q 2
はオンとなり、そのため、SIサイリスタQ1もオンと
なる。この時のS■サイリスタQ1にデートの電圧は第
2図(b)に示すようにLレベルとなり、アノード電流
は第2図(e)に示すように流れる。制御信号がLレベ
ルになると、M OS F E T Q !はオフとな
り、SIサイリスタQ1もオフする。ここで、SIサイ
リスタQ、は常に抵抗R5を介してデートにバイアスが
与えられているため、ノイズ等による誤動作は生じない
ものである。このように、MO8FETQ2のデートを
制御することにより、誤動作のない確実なスイッチング
を行なうことができるので、従来のような保護回路が不
要となり、大幅なコストダウンができる。また、ここで
使用するMO8FETQ2はSIサイリスタQ1のカソ
ード側に設けるため、耐圧的には数十ポルト程度のもの
でよく、これもコスト的に安価なものが使用できるもの
である。
ところで、本発明の近似な回路として第3図に示すよう
なものがある。これは、バイポーラトランジスタQ、と
M OS F E T Q sを直列接続したものであ
るが、この回路のようにメインのスイッチング素子にバ
イポーラトランジスタQ、を用いると、この駆動のため
に大きなベース電流を流してやる必要がある。第3図の
回路では、負荷の共振回路からカレントトランスCTを
通して流しているが、負荷をこのように使えない場合に
は、別にトランジスタQ、のべ一入電流源を形成しなけ
ればならず、いずれにしても部品的にコスト高となり、
また、消費電流がSIサイリスタを用いた場合と比較し
て増加することになる。
なものがある。これは、バイポーラトランジスタQ、と
M OS F E T Q sを直列接続したものであ
るが、この回路のようにメインのスイッチング素子にバ
イポーラトランジスタQ、を用いると、この駆動のため
に大きなベース電流を流してやる必要がある。第3図の
回路では、負荷の共振回路からカレントトランスCTを
通して流しているが、負荷をこのように使えない場合に
は、別にトランジスタQ、のべ一入電流源を形成しなけ
ればならず、いずれにしても部品的にコスト高となり、
また、消費電流がSIサイリスタを用いた場合と比較し
て増加することになる。
第1図に示した構成にて、第4図に示すように1つの”
スイッチング素子″のような機能ブロックBとして用い
ることで、種々の用途に使用できるものである。この機
能ブロックBは、高耐圧大電流のスイッチングを0MO
3等の制御回路からダイレクトに行なえるものである。
スイッチング素子″のような機能ブロックBとして用い
ることで、種々の用途に使用できるものである。この機
能ブロックBは、高耐圧大電流のスイッチングを0MO
3等の制御回路からダイレクトに行なえるものである。
第5図はこの機能ブロックBをプッシュプル方式で使用
した例を示すもので、MO3FETQ2のデート端子に
逆相の入力信号を与えることにより、上下の機能ブロッ
クBを交互にオンオフして負荷1へ電流の入出力を行な
えるようにしたものである。
した例を示すもので、MO3FETQ2のデート端子に
逆相の入力信号を与えることにより、上下の機能ブロッ
クBを交互にオンオフして負荷1へ電流の入出力を行な
えるようにしたものである。
[発明の効果]
本発明は上述のように、ノーマリーオフ型の静電誘導サ
イリスタをスイッチング動作させる駆動回路において、
静電誘導サイリスクのアノードを負荷を介して電源に接
続すると共に、カソードを電界効果トランジスタを介し
て接地し、静電誘導サイリスタのデートと電源との開に
該デートに常時バイアスを与えるための抵抗を接続し、
上記デートをコンデンサにより接地し、上記電界効果ト
ランジスタのデートにオンオフ信号を入力して該電界効
果トランジスタのスイッチング動作に応じて上記静電誘
導サイリスクをスイッチングさせる制御回路を設けたも
のであるから、制御回路からのオン信号で電界効果トラ
ンジスタをオンさせて静電誘導サイリスタをターンオン
させ、オフ信号により電界効果トランジスタをオフさせ
て静電誘導サイリスタをターンオフさせるようにし、静
電誘導サイリスタを70−ティングさせると共に、デー
トには常時バイアスを与えて、ノイズ等によりWP電誘
導サイリスタが誤動作でターンオン等をしないようにす
ることができるものであり、そのため、従来と比較して
簡易な構造で、低コストで誤動作のない駆動回路を達成
することができる効果を奏するものである。
イリスタをスイッチング動作させる駆動回路において、
静電誘導サイリスクのアノードを負荷を介して電源に接
続すると共に、カソードを電界効果トランジスタを介し
て接地し、静電誘導サイリスタのデートと電源との開に
該デートに常時バイアスを与えるための抵抗を接続し、
上記デートをコンデンサにより接地し、上記電界効果ト
ランジスタのデートにオンオフ信号を入力して該電界効
果トランジスタのスイッチング動作に応じて上記静電誘
導サイリスクをスイッチングさせる制御回路を設けたも
のであるから、制御回路からのオン信号で電界効果トラ
ンジスタをオンさせて静電誘導サイリスタをターンオン
させ、オフ信号により電界効果トランジスタをオフさせ
て静電誘導サイリスタをターンオフさせるようにし、静
電誘導サイリスタを70−ティングさせると共に、デー
トには常時バイアスを与えて、ノイズ等によりWP電誘
導サイリスタが誤動作でターンオン等をしないようにす
ることができるものであり、そのため、従来と比較して
簡易な構造で、低コストで誤動作のない駆動回路を達成
することができる効果を奏するものである。
第1図は本発明の実施例の具体回路図、第2図は同上の
動作波形図、第3図は本発明の実施例と近似な回路図、
第4図は本発明の構成を機能化した場合の回路図、第5
図は同上の機能ブロックを用いた回路図、第6図は従来
例のブロック回路図である。 1は負荷、2は制御回路、Q、は静電誘導サイリスタ、
Q2は電界効果トランジスタ、R1は抵抗、C2はコン
デンサである。 代理人 弁理士 石 1)氏 七 第2図 第4図 第5VA 第6図 140v 手続補正書(自発) 昭和63年8月5日 〔
動作波形図、第3図は本発明の実施例と近似な回路図、
第4図は本発明の構成を機能化した場合の回路図、第5
図は同上の機能ブロックを用いた回路図、第6図は従来
例のブロック回路図である。 1は負荷、2は制御回路、Q、は静電誘導サイリスタ、
Q2は電界効果トランジスタ、R1は抵抗、C2はコン
デンサである。 代理人 弁理士 石 1)氏 七 第2図 第4図 第5VA 第6図 140v 手続補正書(自発) 昭和63年8月5日 〔
Claims (1)
- (1)ノーマリーオフ型の静電誘導サイリスタをスイッ
チング動作させる駆動回路において、静電誘導サイリス
タのアノードを負荷を介して電源に接続すると共に、カ
ソードを電界効果トランジスタを介して接地し、静電誘
導サイリスタのデートと電源との間に該ゲートに常時バ
イアスを与えるための抵抗を接続し、上記ゲートをコン
デンサにより接地し、上記電界効果トランジスタのゲー
トにオンオフ信号を入力して該電界効果トランジスタの
スイッチング動作に応じて上記静電誘導サイリスタをス
イッチングさせる制御回路を設けて成る静電誘導サイリ
スタの駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11750188A JPH01288011A (ja) | 1988-05-14 | 1988-05-14 | 静電誘導サイリスタの駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11750188A JPH01288011A (ja) | 1988-05-14 | 1988-05-14 | 静電誘導サイリスタの駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01288011A true JPH01288011A (ja) | 1989-11-20 |
Family
ID=14713307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11750188A Pending JPH01288011A (ja) | 1988-05-14 | 1988-05-14 | 静電誘導サイリスタの駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01288011A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006057365A1 (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Ngk Insulators, Ltd. | 高電圧パルス発生回路 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61161015A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Hitachi Ltd | 複合半導体スイツチング装置 |
JPS61220525A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd | スイツチ回路 |
JPS62159515A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | 複合半導体装置 |
-
1988
- 1988-05-14 JP JP11750188A patent/JPH01288011A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61161015A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Hitachi Ltd | 複合半導体スイツチング装置 |
JPS61220525A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd | スイツチ回路 |
JPS62159515A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | 複合半導体装置 |
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US7649284B2 (en) | 2004-11-26 | 2010-01-19 | Ngk Insulators, Ltd. | High-voltage pulse generating circuit |
JP4783740B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2011-09-28 | 日本碍子株式会社 | 高電圧パルス発生回路 |
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