JPH01282523A - 液晶表示パネル - Google Patents

液晶表示パネル

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JPH01282523A
JPH01282523A JP63113060A JP11306088A JPH01282523A JP H01282523 A JPH01282523 A JP H01282523A JP 63113060 A JP63113060 A JP 63113060A JP 11306088 A JP11306088 A JP 11306088A JP H01282523 A JPH01282523 A JP H01282523A
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JP
Japan
Prior art keywords
electrode
glass substrate
liquid crystal
bus line
display panel
Prior art date
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Pending
Application number
JP63113060A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Kamata
豪 鎌田
Yoshiro Koike
善郎 小池
Seiji Tanuma
清治 田沼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要] 薄膜トランジスタを用いて駆動させるアクティブマトリ
クス型液晶表示パネルに関し、薄膜トランジスタの接触
防止用の絶縁膜と非画素部に入射する光の遮光体とを同
一のマスクを用いて一括形成して製造工程の短縮を図っ
た液晶表示パネルを目的とし、 第1のガラス基板上にゲートパスラインと、ドレインバ
スラインと、画素単位の篠数の薄膜トランジスタ及び画
素電極と、配向膜とを設け、前記各薄膜トランジスタの
ゲート電極を前記ゲートパスライン、ソース電極を前記
画素電極、ドレイン電極を前記ドレインバスラインにそ
れぞれ接続し、前記第1のガラス基板に対向する第2の
ガラス基板に力し−フィルタと、前記表示電極と対向す
る共通電極を設け、前記第1および第2のガラス基板間
に液晶を封入したパネルに於いて、前記第1のガラス基
板の非画素領域となる薄膜トランジスタのソース電極お
よびドレイン電極と接続するドレインバスラインの形成
領域と対向した、前記第2のガラス基板の共通電極上に
遮光体と絶縁膜とを、その順序で積層して設け、更にこ
の積層体を含む第2のガラス基板に配向膜を設けて構成
する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリク
ス型液晶表示パネルに関する。
液晶表示パネルの一画素毎に薄膜トランジスタを設けて
該トランジスタをアクティブ素子として利用するアクテ
ィブマトリックス駆動方式の液晶表示パネルは、多数の
画素をそれぞれ独立に駆動させることができるので、表
示容量の増加に伴ってスキャンハスラインやデータバス
ライン等の本数が増加しても、単純マトリックス駆動方
式の液晶表示パネルのように駆動デユーティ比が低下す
ることによるコントラストの低下をきたすような問題が
生じない利点がある。
またパネル構成がフラットで、低消費電力、鮮明なフル
カラー表示が実現できることから、小型テレビや各種O
A表示端末用として鋭意、研究開発が進められている。
〔従来の技術〕
このような従来のアクティブマトリックス駆動型の液晶
表示パネルの構成図を第5図に示し、該液晶表示パネル
の模式的断面図を第6図に、該液晶表示パネルの要部平
面図を第7図に、第7図のc−c’線に沿った断面図を
第8図に、第7図のD−D”線に沿った断面図を第9図
に示す。
第5図より第9図迄に示すように、第1の透明ガラス基
板l上には所定パターンのチタン(Ti)よりなるゲー
ト電極2が形成され、該ゲート電極2を含むガラス基板
l上に窒化シリコン(SiN)よりなる絶縁膜3が形成
され、その上にインジウム・錫酸化物(ITO)より成
る画素電極4が形成されてイル。更に該絶縁膜3上にア
モルファスシリコン(aSi)層5を介してn”5aS
i層6と、チタン(Ti)FIJ7と、アルミニウム(
A2)層8と、クロム(Cr)層9と1層10から成る
とソース電極11とドレイン電極12が形成され、該ソ
ース電極12はITO層13を介して前記画素電極4に
接続され、前記ドレイン電極12は、ゲートパスライン
14上の絶縁膜3を介して直交するドレインバスライン
15に接続されている。
また前記第1のガラス基板lに対向する第2のガラス基
板16上にポリイミド樹脂に染料を混練したカラーフィ
ルタ17が塗布形成され、該カラーフィルタ17上に透
明な170層よりなる共通電極18が全面にベタ電極と
して形成されている。そして共通電極18と画素電極4
上にそれぞれ配向膜19,20が形成され、第1のガラ
ス基板lと第2のガラス基板16との間に液晶21が封
入されて液晶表示パネルが形成されている。
このような液晶表示パネルの動作に付いて述べると、前
記したゲートパスライン14に所定の電圧を印加するこ
とでゲート電極2に所定の電圧を印加し、薄膜トランジ
スタ22を導通状態にすることでドレインバスライン1
5のデータ電圧が画素電極4に書き込まれる。即ち、画
素電極4に書き込まれたデータ電圧がセル電圧となる。
次いで薄膜トランジスタ22をオフ状態、即ち、非導通
状態とすることでセル電圧は、データ電圧の変動に殆、
ど影響無く、(容量結合があるために僅かに電圧は変動
するが)一定の状態に保持され、それによって、大容量
の液晶表示パネルが得られる。
ところで、従来の装置に於いては非画素領域、即ち、ド
レイン電極12とソース電極11よりなる薄膜トランジ
スタ22の領域とドレインバスライン15、ゲートパス
ライン14領域と、これ等の領域の間では光のON/ 
OFFは行われず、第6図に示すように偏光板23.2
4を偏光方向が直交するように設けた場合、非画素領域
25では常に光が透過するため、コントラストが低下し
ていた。
そこで第10図に示すように、第2のガラス基板16に
於いて、第1のガラス基板1の非画素領域に対向する領
域に、クロム(Cr)等の金属膜よりなる光の遮光体2
6を蒸着およびホトリソグラフィ方法を用いて所定のパ
ターンに形成し、非画素領域での光の漏れを塞いだ構造
をとっている。
また視野角を広くとったり、コントラストを向I−させ
るために液晶が1,1人される画素電極4と共1111
電極18間の距離を狭くする構造が採られているが、こ
の際、下側のガラス基板1に形成されたトレインハスラ
インI5やソース電極■1と上側のガラス基板16の共
通電極18とのショートを防止するために第11図に示
すように、上側ガラス基板16のドレインバスライン1
5とソース電極11と対向する位置に絶縁膜27を形成
する構造を採っている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、従来の構造のパネルを形成する際、第2のガ
ラス基板16−Fに先ずクロム等の遮光体26を茎着で
形成した後、該薄着膜を含む基板16上にホトリソグラ
フィを用いた所定パターンのホトレジスト膜を形成し、
該ホトレジスト膜をマスクとしてガスエツチング等を用
いて遮光体26を形成後、カラーフィルタ17をスピナ
ー等を用いて塗布形成し、更に共通電極18を基若によ
り形成した後、酸化シリコン(5in)より成る絶縁膜
29を蒸着、およびガスエンチング法を用いて所定パタ
ーンに形成後、その−Fに配向膜19を形成している。
そのため、遮光体26および絶縁膜29を所定のパター
ンに形成するためのレジストパターンを2回形成するこ
とが必要で、その都度マスク合わせをせねばならず、製
造工程が煩雑で液晶表示パネルの形成工程が掛かりすぎ
る難点があった。
本発明は上記した問題点を除去し、前記した遮蔽体と絶
縁膜を同一マスクを用いて一括して形成し、簡単な工程
でパネルが形成できるようにした液晶表示パネルのの提
供を目的とするものである。
〔課題を解決するだめの手段〕
上記目的を達成する本発明の液晶表示パネルは、第1の
ガラス基板上にゲートバスラインと、ドレインバスライ
ンと、画素単位の複数の薄膜トランジスタ及び画素電極
と、配向〇Qとを設け、前記各薄膜トランジスタのゲー
ト電極を前記ゲートバスライン、ソース電極を前記画素
電極、ドレイン電極を前記ドレインバスラインにそれぞ
れ接続し、11f[記第1のガラス基板に対向する第2
のガラス基板にカラーフィルタと、前記表示電極と対向
する共通電極を設け、前記第1および第2のガラス基板
間に液晶を封入したパネルに於いて、前記第1のガラス
基板の非画素領域となる薄膜トランジスタのソース電極
およびドレイン電極と接続するドレインバスラインの形
成領域と対向した、前記第2のガラス基板の共通電極上
に遮光体と絶縁膜とを、その順序で積層して設け、更に
この積層体を含む第2のガラス基板に配向膜を設けて構
成する。
〔作 用〕
非画素領域を遮光する遮光体と、共通電極とソース電極
およびドレインバスラインとの接触防IF用に設けた絶
縁膜の面積は略一定である。そこで遮光体と絶縁膜の製
造工程順序を変更して上記遮蔽体と絶縁膜が同一のマス
クで一括して形成されるようなパネル構造と成し、それ
によって表示パネルの製造工程を短縮させる。
〔実施例〕
以下、図面を用いて本発明の一実施例に付き3”[細に
説明する。
第1図は本発明の液晶表示パネルの平面図、第2図は第
1図のA−A ′線に沿った断面図、第3図は第1図の
B−B ’線に沿った断面図である。
第1図より第3図までに示すように、本発明の液晶表示
パネルが従来の装置と異なる点は、薄膜トランジスタが
形成された第1のガラス基板Iに対向する第2のガラス
基板15上にカラーフィルタ17が形成され、更にその
上に170層より成る透明なベタの共通電極18が形成
されている。
更にと記薄膜トランジスタのドレイン電極12並びに該
電極に接続するドレインバスライン15、ソース電極1
1の非画素領域上に対向して所定パターンに形成され、
非画素領域への光の通過を遮蔽するクロムよりなる遮光
体26、およびドレインバスライン15、ソース電極1
1と共通電極18との接触を防!ヒするためのSin膜
よりなる絶縁膜27が積層して形成され、その上に配向
膜19が形成されている点にある。
このような本発明の液晶表示パネルを形成するには、第
3図(a)に示すように第2のガラス基板16ヒにポリ
イミド樹脂に色素染料を混練したカラーフィルタ17を
スピナーを用いて均一な厚さに塗布形成する。
次いでITO層よりなるベタの共通電極18を蒸着によ
り形成する。
次いで第3図(b)に示すように、該共通電極18を含
む基板上にレジスト膜31を塗布し、該レジスト膜を所
定のパターンにホトリソグラフィ法により形成する。
次いで該レジスト膜31を形成した基板上に金属クロム
膜より成る遮光体26、酸化珪素(Sin)より成る絶
縁膜27としてのSin膜を蒸着により連続して形成す
る。
更に第3図(C)に示すように、前記形成したレジスト
膜31を除去することで、その上の不要な金属クロム膜
26および絶縁膜27を除去して共通電極18上に金属
クロム膜26と絶縁膜27が積層形成されたガラス基板
16が得られる。
更に前記したように第1のガラス基板上に、所定パター
ンのチタン(Ti)よりなるゲート電極2を蒸着、およ
びエツチングを用いて形成し、該ゲート電極2を含むガ
ラス基板1上に、窒化シリコン(SiN)よりなる絶縁
膜3を蒸着等により形成し、更に該絶縁膜3上に蒸着お
よびエツチングにより形成したaSi層5を介してn”
:aSi層5とTi層7とAI層8を形成する。更にそ
の上に画素電極4と接続するためのインジウム・錫酸化
物(ITO)層13と、画素電極4を蒸着およびエツチ
ング法を用いて形成する。更に01層9とAffi層1
oがら成るソース電極11とドレイン電極12を蒸着お
よびエツチング法を用いて形成する。前記ソース電極1
1は170層13を介して前記画素電極4に接続し、前
記ドレイン電極12は、ゲートパスライン14上の絶縁
膜3を介して直交するドレインバスライン15に接続す
る。
そしてこれ等電極を形成した基板上にポリイミド樹脂よ
りなる配向膜20を塗布形成し、ガラス基板】、16間
に液晶21を封入して液晶表示パネルを形成する。
このようにすれば、遮光体26および絶縁膜27を形成
するためのレジストパターンが同一ノホトマスクで一括
形成されるので、従来の方法に比較して製造工程が大幅
に短縮される。
尚、本実施例では絶縁膜としてSin膜を蒸着により形
成したが、ポリイミド樹脂をスピナーを用いて塗布形成
しても良い。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように本発明によれば、非画素
領域への光の入射を防止する遮光体、およびソース電極
およびドレインバスラインとの接触を防止するための絶
縁膜を形成するためのレジストパターンが同一マスクを
用いて一括して形成されるので液晶表示パネル形成に要
する工程が大幅に短縮される効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の液晶表示パネルの要部平面図、第2図
は第1図のA−A ’線に沿った断面図、第3図は第1
図のB−B ′線に沿った断面図、第4図(a)、第4
図(b)、第4図(C)ハ本発明(7) YTL 品表
示パネルの製造工程を示す断面図、 第5図はアクティブマトリックス駆動型液晶表示パネル
の構成図、 第6図は従来の液晶表示パネルの模式的断面図、第7図
は従来の液晶表示パネルの要部平面図、第8図は第7図
のc−c ’線に沿った断面図、第9図は第7図のD−
D ’線に沿った断面図、第10図は従来の液晶表示パ
ネルの模式的断面図、第11図は従来の液晶表示パネル
の模式的断面図である。 図において、 ■は第1のガラス基板、2はゲート電極、3は絶縁膜、
4は画素電極、5はa−Si層、6はn”:aSi層、
7はTi層、8,10はA2層、9はCrl5.11は
ソース電極、12はドレイン電極、13はITO層、1
4はゲートパスライン、15はドレインバスライン、1
6は第2のガラス基+反、17はカラーフィルり、18
は共通電極、19.20は配向膜、21は液晶、26は
遮光体、27は絶縁膜、3Iはレジスト膜を示す。 才4S9〃眉に一シA炙木ハ・亨11萼Ipモ面1フ第
1図 才r■IA A−A’線材句図 第2図 21図のB−8’a泉片面図 第3図 (G3 +l)+ (C) 年勃シガ心友晶材ハ・デルn^こ遣Tネfを脂よti酎
U第4図 了7テイ7淋ソ、ッ7ズ5ビ動14塙−ち(し扛ハI九
司ヂ葦へ′の第5図 第6図 梯子のメし亀衷末パネル午零即平面Nり第7図 1c)All 第8図 オフ r’3 、PID −D’ 、!J ts;9−
t−、肘(h IZI第9図 第10図 ゾロめ3花山親木ハ0半ルqj#Xr吟諮ケi句図第1
1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  第1のガラス基板(1)上にゲートバスライン(14
    と、ドレインバスライン(15)と、画素単位の複数の
    薄膜トランジスタ及び画素電極(4)と、配向膜(19
    )とを設け、前記各薄膜トランジスタのゲート電極(2
    )を前記ゲートバスライン(14)、ソース電極(11
    )を前記画素電極(4)、ドレイン電極(12)を前記
    ドレインバスライン(15)にそれぞれ接続し、前記第
    1のガラス基板(1)に対向する第2のガラス基板(1
    6)にカラーフィルタ(17)と、前記表示電極と対向
    する共通電極(18)を設け、前記第1および第2のガ
    ラス基板間に液晶(21)を封入したパネルに於いて、 前記第1のガラス基板(1)の非画素領域となる薄膜ト
    ランジスタのソース電極およびドレイン電極と接続する
    ドレインバスラインの形成領域と対向した、前記第2の
    ガラス基板(6)の共通電極(18)上に遮光体(26
    )と絶縁膜(27)とを、その順序で積層して設け、更
    にこの積層体を含む第2のガラス基板に配向膜(20)
    を設けたことを特徴とする液晶表示パネル。
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