JPH01229441A - 光ディスク用基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光ディスクの基板上に記録層等の薄層が形成さ
れる前に行なわれる該基板の前処理方法に関するもので
ある。

（従来の技術） 一般に、光ディスクは基板と該基板上に形成された記録
層、反射層、保護層等の各種の薄層とから成る。光ディ
スクとしてはピットタイプ、光磁気タイプ、穴明はタイ
プ相変態タイプがある。

例えばピットタイプの光ディスクの場合通常光透過可能
な樹脂製透明基板にピットを形成し、その上にアルミニ
ウム等から成る反射層を、さらにその上に保護層を形成
して成る。また、光磁気タイプの光ディスクの場合、通
常上記と同様の基板上に非晶質希土類遷移金属等から成
る光磁気記録層を形成し、かつ必要に応じてこの記録層
の上や記録層を基数との間に誘電体から成る保護層を形
成して成る。さらに、穴明はタイプや相変態タイプの光
ディスクの場合も、上記と同様の基板上に例えばテルル
系金属から成る記録層やカルコゲナイド系金属から成る
記録層を形成して成る。

この様に基板上に記録層等の薄層を形成して成る光ディ
スクにおいては、それらの薄層が基板上に良好に形成さ
れていないと記録再生特性が悪化し、特にノイズが増大
するので、基板上に薄層を良好に形成するため該薄層形
成前に基板を前処理しておくのが望ましい。

その様な前処理として、加熱処理やプラズマエツチング
処理が考えられる。加熱処理は基板を適当な温度に加熱
することによって薄層形成に悪影響を及ぼす基板の表面
水分や基板内部の水分を除去するものであり、またプラ
ズマエツチング処理は電離イオンによって基板表面をた
たいて該基板表面を清浄化すると共に特に内部の残留ガ
スを積極的に飛ばして薄層を良好に形成し得るようにす
るものである。

（発明が解決しようとする問題点） 上記加熱処理やプラズマエツチング処理はそれぞれ基板
上への薄層の形成性を良好とし、記録再生特性を向上せ
しめる上で効果的なものであるが、上記加熱処理におい
ては必ずしも十分な水分除去を行なうことができないと
か、上記プラズマエツチング処理においては基板表面の
面荒れが生じる等の問題を有し、たとえこれら双方の処
理を施しても未た十分な記録再生特性の向上、特にノイ
ズの低減を図ることかできないという問題があった。

本発明は、上記事情に鑑み、十分な記録再生特性の向上
、特にノイズの低減を図ることのできる光ディスク用基
板処理方法の提供を目的とするものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明に係る光ディスク用基板処理方法は、前述したよ
うな目的を達成するため、記録１ρ等の薄層を形成する
前に、光ディスク用基板に対し加熱処理とプラズマエツ
チング処理とを同時に施す、つまり該基板を加熱しなが
らプラズマエツチング処理することを特徴とするもので
ある。

上記光ディスクは基板上に記録層等の薄層を形成してな
るタイプのものであればどの様なタイプのものでも良く
、本発明はその様な基板上に薄層が形成されてなる前述
のビットタイプ、穴明はタイプ、相変態タイプ、光磁気
タイプ等の各種の光ディスクに好適に適用可能である。

以下、本発明に係る光ディスク用基板処理方法を説明す
る。

以下に説明する例は光磁気タイプの光ディスクの基板前
処理に本発明を適用したものであり、第１図はその光デ
ィスクの層構成を示す断面図である。

図示の光ディスクは、ガラス、またはｐｃ、ｐＭＭＡ、
エポキシ樹脂等の透明プラスチック等からなり、厚さが
ｌ　ｍｉｎ程度に形成されている光ディスク用基板１上
にＳｉＮ等から成る。保護層２が形成され、さらにその
上に非晶質希土類金属等から成る記録層３が形成され、
この記録層３を保獲するためさらにその上にＳｉＮ等か
ら成る保護層４が形成されてなる。

このような各薄層２，３．４か、特に保護層２が基板１
上に良好に形成されるように、該保護層２の形成前に基
板１に対して前処理を施す。この前処理は、加熱処理と
プラズマエツチング処理とを同時に行なう、つまり基板
１をヒータ等の熱源で加熱しつつ該基板１に対してプラ
ズマエツチング処理を行うものである。

この様に加熱しながらプラズマエツチング処理を行なう
と、加熱処理のみ行なった場合に比べて加熱による水分
除去（脱水）作用が促進される。

また、加熱しながらプラズマエツチング処理を行なうと
該処理による清浄化が良好に行なわれるのは勿論のこと
さらに該処理による基板上面の面荒れが防止される。プ
ラズマエツチング処理は例えばエツチングテーブルか５
６０φの場合、プラズマエツチング処理の投入電力は２
５Ｗ〜５０Ｗが好ましく、投入時間は５分〜６０分が好
ましい。すなわち低電力長時間かけることが好ましい。

このような加熱は、例えば材質がＰＣからなるＰＣ基板
においては５０℃以上１４０℃以下の範囲が好ましく、
１００℃〜１３０℃の範囲がより好ましい。

また、ＰＭＭＡから成るＰＭＭＡ基板においては５０℃
以上１００℃以下の範囲が好ましく、６０℃〜８０℃の
範囲がより好ましい。

次に、本発明のより具体的な実施例およびその効果につ
いて説明する。

〈実施例〉 ＰＣ基板を真空装置内にセットし、該基板を１２０°Ｃ
に加熱しながら、Ｉ　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒ　Ａｒ雰囲
気中でプラズマエツチング処理（投入電力５０ｗ、　　
５ｍ１ｎエツチングテーブル径：φ５６０）を行ないそ
の後、ＳｉＮ保護層、Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ記録層、ＳｉＮ
保護層の各層をこの順に基板上に積層して光磁気タイプ
の光ディスクを作成した。

く比較例１〉 前記実施例と同様の基板を同条件で加熱し、ただしプラ
ズマエツチング処理は行なわず、他は実施例と同様の方
法で同様の光ディスクを作成した。

く比較例２〉 前記実施例と同様の基板を同様の条件でプラズマエツチ
ング処理し、ただし加熱処理は行なわず、他は実施例と
同様の方法で同様の光ディスクを作成した。

く比較例３〉 前記実施例と同様の基板に実施例と同条件でプラズマエ
ツチング処理を施し、その後、実施例と同条件で加熱し
、他は実施例と同様の方法で同様の光ディスクを作成し
た（本比較例は実施例において同時に行なわれてた加熱
とプラズマエツチング処理とを時間的にずらして行なっ
たものである。

く比較例４〉 前記実施例と同様の基板に加熱およびプラズマエツチン
グ処理を行なわずに他は実施例と同様の方法で同様の保
護層、記録層および保護層を形成して光ディスクを作成
した。

前記実施例および比較例１〜４の光ディスクの再生時の
ノイズ量を調べたのでその結果を第１表に示す。

第１表 第１表かられかるように、加熱、プラズマエツチング処
理の双方を行なわなかったもの（比較例４）に対し、加
熱を行なったもの（比較例１）は３　ｄＢ、プラズマエ
ツチング処理を行なったもの（比較例２）は２　ｄＢ、
双方を行なったもの（比較例３）であっても５ｄＢ　ｌ
、かＣハが向上しなかったのに、双方を同時に行なった
本実施例においては９ｄＢも向上しており、このことか
ら、本実施例では加熱とプラズマエツチング処理を同時
に施すことによりそれらの相乗効果としてそれらの処理
を単に両方行なった場合よりもはるかに優れたノイズ低
減効果か得られていることが認められる。

（発明の効果） 本発明に係る光ディスク用基板処理方法は、前処理とし
て光ディスク用基板を加熱しながらプラズマエツチング
処理がなされるため、加熱処理のみを行なった場合に比
べて水分除去（脱水）作用が促進され、またプラズマエ
ツチング処理による清浄化が良好に行なわれることは勿
論のことさらに該処理による基板表面の面荒れも加熱と
同時にプラズマエツチングを行うことで防止される。

従って、加熱処理のみ、あるいはプラズマエツチング処
理のみさらには双方の処理を別々に行なう場合に比べて
本発明に係る処理方法によれば基板をより良好な状態と
することができ、その結果その様な基板を用いた光ディ
スクにおいては著るしく記録再生特性が向上し、ノイズ
が低減される。

【図面の簡単な説明】

第１図は光ディスクの一例を示す断面図である。 １・・基　　板　　　　　２・・・保　護　層３・記録
層　　４・・・保護層 第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 記録層等の薄層が形成される光ディスク用基板を前処理
   する方法であって、 前記薄層形成前に、前記基板に対し加熱処理とプラズマ
   エッチング処理とを同時に施すことを特徴とする光ディ
   スク用基板処理方法。