JPH01232723A - 半導体の製造装置 - Google Patents
半導体の製造装置Info
- Publication number
- JPH01232723A JPH01232723A JP5994888A JP5994888A JPH01232723A JP H01232723 A JPH01232723 A JP H01232723A JP 5994888 A JP5994888 A JP 5994888A JP 5994888 A JP5994888 A JP 5994888A JP H01232723 A JPH01232723 A JP H01232723A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- developing solution
- cup
- developing
- developer
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 42
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体の製造装置、特に半導体製造工程中で用
いられるフォトレジストの現像装置に関するものである
。
いられるフォトレジストの現像装置に関するものである
。
従来のフォトレジストの現像装置での現像法は通常以下
の通りである。第3図に示すようにまず、スピンチャッ
ク1に吸着させたウェハー2上に1ないし複数本のノズ
ル7より現e@液を滴下し、静止あるいは回転状態にあ
るウェハー上に現像液を乗せた状態でレジストの現像を
行っていた。
の通りである。第3図に示すようにまず、スピンチャッ
ク1に吸着させたウェハー2上に1ないし複数本のノズ
ル7より現e@液を滴下し、静止あるいは回転状態にあ
るウェハー上に現像液を乗せた状態でレジストの現像を
行っていた。
上述した従来のフォトレジストの現像法では、ウェハー
上に現像液を一様に液盛りする際、lないし複数本のノ
ズルよりウェハー上に現像液を滴下する方法をとってい
たため、ウェハー面内で現像液と接触する時間差が少な
からず存在していた。
上に現像液を一様に液盛りする際、lないし複数本のノ
ズルよりウェハー上に現像液を滴下する方法をとってい
たため、ウェハー面内で現像液と接触する時間差が少な
からず存在していた。
このため、ウェハー面内での現像の進行度合が異なって
しまうという欠点があった。
しまうという欠点があった。
また、ウェハー表面の濡れ性(親水性の度合)によりウ
ェハー表面を一様に現gA濯で覆うことのできる現像液
量が異なるという欠点があった。
ェハー表面を一様に現gA濯で覆うことのできる現像液
量が異なるという欠点があった。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体の製造装置を
提供することにある。
提供することにある。
l述した従来のフォトレジストの現像装置に対し、本発
明はあらかじめ現像液を貯めた液槽め上から表面を下方
にした状態でウェハーを接触させることにより、ウェハ
ー表面か同時に現像液に接触し、またウェハー表面の濡
れ性に関係なく一定の最少め液量でウェハー表面を強制
的に現像液と接触させることができるという相違点を有
する。
明はあらかじめ現像液を貯めた液槽め上から表面を下方
にした状態でウェハーを接触させることにより、ウェハ
ー表面か同時に現像液に接触し、またウェハー表面の濡
れ性に関係なく一定の最少め液量でウェハー表面を強制
的に現像液と接触させることができるという相違点を有
する。
上記目的を達成するため、本発明は半導体製造プロセス
におけるフォトレジストの現像装置において、半導体ウ
ェハーの表面を下向きにして現像液に接触させてフォト
レジストの現像を行うカップを有するものである。
におけるフォトレジストの現像装置において、半導体ウ
ェハーの表面を下向きにして現像液に接触させてフォト
レジストの現像を行うカップを有するものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
〈実施例)
第1図(a) 、 (b)は本発明の実施例1を示す図
である。
である。
図において、本発明は水平姿勢のウェハー2の表面2a
を浸漬させるに[−分な大きさをもつ現像カップ3と、
ウェハー2の表面2aを下向きにしてその裏面2bを吸
着し、ウェハーを水平姿勢のままその表面2aを現像カ
ップ2内の現像液4に浸漬するために下降し、かつウェ
ハー2を吸着したまま回転させて遠心力を作用させるス
ピンチャック1とを有する。また現像カップ3はその1
部に現1象液洪給[15,純水供給口8を備え、その底
部に現像液排液116を備えている。
を浸漬させるに[−分な大きさをもつ現像カップ3と、
ウェハー2の表面2aを下向きにしてその裏面2bを吸
着し、ウェハーを水平姿勢のままその表面2aを現像カ
ップ2内の現像液4に浸漬するために下降し、かつウェ
ハー2を吸着したまま回転させて遠心力を作用させるス
ピンチャック1とを有する。また現像カップ3はその1
部に現1象液洪給[15,純水供給口8を備え、その底
部に現像液排液116を備えている。
実施例において、まず第1図(a)に示した状態で現像
液供給口5から現@液4をカップ3内に一様に拡がる様
におよそ10〜20cc程供給する。その後、スピンチ
ャック1にウェハー2の表面2aを下向きにしてその裏
面を吸着させ、スピンチャック1を下降させてウェハー
2を第1図(b)のように上方へ下げ、そのウェハー2
の表面2aを現像液4に接触させる。この状態でウェハ
ーを50rpH程度の回転数で回転させてもよい。
液供給口5から現@液4をカップ3内に一様に拡がる様
におよそ10〜20cc程供給する。その後、スピンチ
ャック1にウェハー2の表面2aを下向きにしてその裏
面を吸着させ、スピンチャック1を下降させてウェハー
2を第1図(b)のように上方へ下げ、そのウェハー2
の表面2aを現像液4に接触させる。この状態でウェハ
ーを50rpH程度の回転数で回転させてもよい。
このとき、ウェハー2とカップ3の距靜を1〜3rQ1
1にすることで、毛細管現象により非常に少ない数CC
程度の現像液でウェハー全面に現(&液を接触させるこ
とができる。
1にすることで、毛細管現象により非常に少ない数CC
程度の現像液でウェハー全面に現(&液を接触させるこ
とができる。
現像を終了させる時にはまず、現像液排液口6から現@
液を排ン庚し、再びウェハー2を上方へ移動させて、純
水を純水供給D 8から供給し、現像液の時と同様の方
法でウェハー表面を純水で洗浄する。その後、ウェハー
2の乾燥は第1図(a)の状態でウェハー2の表面2a
を下方にした状態でスピンチャック1により、4000
rpn+程度の回転数で回転し乾燥させる。この場合、
従来の様にウェハー表面を上にした状態で回転乾燥した
場きとは異なり、飛散した液が再びウェハー2の表面2
a上にi=f 5aすることはほぼ考えなくてもよいの
で、カップ3の排気は必要ない。
液を排ン庚し、再びウェハー2を上方へ移動させて、純
水を純水供給D 8から供給し、現像液の時と同様の方
法でウェハー表面を純水で洗浄する。その後、ウェハー
2の乾燥は第1図(a)の状態でウェハー2の表面2a
を下方にした状態でスピンチャック1により、4000
rpn+程度の回転数で回転し乾燥させる。この場合、
従来の様にウェハー表面を上にした状態で回転乾燥した
場きとは異なり、飛散した液が再びウェハー2の表面2
a上にi=f 5aすることはほぼ考えなくてもよいの
で、カップ3の排気は必要ない。
(実施例2)
第2図は本発明の実施例2の縦断面図である。
この実施例は前述の実施例が枚葉式であるのに対し、複
数枚のウェハーを同時に処理できるカップを有する実施
例であり、実施例ではカップ3の内径方向の容積を拡大
し、該カッ13内を11支漏れ止め9にて3分割したも
のである。この実施例では1つのカップで複数枚のウェ
ハーを同時に処理することができ、スループットの向1
−が期待できる。
数枚のウェハーを同時に処理できるカップを有する実施
例であり、実施例ではカップ3の内径方向の容積を拡大
し、該カッ13内を11支漏れ止め9にて3分割したも
のである。この実施例では1つのカップで複数枚のウェ
ハーを同時に処理することができ、スループットの向1
−が期待できる。
本実施例では現像手順は実施例1と同じ手+11で行え
るが、ウェハーを回転乾燥させる際、回転するウェハー
だけ他のウェハーに比べ2〜3C1下方へ下げて行えば
、他のウェハーへ飛散した液滴が付着することはない。
るが、ウェハーを回転乾燥させる際、回転するウェハー
だけ他のウェハーに比べ2〜3C1下方へ下げて行えば
、他のウェハーへ飛散した液滴が付着することはない。
以−に説明したように本発明はカップに現像液を貯めて
、その液面をウェハー表面で覆うようにして現e?&と
接触させて現像することにより、ウェハー面内で現像液
と接触しはじめる時間差か無視できる稈になり、現@液
かウェハーに接触する圧力もウェハー面内で均一になる
ため、ウェハー面内での現像進行腿合か均一になるとい
う効果がある。
、その液面をウェハー表面で覆うようにして現e?&と
接触させて現像することにより、ウェハー面内で現像液
と接触しはじめる時間差か無視できる稈になり、現@液
かウェハーに接触する圧力もウェハー面内で均一になる
ため、ウェハー面内での現像進行腿合か均一になるとい
う効果がある。
またウェハー1枚に対する現allの消費量も従来法に
比べて少なくすることか可能になるという効果かある。
比べて少なくすることか可能になるという効果かある。
第1図(a) 、 (b)は本発明の実施例1の縦断面
図、第2図は実施例2の断面図、第3図は従来の現像装
置の縦断面図である。 ■・・・スピンチャック 2・・・ウェハー3・・
・カップ 4・・・現(gi液(純水)5
・・・現像液供給口 6・・・排液[18・・・
純水供給口 9・・・液濡れ止め特許出願人
日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中1 ニ
スCンチャック 2二つ1八− 第1 図
図、第2図は実施例2の断面図、第3図は従来の現像装
置の縦断面図である。 ■・・・スピンチャック 2・・・ウェハー3・・
・カップ 4・・・現(gi液(純水)5
・・・現像液供給口 6・・・排液[18・・・
純水供給口 9・・・液濡れ止め特許出願人
日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中1 ニ
スCンチャック 2二つ1八− 第1 図
Claims (1)
- 1、半導体製造プロセスにおけるフォトレジストの現像
装置において、半導体ウェハーの表面を下向きにして現
像液に接触させてフォトレジストの現像を行うカップを
有することを特徴とする半導体の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5994888A JPH01232723A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 半導体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5994888A JPH01232723A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 半導体の製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01232723A true JPH01232723A (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=13127877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5994888A Pending JPH01232723A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 半導体の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01232723A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6632476B2 (en) * | 2000-03-15 | 2003-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
-
1988
- 1988-03-14 JP JP5994888A patent/JPH01232723A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6632476B2 (en) * | 2000-03-15 | 2003-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
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