JPH01248529A - Sog膜の硬化方法 - Google Patents
Sog膜の硬化方法Info
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造工程で利用されるSOG膜
の硬化方法に関するものである。
の硬化方法に関するものである。
SOa膜(Spin−On−Glass膜)は、ICや
LSIの製造工程で、ウェハ表面の平坦化、ステップカ
バレッジの改善などの目的のために利用され、Sin、
膜やp、osの入ったP hosphgilicats
G 1ass膜(以下P S G膜と云う、)、更には
B2O3の入ったB orosiHcate G 1a
ss膜(以下BSG膜と云う。)などが知られている。
LSIの製造工程で、ウェハ表面の平坦化、ステップカ
バレッジの改善などの目的のために利用され、Sin、
膜やp、osの入ったP hosphgilicats
G 1ass膜(以下P S G膜と云う、)、更には
B2O3の入ったB orosiHcate G 1a
ss膜(以下BSG膜と云う。)などが知られている。
SOG膜の内、S io、膜の従来の硬化方法の一例を
述べると、先ず、シラノール(一般分子式はRy S
i (OH)4−n )をアルコール、ケトンなどの有
機溶媒に溶かしておき、この溶液をウェハの表面に塗布
する。この塗布方法は、多くの場合はスピンコーターと
呼ばれる塗布機で行われる。そして、真空中で約100
℃の温度でベーキングして溶剤を蒸発させて半硬化もし
くは仮硬化させ、次に、第2ベーキングとして250℃
ないし350℃の温度で再度加熱し、最後の第3ベーキ
ングは400℃ないし700℃の温度で加熱するが、そ
れぞれのベーキング時間は30分ないし60分を要する
。つまり、硬化のために非常に長時間を要する。しかも
、膜厚が例えば0.5μ論以上の厚い膜形成を行うとき
に、前記の塗布と各ベーキングをそれぞれ一度の操作で
行おうとすると、膜にクラックが入ってしまう事故があ
り、従って、このクラックを避けるために、−度に塗布
する溶液の厚さを薄くして各ベーキングを行い、この操
作を二度、三度と繰り返す必要がある。従って、硬化時
間がますます長くなる欠点がある。また、LSIでは、
多層配線が通常用いられているが、この配線材料はアル
ミニウムである。ところが、アルミニウムの軟化温度は
約450℃程度であるため、400℃以上の昇温は避け
なければならない、このため、最後の第3ベーキングを
行えず、それに代えて中間の第2ベーキングを更に長時
間かけて硬化するプロセスが行われている。そして、P
SG膜やBSG膜の場合も事情は同様であり、いずれに
せよ、SOG膜の硬化工程は非常に長時間必要であり、
ICやLSIの製造において、大きな問題となっている
。
述べると、先ず、シラノール(一般分子式はRy S
i (OH)4−n )をアルコール、ケトンなどの有
機溶媒に溶かしておき、この溶液をウェハの表面に塗布
する。この塗布方法は、多くの場合はスピンコーターと
呼ばれる塗布機で行われる。そして、真空中で約100
℃の温度でベーキングして溶剤を蒸発させて半硬化もし
くは仮硬化させ、次に、第2ベーキングとして250℃
ないし350℃の温度で再度加熱し、最後の第3ベーキ
ングは400℃ないし700℃の温度で加熱するが、そ
れぞれのベーキング時間は30分ないし60分を要する
。つまり、硬化のために非常に長時間を要する。しかも
、膜厚が例えば0.5μ論以上の厚い膜形成を行うとき
に、前記の塗布と各ベーキングをそれぞれ一度の操作で
行おうとすると、膜にクラックが入ってしまう事故があ
り、従って、このクラックを避けるために、−度に塗布
する溶液の厚さを薄くして各ベーキングを行い、この操
作を二度、三度と繰り返す必要がある。従って、硬化時
間がますます長くなる欠点がある。また、LSIでは、
多層配線が通常用いられているが、この配線材料はアル
ミニウムである。ところが、アルミニウムの軟化温度は
約450℃程度であるため、400℃以上の昇温は避け
なければならない、このため、最後の第3ベーキングを
行えず、それに代えて中間の第2ベーキングを更に長時
間かけて硬化するプロセスが行われている。そして、P
SG膜やBSG膜の場合も事情は同様であり、いずれに
せよ、SOG膜の硬化工程は非常に長時間必要であり、
ICやLSIの製造において、大きな問題となっている
。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その
目的とするところは、SOG膜を短時間で硬化させるこ
とが可能な硬化方法を提供することにある。
目的とするところは、SOG膜を短時間で硬化させるこ
とが可能な硬化方法を提供することにある。
〔発明の目的を達成するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明においては。
半硬化もしくは仮硬化の状態のSOG膜に、光開始剤を
塗布した後、紫外線照射処理する工程を含むことを特徴
とする。
塗布した後、紫外線照射処理する工程を含むことを特徴
とする。
もし、溶剤の残留した未硬化のSOG膜の表面に光開始
剤を塗布すると、SOG剤と光開始剤が混合するおそれ
があるが1本発明では、例えば100℃程度の加熱によ
り溶剤が蒸発した半硬化もしくは仮硬化しておくので、
SOa剤と光開始剤が混合するおそれがなく、光開始剤
が塗布されたまへの状態で良好に紫外線を吸収する。こ
のため。
剤を塗布すると、SOG剤と光開始剤が混合するおそれ
があるが1本発明では、例えば100℃程度の加熱によ
り溶剤が蒸発した半硬化もしくは仮硬化しておくので、
SOa剤と光開始剤が混合するおそれがなく、光開始剤
が塗布されたまへの状態で良好に紫外線を吸収する。こ
のため。
SOG剤の光化学反応を誘起し、SOG膜は数秒から十
数秒間で、すなわちはゾ瞬時に完全に硬化する。
数秒間で、すなわちはゾ瞬時に完全に硬化する。
図面は1本発明を実行するための処理装置の要部の概略
説明図である。1は装置の外壁で、la。
説明図である。1は装置の外壁で、la。
lb、lcに示すごとく、3分割され、ボルトとナツト
などの固定手段2で連結される。この装置は減圧機に連
結され、内部を減圧できるようになっている。3は、ロ
ングアーク型の高圧水銀灯であって、波長が400nm
以下の紫外線を放射するが。
などの固定手段2で連結される。この装置は減圧機に連
結され、内部を減圧できるようになっている。3は、ロ
ングアーク型の高圧水銀灯であって、波長が400nm
以下の紫外線を放射するが。
これを2〜4本平行に平面状態で配置し、ランプホルダ
ー4で保持する。このように、外壁1を分割形式にしで
あるので、外壁1の一部1aをはずすと、高圧水銀灯3
の交換や保守を容易に行うことができる。ウェハ6は保
持台5上に載置されるが、この保持台5には、必要に応
じて、温度制御手段1例えば図示略のヒーターや水冷パ
イプなどが埋設される。なお、ウェハ6上のSOG膜お
よびSOG膜に塗布される光開始剤は図示がら省略しで
ある。ここにおいても、外u1の一部1aと1bを一緒
にしてはずすと、保持台5の保守などは便利である。
ー4で保持する。このように、外壁1を分割形式にしで
あるので、外壁1の一部1aをはずすと、高圧水銀灯3
の交換や保守を容易に行うことができる。ウェハ6は保
持台5上に載置されるが、この保持台5には、必要に応
じて、温度制御手段1例えば図示略のヒーターや水冷パ
イプなどが埋設される。なお、ウェハ6上のSOG膜お
よびSOG膜に塗布される光開始剤は図示がら省略しで
ある。ここにおいても、外u1の一部1aと1bを一緒
にしてはずすと、保持台5の保守などは便利である。
図面において、高圧水銀灯3などのための電源系とその
制御系およびウェハ搬送システムは省略しであるが、こ
れら個々の電源回路、制御回路などは、従来から実施さ
れている技術や多数の文献に開示されている技術などが
利用できる0例えば。
制御系およびウェハ搬送システムは省略しであるが、こ
れら個々の電源回路、制御回路などは、従来から実施さ
れている技術や多数の文献に開示されている技術などが
利用できる0例えば。
図示はしていないが、ウェハ6の搬送をカセット・ツウ
・カセットにする場合、保持台5より少し高い位置に対
応した装置の外壁1にゲートバルブを設け、アームによ
る自動搬送によるウェハ着脱機構を設けることで容易に
実現できる。
・カセットにする場合、保持台5より少し高い位置に対
応した装置の外壁1にゲートバルブを設け、アームによ
る自動搬送によるウェハ着脱機構を設けることで容易に
実現できる。
次に、実験例を説明すると、5インチのシリコンウェハ
の表面に、SOG膜として、OC[;1−Type2(
東京応化工業(株)製品、昭和56年12月1日。
の表面に、SOG膜として、OC[;1−Type2(
東京応化工業(株)製品、昭和56年12月1日。
′87東京応化セミナー講演集第71頁参照〕をスピン
コーターで塗布し、減圧された装置内で約100℃程度
の温度で30分ないし60分加熱処理し。
コーターで塗布し、減圧された装置内で約100℃程度
の温度で30分ないし60分加熱処理し。
溶剤を蒸発させてSOG膜、を半硬化もしくは仮硬化さ
せる。すなわち、ここまでは従来技術を利用する。しか
る後、光開始剤を、スピンコーターなどを利用して半硬
化もしくは仮硬化したSOG膜に塗布し、図示の装置内
で紫外線を照射する。このとき、装置内を減圧しておい
てもよい。
せる。すなわち、ここまでは従来技術を利用する。しか
る後、光開始剤を、スピンコーターなどを利用して半硬
化もしくは仮硬化したSOG膜に塗布し、図示の装置内
で紫外線を照射する。このとき、装置内を減圧しておい
てもよい。
光開始剤については、例えば「光・放射線硬化技術」(
昭和60年8月5日、大成社刊)の第13頁掲載の表8
に紹介されているが、上記実験例では、ベンゾインをエ
ーテルに溶解した液を使用した。この溶液の吸収波長域
は400n+mより短いところにあり、高圧水銀灯3よ
り紫外線を照射すると、この紫外線をよく吸収し、SO
a膜の光化学反応を誘起する6そして、SOG膜上での
紫外線の強度を、220nmないし320nmの波長域
で500mW/cdにすると、約30秒でSOGMは完
全に硬化する。硬化が完全であるかどうかの判定は、前
記の講演集にも紹介されているように、赤外線分光装置
を使って、O−Hや5i−OHの結合による吸収の有無
によって行うことができる。この実験例では、Sl−〇
結合による吸収ピークが見られるだけであり、0−Hや
5L−OHの結合による吸収は見られず、硬化が完全で
あることが確認された。なお、本実験例のSOG膜はS
iO,tl’!であるが、PSG膜やBSG膜であって
も同様に短時間で硬化でき、更には、リンとボロンの両
方が入ったBPSG膜であってもよい。
昭和60年8月5日、大成社刊)の第13頁掲載の表8
に紹介されているが、上記実験例では、ベンゾインをエ
ーテルに溶解した液を使用した。この溶液の吸収波長域
は400n+mより短いところにあり、高圧水銀灯3よ
り紫外線を照射すると、この紫外線をよく吸収し、SO
a膜の光化学反応を誘起する6そして、SOG膜上での
紫外線の強度を、220nmないし320nmの波長域
で500mW/cdにすると、約30秒でSOGMは完
全に硬化する。硬化が完全であるかどうかの判定は、前
記の講演集にも紹介されているように、赤外線分光装置
を使って、O−Hや5i−OHの結合による吸収の有無
によって行うことができる。この実験例では、Sl−〇
結合による吸収ピークが見られるだけであり、0−Hや
5L−OHの結合による吸収は見られず、硬化が完全で
あることが確認された。なお、本実験例のSOG膜はS
iO,tl’!であるが、PSG膜やBSG膜であって
も同様に短時間で硬化でき、更には、リンとボロンの両
方が入ったBPSG膜であってもよい。
この実験例では、半硬化もしくは仮硬化した5OGll
Aに光開始剤を塗布してからウェハを処理装置にセット
したものであるが、処理装置に光開始剤供給ノズルを設
けておき、ウェハにSOG膜を塗布して未硬化のまへ処
理装置にセットし、排気減圧した後、保持台を約100
℃に保持してSOG膜を半硬化もしくは仮硬化する。そ
して、ノズルから光開始剤を供給するとSOG膜に自動
的に塗布され、高圧水銀灯3を点灯して紫外線照射処理
すると同様に硬化する。
Aに光開始剤を塗布してからウェハを処理装置にセット
したものであるが、処理装置に光開始剤供給ノズルを設
けておき、ウェハにSOG膜を塗布して未硬化のまへ処
理装置にセットし、排気減圧した後、保持台を約100
℃に保持してSOG膜を半硬化もしくは仮硬化する。そ
して、ノズルから光開始剤を供給するとSOG膜に自動
的に塗布され、高圧水銀灯3を点灯して紫外線照射処理
すると同様に硬化する。
いずれにしても、従来技術の加熱硬化処理のうち、最初
の第1ステツプの加熱処理のみ利用して、第2と第3ス
テツプの加熱処理に代えて、上記のごとく瞬時に硬化処
理できるので、結局のところ、硬化時間は従来のはゾ1
/3程度に短縮することができる。
の第1ステツプの加熱処理のみ利用して、第2と第3ス
テツプの加熱処理に代えて、上記のごとく瞬時に硬化処
理できるので、結局のところ、硬化時間は従来のはゾ1
/3程度に短縮することができる。
以上説明したように、本発明は、溶剤が残留した未硬化
のSOG膜と光開始剤とが混合しないように、100℃
程度の加熱で溶剤を蒸発させて半硬化もしくは仮硬化し
たSOG膜に光開始剤を塗布し、それに紫外線を照射す
るので、SOG膜の光化学反応が誘起されてSOG膜が
瞬時に硬化するので、硬化時間を大巾に短縮できるでき
るのみでなく、加熱温度も100℃程度であるので、ア
ルミニウムを配線材料として使用する多層のLSIの製
造にも大変好都合な硬化方法とすることができる。
のSOG膜と光開始剤とが混合しないように、100℃
程度の加熱で溶剤を蒸発させて半硬化もしくは仮硬化し
たSOG膜に光開始剤を塗布し、それに紫外線を照射す
るので、SOG膜の光化学反応が誘起されてSOG膜が
瞬時に硬化するので、硬化時間を大巾に短縮できるでき
るのみでなく、加熱温度も100℃程度であるので、ア
ルミニウムを配線材料として使用する多層のLSIの製
造にも大変好都合な硬化方法とすることができる。
図面は本発明を実行するための処理装置の概略説明図で
ある。
ある。
Claims (1)
- 半硬化もしくは仮硬化の状態のSOG膜に、光開始剤
を塗布した後、紫外線照射処理する工程を含むことを特
徴とするSOG膜の硬化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7464888A JPH01248529A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | Sog膜の硬化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7464888A JPH01248529A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | Sog膜の硬化方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01248529A true JPH01248529A (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=13553259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7464888A Pending JPH01248529A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | Sog膜の硬化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01248529A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001257207A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-09-21 | Motorola Inc | 紫外線硬化工程と低誘電率膜を形成するツール |
US6633022B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-10-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US10232405B2 (en) * | 2014-09-25 | 2019-03-19 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Method for coating a substrate with a lacquer and device for planarising a lacquer layer |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP7464888A patent/JPH01248529A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001257207A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-09-21 | Motorola Inc | 紫外線硬化工程と低誘電率膜を形成するツール |
US6633022B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-10-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US10232405B2 (en) * | 2014-09-25 | 2019-03-19 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Method for coating a substrate with a lacquer and device for planarising a lacquer layer |
TWI724999B (zh) * | 2014-09-25 | 2021-04-21 | 德商蘇士微科技印刷術股份有限公司 | 用於以塗漆塗佈基板的方法以及用於使塗漆層平坦化的裝置 |
US11247229B2 (en) | 2014-09-25 | 2022-02-15 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Method for coating a substrate with a lacquer and device for planarising a lacquer layer |
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