JPH01241795A - 薄膜el素子 - Google Patents
薄膜el素子Info
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- JPH01241795A JPH01241795A JP63067433A JP6743388A JPH01241795A JP H01241795 A JPH01241795 A JP H01241795A JP 63067433 A JP63067433 A JP 63067433A JP 6743388 A JP6743388 A JP 6743388A JP H01241795 A JPH01241795 A JP H01241795A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 16
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- -1 rare earth sulfide Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 abstract 2
- MMXSKTNPRXHINM-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[Ce+3].[Ce+3] MMXSKTNPRXHINM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000005132 Calcium sulfide based phosphorescent agent Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N aluminium sulfide Chemical compound [Al+3].[Al+3].[S-2].[S-2].[S-2] COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- YTYSNXOWNOTGMY-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[La+3].[La+3] YTYSNXOWNOTGMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneindium Chemical compound [In]=S GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜EL素子に係り、特に、発光特性の経時変
化の少ない、安定なEL素子構造に関する。
化の少ない、安定なEL素子構造に関する。
薄膜EL素子は自己発光型で表示品質の良い平面デイス
プレィとしてコンピュータ端末や計測装置の表示部に用
いられている。薄膜EL素子の構造を第2図の模式図に
よって説明する。ガラス基板1の上にI T O(In
dium−Tin−Oxida)等の下部透明電極2が
形成されている。この上に、YzOa。
プレィとしてコンピュータ端末や計測装置の表示部に用
いられている。薄膜EL素子の構造を第2図の模式図に
よって説明する。ガラス基板1の上にI T O(In
dium−Tin−Oxida)等の下部透明電極2が
形成されている。この上に、YzOa。
5ins、AflzOa、TazOat 5iaN4、
あるいは、これらの組み合わせからなる第一絶縁層7が
電子ビーム蒸着、あるいは、スパッタリングによって形
成されている。この上には■−■族化合物(ZnS、C
ab、SrS等)を母体とし、これに活性物質(Mn、
Tb、Eu、Ceまたは、これらの硫化物、酸化物、燐
化物、ハロゲン化物等)を適量混合した発光層4が、電
子ビーム蒸着、スパッタリング、あるいは、CVD (
化学気相成良法)により形成されている。さらに、この
上には、第一絶縁層と同様な第二絶縁層8が形成されて
おり、その上にAQ、Au、ITO等の上部電極5が、
ガラス基板1上の下部電極2と直角方向にストライプ状
に形成されている。この薄膜EL素子は、たとえば、日
経エレクトロニクス1981゜11.9.N11277
P86(1981)に記載されている。下部電極2
と上部電極5の間に交流電圧を印加すると、交差した部
分(画素)のみが発光するので、文字やグラフィックス
表示等のデイスプレィ機能が実現できる。
あるいは、これらの組み合わせからなる第一絶縁層7が
電子ビーム蒸着、あるいは、スパッタリングによって形
成されている。この上には■−■族化合物(ZnS、C
ab、SrS等)を母体とし、これに活性物質(Mn、
Tb、Eu、Ceまたは、これらの硫化物、酸化物、燐
化物、ハロゲン化物等)を適量混合した発光層4が、電
子ビーム蒸着、スパッタリング、あるいは、CVD (
化学気相成良法)により形成されている。さらに、この
上には、第一絶縁層と同様な第二絶縁層8が形成されて
おり、その上にAQ、Au、ITO等の上部電極5が、
ガラス基板1上の下部電極2と直角方向にストライプ状
に形成されている。この薄膜EL素子は、たとえば、日
経エレクトロニクス1981゜11.9.N11277
P86(1981)に記載されている。下部電極2
と上部電極5の間に交流電圧を印加すると、交差した部
分(画素)のみが発光するので、文字やグラフィックス
表示等のデイスプレィ機能が実現できる。
薄膜EL素子の絶縁層には、多くの場合、酸化物系の材
料が使われている。しかし、Cab:Eu発光層を用い
た赤色EL素子では、輝度−電圧曲線に極大が現われる
、あるいは、輝度の低下が大きいなど、安定性に問題が
あることが、シャープ技報第37号1987年P17に
論じられている。
料が使われている。しかし、Cab:Eu発光層を用い
た赤色EL素子では、輝度−電圧曲線に極大が現われる
、あるいは、輝度の低下が大きいなど、安定性に問題が
あることが、シャープ技報第37号1987年P17に
論じられている。
このようなCaS:Eu発光層を用いたEL素子での特
性劣化に対しては、発光層に接する絶縁層材料に5ia
Naを用いることで、特性が改善されることか、上述の
文献で述べられている。また、ZnS:Mn発光層を用
いた黄橙色EL素子でも発光層と酸化物絶縁層の中間に
5iaNaのバッファ層を入れることにより、発光特性
が安定することが昭和62年秋季応物学会予稿集P、8
56 に述べられている。
性劣化に対しては、発光層に接する絶縁層材料に5ia
Naを用いることで、特性が改善されることか、上述の
文献で述べられている。また、ZnS:Mn発光層を用
いた黄橙色EL素子でも発光層と酸化物絶縁層の中間に
5iaNaのバッファ層を入れることにより、発光特性
が安定することが昭和62年秋季応物学会予稿集P、8
56 に述べられている。
上記従来技術により、EL発光特性の経時変化は減少す
るが動作初期における劣化は防ぐことができていない、
また、5iaNa膜は、膜中の圧力が大きいため膜はが
れ等の欠陥が生じやすい。
るが動作初期における劣化は防ぐことができていない、
また、5iaNa膜は、膜中の圧力が大きいため膜はが
れ等の欠陥が生じやすい。
本発明の目的は、より発光特性の安定した薄膜EL素子
を提供することにある。
を提供することにある。
上記目的は発光層に接する絶縁層材料として、熱力学的
安定性の高い硫化物を用いることにより達成される。具
体的には、IIIb族及び希土類の硫化物薄膜層を発光
層に接して挿入することにより達成される。
安定性の高い硫化物を用いることにより達成される。具
体的には、IIIb族及び希土類の硫化物薄膜層を発光
層に接して挿入することにより達成される。
[作用〕
IIIb族及び希土類の硫化物は酸化されにくく、また
、酸素の拡散係数が小さい。そのため、発光層に接する
絶縁層に上述の材料を用いることにより、大気中、ある
いは、酸素を含む絶縁層材料から発光層中への酸素の拡
散を防ぐことができ、EL発光特性を安定化することが
できる。
、酸素の拡散係数が小さい。そのため、発光層に接する
絶縁層に上述の材料を用いることにより、大気中、ある
いは、酸素を含む絶縁層材料から発光層中への酸素の拡
散を防ぐことができ、EL発光特性を安定化することが
できる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
厚さ1 wta tのコーニング# 7059ガラス1
上に下部透明電極として、ITOをスパッタリングによ
って0.25μmの厚さに形成し、ストライプ状にフォ
トエツチングする。この上にスパッタリングによりTa
zOaの第1絶縁層3を0.5μm形成した0次に、電
子ビーム蒸着法により硫化セリウム(CeaSa)を0
.1μm形成した。この上に発光層4としてS r S
: Ceを電子ビーム蒸着法により約1μm形成した
後、再び上述したと同様な方法により0.1μmの硫化
セリウム6、T a z○6第二絶縁層3を形成し、最
後に、上部電極5としてAQを抵抗加熱蒸着により形成
した。
上に下部透明電極として、ITOをスパッタリングによ
って0.25μmの厚さに形成し、ストライプ状にフォ
トエツチングする。この上にスパッタリングによりTa
zOaの第1絶縁層3を0.5μm形成した0次に、電
子ビーム蒸着法により硫化セリウム(CeaSa)を0
.1μm形成した。この上に発光層4としてS r S
: Ceを電子ビーム蒸着法により約1μm形成した
後、再び上述したと同様な方法により0.1μmの硫化
セリウム6、T a z○6第二絶縁層3を形成し、最
後に、上部電極5としてAQを抵抗加熱蒸着により形成
した。
発光層に接する絶縁層材料を変えたEL素子の輝度の経
時変化を第3図に示す、TazOllを用いた素子では
、輝度の低下が著しい、5iaN4を用いた素子では、
輝度の低下は少なくなったが、初期特性の劣化は解決で
きない、しかし、硫化セリウムを用いた素子では初期劣
化がほとんどない安定な特性が得られている。
時変化を第3図に示す、TazOllを用いた素子では
、輝度の低下が著しい、5iaN4を用いた素子では、
輝度の低下は少なくなったが、初期特性の劣化は解決で
きない、しかし、硫化セリウムを用いた素子では初期劣
化がほとんどない安定な特性が得られている。
また、硫化セリウムの代りに硫化アルミ(AQzSa)
、硫化インジウム(I nzsa+In5Sa)y硫化
ランタン(L a Ss、 L a St)についても
実施したが、硫化セリウムと同等の効果が得られた。
、硫化インジウム(I nzsa+In5Sa)y硫化
ランタン(L a Ss、 L a St)についても
実施したが、硫化セリウムと同等の効果が得られた。
以上の説明では発光層材料として青緑色発光を示すS
rs : Ceを用いたが、白色発光を示すSrS:P
r、赤色発光を示すCas:Eu、赤橙色発光を示す(
Sr、Ca)S:Eu等でも同様の効果が認められた。
rs : Ceを用いたが、白色発光を示すSrS:P
r、赤色発光を示すCas:Eu、赤橙色発光を示す(
Sr、Ca)S:Eu等でも同様の効果が認められた。
本発明によれば、発光層中への酸素の拡散を防ぐことが
できるので、EL発光特性の経時変化が安定化する。
できるので、EL発光特性の経時変化が安定化する。
第1図は、本発明の一実施例の薄膜EL素子の断面図、
第2図は、一般的な交流駆動型薄膜EL素子の断面図、
第3図は、異なる絶縁層材料を用いたEL素子の輝度の
経時変化を示す図である。 1・・・ガラス基板、2・・・下部電極、3・・・Ta
xes、4−Ca5:Eu、5・・・上部電極、6”・
CeaSa、7・・・第一絶縁層、8・・・第二絶縁層
。 第1図 第2図
第2図は、一般的な交流駆動型薄膜EL素子の断面図、
第3図は、異なる絶縁層材料を用いたEL素子の輝度の
経時変化を示す図である。 1・・・ガラス基板、2・・・下部電極、3・・・Ta
xes、4−Ca5:Eu、5・・・上部電極、6”・
CeaSa、7・・・第一絶縁層、8・・・第二絶縁層
。 第1図 第2図
Claims (3)
- 1. 基板上に下部電極、第一絶縁層、発光層、第二絶
縁層及び上部電極を順次積層した薄膜EL素子において
、 前記第一絶縁層のおよび/または前記第二絶縁層の一部
あるいは全部を熱力学的安定性の高い硫化物からなる膜
で構成し、前記熱力学的安定性の高い硫化物からなる膜
を前記発光層と接するようにしたことを特徴とする薄膜
EL素子。 - 2. 特許請求の範囲第1項において、 前記硫化物は、IIIb族及び希土類の硫化物であること
を特徴とする薄膜EL素子。 - 3. 特許請求の範囲第1項において、 前記発光層は、CaS、SrS、BaS及びこれらから
選んだ複数種の混合物を母体とすることを特徴とする薄
膜EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63067433A JPH01241795A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 薄膜el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63067433A JPH01241795A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 薄膜el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01241795A true JPH01241795A (ja) | 1989-09-26 |
Family
ID=13344777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63067433A Pending JPH01241795A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 薄膜el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01241795A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5369333A (en) * | 1991-09-30 | 1994-11-29 | Nippondenso Co., Ltd. | Thin film electroluminescence display element |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63067433A patent/JPH01241795A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5369333A (en) * | 1991-09-30 | 1994-11-29 | Nippondenso Co., Ltd. | Thin film electroluminescence display element |
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