JPS63237418A - レジストハ−ドニング方法 - Google Patents
レジストハ−ドニング方法Info
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- JPS63237418A JPS63237418A JP7026687A JP7026687A JPS63237418A JP S63237418 A JPS63237418 A JP S63237418A JP 7026687 A JP7026687 A JP 7026687A JP 7026687 A JP7026687 A JP 7026687A JP S63237418 A JPS63237418 A JP S63237418A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
レジストプロセスにおける紫外線キュア（’ＵＶｃｕｒ
ｅ）において、Ｕｖ−キュア前に、減圧もしくは減圧加
熱によってレジスト中の低沸点成分を除去し、効果的な
Ｕｖ−キュアを行ってエツチングの際のレジストパター
ンの変形を防止する。
ｅ）において、Ｕｖ−キュア前に、減圧もしくは減圧加
熱によってレジスト中の低沸点成分を除去し、効果的な
Ｕｖ−キュアを行ってエツチングの際のレジストパター
ンの変形を防止する。
本発明はレジストハードニング方法に関し、特にバター
ニングした、すなわち露光、現像したレジストのパター
ンのエツチングにおける変形を防止するためのレジスト
のｌｖ−キュアの方法に関する。
ニングした、すなわち露光、現像したレジストのパター
ンのエツチングにおける変形を防止するためのレジスト
のｌｖ−キュアの方法に関する。
半導体プロセスにおいて描画を行う際、半導体基板上に
レジストパターンを形成し、その後ドライエツチングな
どによりレジストパターンをマスクにして基板にエツチ
ングを行い、パターンを形成する。例えば、半導体基板
表面になんらかのパターンの酸化膜を形成するには、基
板表面全体に酸化膜を形成し、その上にレジストを塗布
し、次に所望のパターンが形′成されたマスクを通して
レジストを露光し、現像すると所望のパターンのレジス
トパターンが得られるから、このレジストパターンをマ
スクにして酸化膜をエツチングすると、所望のパターン
の酸化膜が得られる。最近は、半導体簗積回路の集禎度
を高める目的でパターンの微細化が要請され、それに応
じうるため従来のウェットエツチングに代えてドライエ
ツチングが用いられ、例えば真空中でプラズマを発生さ
せてエツチングを行うリアクティブ・イオン・エツチン
グ（ＲＩＥ）が採用されている。
レジストパターンを形成し、その後ドライエツチングな
どによりレジストパターンをマスクにして基板にエツチ
ングを行い、パターンを形成する。例えば、半導体基板
表面になんらかのパターンの酸化膜を形成するには、基
板表面全体に酸化膜を形成し、その上にレジストを塗布
し、次に所望のパターンが形′成されたマスクを通して
レジストを露光し、現像すると所望のパターンのレジス
トパターンが得られるから、このレジストパターンをマ
スクにして酸化膜をエツチングすると、所望のパターン
の酸化膜が得られる。最近は、半導体簗積回路の集禎度
を高める目的でパターンの微細化が要請され、それに応
じうるため従来のウェットエツチングに代えてドライエ
ツチングが用いられ、例えば真空中でプラズマを発生さ
せてエツチングを行うリアクティブ・イオン・エツチン
グ（ＲＩＥ）が採用されている。
かかるドライエツチングにおいては１００〜１３０°Ｃ
の程度の熱が発生し、マスクとなるレジストパターンが
この熱によって変形し、正確なレジストパターンが維持
されず、基板上に形成されるパターンが正確なものでな
くなる問題がある。
の程度の熱が発生し、マスクとなるレジストパターンが
この熱によって変形し、正確なレジストパターンが維持
されず、基板上に形成されるパターンが正確なものでな
くなる問題がある。
そこで、前記した熱によるレジストパターンの変形を防
止するために、遠紫外線（Ｄｅｅｐ ＵＶ ）キュアに
より、レジスト中の樹脂を架橋反応させ、高分子量化し
、レジストの耐熱性を向上させる、すなわち熱によるレ
ジストの変形を防止する方法が研究されている。
止するために、遠紫外線（Ｄｅｅｐ ＵＶ ）キュアに
より、レジスト中の樹脂を架橋反応させ、高分子量化し
、レジストの耐熱性を向上させる、すなわち熱によるレ
ジストの変形を防止する方法が研究されている。
従来のＤｅｅｐ ＵＶ−キュアの方法は第２図に示され
レジストパターン形成後のウェハ２１を８０〜１４０℃
程度のホントプレート２２上に置き、Ｄｅｅｐ ｔｌＶ
ランプ２３で２００ ’６００ ｒ＋ｍの波長のＤｅｅ
Ｐ ＬＩＶ光２光合４ェハ２１に照射する。場合によっ
ては、ホットプレート２２の温度は徐々に昇温させても
よい。第２図でウェハ２１上に塗布されたレジストは示
されず、ランプ２３には例えばＸｅ−１ｇランプ（照度
２５ 、０ｍＷ／ｃｍ２．波長３５０ ｎｍ）を用いる
。
レジストパターン形成後のウェハ２１を８０〜１４０℃
程度のホントプレート２２上に置き、Ｄｅｅｐ ｔｌＶ
ランプ２３で２００ ’６００ ｒ＋ｍの波長のＤｅｅ
Ｐ ＬＩＶ光２光合４ェハ２１に照射する。場合によっ
ては、ホットプレート２２の温度は徐々に昇温させても
よい。第２図でウェハ２１上に塗布されたレジストは示
されず、ランプ２３には例えばＸｅ−１ｇランプ（照度
２５ 、０ｍＷ／ｃｍ２．波長３５０ ｎｍ）を用いる
。
本発明者は従来のＵＶ−キュア処理の研究を行った過程
で次の事実を確認した。
で次の事実を確認した。
Ｕｖ−キュアを施されるレジスト中にＨ，０が含まれて
いると架橋反応が妨害され、効率が良いレジストハード
ニングが行えない。また、このような架橋反応を妨害す
る１１□０を蒸発させなからＵＶ−キュア処理を行うべ
くレジストを１００℃以上に加熱すると次のような問題
が発生する。すなわち、解像度を向上させるため分子量
が低いレジスト樹脂が用いられている場合にはレジスト
樹脂の耐熱性が低くなるので、１００℃以上の加熱によ
りレジストが熱フローし、パターンが変形する。また通
常の分子量のレジスト樹脂でも塗布膜厚が厚い場合には
レジストパターンの堆積が太き（なりパターンがくずれ
易くなり、レジストパターンの破壊が起った。
いると架橋反応が妨害され、効率が良いレジストハード
ニングが行えない。また、このような架橋反応を妨害す
る１１□０を蒸発させなからＵＶ−キュア処理を行うべ
くレジストを１００℃以上に加熱すると次のような問題
が発生する。すなわち、解像度を向上させるため分子量
が低いレジスト樹脂が用いられている場合にはレジスト
樹脂の耐熱性が低くなるので、１００℃以上の加熱によ
りレジストが熱フローし、パターンが変形する。また通
常の分子量のレジスト樹脂でも塗布膜厚が厚い場合には
レジストパターンの堆積が太き（なりパターンがくずれ
易くなり、レジストパターンの破壊が起った。
また、ＵＶ−キュア処理に使用される紫外線光源にはレ
ジスト感光波長が含まれているので、感光剤のナフトキ
ノンジアジドが分解し、 Ｎ２が発生する。一方、紫外
線光源に含まれる光架橋反応促進波長（ノボラック樹脂
の場合には２３０〜４００ ｎＩＩＩ）によってレジス
ト表面より光架橋反応が進行する。
ジスト感光波長が含まれているので、感光剤のナフトキ
ノンジアジドが分解し、 Ｎ２が発生する。一方、紫外
線光源に含まれる光架橋反応促進波長（ノボラック樹脂
の場合には２３０〜４００ ｎＩＩＩ）によってレジス
ト表面より光架橋反応が進行する。
かくして、レジスト表面より進行する光架橋反応によっ
て硬化したレジストパターン内部に、上記のように発生
したＮ２（２）が溜り、過剰に溜った際はレジスト表面
の硬化部分を突き破って、レジストパターンを破壊して
しまう。加えて、［ＪＶ−キュア処理後、さらに加熱（
１２０℃以上）を行った場合、レジスト中の残留溶媒（
エチレングリコールエチルエーテルアセテート等）が沸
点を越えて（エチレングリコールエチルエーテルアセテ
ート；沸点１４５℃）蒸発し、Ｎ２が溜った場合と同様
にレジスト表面の硬化部分を突き破って、レジストパタ
ーンを破壊してしまう。
て硬化したレジストパターン内部に、上記のように発生
したＮ２（２）が溜り、過剰に溜った際はレジスト表面
の硬化部分を突き破って、レジストパターンを破壊して
しまう。加えて、［ＪＶ−キュア処理後、さらに加熱（
１２０℃以上）を行った場合、レジスト中の残留溶媒（
エチレングリコールエチルエーテルアセテート等）が沸
点を越えて（エチレングリコールエチルエーテルアセテ
ート；沸点１４５℃）蒸発し、Ｎ２が溜った場合と同様
にレジスト表面の硬化部分を突き破って、レジストパタ
ーンを破壊してしまう。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、レジ
ストキュアのための改善された方法を提供することを目
的とする。
ストキュアのための改善された方法を提供することを目
的とする。
ｃ問題点を解決するための手段〕
第１図＋８）と（ｂ）は本発明実施例を説明する図で、
図中、１１はその上にレジストが塗布されたウェハ、１
２はホットプレート、１３はウェハとホットプレートが
収納される減圧チャンバ、１４は排気バルブ、１５はリ
ークバルブ、１６はホットプレート、１７はＤＣｅｐ
ＵＶランプである。
図中、１１はその上にレジストが塗布されたウェハ、１
２はホットプレート、１３はウェハとホットプレートが
収納される減圧チャンバ、１４は排気バルブ、１５はリ
ークバルブ、１６はホットプレート、１７はＤＣｅｐ
ＵＶランプである。
本発明においては、第１図ｆｂ）に示されるＤｅｅｐＵ
Ｖ−キュアの前に、レジストが塗布されたウェハ１１を
減圧チャンバ１３内で減圧状態におき、しかる後に、Ｄ
ｅｅｐυシランプ１７でＤｅｅｐ ＵＶ−キュアを行う
。
Ｖ−キュアの前に、レジストが塗布されたウェハ１１を
減圧チャンバ１３内で減圧状態におき、しかる後に、Ｄ
ｅｅｐυシランプ１７でＤｅｅｐ ＵＶ−キュアを行う
。
上記した如（にレジストを減圧状態におくと、感光剤の
樹脂の架橋を妨げるレジスト中の低沸点成分（主に１１
１０など）が除去され、それによってＤｅｅｐ ＵＶ−
キュアの段階で感光剤樹脂の架橋が促進され、レジスト
の耐熱性が高まり、ドライエツチングにおいてレジスト
パターンの変形が防止されるのである。
樹脂の架橋を妨げるレジスト中の低沸点成分（主に１１
１０など）が除去され、それによってＤｅｅｐ ＵＶ−
キュアの段階で感光剤樹脂の架橋が促進され、レジスト
の耐熱性が高まり、ドライエツチングにおいてレジスト
パターンの変形が防止されるのである。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
先ず本発明者の行った実験の結果について説明すると、
第１図（ａ）に示される如く、レジストパターンを形成
した、すなわち、レジストを塗布し、露光し、現像し終
ったレジストパターンをもったウェハ１１を、減圧チャ
ンバ１３内に入れ、排気し、減圧状態に保持した。この
とき、７６０ Ｔｏｒｒ未満で十分であるが、特に５０
Ｔｏｒｒ未満であればさらに効果的である。また第１図
（ａｌに示される如く減圧保持の状態で、ホットプレー
ト１２上にウェハ１１を置き、またはその他の方法でウ
ェハ１１を加熱すれば、さらに効果的である。その後に
従来技術の場合と同様なりｅｅｐ ＩＪＶ−キュアを行
った。
第１図（ａ）に示される如く、レジストパターンを形成
した、すなわち、レジストを塗布し、露光し、現像し終
ったレジストパターンをもったウェハ１１を、減圧チャ
ンバ１３内に入れ、排気し、減圧状態に保持した。この
とき、７６０ Ｔｏｒｒ未満で十分であるが、特に５０
Ｔｏｒｒ未満であればさらに効果的である。また第１図
（ａｌに示される如く減圧保持の状態で、ホットプレー
ト１２上にウェハ１１を置き、またはその他の方法でウ
ェハ１１を加熱すれば、さらに効果的である。その後に
従来技術の場合と同様なりｅｅｐ ＩＪＶ−キュアを行
った。
減圧もしくは減圧加熱処理後にＤｅｅｐ ＵＶ−キュア
を行う理由は、Ｄｅｅｐ ＵＶ−キュアにおいて樹脂の
架橋を妨げるレジスト中の低沸点成分（主にＨ，Ｏなど
）を低温で除去するためである。低沸点成分は加熱のみ
でも除去は可能であるが、除去可能温度以下の温度でレ
ジストパターンが熱変形するので、加熱方法は実施する
ことができない。
を行う理由は、Ｄｅｅｐ ＵＶ−キュアにおいて樹脂の
架橋を妨げるレジスト中の低沸点成分（主にＨ，Ｏなど
）を低温で除去するためである。低沸点成分は加熱のみ
でも除去は可能であるが、除去可能温度以下の温度でレ
ジストパターンが熱変形するので、加熱方法は実施する
ことができない。
、 かくして、上記した減圧保持の方法を採用したので
あるが、その方法は理論的根拠は次のように考えられる
。レジストは、 なる化学式で示される感光剤を含むものであるが、この
感光剤の本体であるＮＱＤ （ナフトキノン・ジアジ
ド）は 。
あるが、その方法は理論的根拠は次のように考えられる
。レジストは、 なる化学式で示される感光剤を含むものであるが、この
感光剤の本体であるＮＱＤ （ナフトキノン・ジアジ
ド）は 。
なる構造のもので、それにＮ２雰囲気中で光を照０１ｇ
なる構造のケテンが得られる。レジストの露光後の現像
においてはＮ２０が取り込まれてケテンはの構造のイン
デンカルボン酸となる。この物質はそのどの部分におい
ても他の物質との結合が発生せず、従って樹脂と結合し
架橋して耐熱性を増すことがなく、最近の高解像度のレ
ジストはこの物質を大量に含むものである。
においてはＮ２０が取り込まれてケテンはの構造のイン
デンカルボン酸となる。この物質はそのどの部分におい
ても他の物質との結合が発生せず、従って樹脂と結合し
架橋して耐熱性を増すことがなく、最近の高解像度のレ
ジストはこの物質を大量に含むものである。
そこで、本発明においては、ＨＬＯを取り込むことのな
いようケテンを減圧状態に保持し、ケテンを樹脂と結合
させ、 で表現される如く架橋を仲介させ、レジストの耐熱性を
向上させるものである。いいかえると、減圧もしくは減
圧加熱保持により、樹脂の架橋を妨げる低沸点成分が除
去されるので、その後のＤｅｅｐＵｖ−キュアによるレ
ジストハードニングが効果的に行なえるのである。
いようケテンを減圧状態に保持し、ケテンを樹脂と結合
させ、 で表現される如く架橋を仲介させ、レジストの耐熱性を
向上させるものである。いいかえると、減圧もしくは減
圧加熱保持により、樹脂の架橋を妨げる低沸点成分が除
去されるので、その後のＤｅｅｐＵｖ−キュアによるレ
ジストハードニングが効果的に行なえるのである。
本発明の一実施例において、ＴＳＭｌ？−８８００レジ
スト（東京応化）にてパターニングしたウェハ１１を減
圧チャンバ１３内のホットプレート１２上に置く。
スト（東京応化）にてパターニングしたウェハ１１を減
圧チャンバ１３内のホットプレート１２上に置く。
ホットプレート１２の温度はレジストパターンが熱変形
しない程度に高い温度（１００℃前後）に設定されてい
る。次に、排気バルブ１４を開けて、減圧チャンバ１３
内を図示していないロータリーポンプ等で排気し、１Ｏ
Ｔｏｒｒ程度で数分間保持する。次に、排気バルブ１４
を閉じ、リークバルブ１５を開けてＮ２で大気圧に戻す
。
しない程度に高い温度（１００℃前後）に設定されてい
る。次に、排気バルブ１４を開けて、減圧チャンバ１３
内を図示していないロータリーポンプ等で排気し、１Ｏ
Ｔｏｒｒ程度で数分間保持する。次に、排気バルブ１４
を閉じ、リークバルブ１５を開けてＮ２で大気圧に戻す
。
減圧加熱処理後、ウェハ１１をホ・ノドプレー目６上に
置き、波長２００ｎｍ〜６００ｎｍの光を持つＤｅｅｐ
ＵＶランプ１７にて数分間光ｈνを照射する。この時の
ホットプレー目６の温度は、レジストパターンが熱変形
しない程度に高い温度（１００℃前後）番こ設定されて
いる。
置き、波長２００ｎｍ〜６００ｎｍの光を持つＤｅｅｐ
ＵＶランプ１７にて数分間光ｈνを照射する。この時の
ホットプレー目６の温度は、レジストパターンが熱変形
しない程度に高い温度（１００℃前後）番こ設定されて
いる。
上記処理を行ったウェハ１１を、２００℃ホ・７）プレ
ート上にて加熱したが、レジストパターンの熱菱形は全
くなかった。しかし、減圧加熱処理をせず、従来通りの
Ｄｅｅｐ ＵＶ−キュアを行ったものでは、レジストパ
ターンが熱変形してしまった。また、ドライエツチング
を行った際、上記処理を行ったウェハは設計通りのパタ
ーンができたのに対して、従来通りのＤｅｅｐ ＵＶ−
キュアを行ったものは設計通りのパターンができなかっ
た。
ート上にて加熱したが、レジストパターンの熱菱形は全
くなかった。しかし、減圧加熱処理をせず、従来通りの
Ｄｅｅｐ ＵＶ−キュアを行ったものでは、レジストパ
ターンが熱変形してしまった。また、ドライエツチング
を行った際、上記処理を行ったウェハは設計通りのパタ
ーンができたのに対して、従来通りのＤｅｅｐ ＵＶ−
キュアを行ったものは設計通りのパターンができなかっ
た。
ｉＪｆチャンバ１３内にてレジストを減圧保持した後に
、同一チャンバ内でＤｅｅｐ ＵＶ−キュアをなすこと
も考えられるが、その方法によると、１枚のウェハごと
に、チャンバ１３を大気圧にし、ウェハをチャンバ内に
入れ、次いでチャンバ内を排気しＤｅｅｐ ＬＩＶ−キ
ュアをなし、真空をリークしてからウェハを取り出し、
次いで新たなウェハについて上記した工程を繰り返さな
ければならないので、処理時間が長くなり、スループッ
トが悪くなる。
、同一チャンバ内でＤｅｅｐ ＵＶ−キュアをなすこと
も考えられるが、その方法によると、１枚のウェハごと
に、チャンバ１３を大気圧にし、ウェハをチャンバ内に
入れ、次いでチャンバ内を排気しＤｅｅｐ ＬＩＶ−キ
ュアをなし、真空をリークしてからウェハを取り出し、
次いで新たなウェハについて上記した工程を繰り返さな
ければならないので、処理時間が長くなり、スループッ
トが悪くなる。
しかし、本発明の方法によると、例えばカセットに複数
のウェハを納め、このカセットをチャンバ内に入れてレ
ジストの減圧保持をなし、かかる工程の後に１枚ずつの
ウェハのＤｅｅｐ ＵＶ−キュアをなせばよいのである
から、処理時間が短縮され、かつ、装置が複雑なもので
なくても足りる利点がある。
のウェハを納め、このカセットをチャンバ内に入れてレ
ジストの減圧保持をなし、かかる工程の後に１枚ずつの
ウェハのＤｅｅｐ ＵＶ−キュアをなせばよいのである
から、処理時間が短縮され、かつ、装置が複雑なもので
なくても足りる利点がある。
以上述べてきたように本発明によれば、パターニングさ
れたレジストのエツチングにおける変形が防止され、半
導体装置の信頼性向上に有効であり、さらには製造歩留
りの増大にも効果がある。
れたレジストのエツチングにおける変形が防止され、半
導体装置の信頼性向上に有効であり、さらには製造歩留
りの増大にも効果がある。
第１図（ａｌと（ｂｌは本発明方法を説明する図、第２
図は従来のＵシーキュア方法を示す図である。 第１図において、 １１はウェハ、 １２はホットプレート、 １３は減圧チャンバ、 １４は排気バルブ、 １５はリークバルブ、 １６はホントプレー１・、 １７はＤｅｅｐ ｔｌＶ ランプである。 代理人 弁理士 久木元 彰 復代理人 弁理士 大 菅 義 之 １を米のＵＶ−キュアを示す記 第２図
図は従来のＵシーキュア方法を示す図である。 第１図において、 １１はウェハ、 １２はホットプレート、 １３は減圧チャンバ、 １４は排気バルブ、 １５はリークバルブ、 １６はホントプレー１・、 １７はＤｅｅｐ ｔｌＶ ランプである。 代理人 弁理士 久木元 彰 復代理人 弁理士 大 菅 義 之 １を米のＵＶ−キュアを示す記 第２図
Claims (4)
- （１）ウェハ（１１）上のパターニングされたレジスト
を減圧チャンバ（１３）内にて減圧状態におき、しかる
後に大気中でウェハ（１１）に紫外線を照射してレジス
トをキュアすることを特徴とするレジストハードニング
方法。 - （２）減圧チャンバ（１３）内でウェハ（１１）を減圧
加熱することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
方法。 - （３）紫外線照射においてウェハ（１１）を加熱するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （４）前記減圧状態は大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）未満で
あり、減圧加熱は、圧力が７６０Ｔｏｒｒ未満、温度が
２０℃以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7026687A JPS63237418A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | レジストハ−ドニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7026687A JPS63237418A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | レジストハ−ドニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237418A true JPS63237418A (ja) | 1988-10-03 |
Family
ID=13426552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7026687A Pending JPS63237418A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | レジストハ−ドニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63237418A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991016724A1 (en) * | 1990-04-23 | 1991-10-31 | Tadahiro Ohmi | Resist processing device, resist processing method and resist pattern |
| JPH04199515A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001305750A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Toray Eng Co Ltd | ポリイミドフィルムのエッチング方法 |
| WO2008096835A1 (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Limited | 基板処理方法及び塗布現像処理装置 |
-
1987
- 1987-03-26 JP JP7026687A patent/JPS63237418A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991016724A1 (en) * | 1990-04-23 | 1991-10-31 | Tadahiro Ohmi | Resist processing device, resist processing method and resist pattern |
| US5516626A (en) * | 1990-04-23 | 1996-05-14 | Tadahiro Ohmi | Resist processing method |
| JPH04199515A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001305750A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Toray Eng Co Ltd | ポリイミドフィルムのエッチング方法 |
| WO2008096835A1 (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Limited | 基板処理方法及び塗布現像処理装置 |
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