JPH01244403A - 光学膜の作製方法 - Google Patents
光学膜の作製方法Info
- Publication number
- JPH01244403A JPH01244403A JP63072827A JP7282788A JPH01244403A JP H01244403 A JPH01244403 A JP H01244403A JP 63072827 A JP63072827 A JP 63072827A JP 7282788 A JP7282788 A JP 7282788A JP H01244403 A JPH01244403 A JP H01244403A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon dioxide
- optical film
- ions
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012788 optical film Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 31
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 23
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 8
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 6
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 and in that case Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
この発明は、例えば光学フィルタ等の光学素子に用いら
れる光学膜の作製方法に関する。
れる光学膜の作製方法に関する。
〔従来の技術]
第3図は光学フィルタの−・例を示すものであり、石英
ガラス基板4の表面に、五酸化タンタル(T a 20
s )膜6、二酸化ケイ素(SiOz )膜7および
フッ化マグネシウム(MgF2)膜8を積層して、これ
らの光学膜6〜Bの組合せによって所望のフィルタ特性
を得るようにしている。
ガラス基板4の表面に、五酸化タンタル(T a 20
s )膜6、二酸化ケイ素(SiOz )膜7および
フッ化マグネシウム(MgF2)膜8を積層して、これ
らの光学膜6〜Bの組合せによって所望のフィルタ特性
を得るようにしている。
その場合、−1−記のような光学I模6〜8は、従来は
、抵抗加熱や電子ヒーム法、あるいはスパック法等によ
る真空蒸着によって作製していた。
、抵抗加熱や電子ヒーム法、あるいはスパック法等によ
る真空蒸着によって作製していた。
ところが、例えば二酸化ケイ素膜7について言えば、真
空蒸着で二酸化ケイ素を基材上に堆積させる従来の方法
では、二酸化ケイ素の結晶性が悪くて組成が不安定にな
る等の理由によって、その光学的特性が熱に対して不安
定になるという問題があった。
空蒸着で二酸化ケイ素を基材上に堆積させる従来の方法
では、二酸化ケイ素の結晶性が悪くて組成が不安定にな
る等の理由によって、その光学的特性が熱に対して不安
定になるという問題があった。
特に、上記のような光学フィルタを他の光学素子に接着
する際にその下杵において二酸化ケイ素膜7が加熱され
る等の熱H歴を受ける場合があり、そのような場合、二
酸化ケイ素膜7の光の透過波長域が加熱の前後で大きく
シフ1へするという問題があった。 、。
する際にその下杵において二酸化ケイ素膜7が加熱され
る等の熱H歴を受ける場合があり、そのような場合、二
酸化ケイ素膜7の光の透過波長域が加熱の前後で大きく
シフ1へするという問題があった。 、。
また同様の問題は、他の酸化物(例えばT’a205、
Al2O3、ZrO□等)から成る光学膜についても存
在していた。
Al2O3、ZrO□等)から成る光学膜についても存
在していた。
そこでこの発明は、二酸化ケイ素等の酸化物から成るも
のであって、光学的特性が安定しており、熱履歴を受け
たような場合でも光の透過波長域のシフト量が少ない光
学膜の作製方法を提供することを目的とする。
のであって、光学的特性が安定しており、熱履歴を受け
たような場合でも光の透過波長域のシフト量が少ない光
学膜の作製方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、この発明の方法においては、
真空中で基材に対して、酸化物およびそれを構成する金
属の少なくと′も一方の蒸着と、運動エネルギーを付与
した酸素粒子および不活性ガス粒子の少なくとも一方の
輸送とを行うことによって、基材上に前記酸化物から成
る光学膜を作製するようにしている。
真空中で基材に対して、酸化物およびそれを構成する金
属の少なくと′も一方の蒸着と、運動エネルギーを付与
した酸素粒子および不活性ガス粒子の少なくとも一方の
輸送とを行うことによって、基材上に前記酸化物から成
る光学膜を作製するようにしている。
また、基材に対する二酸化ケイ素の蒸着と運動エネルギ
ーを付与した不活性ガス粒子の輸送とを′併用して、基
材上に二酸化ケイ素から成る光学膜を作製すそこともで
きる。
ーを付与した不活性ガス粒子の輸送とを′併用して、基
材上に二酸化ケイ素から成る光学膜を作製すそこともで
きる。
上記方法によれば、二酸化ケイ素等の酸化物から成るも
のであって、光学的特性が安定しており、熱履歴を受け
たような場合でも光の透過波長域のシフト量が少ない光
学膜が得られる。
のであって、光学的特性が安定しており、熱履歴を受け
たような場合でも光の透過波長域のシフト量が少ない光
学膜が得られる。
これは、輸送粒子の運動エネルギーによって、基材上に
堆積される酸化物の結晶化が促進され、それによってそ
の結晶性が単なる真空蒸着による場合よりも向上して組
成が安定化するからであると考えられる。
堆積される酸化物の結晶化が促進され、それによってそ
の結晶性が単なる真空蒸着による場合よりも向上して組
成が安定化するからであると考えられる。
[実施例〕
第1図は、実施例に使用した装置の一例を示す概略図で
ある。
ある。
真空容器(図示省略)内に設けたホルダ10に、基材の
一例として、前述したような石英ガラス基板4上に真空
蒸着等の既存の技術を用いて五酸化タンタル膜6を形成
したものを装着した。
一例として、前述したような石英ガラス基板4上に真空
蒸着等の既存の技術を用いて五酸化タンタル膜6を形成
したものを装着した。
そして、真空容器内を例えば10−5〜10−’Tor
r程度に排気した後、五酸化タンタル膜6の表面に対し
て、蒸発源(例えば電子ビーム蒸発源)12によってこ
の例では二酸化ケイ素14を蒸着させるのと同時に、イ
オン源(例えばバケット型イオン源)18によって不活
性゛ガスイオン20としてNeイオンまたはKrイオン
を加速して照射し、それによって五酸化タンタル膜6の
表面に二酸化ケイ素膜(二酸化ケイ素から成る光学膜)
7aを作製した。また比較のために、不活性ガスイオン
20を照射せずに真空蒸着のみによっても二酸化ケイ素
膜7aを作製した。16は蒸着膜の膜厚モニタである。
r程度に排気した後、五酸化タンタル膜6の表面に対し
て、蒸発源(例えば電子ビーム蒸発源)12によってこ
の例では二酸化ケイ素14を蒸着させるのと同時に、イ
オン源(例えばバケット型イオン源)18によって不活
性゛ガスイオン20としてNeイオンまたはKrイオン
を加速して照射し、それによって五酸化タンタル膜6の
表面に二酸化ケイ素膜(二酸化ケイ素から成る光学膜)
7aを作製した。また比較のために、不活性ガスイオン
20を照射せずに真空蒸着のみによっても二酸化ケイ素
膜7aを作製した。16は蒸着膜の膜厚モニタである。
上記の場合、照射イオンに不活性ガスイオン20を用い
るのは、それが反応性に乏しくガスとして膜から抜は出
し易く、従って二酸化ケイ素膜7a内への不純物混入の
問題が起こらないからである。
るのは、それが反応性に乏しくガスとして膜から抜は出
し易く、従って二酸化ケイ素膜7a内への不純物混入の
問題が起こらないからである。
上記のようにして各種条件下で作製した二酸化ケイ素7
al15Jの加熱前後の光の透過波長域のシフト量を第
2図に示す。加熱は、前述したような接着工程における
条件に近い500°C130分間とした。また同図の横
軸は、基材に対する不活性ガスイオン/二酸化ケイ素の
輸送比を示す。
al15Jの加熱前後の光の透過波長域のシフト量を第
2図に示す。加熱は、前述したような接着工程における
条件に近い500°C130分間とした。また同図の横
軸は、基材に対する不活性ガスイオン/二酸化ケイ素の
輸送比を示す。
この図からも分かるように、従莱法である真空蒸着のみ
の場合は、加熱の前後において透過波長域が約2’6n
mもシフトしたのに対して、不活性ガスイオン20の照
射を併用した場合は、シフト量が大幅に減少した。これ
は、照射不活性ガスイオン20の運動エネルギーによっ
て二酸化ケイ素の結晶化が促進され、それによってその
結晶性が単なる真空蒸着による場合よりも向上して組成
が安定化するからであると考えられる。特に、Krイオ
ンを200eVで照射した場合は、輸送比が1%程度以
上においてシフトは殆ど無かった。
の場合は、加熱の前後において透過波長域が約2’6n
mもシフトしたのに対して、不活性ガスイオン20の照
射を併用した場合は、シフト量が大幅に減少した。これ
は、照射不活性ガスイオン20の運動エネルギーによっ
て二酸化ケイ素の結晶化が促進され、それによってその
結晶性が単なる真空蒸着による場合よりも向上して組成
が安定化するからであると考えられる。特に、Krイオ
ンを200eVで照射した場合は、輸送比が1%程度以
上においてシフトは殆ど無かった。
尚、不活性ガスイオン20のイオン種としては、上記の
ようなNe、Kr以外にも、He、Ar、xe、あるい
はこれらを混合したものが採り得る。
ようなNe、Kr以外にも、He、Ar、xe、あるい
はこれらを混合したものが採り得る。
また、運動エネルギーを付与した不活性ガス粒子を基材
に輸送する方法としては、上記のようにイオン源18を
用いて不活性ガスイオン20を電気菌に加速して照射す
る方法の他に、そのようにして加速した不活性ガスイオ
ン20を中性粒子化して照射する方法、不活性カスを高
周波放電等によってプラズマ化してそれを基Hのバイア
ス電圧で引き込む方法等が採り得る。
に輸送する方法としては、上記のようにイオン源18を
用いて不活性ガスイオン20を電気菌に加速して照射す
る方法の他に、そのようにして加速した不活性ガスイオ
ン20を中性粒子化して照射する方法、不活性カスを高
周波放電等によってプラズマ化してそれを基Hのバイア
ス電圧で引き込む方法等が採り得る。
また、不活性ガス粒子の輸送は、−酸化ゲイ素の蒸着と
同時でも交互でも良く、また連続的でも間歇的でも良い
。
同時でも交互でも良く、また連続的でも間歇的でも良い
。
また、基材に対する不活性ガス粒子/二酸化ケイ素の輸
送比は、−に記実施例からも分かるように、零以外であ
れば特に限定されない。
送比は、−に記実施例からも分かるように、零以外であ
れば特に限定されない。
また、不活性ガス粒子の工不ルキーも特定のものに限定
されないが、二酸化ケイ素等の酸化物は絶縁物であるた
め、膜作製時の牧夫1f0におりろ帯電を軽減する観点
から、IKeV程度以下にするのが好ましい。
されないが、二酸化ケイ素等の酸化物は絶縁物であるた
め、膜作製時の牧夫1f0におりろ帯電を軽減する観点
から、IKeV程度以下にするのが好ましい。
また、上記と同様の方法によって、W材上に、二酸化ケ
イ素以外の酸化物(例えばTa205、Δ1□01、Z
rO2等)から成る光学膜を作製することもでき、その
場合も二酸化ケイ素の場合と同様の効果が得られる。
イ素以外の酸化物(例えばTa205、Δ1□01、Z
rO2等)から成る光学膜を作製することもでき、その
場合も二酸化ケイ素の場合と同様の効果が得られる。
その場合、酸化物を構成する金属を基材に対して蒸着さ
せても良く、その場合は、運動エネルギーを付与した酸
素粒子を基材に対して輸送する。
せても良く、その場合は、運動エネルギーを付与した酸
素粒子を基材に対して輸送する。
そうすると両者が化合して、基材上にその酸化物から成
る光学膜が作製されると共に、酸素粒子の運動エネルギ
ーによって当該酸化物の前述したよ・うな結晶性改善が
行われる。
る光学膜が作製されると共に、酸素粒子の運動エネルギ
ーによって当該酸化物の前述したよ・うな結晶性改善が
行われる。
また、基(Aに対して酸化物を蒸着させる場合は、輸送
する粒子は酸素粒子、不活性ガス粒子のいずれかあるい
は両方でも良い。この場合、酸素粒子は酸化物構成元素
の一つであることから、また不4!i性ガス粒子ば反応
性に乏しくガスとして膜から抜は出し易いことから、い
ずれも光学膜内に対する不純物混入の問題を避Yl、l
ることができる。
する粒子は酸素粒子、不活性ガス粒子のいずれかあるい
は両方でも良い。この場合、酸素粒子は酸化物構成元素
の一つであることから、また不4!i性ガス粒子ば反応
性に乏しくガスとして膜から抜は出し易いことから、い
ずれも光学膜内に対する不純物混入の問題を避Yl、l
ることができる。
〔発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、二酸化ゲイ素等の酸化
物から成るものであって、光学的特性が安定しており、
熱履歴を受けたような場合でも光の透過波長域のシフI
−量が少ない光学膜が得られ
物から成るものであって、光学的特性が安定しており、
熱履歴を受けたような場合でも光の透過波長域のシフI
−量が少ない光学膜が得られ
第11屈は、実施例に使用した装置の一例を示す概略図
である。第2図は、各種条件下で作製した二酸化ケイ素
膜の加熱前後におりる光の透過波長域のシフト量を示す
図である。第3図は、光学フィルタの一例を示す断面図
である。 4・・・石英ガラス基板、6・・・五酸化タンタル膜、
7a・・・二酸化ケイ素膜、12・・・蒸発源、14・
・・二酸化ケイ素、18・・・イオン源、2゜・・・不
活性ガスイオン。
である。第2図は、各種条件下で作製した二酸化ケイ素
膜の加熱前後におりる光の透過波長域のシフト量を示す
図である。第3図は、光学フィルタの一例を示す断面図
である。 4・・・石英ガラス基板、6・・・五酸化タンタル膜、
7a・・・二酸化ケイ素膜、12・・・蒸発源、14・
・・二酸化ケイ素、18・・・イオン源、2゜・・・不
活性ガスイオン。
Claims (2)
- (1)真空中で基材に対して、酸化物およびそれを構成
する金属の少なくとも一方の蒸着と、運動エネルギーを
付与した酸素粒子および不活性ガス粒子の少なくとも一
方の輸送とを行うことによって、基材上に前記酸化物か
ら成る光学膜を作製することを特徴とする光学膜の作製
方法。 - (2)真空中で基材に対して、二酸化ケイ素の蒸着と、
運動エネルギーを付与した不活性ガス粒子の輸送とを行
うことによって、基材上に二酸化ケイ素から成る光学膜
を作製することを特徴とする光学膜の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63072827A JPH01244403A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 光学膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63072827A JPH01244403A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 光学膜の作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01244403A true JPH01244403A (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=13500638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63072827A Pending JPH01244403A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 光学膜の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01244403A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03202461A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-04 | Nissin Electric Co Ltd | 高絶縁酸化ケイ素薄膜の形成方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5489983A (en) * | 1977-12-28 | 1979-07-17 | Toshiba Corp | Device and method for vacuum deposition compound |
JPS5565239A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Method of forming film of titanium oxide on plastic base plate |
JPS5974279A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-26 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 金属薄膜の蒸着被覆装置 |
JPS61104070A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-22 | Toshiba Corp | 薄膜形成法 |
JPS61288064A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Canon Inc | イオンビ−ムアシスト成膜装置 |
JPS61290402A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-20 | Olympus Optical Co Ltd | 光学部品への反射防止膜の被覆方法 |
JPS6210269A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-19 | Asahi Glass Co Ltd | 真空蒸着装置及び薄膜の製造方法 |
JPH02266514A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-10-31 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ヘテロ構造の半導体デバイス及びその製造方法 |
JPH0430578A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体量子箱構造の製造方法 |
JPH05121320A (ja) * | 1991-06-13 | 1993-05-18 | Fujitsu Ltd | 半導体量子箱装置及びその製造方法 |
JPH05183238A (ja) * | 1992-01-06 | 1993-07-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体量子箱構造の製造方法 |
JPH08236748A (ja) * | 1995-02-22 | 1996-09-13 | Fujitsu Ltd | 量子半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63072827A patent/JPH01244403A/ja active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5489983A (en) * | 1977-12-28 | 1979-07-17 | Toshiba Corp | Device and method for vacuum deposition compound |
JPS5565239A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Method of forming film of titanium oxide on plastic base plate |
JPS5974279A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-26 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 金属薄膜の蒸着被覆装置 |
JPS61104070A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-22 | Toshiba Corp | 薄膜形成法 |
JPS61288064A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Canon Inc | イオンビ−ムアシスト成膜装置 |
JPS61290402A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-20 | Olympus Optical Co Ltd | 光学部品への反射防止膜の被覆方法 |
JPS6210269A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-19 | Asahi Glass Co Ltd | 真空蒸着装置及び薄膜の製造方法 |
JPH02266514A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-10-31 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ヘテロ構造の半導体デバイス及びその製造方法 |
JPH0430578A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体量子箱構造の製造方法 |
JPH05121320A (ja) * | 1991-06-13 | 1993-05-18 | Fujitsu Ltd | 半導体量子箱装置及びその製造方法 |
JPH05183238A (ja) * | 1992-01-06 | 1993-07-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体量子箱構造の製造方法 |
JPH08236748A (ja) * | 1995-02-22 | 1996-09-13 | Fujitsu Ltd | 量子半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03202461A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-04 | Nissin Electric Co Ltd | 高絶縁酸化ケイ素薄膜の形成方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6223450B2 (ja) | ||
JPH01244403A (ja) | 光学膜の作製方法 | |
JPH04104901A (ja) | 酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
JPH01244402A (ja) | 光学膜の作製方法 | |
JP4022657B2 (ja) | 誘電体光学薄膜の製造方法 | |
JPH08337435A (ja) | 石英系ガラス膜の製造方法 | |
JPS63262457A (ja) | 窒化ホウ素膜の作製方法 | |
JPH06340422A (ja) | チタン酸化物薄膜の製造方法 | |
JP2916514B2 (ja) | 酸化物薄膜の製造方法 | |
JPH10279378A (ja) | 結晶製造方法及び製造装置 | |
JPH01104763A (ja) | 金属化合物薄膜の製造方法 | |
JPS61104070A (ja) | 薄膜形成法 | |
JPH04285154A (ja) | 炭素薄膜の作成方法 | |
JPS63119220A (ja) | 薄膜製造方法 | |
JPS5934654B2 (ja) | 透明導電性膜の製造法 | |
JPS5947428B2 (ja) | 熱線をカツトした白熱電球とその製法 | |
JPH048506B2 (ja) | ||
JPH01219162A (ja) | 酸化物薄膜の製造装置および製造方法 | |
JPH04198469A (ja) | 複合体の製造法 | |
JPH04132604A (ja) | 酸化物超伝導薄膜の製造法 | |
JPH0254742A (ja) | 真空蒸着用銅基材の製造方法 | |
JPH03138353A (ja) | 酸化物薄膜の製造方法 | |
JPS61253736A (ja) | 六硼化ランタン薄膜陰極の製造方法 | |
JPH05271909A (ja) | 酸化亜鉛膜の製造方法 | |
JPH02180793A (ja) | 薄膜製造方法 |