JPH01285803A - フレネル・ゾーン・プレートおよびそれを用いる位置合せ方法 - Google Patents
フレネル・ゾーン・プレートおよびそれを用いる位置合せ方法Info
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- JPH01285803A JPH01285803A JP63114767A JP11476788A JPH01285803A JP H01285803 A JPH01285803 A JP H01285803A JP 63114767 A JP63114767 A JP 63114767A JP 11476788 A JP11476788 A JP 11476788A JP H01285803 A JPH01285803 A JP H01285803A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1876—Diffractive Fresnel lenses; Zone plates; Kinoforms
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
フレネル・ゾーン・プレートおよびそれを用いる位置合
せ方法、特に半導体製造装置におけるマスクとウェハの
位置合せマークおよび当該マークを用いる位置合せ方法
に関し、 従来の光学系の調整の煩雑さと、マスクおよびウェハの
位置合わせマークの数の増加の課題を解決するフレネル
・ゾーン・プレートとそれを用いる位置合せ方法とを提
供することを目的とし、焦点距離ｆ、をもつフレネル・
ゾーン・プレートの内部に、ｆｌよりも短い焦点距離ｆ
２をもつフレネル・ゾーン・プレートを形成することに
より二重焦点をもつことを特徴とするフレネル・ゾーン
・プレート、および焦点距離ｆ１をもつフレネル・ゾー
ン・プ（ｙ−トの内部に、ｒ、よりも短い焦点距離ｆ２
をもつフレネル・ゾーン・プレートが形成されてなる二
重焦点をもつフレネル・ゾーン・プレートを用いるマス
クとウェハの位置合せ方法を含み構成する。
せ方法、特に半導体製造装置におけるマスクとウェハの
位置合せマークおよび当該マークを用いる位置合せ方法
に関し、 従来の光学系の調整の煩雑さと、マスクおよびウェハの
位置合わせマークの数の増加の課題を解決するフレネル
・ゾーン・プレートとそれを用いる位置合せ方法とを提
供することを目的とし、焦点距離ｆ、をもつフレネル・
ゾーン・プレートの内部に、ｆｌよりも短い焦点距離ｆ
２をもつフレネル・ゾーン・プレートを形成することに
より二重焦点をもつことを特徴とするフレネル・ゾーン
・プレート、および焦点距離ｆ１をもつフレネル・ゾー
ン・プ（ｙ−トの内部に、ｒ、よりも短い焦点距離ｆ２
をもつフレネル・ゾーン・プレートが形成されてなる二
重焦点をもつフレネル・ゾーン・プレートを用いるマス
クとウェハの位置合せ方法を含み構成する。
（産業−にの利用分野〕
本発明は、フレネル・ゾーン・プレートおよびそれを用
いる位置合せ方法、特に半導体製造装置におけるマスク
とウェハの位置合せマークおよび当該マークを用いる位
置合せ方法に関する。
いる位置合せ方法、特に半導体製造装置におけるマスク
とウェハの位置合せマークおよび当該マークを用いる位
置合せ方法に関する。
近年のＬＳＩの微細化に伴い、マスクとウェハの高精度
の位置合せが要求され、マスクとウェハの位置合せ方法
の一つとしてリニア・フレネル・ゾーン ブレーｌ−（
Ｌｉｎｅａｒ ｌ’ｒｅｓｎｅｌ Ｚｏｎｅ Ｐｌａｔ
ｅ。
の位置合せが要求され、マスクとウェハの位置合せ方法
の一つとしてリニア・フレネル・ゾーン ブレーｌ−（
Ｌｉｎｅａｒ ｌ’ｒｅｓｎｅｌ Ｚｏｎｅ Ｐｌａｔ
ｅ。
ＬＦＺＰ）と回折格子を組合せた方法が使われている。
ＬＦＺＰは第４図に示されるように透明部と不透明部を
交互に配置した構造になっていて、入射光を集光させる
作用をもっている。Ｌ Ｆ Ｚ Ｐは中心に対し対称な
構造になっており、中心から透明部と不透明部との境界
までの距離をｒ、、（、、＝１，２．・・・・）とする
と、焦点距離ｆ、入射光の波長λとの間にはの関係があ
る。第４図（ａ）は光を透過さセない砂地で示すパター
ンが形成されたＬＦＺＰ ５の平面図、同［ａ （ｂ）
はこのＬ Ｆ Ｚ Ｐを用いた光の集光を示す図で、Ｌ
Ｆ；ｌ！、Ｐ５はレンズの如くに焦点距離ｆのとごろで
焦点を結ふ。６はＬ Ｆ Ｚ Ｐを透過した後の光の焦
点面ｌ−での強度分布を示す線、λは入射光（例えば半
導体レーザ）の波長を示す。
交互に配置した構造になっていて、入射光を集光させる
作用をもっている。Ｌ Ｆ Ｚ Ｐは中心に対し対称な
構造になっており、中心から透明部と不透明部との境界
までの距離をｒ、、（、、＝１，２．・・・・）とする
と、焦点距離ｆ、入射光の波長λとの間にはの関係があ
る。第４図（ａ）は光を透過さセない砂地で示すパター
ンが形成されたＬＦＺＰ ５の平面図、同［ａ （ｂ）
はこのＬ Ｆ Ｚ Ｐを用いた光の集光を示す図で、Ｌ
Ｆ；ｌ！、Ｐ５はレンズの如くに焦点距離ｆのとごろで
焦点を結ふ。６はＬ Ｆ Ｚ Ｐを透過した後の光の焦
点面ｌ−での強度分布を示す線、λは入射光（例えば半
導体レーザ）の波長を示す。
第５図はＬＦＺＰを用いる位置合せ光学系の図で、図中
、１０は位置合せ用入射光源、１１は反射鏡、１２はマ
スク、１３はウェハ、１４は入射光、５ａと５ｈはＬ
Ｆ Ｚ Ｐである。１．ＦＺＰ５ａと５ｈはマスク１２
に素子パターンを形成するときに同時に作られ、他方ウ
ェハ１３上には、ＬＦＺＰ ５ ａ、５ｂに対応する位
置に回折格子が作られている。回折格子は１つのパター
ンが周期的に並べられたもので、入射した光が特定の方
向に回折するようになっていて、この回折する光（信号
）の強度を検出器で検出し、その光強度の強弱によって
マスク１２とウェハ１３の位置合せをなすもので、Ｌ
Ｆ Ｚ Ｐと回折格子の位置が合っていなければ光の検
出ができず、Ｌ Ｆ Ｚ Ｐの焦点が回折格子からずれ
ているときは出てくる光の強度が弱くなり、焦点が合っ
たとき最も強い光が出てくるようになっている。
、１０は位置合せ用入射光源、１１は反射鏡、１２はマ
スク、１３はウェハ、１４は入射光、５ａと５ｈはＬ
Ｆ Ｚ Ｐである。１．ＦＺＰ５ａと５ｈはマスク１２
に素子パターンを形成するときに同時に作られ、他方ウ
ェハ１３上には、ＬＦＺＰ ５ ａ、５ｂに対応する位
置に回折格子が作られている。回折格子は１つのパター
ンが周期的に並べられたもので、入射した光が特定の方
向に回折するようになっていて、この回折する光（信号
）の強度を検出器で検出し、その光強度の強弱によって
マスク１２とウェハ１３の位置合せをなすもので、Ｌ
Ｆ Ｚ Ｐと回折格子の位置が合っていなければ光の検
出ができず、Ｌ Ｆ Ｚ Ｐの焦点が回折格子からずれ
ているときは出てくる光の強度が弱くなり、焦点が合っ
たとき最も強い光が出てくるようになっている。
ＬＦＺＰは、サブミクロンのオーダーの微細パターンを
形成するのに用いるＸ線露光装置用に開発されたもので
、先ず例えば焦点距離５０μｍのＬＦＺＰ ５ ａを用
いて粗位置合せを行ない、次に例えば１０μｍの焦点距
離のＬＦＺＰ ５ ｂを用いて精密位置合せをなす。操
作においては、入射光源１０と反射鏡１１を実線の位置
に配置し、ＬＦＺＰ ５ ａと図示しないウェハ上の回
折格子を用いて粗位置合せを行ない、次に光源１０と反
射鏡１１を破線で示す位置に移し、Ｌ Ｆ Ｚ Ｐ５ｂ
を用いて精密位置合せをなす。
形成するのに用いるＸ線露光装置用に開発されたもので
、先ず例えば焦点距離５０μｍのＬＦＺＰ ５ ａを用
いて粗位置合せを行ない、次に例えば１０μｍの焦点距
離のＬＦＺＰ ５ ｂを用いて精密位置合せをなす。操
作においては、入射光源１０と反射鏡１１を実線の位置
に配置し、ＬＦＺＰ ５ ａと図示しないウェハ上の回
折格子を用いて粗位置合せを行ない、次に光源１０と反
射鏡１１を破線で示す位置に移し、Ｌ Ｆ Ｚ Ｐ５ｂ
を用いて精密位置合せをなす。
（発明が解決しようとする課題）
上記した位置合せ方法によって、二種類のＬｌ＾ＺＰ５
ａ、５ｂが必要となり、一方から他方−５と位置合せ光
学系を移動させ、その都度マスクと光学系との調整がそ
れぞれの位置でその都度必要になる煩雑さの問題がある
。また、通常の場合、半導体装置の製造乙こおいては例
えば５層構造のような多層構造を形成するのであるが、
各層のためのマスクに２つのＬ Ｆ Ｚ Ｐを形成する
と全体として１０個のＬＦＺＰと、それに対応して各層
に２つの回折格子、全体では１０個の回折格子を形成し
なければならず、そのごとはマスクとウェハの位置合わ
せマークを増加させる問題もある。
ａ、５ｂが必要となり、一方から他方−５と位置合せ光
学系を移動させ、その都度マスクと光学系との調整がそ
れぞれの位置でその都度必要になる煩雑さの問題がある
。また、通常の場合、半導体装置の製造乙こおいては例
えば５層構造のような多層構造を形成するのであるが、
各層のためのマスクに２つのＬ Ｆ Ｚ Ｐを形成する
と全体として１０個のＬＦＺＰと、それに対応して各層
に２つの回折格子、全体では１０個の回折格子を形成し
なければならず、そのごとはマスクとウェハの位置合わ
せマークを増加させる問題もある。
そこで本発明は、従来の光学系の調整の煩雑さと、マス
クおよびウェハの位置合わセマークの数の増加の課題を
解決するフレネル・ゾーン・ブレ−１−とそれを用いる
イ〜′Ｉ置合（！”Ｊデ法とを掃供することをＬＩ的と
するっ し課！！１！を解決する。１−．′）の二■段）上記課
題は、焦点１（ｔ ｑ （、奔もつ〕Ｌ・ネル・す−゛
・−７’ Ｌ−トの内部：、二、ｆｌよりも短い焦４
ｊ、距離［。
クおよびウェハの位置合わセマークの数の増加の課題を
解決するフレネル・ゾーン・ブレ−１−とそれを用いる
イ〜′Ｉ置合（！”Ｊデ法とを掃供することをＬＩ的と
するっ し課！！１！を解決する。１−．′）の二■段）上記課
題は、焦点１（ｔ ｑ （、奔もつ〕Ｌ・ネル・す−゛
・−７’ Ｌ−トの内部：、二、ｆｌよりも短い焦４
ｊ、距離［。
をちつフレネル・′トーン・ブＬ、＝ −１−が彫成さ
ね−ｒ４（る二重焦点をもっフレネル・ゾ〜゛ ・プＬ
−１を用いるマスクと・”７エハの位置合せ方法によっ
で解決される。
ね−ｒ４（る二重焦点をもっフレネル・ゾ〜゛ ・プＬ
−１を用いるマスクと・”７エハの位置合せ方法によっ
で解決される。
（ｊ’ｌ ＪＴＩ ）
第１図し１本発明原理説明図で、図中、１は焦点距離ｆ
１をもつＬＦＺＰ、２は焦点距離ｆｚ（ｆ（＞ｆｚ）を
も−：ｌＬＩ・ＺＰ、 １ ′は二」口１ｉ、点１斗
７１）でより長い焦点距離をも一つＬ Ｆ Ｚ １１が
寄与する部分であり、１、ＦＺＰの不透明部分は砂地を
石ｊｌ−で示す。本発明では、同図にＩＴ＜４如く、第
３図（ａ）に示される焦点距離ｆ１をもつり、ＦＺｌ”
１の内部に、第３図（ｂ）に示される々１］きｆ、よ
りも短い焦点距離［２をもつ＋、ｐｚｐ２を形成するこ
とにより、１′の部分は焦点距離ｆ１に焦点を結び、２
の部分は焦点距離ｆ２に焦点を結ぶ二重焦点のＬＦＺＰ
がイ１られる。従って、この二重焦点のＬ Ｆ Ｚ ＋
’を用いる、−とによって光学系を固定したま一粗位置
合せの状態から精密位置合王を行なうことができる。
１をもつＬＦＺＰ、２は焦点距離ｆｚ（ｆ（＞ｆｚ）を
も−：ｌＬＩ・ＺＰ、 １ ′は二」口１ｉ、点１斗
７１）でより長い焦点距離をも一つＬ Ｆ Ｚ １１が
寄与する部分であり、１、ＦＺＰの不透明部分は砂地を
石ｊｌ−で示す。本発明では、同図にＩＴ＜４如く、第
３図（ａ）に示される焦点距離ｆ１をもつり、ＦＺｌ”
１の内部に、第３図（ｂ）に示される々１］きｆ、よ
りも短い焦点距離［２をもつ＋、ｐｚｐ２を形成するこ
とにより、１′の部分は焦点距離ｆ１に焦点を結び、２
の部分は焦点距離ｆ２に焦点を結ぶ二重焦点のＬＦＺＰ
がイ１られる。従って、この二重焦点のＬ Ｆ Ｚ ＋
’を用いる、−とによって光学系を固定したま一粗位置
合せの状態から精密位置合王を行なうことができる。
し、ＦＺＩ’ｌとＬＦＺＰ ２．−を組合わ仕る場合に
、ＬＦＺＰ １の中心部分が透明である場合には、位置
合廿乙こおいで出てくる信号の強度は半分に落ちる−・
方で、当該中心部分が不透明の場合には信号の強度はは
一１司しである。信号強度が半分に落ちたとしても、位
置合せそれ自体には特に問題はない。そして、冒＋！、
Ｐ１で集光された光の強度は、ＬＦＺＰ ２で集光さ、
１１だ先の強度に比べて強いのであるが、ＬＦＺＰＩの
透明な中心部分にＬＦＺＰ ２が作られた場合には、双
メ）のＬＦＺＰの光の強度はは一同しになり、増幅器の
増幅度を変える必要がなくなる。
、ＬＦＺＰ １の中心部分が透明である場合には、位置
合廿乙こおいで出てくる信号の強度は半分に落ちる−・
方で、当該中心部分が不透明の場合には信号の強度はは
一１司しである。信号強度が半分に落ちたとしても、位
置合せそれ自体には特に問題はない。そして、冒＋！、
Ｐ１で集光された光の強度は、ＬＦＺＰ ２で集光さ、
１１だ先の強度に比べて強いのであるが、ＬＦＺＰＩの
透明な中心部分にＬＦＺＰ ２が作られた場合には、双
メ）のＬＦＺＰの光の強度はは一同しになり、増幅器の
増幅度を変える必要がなくなる。
・！実施例］
１す下、本発明を開示の実施例により具体的に説明する
。
。
第２図は本発明の一実施例構成図である。
回において、３′の部分はｆ＋ ＝８０μｍの１、ＦＺ
Ｐが寄与する部分、４の部分はｆｚ−１０μｍのＬ Ｆ
Ｚ Ｐに対応し、Ｌ Ｆ Ｚ Ｐの本数（ｎ）はいず
れも７本の場合を示す。
Ｐが寄与する部分、４の部分はｆｚ−１０μｍのＬ Ｆ
Ｚ Ｐに対応し、Ｌ Ｆ Ｚ Ｐの本数（ｎ）はいず
れも７本の場合を示す。
例えば入射光渥を波長λ−７８０ｎｍの半導体レーザと
した場合、ｆ１＝８０μｍ とｆｚ−１０μｍに対して
、１、ＦＺＰの中心から透明部と不透明部との境界まで
の距離をそれぞれｒｌｌ 、Ｒ，、（、＝Ｌ２．−−−
−、７）とずれば、「、とＲ１の埴は前記第（１）式を
用いて次の如くになる。
した場合、ｆ１＝８０μｍ とｆｚ−１０μｍに対して
、１、ＦＺＰの中心から透明部と不透明部との境界まで
の距離をそれぞれｒｌｌ 、Ｒ，、（、＝Ｌ２．−−−
−、７）とずれば、「、とＲ１の埴は前記第（１）式を
用いて次の如くになる。
ただし、単位は７１ｍ
一般に、Ｌ Ｆ Ｚ Ｉ’は中心部分を透明にも不透明
にも作ることができ、また明暗（透明不透明）を逆転す
ることができる。た−し、中心部分を不透明にした場合
には、透明にした場合より集光強度は２程度に減少する
。そごで、粗位置合せに用いるＬＦＺＩ”３の中心部分
に相当する程度にＬＦＺＰ４の大きさを合わせるように
する。こうすることによって、Ｌ Ｆ Ｚ Ｒ３が焦点
を結ぶ際に中心部分の寄ＩＪがなくなり、強度は中心部
分が本来透明であればは覧’ｒ＝分になり、不透明の場
合はほとんど変らない。
にも作ることができ、また明暗（透明不透明）を逆転す
ることができる。た−し、中心部分を不透明にした場合
には、透明にした場合より集光強度は２程度に減少する
。そごで、粗位置合せに用いるＬＦＺＩ”３の中心部分
に相当する程度にＬＦＺＰ４の大きさを合わせるように
する。こうすることによって、Ｌ Ｆ Ｚ Ｒ３が焦点
を結ぶ際に中心部分の寄ＩＪがなくなり、強度は中心部
分が本来透明であればは覧’ｒ＝分になり、不透明の場
合はほとんど変らない。
１、、ＦＺＰ３は粗位置合せ用であるから、半分程度に
強度が低下しても特に問題はない。中心部分に新に形成
されたＬＦＺＰ ４は全く独立に作った焦点距離ｒ２の
１、ＦＺＩ’とは一同しよう乙こ働き、強度の低下もな
い。
強度が低下しても特に問題はない。中心部分に新に形成
されたＬＦＺＰ ４は全く独立に作った焦点距離ｒ２の
１、ＦＺＩ’とは一同しよう乙こ働き、強度の低下もな
い。
第２図の例は、ｆ、＝８０μｍで中心部分が不透明の１
．、Ｆ Ｚ Ｐと、ｆ２’−”１０７／ｍで中心部分が
透明なＬＦＺＦ’とを組合せて作った二重焦点Ｌ ｌ’
ＺＰである。それ以外にも表Ｉに示した組合せが可能
である。
．、Ｆ Ｚ Ｐと、ｆ２’−”１０７／ｍで中心部分が
透明なＬＦＺＦ’とを組合せて作った二重焦点Ｌ ｌ’
ＺＰである。それ以外にも表Ｉに示した組合せが可能
である。
表 Ｉ
ただし、ｆ、＞ｆＺ。
Ｔは透明、Ｏは不透明を示し、ｆＩがＯ，ｆｚがＴとな
る例は第２図のＬＦＺＰである。
る例は第２図のＬＦＺＰである。
また、焦点距離の短いＬ Ｆ Ｚ Ｐは焦点距離の長い
ＬＰＺＰの中心部分に作らなければならぬものではなく
、原理的には任意の位置に作ることができる。
ＬＰＺＰの中心部分に作らなければならぬものではなく
、原理的には任意の位置に作ることができる。
以上のように本発明によれば、マスクとウェハの位置合
セを行なう際に、粗位置合せも高精度位置合せもマスク
上の同一点で行なうことができ、従って位置合せ用光学
系を動かさなくてもすみ、またマスク上に設けるＬＰＺ
Ｐの数が半減する。さらには、粗位置合せと高精度位置
合せの信号強度の差が従来例よりも小になり、信号取込
みのための増幅器の増幅度をどちらの信号を検出する場
合でも１司しにすることができる。
セを行なう際に、粗位置合せも高精度位置合せもマスク
上の同一点で行なうことができ、従って位置合せ用光学
系を動かさなくてもすみ、またマスク上に設けるＬＰＺ
Ｐの数が半減する。さらには、粗位置合せと高精度位置
合せの信号強度の差が従来例よりも小になり、信号取込
みのための増幅器の増幅度をどちらの信号を検出する場
合でも１司しにすることができる。
第１図は本発明原理説明図、
第２図は本発明の一実施例構成団、
第３図（ａ）と（ｂ）は焦点距離がｆｌとｆｚ（Ｌ＞ｆ
ｚ）のＬＦＺＰの図、 第４図は従来のＬ Ｆ Ｚ Ｐの図で、その（ａ）は平
面図、（ｂ）は側面図、 第５図は位置合上光学系の図である。 図中、 １は焦点距Ｍ ｔ ＋をもつＬＦＺＰ、２は焦点距離ｆ
２（ｆ＞ｆｚ）をもツＩＦＺＰ、３は焦点距離８０μｍ
をもつＬＦＺＰ。 ４は焦点距離１０μｍをもつＬＦＺＰ、５はＬ Ｆ Ｚ
Ｐ 。 ６はＬＦＺＰを透過した後の光の焦点面一にでの強度分
布を示す線、 １０は位置合せ用入射光源、 １１は反射鏡、 １２はマスク、 １３はウェハ、 １４は入射光 を示す。
ｚ）のＬＦＺＰの図、 第４図は従来のＬ Ｆ Ｚ Ｐの図で、その（ａ）は平
面図、（ｂ）は側面図、 第５図は位置合上光学系の図である。 図中、 １は焦点距Ｍ ｔ ＋をもつＬＦＺＰ、２は焦点距離ｆ
２（ｆ＞ｆｚ）をもツＩＦＺＰ、３は焦点距離８０μｍ
をもつＬＦＺＰ。 ４は焦点距離１０μｍをもつＬＦＺＰ、５はＬ Ｆ Ｚ
Ｐ 。 ６はＬＦＺＰを透過した後の光の焦点面一にでの強度分
布を示す線、 １０は位置合せ用入射光源、 １１は反射鏡、 １２はマスク、 １３はウェハ、 １４は入射光 を示す。
Claims (4)
- （１）焦点距離ｆ＿１をもつフレネル・ゾーン・プレー
トの内部に、ｆ＿１よりも短い焦点距離ｆ＿２をもつフ
レネル・ゾーン・プレートを形成することにより二重焦
点をもつことを特徴とするフレネル・ゾーン・プレート
。 - （２）中心部分が不透明なフレネル・ゾーン・プレート
と、中心部分が透明なフレネル・ゾーン・プレートとか
ら構成された請求項１に記載のフレネル・ゾーン・プレ
ート。 - （３）焦点距離ｆ＿１をもつフレネル・ゾーン・プレー
トの内部に、ｆ＿１よりも短い焦点距離ｆ＿２をもつフ
レネル・ゾーン・プレートが形成されてなる二重焦点を
もつフレネル・ゾーン・プレートを用いるマスクとウェ
ハの位置合せ方法。 - （４）マスク（１２）に請求項１記載のフレネル・ゾー
ン・プレートを形成し、ウェハ（１３）上に設けた少な
くとも１つの回折格子の回折信号を用い、粗位置合せと
高精度位置合せをなす請求項３に記載の方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63114767A JPH01285803A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | フレネル・ゾーン・プレートおよびそれを用いる位置合せ方法 |
| EP19890108627 EP0341743A3 (en) | 1988-05-13 | 1989-05-12 | Alignment of mask and semiconductor wafer using linear fresnel zone plate |
| KR1019890006407A KR930000878B1 (ko) | 1988-05-13 | 1989-05-13 | 리니어 프레스넬 존 플레이트(Linear Fresnel Zone Plate)를 사용한 마스크와 반도체웨이퍼의 위치맞춤시스템 및 방법 |
| US07/471,008 US4948983A (en) | 1987-05-13 | 1990-01-25 | Alignment of mask and semiconductor wafer using linear fresnel zone plate |
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