JPS63244623A - ホトレジストの硬化方法 - Google Patents
ホトレジストの硬化方法Info
- Publication number
- JPS63244623A JPS63244623A JP7875887A JP7875887A JPS63244623A JP S63244623 A JPS63244623 A JP S63244623A JP 7875887 A JP7875887 A JP 7875887A JP 7875887 A JP7875887 A JP 7875887A JP S63244623 A JPS63244623 A JP S63244623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- light
- harden
- irradiation
- intensity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 46
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012744 reinforcing agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 3
- 208000031513 cyst Diseases 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 description 2
- 101150056585 DACT2 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置を製造するためのホトリソグラフ
ィ工程におけるホトレジストの硬化方法に関する。
ィ工程におけるホトレジストの硬化方法に関する。
本発明は、ホトリソグラフィ工程における現像後のホト
レジストに対して、ホトレジストが硬化しない強度によ
る光照射と硬化する強度による光照射の段階的な照射を
行うことにより、高解像力を有するホトレジストを使用
した場合の気泡の発生の問題点を解決することができる
ようにしたものである。
レジストに対して、ホトレジストが硬化しない強度によ
る光照射と硬化する強度による光照射の段階的な照射を
行うことにより、高解像力を有するホトレジストを使用
した場合の気泡の発生の問題点を解決することができる
ようにしたものである。
近年半導体集積回路の高集積化に伴って、装置上の線幅
は急速に縮小化しており、１．０μｍ以下の線幅を均一
性良く、且つ再現性良くホトリソグラフィで形成するこ
とが要求されるようになってきた。このような微細パタ
ーンを形成するためのホトレジストとしては、従来の０
ＦＰＲ８００（商品名）のようなホトレジストの代わり
に、例えばＤＰＲ２６００）商品名、大日本インキ社製
）、ＨＰＲ１１８２（商品名、ハント社ａ）等の高解像
力を有するホトレジストを使用するのが適当である。し
かし、ホトレジストの現像後、ホットプレートで６分間
のボストベークを行った場合、ＯＦ ＦＦＬｇｏｏ（商
品名）では約１５０℃までの耐熱性を持っているのに対
し℃、この種の高解像力を有するホトレジストは、樹脂
が低分子量であるため、耐熱性が低く、例えハＤＰＲ２
６００（商品名）で（ｊｌｌｏ℃程度で熱変形を起すと
いう問題点がある。そこで、このようなホトレジストの
耐熱性を向上させるために、紫外線照射による硬化処理
（いわゆるディープ（Ｄｅｅｐ ） ＵＶキュア）を併
用してポストベークすることが提案されている。
は急速に縮小化しており、１．０μｍ以下の線幅を均一
性良く、且つ再現性良くホトリソグラフィで形成するこ
とが要求されるようになってきた。このような微細パタ
ーンを形成するためのホトレジストとしては、従来の０
ＦＰＲ８００（商品名）のようなホトレジストの代わり
に、例えばＤＰＲ２６００）商品名、大日本インキ社製
）、ＨＰＲ１１８２（商品名、ハント社ａ）等の高解像
力を有するホトレジストを使用するのが適当である。し
かし、ホトレジストの現像後、ホットプレートで６分間
のボストベークを行った場合、ＯＦ ＦＦＬｇｏｏ（商
品名）では約１５０℃までの耐熱性を持っているのに対
し℃、この種の高解像力を有するホトレジストは、樹脂
が低分子量であるため、耐熱性が低く、例えハＤＰＲ２
６００（商品名）で（ｊｌｌｏ℃程度で熱変形を起すと
いう問題点がある。そこで、このようなホトレジストの
耐熱性を向上させるために、紫外線照射による硬化処理
（いわゆるディープ（Ｄｅｅｐ ） ＵＶキュア）を併
用してポストベークすることが提案されている。
上述した従来のホトレジストの硬化方法による場合、高
エネルギーの紫外線照射を行うため、残留アジドがウニ
八表面に密着増強剤として塗布したヘキサメチルジシラ
ザン（ＨＭＤＳ）と反応してＮ２ガスの′気泡が発生す
るという問題点があった。そしてこのような気泡により
ホトレジストが剥離し、微細なレジストパターンを形成
する際の障害となっていた。
エネルギーの紫外線照射を行うため、残留アジドがウニ
八表面に密着増強剤として塗布したヘキサメチルジシラ
ザン（ＨＭＤＳ）と反応してＮ２ガスの′気泡が発生す
るという問題点があった。そしてこのような気泡により
ホトレジストが剥離し、微細なレジストパターンを形成
する際の障害となっていた。
本発明は、上記問題点を解決することができるホ）１／
シストの硬化方法を提供するものである。
シストの硬化方法を提供するものである。
本発明は、半導体装置を製造するためのホトリソグラフ
ィ工程における現像後のホトレジスト（８）に対して、
ホ）ｌ／シスト（８）が硬化する光強度よりも弱い第１
の光強度（例えば数ｍＷ／２〜数＋ｍＷ／ｃｒｒＬ）で
少なくともホトレジスト（８）に光照射する工程と、次
にホトレジスト（８）が硬化する第２の光強度（例えば
数百ｍＷ／ｍ ）でホトレジスト（８）に光照射する工
程を有する。
ィ工程における現像後のホトレジスト（８）に対して、
ホ）ｌ／シスト（８）が硬化する光強度よりも弱い第１
の光強度（例えば数ｍＷ／２〜数＋ｍＷ／ｃｒｒＬ）で
少なくともホトレジスト（８）に光照射する工程と、次
にホトレジスト（８）が硬化する第２の光強度（例えば
数百ｍＷ／ｍ ）でホトレジスト（８）に光照射する工
程を有する。
実際の照射の仕方としては、同じ光強度で第１の照射工
程を行い、次にこれより強い、同じ光強度で第２の照射
工程を行っても良く、また可能であれば第１の照射工程
と第２の照射工程とを連続的に光強度が強まるように制
御して照射しても良い。
程を行い、次にこれより強い、同じ光強度で第２の照射
工程を行っても良く、また可能であれば第１の照射工程
と第２の照射工程とを連続的に光強度が強まるように制
御して照射しても良い。
このホトレジスト（８）の硬化処理は、ボストベークと
しての加熱処理と同時に行うことができる。
しての加熱処理と同時に行うことができる。
又は、ポストベークの後に独立に行っても良く、この場
合のボストベークはホトレジスト（８）が熱変形を起さ
ない温度で行う必要がある。
合のボストベークはホトレジスト（８）が熱変形を起さ
ない温度で行う必要がある。
本発明によれば、ホトレジスト（８）を硬化スるだめの
強度で光照射する工程の前に、ホトレジスト（８）が硬
化しない、弱い強度の光照射を行うため、残留アジドが
徐々に感光し、密着増強剤であるヘキサメチルジシラザ
ン（ＨＭＤＳ）との反応によるＮ２ガスの発生を抑える
ことができる。
強度で光照射する工程の前に、ホトレジスト（８）が硬
化しない、弱い強度の光照射を行うため、残留アジドが
徐々に感光し、密着増強剤であるヘキサメチルジシラザ
ン（ＨＭＤＳ）との反応によるＮ２ガスの発生を抑える
ことができる。
第３図は、本実施例において使用する、ホトレジストの
硬化処理と同時にベーキングを行うことができる装置の
構成を示す。
硬化処理と同時にベーキングを行うことができる装置の
構成を示す。
この装置ｔ１）は、図示するように、出力４ＫＷの２本
の高圧水銀ランプ（２）、この下に配置した光遮蔽用の
開閉自在のシャッタ（３）、所要の光強度に応じて開閉
できる透過率１２％程度の網目状減光用シャッタ（４）
及び波長選択用フィルタ（５）を有し、この下方にウェ
ハ（６）を載置するホットプレート（力を有している。
の高圧水銀ランプ（２）、この下に配置した光遮蔽用の
開閉自在のシャッタ（３）、所要の光強度に応じて開閉
できる透過率１２％程度の網目状減光用シャッタ（４）
及び波長選択用フィルタ（５）を有し、この下方にウェ
ハ（６）を載置するホットプレート（力を有している。
そして、半導体装置製造のためのホトリソグラフィ工程
においてウェハ（６）の所要のパターンを形成すべき層
上べのへキサメチルジシラザン（ＨＭｆ）Ｓ）の塗布及
び高解像力を有するホトレジスト（８）であるＤＰＲ２
６００（商品名）の塗布（厚さ１．２μ）、プリベーク
、露光及び現像を終えた後、このウェハ（６）を本装置
（１）のホットプレート（７）上に自動的に搬送して載
置する。そして、第１図に示すように、最初の２０秒間
減光用シャッタ（４）を閉じた状態で２０ｍＷ／ｃｍの
照度でホトレジスト（８）への紫外線（２２０〜３２０
ｎｍ ） （９）の照射を行い、次の２０秒間減光用シ
ャッタ（４）を開いた状態で２５０ｍＷ／ｃｍの照度で
紫外線（９）の照射を行ってホトレジスト（８）の硬化
処理を行う。ホットプレート（力によるウェハ（６）の
ベーキングは、第２図に示すように、この硬化処理と同
時に行い、１００℃に加熱されているホットプレート（
力を第２の照射工程の終了時である４０秒後に１４０℃
となるように１℃／秒の速度で昇温させて行う。
においてウェハ（６）の所要のパターンを形成すべき層
上べのへキサメチルジシラザン（ＨＭｆ）Ｓ）の塗布及
び高解像力を有するホトレジスト（８）であるＤＰＲ２
６００（商品名）の塗布（厚さ１．２μ）、プリベーク
、露光及び現像を終えた後、このウェハ（６）を本装置
（１）のホットプレート（７）上に自動的に搬送して載
置する。そして、第１図に示すように、最初の２０秒間
減光用シャッタ（４）を閉じた状態で２０ｍＷ／ｃｍの
照度でホトレジスト（８）への紫外線（２２０〜３２０
ｎｍ ） （９）の照射を行い、次の２０秒間減光用シ
ャッタ（４）を開いた状態で２５０ｍＷ／ｃｍの照度で
紫外線（９）の照射を行ってホトレジスト（８）の硬化
処理を行う。ホットプレート（力によるウェハ（６）の
ベーキングは、第２図に示すように、この硬化処理と同
時に行い、１００℃に加熱されているホットプレート（
力を第２の照射工程の終了時である４０秒後に１４０℃
となるように１℃／秒の速度で昇温させて行う。
そして、紫外線（９）の照射終了と同時にホットプレー
ト（７３の昇温を止め、初期温度の１００℃まで降温さ
せる。即ち、本実施例によれば、従来のホトレシスト（
８）の硬化処理を併用したポストベーク工程の前に、低
い照度による紫外線照射と低い温度によるベーキングと
の同時工程を付加したことになる。上記処理が終了した
後は、通常の工程に従って自動的にウェハ（６）をエツ
チング工程へ転送する。
ト（７３の昇温を止め、初期温度の１００℃まで降温さ
せる。即ち、本実施例によれば、従来のホトレシスト（
８）の硬化処理を併用したポストベーク工程の前に、低
い照度による紫外線照射と低い温度によるベーキングと
の同時工程を付加したことになる。上記処理が終了した
後は、通常の工程に従って自動的にウェハ（６）をエツ
チング工程へ転送する。
本実施例に係る処理を施したホトレジスト（８）につい
て耐熱性の試験を行った場合、２００℃で６分間のホッ
トプレートによるベーキングを行つ℃も変形が生じない
程耐熱性が向上する。
て耐熱性の試験を行った場合、２００℃で６分間のホッ
トプレートによるベーキングを行つ℃も変形が生じない
程耐熱性が向上する。
上記実施例においては、紫外線による照射工程とベーキ
ング工程とを同時に行ったが、両工程を別々に行うこと
もできる。この場合には、ホトレジスト（８）は変形が
起らない程度の温°度でベーキングを行った後、第１図
に示すようにホトレジスト（８）が硬化しない弱い照度
（２ＱｒｒｉＷ／３ ＞による２０秒間の紫外線照射と
ホ）Ｌ／シスト（８）が硬化する強い照度（２５０ｍＷ
／ｃＷＬ）による２０秒間の紫外線照射とを連続的に行
う。
ング工程とを同時に行ったが、両工程を別々に行うこと
もできる。この場合には、ホトレジスト（８）は変形が
起らない程度の温°度でベーキングを行った後、第１図
に示すようにホトレジスト（８）が硬化しない弱い照度
（２ＱｒｒｉＷ／３ ＞による２０秒間の紫外線照射と
ホ）Ｌ／シスト（８）が硬化する強い照度（２５０ｍＷ
／ｃＷＬ）による２０秒間の紫外線照射とを連続的に行
う。
本発明によれば、高解像力を有するが、耐熱性の低いホ
トレジストを使用した場合のホトレジストの硬化処理に
おいて、ホトレジストを硬化させる光照射工程の前に、
ホトレジストが硬化しない程度の弱い強度による光照射
工程を設けるため、残留アジドとへキサメチルクシ２ザ
ン（）ＩＭＤ Ｓ ）との反応による気泡の発生を防止
することができる。
トレジストを使用した場合のホトレジストの硬化処理に
おいて、ホトレジストを硬化させる光照射工程の前に、
ホトレジストが硬化しない程度の弱い強度による光照射
工程を設けるため、残留アジドとへキサメチルクシ２ザ
ン（）ＩＭＤ Ｓ ）との反応による気泡の発生を防止
することができる。
第１図は紫外線の照射条件を示すグラフ、第２図は加熱
条件を示すグラフ、第３図は本発明に係る装置の構成図
である。 ｔｌ）は本発明に係る装置、（２）は水銀ランプ、（４
）は減光用シャッタ、（６）はウェハ、（力はホットプ
Ｖ −）、（８）はホトレジスト、（９）は紫外線であ
る。
条件を示すグラフ、第３図は本発明に係る装置の構成図
である。 ｔｌ）は本発明に係る装置、（２）は水銀ランプ、（４
）は減光用シャッタ、（６）はウェハ、（力はホットプ
Ｖ −）、（８）はホトレジスト、（９）は紫外線であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 現像後のホトレジストに対して、 該ホトレジストが硬化する光強度よりも弱い第１の光強
度で少なくとも上記ホトレジストに光照射する工程と、 該ホトレジストが硬化する第２の光強度で上記ホトレジ
ストに光照射する工程 を有するホトレジストの硬化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7875887A JPS63244623A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | ホトレジストの硬化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7875887A JPS63244623A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | ホトレジストの硬化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244623A true JPS63244623A (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13670797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7875887A Pending JPS63244623A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | ホトレジストの硬化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63244623A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086495A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Fuji Electric Co Ltd | フォトレジストパターンの形成方法 |
| JP2003151876A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Fujitsu Ltd | リソグラフィー方法及び加工方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62187345A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-15 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP7875887A patent/JPS63244623A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62187345A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-15 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086495A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Fuji Electric Co Ltd | フォトレジストパターンの形成方法 |
| JP2003151876A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Fujitsu Ltd | リソグラフィー方法及び加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5648198A (en) | Resist hardening process having improved thermal stability | |
| JP3188673B2 (ja) | 基板の製造方法 | |
| JPS63234528A (ja) | レジスト処理方法 | |
| JPS63244623A (ja) | ホトレジストの硬化方法 | |
| US5370974A (en) | Laser exposure of photosensitive polyimide for pattern formation | |
| US4933263A (en) | Forming method of resist pattern | |
| KR100291331B1 (ko) | 반도체소자의제조장비및이를이용한반도체소자의패턴형성방법 | |
| JP3676947B2 (ja) | 半導体素子の製造装備、これを利用した半導体素子のパターン形成方法及びこれを適用した半導体素子製造用フォトレジスト | |
| JP2001326153A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS61116838A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JP2863177B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| TW486740B (en) | Improved method for controlling critical dimension during high temperature photoresist reflow process by ultraviolet light irradiation | |
| JP3271093B2 (ja) | パターン形成方法及びパターン形成装置 | |
| JPH0954438A (ja) | フォトレジストパターン及びその形成方法 | |
| JPH0837140A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63215040A (ja) | レジストのハ−ドニング方法 | |
| JP2894772B2 (ja) | Ｘ線窓の製造方法 | |
| JPH01234852A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS63261834A (ja) | レジスト硬化方法 | |
| JP3139718B2 (ja) | レジストの除去方法 | |
| JPH07152153A (ja) | 感光性ペースト | |
| JPH02264960A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS58145125A (ja) | レジスト・マスクの形成方法 | |
| JPH02262155A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2003086495A (ja) | フォトレジストパターンの形成方法 |