JPH01268157A - ヒートシンク付セラミックパッケージ基板の製造方法 - Google Patents
ヒートシンク付セラミックパッケージ基板の製造方法Info
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- JPH01268157A JPH01268157A JP9574088A JP9574088A JPH01268157A JP H01268157 A JPH01268157 A JP H01268157A JP 9574088 A JP9574088 A JP 9574088A JP 9574088 A JP9574088 A JP 9574088A JP H01268157 A JPH01268157 A JP H01268157A
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はICチップやLSIチップなどのチップを搭載
するヒートシンク付セラミックパッケージに関するもの
である。
するヒートシンク付セラミックパッケージに関するもの
である。
(従来の技術)
近年、コンピュータ装置をはじめとする種々の電子機器
に実装されるICは、半導体素子技術の発展による素子
の高集積化および動作の高速化に伴い、発生熱量が大き
く増大している。
に実装されるICは、半導体素子技術の発展による素子
の高集積化および動作の高速化に伴い、発生熱量が大き
く増大している。
ところが一般にICなどにとっては、信転性の高い装置
を得るためにはICの内部温度を規定温度以下に抑える
必要がある。このため、装置内に冷気を供給したり、I
Cチップを搭載するパンケージの構造自身の放熱特性の
改善にも種々の考案がなされている。
を得るためにはICの内部温度を規定温度以下に抑える
必要がある。このため、装置内に冷気を供給したり、I
Cチップを搭載するパンケージの構造自身の放熱特性の
改善にも種々の考案がなされている。
そしてこのような改良によって放熱特性の向上がはかれ
ない場合においては、アルミニウムまたは銅製等金属の
ヒートシンクをICチップを固着しているアルミナ基板
に熱伝導率が高い接着剤やロウ材によって接合して一体
構造とすることにより、放熱能力を向上させるようにし
ている。
ない場合においては、アルミニウムまたは銅製等金属の
ヒートシンクをICチップを固着しているアルミナ基板
に熱伝導率が高い接着剤やロウ材によって接合して一体
構造とすることにより、放熱能力を向上させるようにし
ている。
(発明が解決すべき課題)
従来は第3図に示す如く、セラミックからなるICパッ
ケージのセラミック2の下面にU字状突起を有するコバ
ール製ヒートシンク材1を銀ロウ等のロウ材3により接
合しているが、ヒートシンク材のダイアタッチ面1aの
上にも余剰ロウ材が流れ出し、図示の如くダイアタッチ
面1aの周縁上で斜面を形成してしまい、ICチップの
搭載が不可能となることがあった。
ケージのセラミック2の下面にU字状突起を有するコバ
ール製ヒートシンク材1を銀ロウ等のロウ材3により接
合しているが、ヒートシンク材のダイアタッチ面1aの
上にも余剰ロウ材が流れ出し、図示の如くダイアタッチ
面1aの周縁上で斜面を形成してしまい、ICチップの
搭載が不可能となることがあった。
(課題を解決するための手段)
本発明は上記の如き課題を解決する方法にしてその概要
は以下のとおりである。
は以下のとおりである。
セラミックパッケージを構成するセラミックにヒートシ
ンク材を接合するに当り、予めヒートシンク上のダイア
タッチ面にヒートシンク材と加熱反応しない無機質粉末
を被覆した後、次にパッケージを構成するセラミックと
ヒートシンク材の接合面をロウ付けするヒートシンク付
基板の製造方法に存する。
ンク材を接合するに当り、予めヒートシンク上のダイア
タッチ面にヒートシンク材と加熱反応しない無機質粉末
を被覆した後、次にパッケージを構成するセラミックと
ヒートシンク材の接合面をロウ付けするヒートシンク付
基板の製造方法に存する。
(作 用)
セラミックパッケージに用いられるセラミックは特に限
定するものではないが、通常アルミナや^IN等が用い
られる。
定するものではないが、通常アルミナや^IN等が用い
られる。
又、ヒートシンク材は金属もしくは準するもので、例え
ば銅−タングステン、モリブデン、コバール、銅又はア
ルミニウム及びそれらの合金、AIN等があげられ、必
要に応じNiめっき等が施される。
ば銅−タングステン、モリブデン、コバール、銅又はア
ルミニウム及びそれらの合金、AIN等があげられ、必
要に応じNiめっき等が施される。
次に本発明で用いられる無機質粉末としては、八120
3+SiO□、Cab、 Mgo、Mn0z、KzO,
BzOa+5iJ4.BN+SiC,B4C等があげら
れるが、ヒートシンク材料とは加熱によっても反応しな
いものを選択する必要がある。
3+SiO□、Cab、 Mgo、Mn0z、KzO,
BzOa+5iJ4.BN+SiC,B4C等があげら
れるが、ヒートシンク材料とは加熱によっても反応しな
いものを選択する必要がある。
このように無機質粉末を以てヒートシンクのダイアタッ
チ面を被覆してからセラミックとヒートシンクとを銀ロ
ウ付けすることにより、銀ロウはダイアタッチ面に流れ
て行く余地がないので、後に無機質粉末を除去すればダ
イアタッチ面の平面性が保持され容易にICチップを搭
載することができる。
チ面を被覆してからセラミックとヒートシンクとを銀ロ
ウ付けすることにより、銀ロウはダイアタッチ面に流れ
て行く余地がないので、後に無機質粉末を除去すればダ
イアタッチ面の平面性が保持され容易にICチップを搭
載することができる。
実施例
例1 コバール板(ヒートジンクキわ付フラットパッケ
ージの製造 第1図に示すようにU字型の壁体を有するコバールヒー
トシンク材1をセラミック2に接合する場合、予めダイ
アタッチ面1aにヒートシンク材と反応し難いA1□0
3の如き無機質粉末4を水又は有機溶剤の助けをかりて
塗布乾燥し、ついでセラミック2とヒートシンク材1と
をロウ付け3した後、この無機質粉末を除去して目的と
する基板を製造した。
ージの製造 第1図に示すようにU字型の壁体を有するコバールヒー
トシンク材1をセラミック2に接合する場合、予めダイ
アタッチ面1aにヒートシンク材と反応し難いA1□0
3の如き無機質粉末4を水又は有機溶剤の助けをかりて
塗布乾燥し、ついでセラミック2とヒートシンク材1と
をロウ付け3した後、この無機質粉末を除去して目的と
する基板を製造した。
ロウ付けでもロウ材はダイアタッチ面に流れ出さなかっ
た。
た。
因みにダイアタッチ面上への銀ロツ流れ発生率をのべれ
ば、実施例1 (本発明)の場合O/1000であるの
に対し、無機質粉末を用いない従来の製造法では856
/1000発住した。
ば、実施例1 (本発明)の場合O/1000であるの
に対し、無機質粉末を用いない従来の製造法では856
/1000発住した。
例2 銅タングステン(ヒートシンク材)付フラットパ
ッケージの製造 第2図に示すように段差部はあるが、はソ゛板状の銅タ
ングステンヒートシンク材1を用いてセラミック2に接
合する場合、予めダイアタッチ面1aにAIJ3の如き
ヒートシンク材と反応し難い無機質粉末4を水又は有機
溶剤を用いて塗布乾燥し、ついでセラミック2とヒート
シンク材1とをロウ材によりロウ付け3して接続した後
、この無機質粉末4を除去して目的とする基板を製造し
た。
ッケージの製造 第2図に示すように段差部はあるが、はソ゛板状の銅タ
ングステンヒートシンク材1を用いてセラミック2に接
合する場合、予めダイアタッチ面1aにAIJ3の如き
ヒートシンク材と反応し難い無機質粉末4を水又は有機
溶剤を用いて塗布乾燥し、ついでセラミック2とヒート
シンク材1とをロウ材によりロウ付け3して接続した後
、この無機質粉末4を除去して目的とする基板を製造し
た。
ロウ付けでロウ材がダイアタッチ面1aに流れ出さなか
った。
った。
例12例2において無機質粉末は、水流噴霧或いは超音
波洗滌等により除去することができる。又これにより容
易に目的とする基板を得ることができる。
波洗滌等により除去することができる。又これにより容
易に目的とする基板を得ることができる。
無機質粉末を除去後は通常のメソキ工程により表面処理
がなされる。
がなされる。
(発明の効果)
本発明によればダイアタッチ面を被覆しロウ付は作業を
行なうので、ロウ材がダイアタッチ面に流れ出さず、I
Cチップの搭載が容易となり、信頼性の高い半導体装置
を製造することができる。
行なうので、ロウ材がダイアタッチ面に流れ出さず、I
Cチップの搭載が容易となり、信頼性の高い半導体装置
を製造することができる。
第1図、第2図は本発明の方法のロウ付直後の状態の各
側を示すための断面図、第3図は従来の技術によりロウ
付した状態を示す断面図である。 1・・・セラミック 2・・・ヒートシンク材3・・
・ロウ付け 4・・・無機質粉末代理人 弁理士
竹 内 守
側を示すための断面図、第3図は従来の技術によりロウ
付した状態を示す断面図である。 1・・・セラミック 2・・・ヒートシンク材3・・
・ロウ付け 4・・・無機質粉末代理人 弁理士
竹 内 守
Claims (1)
- セラミックパッケージを構成するセラミックにヒート
シンクを接合するに当り、ヒートシンク上のダイアタッ
チ面にヒートシンクを構成している材料と加熱反応しな
い無機質粉末を被覆した後、前記セラミックとヒートシ
ンクとの接合面をロウ付けすることを特徴とするヒート
シンク付セラミックパッケージ基板の製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9574088A JPH01268157A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ヒートシンク付セラミックパッケージ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9574088A JPH01268157A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ヒートシンク付セラミックパッケージ基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01268157A true JPH01268157A (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=14145887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9574088A Pending JPH01268157A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ヒートシンク付セラミックパッケージ基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01268157A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5444025A (en) * | 1991-10-23 | 1995-08-22 | Fujitsu Limited | Process for encapsulating a semiconductor package having a heat sink using a jig |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP9574088A patent/JPH01268157A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5444025A (en) * | 1991-10-23 | 1995-08-22 | Fujitsu Limited | Process for encapsulating a semiconductor package having a heat sink using a jig |
US5659200A (en) * | 1991-10-23 | 1997-08-19 | Fujitsu, Ltd. | Semiconductor device having radiator structure |
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