JPH01258475A - 振動形トランスデュサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、振動形トランスデュサの製造方法に関するも
のである。

更に詳述すれば、本発明は、シェルを有しシリコン単結
晶の基板状に設けられシリコン単結晶材よりなる振動梁
を有する振動形トランスデュサの製造方法に関するもの
である。

〈従来の技術〉 第１０図は従来より一般に使用されている従来例の構成
説明図で、圧力センサに使用せる例を示し、第１１図は
第１０図におけるＸ−Ｘ断面図、第１２図は一部を省略
した平面図である。

このような装置は、例えば、特願昭５９−４２６３２号
公報に示されている。

これらの図において、１は弾性を有する半導体で構成さ
れた基板で、例えば、シリコン基板が用いられている。

２はこの半導体基板１の一部を利用して構成されている
受圧ダイアフラムで、例えば、半導体基板１をエツチン
グして構成される。

３および４は受圧ダイアフラム２上に形成された両端固
定の微小な振動梁で、振動梁３は受圧ダイはぼ中央部に
、振動梁４は受圧ダイアフラム２の周縁部にそれぞれ位
置している。この振動梁３゜４は、例えば半導体基板１
において、振動梁に相当する箇所の周辺部を、例えばア
ンダエッチングして形成されている。

５はシェルで、受圧ダイアフラム２上に形成させた振動
梁３の周囲を覆い、この内部２５（振動梁３の周囲）を
真空状態に保持するようにしたものである。シェル５は
、この場合は、シリコンで構成され、受圧ダイアフラム
２に、例えば陽極接合法によって取付けられる。シェル
５は振動梁４にも設けられているが、ここでは省略する
。なお、シェル５は、第１０図においては、分りやすく
するために省略されている。

第１３図は第１１図における振動梁付近を拡大して示す
断面図である。ここでは、受圧ダイアフラム２としてｎ
形シリコン基板を用いた例である。

この図において、２１ａ、２１ｂはＰ＋層で、２１ａ、
２１ｂとは切込み部２０によって電気的に分離している
。２２はｎ形エピタキシアル層、２３はＰ＋層、２４は
Ｓ　ｉ　Ｏ２層である。エピタキシアル層２２の一部は
、例えば、アンダーエツチングによって隙間部２５が形
成されており、振動梁３（４）は隙間部２５状を跨がる
両端固定のＰ層と５ｔＯ２層とによって構成されている
。

第１３図において振動梁３（４）を構成するＰ層２３と
、隙間部２５を介して対向するＰ層２１ａ、２１ｂは、
静電容量電極を構成しており、ここでは振動片３（４）
を、Ｐ＋層２１ａとＰ＋層２３との間に働く静電力を利
用して励振させ、また、Ｐ＋層２１ｂとＰ＋層２３との
間の静電容量変化によって、振動梁３（４）の振動を検
出するようになっている。

Ｏ２０は発振回路で、この回路は外部、あるいは、半導
体基板１を利用して構成されており、入力端はＰ十層２
１ｂが接続され、振動梁３（４）の振動に関連した信号
が印加される。また、出力端はＰ”層２１ａが接続され
、Ｐ十層２１ａとＰ十層２３間に出力信号を与える。こ
れによって、発振回路Ｏ８Ｃと振動梁３（４）とは振動
梁の固有振動数で発振する自励発振回路を構成する。

このように構成した圧力センサにおいて、受圧ダイアフ
ッラム２に、第１１図の矢印Ｐに示すように、内側から
圧力を与えるものとすれば、この圧力を受けて受圧ダイ
アフラム２は撓み、中央に形成されている振動梁３には
引張力が、ダイアフラム２の周縁部に形成されている振
動梁４には圧縮力がそれぞれ加わる。これにより各振動
梁３゜４の固有振動数ｒ＋　、ｆ２は、圧力Ｐに対して
差動的に変化する事となり、例えば、ｆ、−ｆ２の差を
演算することによって、圧力Ｐを測定することができる
。

しかして、シェル５により振動梁３，４が真空中に置か
れる為、振動梁３．４のＱを高くするこ　　・とができ
る。

しかしながら、この様な装置においては、受圧ダイアフ
ラム２にシェル５を取付けねばならないので、陽極接合
法等の接合技術が必要となり、接合時に振動梁に悪影響
を及ぼす恐れがある。また、接合強度等問題となり、小
形化にも限度を有する。

このような問題点を解決するために、本願出願人は昭和
６２年６月２６日出願の特願昭６２−１５９０７３　ｒ
発明の名称；振動形トランスデュサの製造方法」を出願
している。

以下、この出願について、第１４図から第２０図により
説明する。

図において、第１０図から第１３図までと同一記号は同
一機能を示す。

以下、第１０図から第１３図までと相違部分のみ説明す
る。

（１）第１４図に示すごとく、ｎ型シリコン（１００）
面にカットされた基板１に、シリコン酸化物あるいはシ
リコン窒化物の膜１０１を形成する。

膜１０１の所要の箇所をホトリソグラフィにより除去す
る。

（２）第１５図に示すごとく、１０５０℃の水素（Ｈ２
）雰囲気中で塩酸でエツチングを行い基板１に所要箇所
１０２をエツチングして膜１０１をアンダーカットして
四部１０３を形成する。

なお、塩酸の代りに、高温水蒸気、酸素を用いるか、あ
るいは、４０゛Ｃ〜１３０℃のアルカリ液による異方性
エツチングでもよい。

（３）第１６図に示すごとく、１０５０”Ｃの水素（Ｈ
２）雰囲気中でソースガスにＨＣＩガスを混入して選択
エピタキシャル成長法を行う。

すなわち、 ■ボロンの濃度１０１９ｃｍ’のＰ形シリコンにより、
隙間部２５の下半分に相当する第１エピタキシャル層１
０４を選択エピタキシャル成長させる。

■ボロンの濃度１０２０ｃｍ−３のＰ形シリコンにより
、第１エピタキシャル層１０４の表面に、所要の箇所１
０２を塞ぐように、振動梁３．４に相当する第２エピタ
キシャル層１０５を選択エピタキシャル成長させる。

■ボロンの濃度１０１９ｃｍ’のＰ形シリコンにより、
第２エピタキシャル層１０５の表面に、隙間部２５の上
半分に相当する第３エピタキシャル層１０６を選択エピ
タキシャル成長させる。

■リンの濃度１０１７ｃｍ″３のｎ形シリコンにより、
第３エピタキシャル層１０６の表面に、シェル５に相当
する第４エピタキシャル層１０７を選択エピタキシャル
成長させる。

（４）第１８図に示すごとく、シリコン酸化物、あるい
は、シリコン窒化物の膜１０１をフッ化水素酸（ＨＦ）
でエツチングして除去し、エツチング注入口１０８を設
ける。

（５）第１９図に示すごとく、第２層に対して基板１と
第４層に正の、パルスを印加して、エツチング注入口１
０８よりアルカリ液を注入して、第１エピタキシャル層
１０４と第３エピタキシャル層１０６を選択エツチング
して除去する。

第２エピタキシャル層１０５と第１エピタキシャル層１
０４あるいは第３エピタキシャル層１０６との間にエツ
チング作用の差があ°るのは、ボロンの濃度が３Ｘ１０
’　”　ｃｍ″３以上となるとエツチング作用に抑制現
象が生ずることによる。

このことは、例えば、「トランスデュサーズー８７」日
本電気学会発行の１２３ページ　Ｆｉｇ８に示されてい
る。

（６）熱酸化処理を行い各表面に酸化シリコン膜１０９
を生ぜしめる。なお、寸法精度がより緩かな場合には、
この工程は必要としない。

（７）第１９図に示すごとく、プラズマエツチング処理
により、基板１と第４エピタキシャル層１０７の外表面
の酸化シリコンｖ１０９を除去する。

なお、（６）の熱酸化処理を行なわない場合には、この
工程も必要としない。

（８）第２０図に示すごとく、１０５０℃の水素（）ｉ
２）中でｎ形シリコン、のエピタキシャル成長を行い、
基板１と第４エピタキシャル層１０７の外表面に、エピ
タキシャル成長層１１１を形成し、エツチング注入口１
０８をとじる。

なお、この工程は、 ■熱酸化によりエツチング注入口１０８をとじる。

■ポリシリコンをＣＶＤ法またはスパッタ法によりエツ
チング注入口１０８の箇所に着膜させて、エツチング注
入口１０８をとじる。

■真空蒸着法によるシリコンエピタキシャル法によりエ
ツチング注入口１０８を埋める。

■絶縁物、例えば、ガラス（ＳｉＯ２）、窒化物、アル
ミナ等をＣＶＤ法、または、スパッタ法あるいは、蒸着
法によりエツチング注入口１０８を埋めるようにしても
よい。

この結果、 （１）基板１と振動梁３，４とシェル５とが一体形で形
成されるので、基板１とシェル５との接合を必要とせず
、接合に基づく不安定さの問題が無くなる。

（２）単純な構造で、外部の流体と振動梁３，４．・を
絶縁でき、小形化が容易に出来る。

（３）振動梁３，４やシェル５の位置、厚さ、゛形状は
、半導体プロセス技術を利用して容易に正確に出来る。

したがって、精度の高い振動形トランスデュサが得られ
る。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、この様な装置においては、■ｎ形反応炉
とＰ形反応炉を交互に使用するため、能率が悪い。

■ｎ形反応炉とｐ形反応炉の間を移動するため、汚染さ
れやすい。

本発明は、この問題点を解決するものである。

本発明の目的は、エツチング注入口の封止作業を除いて
、すべてのエピタキシアル成長工程をｐ形反応炉内で行
い、歩留よく、安価で、能率の向上された振動形トラン
スデュサの製造方法を提供するにある。

く課題を解決するための手段〉 この目的を達成するために、本発明は、シリコン単結晶
の基板上に設けられ、励振手段により励振され励振検出
手段によって振動が検出されシリコン単結晶材よりなる
振動梁を形成し、該振動梁を囲み前記基板と室を構成し
該振動梁の周囲に隙間が維持されるようにシリコン材よ
りなるシェルを形成する振動形トランスデュサの製造方
法において、 前記シリコン単結晶の基板上にシリコン酸化物あるいは
窒化物の膜を形成し、 該膜の所要箇所をエツチングにより取去る、前記基板に
前記室の一部を構成する凹部をエツチングにより形成し
、 前記室の基板側部分が形成される部分に３×１０１９／
ｃｍ３程度未満のＰ形シリコンからなる第１エピタキシ
ャル層を選択エピタキシャル成長させ、 該第１エピタキシャル層の表面の前記振動梁が形成され
る位置の部分に３×１０１９／ｃｍ３程度以上のＰ形シ
リコンからなる第２エピタキシャル層を選択エピタキシ
ャル成長させ、前記室のシェル側部分が形成される部分
に３×１０１９７ｃｍ”程度未満のＰ形シリコンからな
る第３エピタキシャル層を選択エピタキシャル成長させ
、 該第３エピタキシャル層を覆って３Ｘ１０’　”／　ｃ
　ｍ　３程度以上のＰ形シリコンからなる第４エピタキ
シャル層を遇択エピタキシャル成長させ、前記膜をエツ
チングにより除去しエツチング注入口を形成し、 該注入口よりエツチング流体を注入し前記第１゜第２エ
ピタキシャル層を選択エツチングにより除去し、 前記第４エピタキシャル層を覆うとともに前記注入口を
塞ぐようにして選択エピタキシャル成長により前記シェ
ルを形成したことを特徴とする振動形トランスデュサの
製造方法を採用したものである。

く作用〉 以上の方法において、基板に振動梁と隙間対応部分とシ
ェル相当部分とを基板と一体となるように形成した後、
隙間対応部分をエツチングで除去することによって、基
板と振動梁とシェル一体形の振動形トランスデュサを得
ることができる。

また、エツチング注入口の封止作業を除いて、すべての
エピタキシアル成長工程をｐ形反応炉内で行うことが出
来る。

以下、実繕例に基づき詳細に説明する。

〈実施例〉 第１図は本発明の一実施例の要部製作工程断面斜視図で
ある。

図において、第１０図から第１３図と同一記号の構成は
同一機能を表わす。

以下、第１０図から第１３図と相違部分のみ説明する。

（１）第１図に示すごとく、ｎ型シリコン（１００）而
にカットされた基板１に、シリコン酸化物あるいはシリ
コン窒化物のｖ４２０１を形成する。

膜２０１の所要の箇所をホトリソグラフィにより除去す
る。

（２）第２図に示すごとく、１０５０℃の水素（Ｈ２）
雰囲気中で塩酸でエツチングを行い基板１に所要箇所２
０２をエツチングしてＪＩ！２０１をアンダーカットし
て凹部２０３を形成する。

なお、塩酸の代りに、高温水蒸気、酸素を用いるか、あ
るいは、４０℃〜１３０℃のアルカリ液による異方性エ
ツチングでもよい。

（３）第３図に示すごとく、１０５０℃の水素（Ｈ２）
雰囲気中でソースガスにＨＣＩガスを混入して選択エピ
タキシャル成長法を行う。

すなわち、 ■ボロンの濃度ＬＯ”ｃｍ−”のＰ形シリコンにより、
隙間部２５の下半分に相当する第１エピタキシャル層２
０４を選択エピタキシャル成長させる。

■ボロンの濃度３×１０１９ｃｍ−”のＰ形シリコンに
より、第１エピタキシャル層２０４の表面に、所要の箇
所２０２を塞ぐように、振動梁３，４に相当する第２エ
ピタキシヤル！２０５を選択エピタキシャル成長させる
。

■ボロンの濃度ＩＱ”ｃｍ’のＰ形シリコンにより、第
２エピタキシャル層２０５の表面に、隙間部２５の上半
分に相当する第３エピタキシヤルＮＪ２０６を選択エピ
タキシャル成長させる。

■ボロンの濃度３×１０１９ｃｍ−”のＰ形シリコンに
より、第３エピタキシャル層２０６の表面に、シェル５
に相当する第４エピタキシャル層２０７を選択エピタキ
シャル成長させる。

（４）第４図に示すごとく、シリコン酸化物、あるいは
、シリコン窒化物の膜２０１をフッ化水素酸（ＨＦ）で
エツチングして除去し、エツチング注入口２０８を設け
る。

（５）第５図に示すごとく、第４層に対して基板１に正
のパルスを印加して、エツチング注入口２０８よりアル
カリ液を注入して、第１エピタキシャル層２０４と第３
エピタキシャル層２０６を選択エツチングして除去する
。

第２エピタキシャル層２０５と第１エピタキシャル層２
０４あるいは第３エピタキシャル層２０６との間にエツ
チング作用の差があるのは、ボロンの濃度が３Ｘ１０’
　”　ｃｍ″３以上となるとエツチング作用に抑制現象
が生ずることによる。

（６）熱酸化処理を行い各表面に酸化シリコン膜２０９
を生ぜしめる。なお、寸法精度がより榎かな場合には、
この工程は必要としない。

（７）第６図に示すごとく、プラズマエツチング処理に
より、基板１と第４エピタキシャル層２０７の外表面の
酸化シリコン膜２０９を除去する。

なお、（６）の熱酸化処理を行なわない場合には、この
工程も必要としない。

（８）第７図に示すごとく、１０５０　’Ｃの水素（Ｈ
２）中でｎ形シリコンのエピタキシャル成長を行い、基
板１と第４エピタキシャル層２０７の外表面に、エピタ
キシャル成長層２１１を形成し、エツチング注入口２０
８をとじる。

なお、この工程は、 ■熱酸化によりエツチング注入口２０８をとじる。

■ポリシリコンをＣＶＤ法またはスパッタ法によりエツ
チング注入口２０８の箇所に着膜させて、エツチング注
入口２０８をとじる。

■真空蒸着法によるシリコンエピタキシャル法によりエ
ツチング注入口２０８を埋める。

■絶縁物、例えば、ガラス（Ｓｉ０２）、窒化物、アル
ミナ等をＣＶＤ法、または、スパッタ法あるいは、蒸着
法によりエツチング注入口２０８を埋めるようにしても
よい。

なお、振動梁３，４とシェル５との絶縁が取れないため
に、振動検出信号ｅは、第８図に示すごとく、 ｅ＝　（Ｚｓ−ｅＱ　）／　（Ｚｖ　＋ｚｓ　）Ｚｓ；
シェル５の内部インピーダンス ｅ０；振動梁３，４の起電力 Ｚｖ；振動梁３．４の内部インピーダンスとなって、減
少するが、振動梁３，４のＱ（共振の尖鋭度）が充分大
きいため、実用上問題にならない。

この結果、 （１）基板１と振動梁３，４とシェル５とが一体形で形
成されるので、基板１とシェル５との接合を必要とせず
、接合に基づく不安定さの問題が無くなる。

（２）単純な構造で、外部の流体と振動梁３，４を絶縁
でき、小形化が容易に出来る。

（３）振動梁３．４やシェル５の位置、厚さ、形状は、
半導体プロセス技術を利用して容易に正確に出来る。し
たがって、精度の高い振動形トランスデュサが得られる
。

（４）エツチング注入口２０８の封止作業を除いて、す
べてのエピタキシアル成長工程をｐ形反応炉内で行える
ので、汚染されに＜＜、歩留よく、安価で、能率が向上
された振動形トランスデュサが得られる。

なお、前述の実権例においては、圧力センサに適用せる
例を説明したが、これに限ることはなく、例えば、温度
センサ、加速度センサに適用しても良いことは勿論であ
る。

また、前述の製造方法は、両端固定の振動梁３゜４のみ
でなく、片持梁、あるいは複数固定梁であっても適用出
来る。

第９図は本発明の装置により製造した振動梁の使用例の
要部構成説明図である。

図において、３は振動梁である。振動梁３は両端がダイ
アフラム２に固定され互いに平行に配置された二個の第
１振動子３１と第一振動子３１の振動の腹の部分を相互
に機械的に結合する第二振動子３２とを備える。

４０は振動梁３に直交する直流磁界を磁石１３により加
え一方の第一振動子３１の両端に交流電流を入カドラン
ス４１により流して磁気誘導作用により振動梁３を磁界
と電流に直交する方向に励振する励振手段である。

入カドランス４１は、二次側が一方の第一振動子３１の
両端に接続されている。

５０は他方の第一振動子３１の両端に発生する起電力を
検出する振動検出手段である。この場合は、出カドラン
ス５１、増幅器５２が用いられている。出カドランス５
１の一次側は、他方の第一振動子３１の両端に接続され
、二次側は増幅器５２を介して出力端子５３に接続され
るとともに、分岐して入カドランス４１の一次側に接続
され、全体として、正帰還自動発振回路を構成する。振
動梁３の振動は、振動検出手段５０により検出され出力
信号として取出される。

〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明は、シリコン単結晶の基板
上に設けられ、励振手段により励振され励振検出手段に
よって振動が検出されシリコン単結晶材よりなる振動梁
を形成し、該振動梁を囲み前記基板と室を楕成し該振動
梁の周囲に隙間が維持されるようにシリコン材よりなる
シェルを形成する振動形トランスデュサの製造方法にお
いて、前記シリコン単結晶の基板上にシリコン酸化物あ
るいは窒化物の膜を形成し、 該膜の所要箇所をエツチングにより取去る、前記基板に
前記室の一部を構成する四部をエツチングにより形成し
、 前記室の基板側部分が形成される部分に３×１０１９／
ｃｍ３程度未満のＰ形シリコンからなる第１エピタキシ
ャル層を選択エピタキシャル成長させ、 該第１エピタキシャル層の表面の前記振動梁が形成され
る位置の部分に３×１０１ｇ／ｃｍ３程度以上のＰ形シ
リコンからなる第２エピタキシャル層を選択エピタキシ
ャル成長させ、 前記室のシェル側部分が形成される部分に３×Ｉ　Ｑ　
ｌ　’Ａ　／ｃｍ３程度未満のＰ形シリコンからなる第
３エピタキシャル層を選択エピタキシャル成長させ、 該第３エピタキシャル層を覆って３×１０１９／　ｃ　
ｍ　３程度以上のＰ形シリコンからなる第４エピタキシ
ャル層を選択エピタキシャル成長させ、前記膜をエツチ
ングにより除去しエツチング注入口を形成し、 該注入口よりエツチング流体を注入し前記第１゜第２エ
ピタキシャル層を選択エツチングにより除去し、 前記第４エピタキシャル層を覆うとともに前記注入口を
塞ぐようにして選択エピタキシャル成長により前記シェ
ルを形成したことを特徴とする振動形トランスデュサの
製造方法を採用した。

この結果、 （１）基板と振動梁とシェルとが一体形で形成されるの
で、基板とシェルとの接合を必要とせず、接合に基づく
不安定さの問題が無くなる。

（２）単純な構造で、外部の流体と振動梁を絶縁でき、
小形化が容易に出来る。

（３）振動梁やシェルの位置、厚さ、形状は、半導体プ
ロセス技術を利用して容易に正確に出来る。

したがって、精度の高い振動形トランスデュサが得られ
る。

（４）エツチング注入口の封止作業を除いて、すべての
エピタキシアル成長工程をｐ形反応炉内で行えるので、
汚染されに＜＜、歩留よく、能率が向上された振動形ト
ランスデュサが得られる。

従って、本発明によれば、エツチング注入口の封止作業
を除いて、すべてのエピタキシアル成長工程をｐ形反応
炉内で行い、歩留よく、安価で、能率の向上された振動
形トランスデュサの製造方法を実現することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図から第７図までは本発明の一実施例の工程説明図
、第８図は動作説明図、第９図は使用説明図、第１０図
から第１３図は従来より一般に使用されている従来例の
構成説明図、第１４図から第２０図は特願昭６２−１５
９０７３号「発明の名称：振動形トランスデュサの製造
方法」の製作工程説明図である。 １・・・基板、１３・・・磁石、２・・・受圧ダイアフ
ラム、３．４・・・振動梁、２０・・・切込み部、２１
ａ、２１ｂ、２３・・・Ｐ＋層、２２・・・ｎ形エピタ
キシャル層、２４・・・ＳｉＯ２，２５・・・隙間部、
３１・・・第一振動子、３２・・・第二振動子、４０・
・・励振手段、４１・・・入カドランス、４２・・・入
力端子、５０・・・振動検出手段、５１・・・出カドラ
ンス、５２・・・増幅器、５３・・・出力端子、２０１
・・・膜、２０２・・・箇所、２０３・・・凹部、２０
４・・・第１エピタキシャル層、２０５・・・第２エピ
タキシャル層、２０６・・・第３エピタキシャル層、２
０７・・・第４エピタキシャル層、２０８・・・エツチ
ング注入口、２０９・・・酸化シリコン膜、２１１・・
・エピタキシャル層。 第　　１　図 第２図 等３図 第５図 第６図 第７図 第８図 Ｚｃ。 第１０　図 第７２図 −−Ｊ 第１４図 第１５図 第１６図 第１９図 第２０図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　シリコン単結晶の基板上に設けられ、励振手段により
   励振され励振検出手段によつて振動が検出されシリコン
   単結晶材よりなる振動梁を形成し、該振動梁を囲み前記
   基板と室を構成し該振動梁の周囲に隙間が維持されるよ
   うにシリコン材よりなるシェルを形成する振動形トラン
   スデュサの製造方法において、 前記シリコン単結晶の基板上にシリコン酸化物あるいは
   窒化物の膜を形成し、 該膜の所要箇所をエッチングにより取去る、前記基板に
   前記室の一部を構成する凹部をエッチングにより形成し
   、 前記室の基板側部分が形成される部分に３×１０＾１＾
   ９／ｃｍ＾３程度未満のＰ形シリコンからなる第１エピ
   タキシャル層を選択エピタキシャル成長させ、 該第１エピタキシャル層の表面の前記振動梁が形成され
   る位置の部分に３×１０＾１＾９／ｃｍ＾３程度以上の
   Ｐ形シリコンからなる第２エピタキシャル層を選択エピ
   タキシャル成長させ、 前記室のシェル側部分が形成される部分に３×１０＾１
   ＾９／ｃｍ＾３程度未満のＰ形シリコンからなる第３エ
   ピタキシャル層を選択エピタキシャル成長させ、 該第３エピタキシャル層を覆って３×１０＾１＾９／ｃ
   ｍ＾３程度以上のＰ形シリコンからなる第４エピタキシ
   ャル層を選択エピタキシャル成長させ、前記膜をエッチ
   ングにより除去しエッチング注入口を形成し、 該注入口よりエッチング流体を注入し前記第１、第２エ
   ピタキシャル層を選択エッチングにより除去し、 前記第４エピタキシャル層を覆うとともに前記注入口を
   塞ぐようにして選択エピタキシャル成長により前記シェ
   ルを形成したことを特徴とする振動形トランスデュサの
   製造方法。