JPH0191443A

JPH0191443A - マイクロ波集積回路用パッケージ

Info

Publication number: JPH0191443A
Application number: JP24815587A
Authority: JP
Inventors: Fuminori Ishizuka; 文則石塚; Nobuo Sato; 信夫佐藤
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1987-10-02
Filing date: 1987-10-02
Publication date: 1989-04-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、マイクロ波増幅器などを収容するためのマイ
クロ波集積回路用セラミックパッケージに関するもので
ある。。

（従来の技術）従来、マイクロ波集積回路を構成している増幅器等を収
容するセラミックパッケージとしては、例えば第３図に
示すように信号電極およびバイアス電圧供給用電極をパ
ターンニングした第１層セラミック基板２Ａと、絶縁層
としての第２層のセラミック基板２Ｂとを積層してセラ
ミック枠体２を構成し、該セラミック枠体２の上には封
止用導体パターン６が設けられている。金属基体１はマ
イクロ波集積回路を装着する基板となるだけでなく、不
図示のケース等に固定するための基板を兼ねる。

セラミック枠体２の外部回路等と接続する側の外壁には
前記電極パターン周囲を除き、前記金属基体１と封止用
金属蓋体（不図示）と導通をとるための導体パターン７
が形成される。集積回路増幅器（不図示）は、枠体２で
囲まれた金属基体１の一領域５に取り付けられていて、
一方、枠体２には高周波入出力用電極パターン３Ａ、　
３Ｂやバイアス電圧供給用電極パターン４Ａ、　４Ｂが
複数個、図示のように配置されている。すなわち枠体２
を構成する第１層のセラミック板２Ａは、高周波用マイ
クロストリップ線路８、バイアス電圧供給用マイクロス
トリップ線路９および接地用導体パターン７Ａを備えた
セラミック基板であり、枠体２を構成する第２層のセラ
ミック板２Ｂは接地用導体パターン７Ｂを備えた絶縁体
としてのセラミック基板である。

このようにして、マイクロ波集積回路増幅器と、高周波
出力用電極パターン３Ｂ、バイアス電圧供給用電極パタ
ーン４Ｂとはボンディングワイヤや金リボンによって電
気的に接続される。６は枠体２の上面に覆蓋される蓋部
材（不図示）を用いて、ハーメチックシールするための
封止用導体パターン、ｌＯは金属基体ｌを不図示のケー
スに固定するためのねじ用の穴である。１１は導体パタ
ーン３Ａ、　３Ｂに接続され、不図示の外部回路等に接
続されるためのリードである。

上記説明のようにセラミックを積層形成した枠体からな
るパッケージでは、高周波用マイクロストリップ線路８
と、高周波入出力用電極パターン３Ａ、　３Ｂと、リー
ド端子１１とからなる高周波入力端子１２（または高周
波出力端子１３）から漏れたマイクロ波がセラミック枠
体２を介して高周波出力端子１３　（または高周波入力
端子１２）に発生したり、セラミック枠体２によるリン
グ共振により、高周波入出力端子間のアイソレーション
が劣化し、増幅回路の利得の低下や発振現象を招くなど
、特に数ＧＨｚ以上で使用するマイクロ波集積回路を構
成している増幅器等の収容パッケージとしては不十分で
あった。さらに、セラミック枠体２の外壁に設けた接地
用導体パターン７は蓋部材を接地する上では効果がある
ものの、セラミックリングによる共振現象を助長するの
で、逆に設けない方がよいなど、上記説明の形態では、
パッケージの高周波化を図る上で困難を生じていた。

（発明が解決しようとする問題点）本発明は、前述した従来の欠点を除去し、複雑な工程を
使用することなく、導電性材料を介して填め合わせ固着
一体化形成する簡単な構成と、接地用導体パターンを併
用することにより電磁シールド性を高めて３０ＧＨｚ帯
の超高周波まで高周波化した安価なマイクロ波集積回路
用パッケージを提供することにある。

（問題点を解決するための手段）本発明は、マイクロ波集積回路を取り付けた基体と、該
基体上に前記マイクロ波集積回路を取り囲んで設けられ
たセラミック枠体とを有するマイクロ波集積回路用パッ
ケージにおいて、尚記セラミック枠体が少なくとも一つ
の信号線路導体が貫通した第１セラミック部材と該第１
セラミック部材を挟む二つの第２のセラミック部材とか
ら成り、前記信号線路導体の両側に、前記セラミック枠
体の断面内に導電性材料を設ける。

また前記第２のセラミック部材の上面および側面に導電
パターンを設け、該導電パターンと、セラミック枠体の
断面に設けられた前記導電性材料と、前記金属基体とが
互いに導通接続する。

本発明のマイクロ波集積回路用パッケージによれば、高
周波信号端子部材とバイアス供給用端子を具備するセラ
ミック部材を、導電性材料を介して填め合わせ固着一体
化形成した単純なセラミック枠体構成と、接地用導電性
パターンを併用することによって、複雑な工程を使用す
ることなく、高周波入出力端子の電磁シールド性を高め
、セラミック枠体を介したマイクロ波の漏れに起因する
高周波特性の劣化を防止して、３０ＧＨｚ帯の超高周波
まで高周波化した安価なマイクロ波集積回路用パッケー
ジを提供できる。

（実施例）以下に、図面を参照して本発明の実施例を具体的に説明
する。第１図（ａ）は本発明の一実施例の斜視図、第１
図（ｂ）は第１図（ａ）のＰ−Ｑから見た側面図、第２
図は本発明の高周波特性の測定結果を示す図である。

第１図（ａ）において、２６は金属基体、１４は高周波
用セラミック部材、２３Ａ、　２３Ｂは高周波入出力用
マイクロストリップ線路の導体パターン、２４Ａ。

２４Ｂはバイアス電圧供給用マイクロストリップ線路の
導体パターン、１８は高周波用セラミック部材１４を除
いた枠体用セラミック部材、１９はセラミック部材断面
に設けられた導電性材料、２ＯＡ、　２０８゜２０Ｃは
導体パターン、２１はマイクロ波集積回路搭載部、２３
はシールリング、２５はねじ穴、１１はリード端子であ
る。

高周波用セラミック部材１４は、５０Ωインピ一ダンス
整合されたマイクロストリップ線路の導体パターン２３
Ａおよび２３Ｂに導通接続され、マイクロ波集積回路搭
載部２１側に通じた導体パターン２３Ｂを具備した方形
のセラミック基板１５Ａと、前記セラミック基板より小
さい方形の絶縁体としてのセラミック基板１５Ｂとを線
路導体２３Ａ、　２３Ｂの一部が露出するように積層し
て形成される。枠体１８はバイアス電圧供給用導体パタ
ーン２４Ａおよび２４Ｂに導通接続され、マイクロ波集
積回路搭載部２１側に通じた導体パターン２４Ｂを具備
したＬ字形の第１層のセラミック基板１８Ａに、絶縁体
としての第２層のセラミック基板１８Ｂを導体パターン
２４Ａ、　２４Ｂの一部が露出するように積層して形成
される。Ｌ字形のセラミック部材１８には、あらかじめ
導体パターン２４Ａ、　２４Ｂとセラミック基板１８Ａ
、　　１８Ｂとリード端子１１とから成るバイアス供給
用端子２２の絶縁を有する部分を除いたセラミックの面
を各面とも導通がとれるようにタングステン等の導電性
ペースト材料を用いて導電パターン２ＯＡ、　２０Ｂ、
　２０Ｃを形成する。

また、高周波用セラミック部材１４には、あらかじめマ
イクロストリップ線路導体２３Ａ、　２３Ｂの両側の端
子側面のセラミック面とセラミック基板１５Ｂの上面と
をメタライズする。

高周波用セラミック部材１４とＬ字形のセラミック部材
１８との端面に、導電材料、例えばモリブデン・マンガ
ン合金の導電ペーストを塗布し、填め合わせ接合するこ
とによって方形の枠体を形成する。この後、焼成しセラ
ミック化してハーメチックシールする。これによって、
高周波用セラミック部材１４は、Ｌ字形のセラミック部
材１８から導電性材料１９および導電パターン２ＯＡ、
　２０Ｂ、　２０Ｃによってシールドされた形状となる
。

この方形形状となった枠体２７は、マイクロ波集積回路
（不図示）を搭載する領域である搭載部２１を有するよ
うに金属基体２６にろう付けされる。

次に、ハーメチックシールするために金属性のシールリ
ング２３を枠体２７の上面にろう付けする。

線路導体２３Ａ、　２４Ｂには外部回路等と接続される
ためのリード１１がろう付けされている。

このようにして、マイクロ波集積回路の信号端子やバイ
アス端子はワイヤやリボンによって線路導体２３８．２
４Ｂに接続され、金属性蓋部材によってハーメチック封
止され、不図示のケース等にねじ穴を利用して固定され
る。その結果、蓋部材（不図示）、シールリング２３、
導電パターン２ＯＡ、　２０Ｂ。

２０Ｃおよび導電性材料１９は接地基板としての金属基
体２６にすべて導通ずることになる。

（発明の効果）以上説明したように、セラミック枠体を使用しているに
もかかわらず、高周波用セラミック部材１４とＬ字形の
セラミック部材１日の誘電体部が、導電性材料１９と導
体パターン２ＯＡ、　２０Ｂ、　２０Ｃと電磁的にシー
ルドされるので、従来のセラミックパッケージで問題で
あった高周波入力端子Ａからの漏洩電磁波がセラミック
枠体を介して、またはセラミック枠体のリング形状に起
因して高周波用セラミック部材１４に不要な電磁波が発
生する現象を抑止できるので、パッケージの高周波化が
期待される。

そこで、上記説明に従って製作したパッケージの特性を
第２図に示す。本発明のパッケージは、３０ＧＨｚ帯に
おいても、挿入損失が劣化せず、信号端子間アイソレー
ションが３０数ｄＢ以上と高アイソレーシヨン化を達成
していることがわかる。

従来のセラミックパッケージをマイクロ波集積回路増幅
器に適用した場合では、数ＧＨｚになるとパッケージの
信号端子間アイソレーション低化により発振等の問題を
生じた。

本発明のパッケージをマイクロ波集債回路増幅器に適用
すると、上記問題が生ぜず、マイクロ波集積回路増幅器
の特性を損なうことなくパッケージングでき、上記説明
の電磁シールド効果が有効であることがわかる。

したがって、本発明のパッケージを用いれば、複雑な工
程を使用することなく、高周波入出力端子およびセラミ
ック誘電体枠体の電磁シールド性を高め、セラミック枠
体を介したマイクロ波の漏れに起因する高周波特性の劣
化を防止して、３０６Ｈ２帯の超高周波まで高周波化し
た安価なマイクロ波集積回路用パッケージを提供できる
。

ここでは、高周波端子２箇所とバイアス供給端子２箇所
を有するパッケージについて説明したが、発振器等に適
用した高周波端子１箇所、バイアス供給端子１箇所を有
するパッケージの場合や、ミキサー等に適用した高周波
端子３箇所、バイアス供給端子１箇所から２箇所の場合
についても、同様の効果が期待できることは明らかであ
る。

また、バイアス供給用端子を兼ねた入出力高周波端子を
有するパッケージの場合についても、同様の効果が期待
できることは明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明のパッケージの構成を示す斜視図
、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示す本発明のパッケージ
のＰ−Ｑから見た、すなわち高周波入力端子側から見た
側面図、第２図は本発明パッケージの高周波特性の測定結果を示
す図、第３図は従来のパッケージの斜視図である。１・・・金属基体　　　　　　２・・・セラミック枠体
２Ａ・・・第１層のセラミック板２Ｂ・・・第２層のセラミック板３Ａ、　３Ｂ・・・高周波入出力用電極パターン４＾、
　４Ｂ・・・バイアス電圧供給用電極パターン５・・・
金属基本１の一領域６・・・封止導体パターン　　７・・・導体パターン７
＾、　７Ｂ・・・接地用導体パターン８・・・高周波マ
イクロストリップ線路９・・・マイクロストリップ線路１０・・・ねじ穴　　　　　　１１・・・リード端子１
２・・・高周波入力端子　　１３・・・高周波出力端子
１４Ａ・・・高周波入力端子用セラミック部材１４Ｂ・
・・高周波出力端子用セラミック部材１５Ａ、　１５Ｂ
・・・セラミック基板１８・・・Ｌ字形のセラミック部
材１８Ａ・・・第１層のセラミック基板１８Ｂ・・・第２層のセラミック基板１９・・・導電性材料２ＯＡ、　２０Ｂ、　２０Ｃ・・・導電パターン２１・
・・マイクロ波集積回路搭載部２２・・・バイアス供給用端子２３・・・シールリング２３Ａ、　２３Ｂ・・・高周波用入出力用導体パターン
２４Ａ、　２４Ｂ・・・バイアス電圧供給用導体パター
ン２５・・・ねじ　　　　　　　　２６・・・金属基体
２７・・・枠体

Claims

【特許請求の範囲】１、マイクロ波集積回路を取り付けた基本と、該基体上
に前記マイクロ波集積回路を取り囲んで設けられたセラ
ミック枠体とを有するマイクロ波集積回路用パッケージ
において、前記セラミック枠体が少なくとも一つの信号
線路導体が貫通した第１セラミック部材と該第１セラミ
ック部材を挟む二つの第２のセラミック部材とから成り
、前記信号線路導体の両側に、前記セラミック枠体の断
面内に導電性材料を設けたことを特徴とするマイクロ波
集積回路用パッケージ。２、前記第２のセラミック部材の上面および側面に導電
パターンを設け、該導電パターンと、セラミック枠体の
断面に設けられた前記導電性材料と、前記金属基体とが
互いに導通接続することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のマイクロ波集積回路用パッケージ。