JPS5934654B2 - 透明導電性膜の製造法 - Google Patents
透明導電性膜の製造法Info
- Publication number
- JPS5934654B2 JPS5934654B2 JP19210881A JP19210881A JPS5934654B2 JP S5934654 B2 JPS5934654 B2 JP S5934654B2 JP 19210881 A JP19210881 A JP 19210881A JP 19210881 A JP19210881 A JP 19210881A JP S5934654 B2 JPS5934654 B2 JP S5934654B2
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- JP
- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
- silicon oxide
- molybdenum
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- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明導電性膜の製造法に関するものである。
現在、ガラス、プラスチック等の透明基板に透明導電性
膜を形成したものは電気光学素子、発熱素子等の電子工
学分野のみならず、防滴あるいは防曇ガラス等として各
方面で多数利用されつつある。
膜を形成したものは電気光学素子、発熱素子等の電子工
学分野のみならず、防滴あるいは防曇ガラス等として各
方面で多数利用されつつある。
従来、上述のような透明導電性膜を得る方法として様々
のものが提案されている。
のものが提案されている。
すなわち、ハロゲン化錫水溶液を熱ガラス板等に噴霧す
る方法、酸化錫を蒸着することにより薄膜を形成する方
法、チタンを蒸着して後強制酸化して適当な抵抗値の酸
化チタン膜を得る方法、金を蒸着して金蒸着薄膜を得る
方法、あるいは酸化インジウムを蒸着して薄膜を得る方
法等があげられる。
る方法、酸化錫を蒸着することにより薄膜を形成する方
法、チタンを蒸着して後強制酸化して適当な抵抗値の酸
化チタン膜を得る方法、金を蒸着して金蒸着薄膜を得る
方法、あるいは酸化インジウムを蒸着して薄膜を得る方
法等があげられる。
しかしながら、噴霧等の方法では均一な導電膜を得るこ
とが困難であり、真空蒸着においても材料が高価であつ
たり、蒸気圧が低く蒸着条件の不安定さ、工程の煩雑さ
等の点から蒸着を透明度導電性共に均一に再現性良く行
うことは困難であつた。
とが困難であり、真空蒸着においても材料が高価であつ
たり、蒸気圧が低く蒸着条件の不安定さ、工程の煩雑さ
等の点から蒸着を透明度導電性共に均一に再現性良く行
うことは困難であつた。
また、導電性の良い金導電性膜では反射率が高すぎるた
め、さらに反射防止処理を施さねば透明導電膜として不
十分である。また、酸化チタン等のように強制酸化され
たものは、導電率がやや不安定になり易い等の種々の実
用上の難点を有していた。本発明者らは、これらの難点
に留意し、鋭意研究の結果、蒸着の過程で、酸化硅素の
還元作用によりΞ酸化モリブデンを導電性を有する五二
酸化モリブデンに還元させて、導電性モリブデン−酸Ｉ
化硅素系の透明導電性膜を形成することにより、透明
度が高く、且つ安定した導電性を有する透明導電性膜を
容易に製造することができ、しかも三酸化モリブデンと
酸化硅素の量の比を変えることにより容易に任意の導電
率の透明導電性膜を得るク ことができることを見い出
し、かかる知見にもとづいて本発明を完成したものであ
る。
め、さらに反射防止処理を施さねば透明導電膜として不
十分である。また、酸化チタン等のように強制酸化され
たものは、導電率がやや不安定になり易い等の種々の実
用上の難点を有していた。本発明者らは、これらの難点
に留意し、鋭意研究の結果、蒸着の過程で、酸化硅素の
還元作用によりΞ酸化モリブデンを導電性を有する五二
酸化モリブデンに還元させて、導電性モリブデン−酸Ｉ
化硅素系の透明導電性膜を形成することにより、透明
度が高く、且つ安定した導電性を有する透明導電性膜を
容易に製造することができ、しかも三酸化モリブデンと
酸化硅素の量の比を変えることにより容易に任意の導電
率の透明導電性膜を得るク ことができることを見い出
し、かかる知見にもとづいて本発明を完成したものであ
る。
即ち、本発明の要旨は基体上に三酸化モリブデンと酸化
硅素を同時に蒸着し、蒸着と同時に酸化硅素の還元作用
により三酸化モリブデンを五二酸化ｏ モリブデンに還
元させ、導電性酸化モリブデン−酸化硅素系の透明導電
性膜を形成することを特徴とする透明導電性膜の製造法
である。
硅素を同時に蒸着し、蒸着と同時に酸化硅素の還元作用
により三酸化モリブデンを五二酸化ｏ モリブデンに還
元させ、導電性酸化モリブデン−酸化硅素系の透明導電
性膜を形成することを特徴とする透明導電性膜の製造法
である。
以下、本発明につき、詳細に説明する。
三酸化モリブデンと酸化硅素を混合して同一の■５ 蒸
着源から、またはそれぞれを別個の蒸着源から同時に蒸
着して基体土に蒸着膜を形成して、蒸着ウーと同時に酸
化硅素の還元作用により三酸化モリブデンを五二酸化モ
リブデンに還元させ、導電性酸化モリブデン一酸化硅素
系の透明導電性膜を形成する。
着源から、またはそれぞれを別個の蒸着源から同時に蒸
着して基体土に蒸着膜を形成して、蒸着ウーと同時に酸
化硅素の還元作用により三酸化モリブデンを五二酸化モ
リブデンに還元させ、導電性酸化モリブデン一酸化硅素
系の透明導電性膜を形成する。
而して、本発明の製造法において、基体にはガラス、プ
ラスチツク、セラミツ久布、紙など種々のものが適用で
きる。
ラスチツク、セラミツ久布、紙など種々のものが適用で
きる。
次に本発明の製造法において、酸化硅素は、硅素と酸素
の化合物であり、硅未と酸素との比はＯ〜２まで取りう
る。
の化合物であり、硅未と酸素との比はＯ〜２まで取りう
る。
本発明においては透明導電性膜を形成する前の段階にお
いて、酸化硅素が全体として還元性を有していれば良い
ため、硅素と酸素との比が種々のものの混合物であつて
も差しつかえないが、硅素と酸素との比が一定である方
が導電率の調整などの点において好ましいと言える。次
に本発明の製造法において蒸着の方法としては抵抗加熱
、電子線加熱、誘導加熱または熱放射加熱などの真空加
熱蒸着あるいはスバツタリングなどが適用できる。本発
明の製造法による場合、三酸化モリブデンが酸化硅素に
より還元されて五二酸化モリブデンに変化するが、一部
にはモリブデンの５価および６価酸化物の中間化合物な
どが含まれているものと考えられる。
いて、酸化硅素が全体として還元性を有していれば良い
ため、硅素と酸素との比が種々のものの混合物であつて
も差しつかえないが、硅素と酸素との比が一定である方
が導電率の調整などの点において好ましいと言える。次
に本発明の製造法において蒸着の方法としては抵抗加熱
、電子線加熱、誘導加熱または熱放射加熱などの真空加
熱蒸着あるいはスバツタリングなどが適用できる。本発
明の製造法による場合、三酸化モリブデンが酸化硅素に
より還元されて五二酸化モリブデンに変化するが、一部
にはモリブデンの５価および６価酸化物の中間化合物な
どが含まれているものと考えられる。
本発明の製造法による場合、蒸着源が同一、別個にかか
わらず、三酸化モリブデンの方が酸化硅素よりも蒸気圧
が高いため、先に蒸着され基体に近い方に大量に存在し
、表面付近はほとんど酸化硅素のみの状態となる。
わらず、三酸化モリブデンの方が酸化硅素よりも蒸気圧
が高いため、先に蒸着され基体に近い方に大量に存在し
、表面付近はほとんど酸化硅素のみの状態となる。
このため、酸化払素の量を多くすることにより表面層を
絶縁化することも導電性を付与するのと同一工程中で行
ないうる。この方法によれば、上記のように蒸着層にお
いて、基体近傍に酸化モリブデンが存在し、表面はほと
んど酸化硅素のみであることから酸化硅素が保護膜とし
て働き安定性も良好である。本発明の製造法によれば、
蒸着する三酸化モリブデンの量と酸化硅素の量との比を
変化させることにより蒸着層の導電率を調整することが
できる。
絶縁化することも導電性を付与するのと同一工程中で行
ないうる。この方法によれば、上記のように蒸着層にお
いて、基体近傍に酸化モリブデンが存在し、表面はほと
んど酸化硅素のみであることから酸化硅素が保護膜とし
て働き安定性も良好である。本発明の製造法によれば、
蒸着する三酸化モリブデンの量と酸化硅素の量との比を
変化させることにより蒸着層の導電率を調整することが
できる。
また、膜厚は５００〜５０００八程度力何能である。本
発明の製造法により得られる透明導電性膜は透明度が高
く、安定な導電性を示し、反射光が少ない。
発明の製造法により得られる透明導電性膜は透明度が高
く、安定な導電性を示し、反射光が少ない。
また、製造の段階において、表面を酸化硅素で被覆する
こともでき、この場合、酸化硅素が保護層として働くの
で導電性が非常に安定し強度の大きな透明導電性膜が得
られる。本発明の製造法に従つて透明導電性膜を製造す
るのに用いる材料である酸化硅素および三酸化モリブデ
ンはいずれも高価でなく、入手容易である上、酸化硅素
はもとより三酸化モリブデンは蒸着温度が低く、蒸着が
容易で均一な層が得られる。
こともでき、この場合、酸化硅素が保護層として働くの
で導電性が非常に安定し強度の大きな透明導電性膜が得
られる。本発明の製造法に従つて透明導電性膜を製造す
るのに用いる材料である酸化硅素および三酸化モリブデ
ンはいずれも高価でなく、入手容易である上、酸化硅素
はもとより三酸化モリブデンは蒸着温度が低く、蒸着が
容易で均一な層が得られる。
また、本発明の製造法によれば基体を常温状態にして蒸
着することができるので、高温に耐えないような基体、
たとえば、プラスチツクのようなものにも透明導電性膜
を形成し得るものである。このような数々の優れた特徴
を有する本発明の製造法により得られる透明導電性膜は
、電気光学素子、発熱素子などまた防滴、防曇ガラスな
ど幅広く各分野に適用されるものである。以上、詳記し
た通り、本発明の製造法によれば透明度が高く、安定し
た導電性を示し、反射光が少ない、均一な層厚の透明導
電性膜を、入手容易な材料を用いて、容易に形成するこ
とができるのみならず任意の導電率の透明導電性膜を得
ることができる。
着することができるので、高温に耐えないような基体、
たとえば、プラスチツクのようなものにも透明導電性膜
を形成し得るものである。このような数々の優れた特徴
を有する本発明の製造法により得られる透明導電性膜は
、電気光学素子、発熱素子などまた防滴、防曇ガラスな
ど幅広く各分野に適用されるものである。以上、詳記し
た通り、本発明の製造法によれば透明度が高く、安定し
た導電性を示し、反射光が少ない、均一な層厚の透明導
電性膜を、入手容易な材料を用いて、容易に形成するこ
とができるのみならず任意の導電率の透明導電性膜を得
ることができる。
又、本発明の製造法によれば基体を常温状態にして蒸着
することができるので、高温に耐えないような基体上に
も透明導電性膜を形成し得る。次に、実施例を示して、
さらに本発明について具体的に説明する。
することができるので、高温に耐えないような基体上に
も透明導電性膜を形成し得る。次に、実施例を示して、
さらに本発明について具体的に説明する。
実施例 １
ルツボ型熱放射加熱蒸着装置（２×１０−３Ｔ０ｒｒ１
２００′Ｃ）三酸化モリブデンと酸化硅素を１：１０の
重量比で混合してルツボに入れ、ガラス板に蒸着したと
ころ膜厚１００Ａでは７００Ω口、さらに蒸着を続けて
１０００λでは１ＭΩ口と表面抵抗値が基板付近で低い
酸化モリブデン一酸化硅素系透明導電性膜を得た。
２００′Ｃ）三酸化モリブデンと酸化硅素を１：１０の
重量比で混合してルツボに入れ、ガラス板に蒸着したと
ころ膜厚１００Ａでは７００Ω口、さらに蒸着を続けて
１０００λでは１ＭΩ口と表面抵抗値が基板付近で低い
酸化モリブデン一酸化硅素系透明導電性膜を得た。
実施例 ２
ボート型抵抗加熱蒸着（２×１０−３Ｔ０ｒｒ）におい
て、二個のボートにそれぞれ三酸化モリブデンのみ、と
ＳｉＯのみを１：１００の重量比にしてそれぞれ入れて
蒸着したところ、５０への蒸着で１ＫΩ口、１０００人
の蒸着で２００ＭΩ口の表面抵抗値を示した。
て、二個のボートにそれぞれ三酸化モリブデンのみ、と
ＳｉＯのみを１：１００の重量比にしてそれぞれ入れて
蒸着したところ、５０への蒸着で１ＫΩ口、１０００人
の蒸着で２００ＭΩ口の表面抵抗値を示した。
透明度はいずれも優秀で反射も少なかつた。
Claims (1)
- １ 基体上に三酸化モリブデンと酸化硅素を同時に蒸着
し、蒸着と同時に酸化硅素の還元作用により三酸化モリ
ブデンを五二酸化モリブデンに還元させ、導電性酸化モ
リブデン−酸化硅素系の透明導電性膜を形成することを
特徴とする透明導電性の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19210881A JPS5934654B2 (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 透明導電性膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19210881A JPS5934654B2 (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 透明導電性膜の製造法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP624176A Division JPS5290096A (en) | 1976-01-22 | 1976-01-22 | Transparent conductive film and method of manufacture thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57123828A JPS57123828A (en) | 1982-08-02 |
| JPS5934654B2 true JPS5934654B2 (ja) | 1984-08-23 |
Family
ID=16285787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19210881A Expired JPS5934654B2 (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 透明導電性膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5934654B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59101750U (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-09 | 池田物産株式会社 | リクライニング装置のカバ−構造 |
| JPS59101749U (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-09 | 池田物産株式会社 | リクライニング装置のカバ−構造 |
| JPS60175140U (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-20 | 池田物産株式会社 | リクライニング装置 |
| JPS6145845U (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-27 | 株式会社タチエス | リクライニング装置の取付カバ− |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP19210881A patent/JPS5934654B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59101750U (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-09 | 池田物産株式会社 | リクライニング装置のカバ−構造 |
| JPS59101749U (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-09 | 池田物産株式会社 | リクライニング装置のカバ−構造 |
| JPS60175140U (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-20 | 池田物産株式会社 | リクライニング装置 |
| JPS6145845U (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-27 | 株式会社タチエス | リクライニング装置の取付カバ− |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57123828A (en) | 1982-08-02 |
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