JPH0196364A - 高分子樹脂基板の水分除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、高分子樹脂基板の水分除去法に関する。具体
的には高分子樹脂基板に含まれる水分を高周波誘電加熱
で内部より一様に加熱することによって短時間で脱水処
理ができ、基板変形を抑えることが可能な高分子樹脂基
板の水分除去法に関する。

〈従来の技術〉 光記録媒体は、高密度１大言追記録が可能な媒体として
近年注目をあびている。

例えば光磁気記録媒体もその一つである。光磁気記録媒
体に用いられる磁性材料にはＱｄＦｅ。

Ｔｂ　Ｆｅ、Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ、Ｇｄ　Ｔｂ　Ｆｅ、Ｔ
ｂ　Ｃｏ、ＮｄＤｙ　Ｆｅ　Ｃｏ、Ｎｄ　Ｆｅ　Ｇｄ　
Ｃｏ等、希土類と遷移金属の非晶質磁性合金膜が有望視
されている。特にＴｂ−Ｃｏ系は保磁力や磁気異方性が
大きく高密度記録が可能な上、補償黒山込み方式である
為記録感度も高く、実用化が近いと云われている。

しかしＴｂ等の希土類は耐蝕性に劣る為、成膜後及び成
膜時の酸化を防止する必要がある。これに対して前者の
成膜後の酸化の防止法としては、媒体上下に：ＡｊｊＮ
、Ｓ！　０２　、Ｓ！　ａ　Ｎ４　、Ｔ！Ｎ等の透明な
保護層を１９けたり、媒体に窒化、炭化、水素化、フッ
化処理を施したり、あるいはＰＣ、Ｔｉ　、Ａｎ等の添
加が有効であることが報告されている。

一方後者の成膜時の酸化の防止はその原因が、大きく別
けてつ２つあり、それぞれに対するものが必要となる。

１つの原因は成膜用チャンバーの残留ガスによるもので
、これに対してはチャンバー内の背圧を１Ｏ−７Ｔｏｒ
ｒ以上真空引きする対策により解決している。

他方の原因は基板内に含まれる不純物ガスの成膜時にお
ける基板から放出によるものである。すなわち、基板が
ガラス等の無機物であれば殆んどガス放出の影響はみら
れないが、近年光磁気記録媒体用基板として注目されて
いるポリカーボネート、ＰＭＭＡ、エポキシ樹脂等の高
分子樹脂基板には水分が数千ｐｐｍも含まれており、こ
れが成膜時に放出し、膜中に混入するため遷移金属が劣
化するものと考えられている。

又読み出し専用のコンパクトディスク、ビディオディス
クにおいても同じ原因による以下の問題が知られている
。すなわち、高分子樹脂基板内の水分が光反射用アルミ
成膜時にアルミと反応し白濁する等障害が生じている。

そして、これらの防止策としては、現在成膜工程の前に
真空処理及び／又は温風炉等による外部からの加熱処理
からなる基板前処理工程を置き、基板脱ガスを行ない基
板台水門を諸特性に影響を及ぼ′さない１５０ｐｐｍ以
下に抑えた後膜形成する方法が一般的である。

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら真空処理法では脱ガスに数十時間必要であ
り、又外部加熱処理では脱ガス時間を短縮するため昇温
すると基板変形に起因する複屈折の増加等光ディスク基
根として好ましくない弊害が生じる。

本発明は、かかる問題を解決するためになされたもので
、前記障害がなく、高分子樹脂基板の水分除去に広く適
用できる、複屈折等の基板特性への影響も小さく、水分
が高速に除去できる高分子樹脂基板の水分除去方法を目
的とする。

く問題を解決するための手段〉 本発明は上記目的を達成する為に以下の構成よりなる。

すなわち本発明は、高分子樹脂基板を高周波誘電加熱、
すなわち該高分子樹脂基板を交番電界内に置ぎ、該高分
子樹脂基板に含まれている水分子の電気双極子の回転運
動によって加熱して水分を除去することを特徴とする高
分子樹脂基板の水分除去方法である。

本発明の高周波誘電加熱に適用される交番電界の周波数
は水分子を加熱可能なものであれば如何なる周波数でも
よいが、通常１０９〜ｌ’ｏ”Ｈ７がよく、特に市販の
電子レンジ等に用いられている２、４５Ｇ）−１ｚが便
利に用いられる。

又高分子樹脂基板は如何なる用途に用いられるものでも
よいが、ＰＶＤ法等による薄膜形成用基板、特に複屈折
等基板の光学特性が問題になる光記録基板に有利に適用
される。かかる光記録用基板材料の高分子樹脂には、Ｐ
ＭＭＡ、ポリカーボネート、エポキシ等があるが、本発
明は複屈折の悪いポリカーボネートに特に有効である。

又その形状は特に限定されず、ディスク等の単板状でも
連続シート等の長尺体でも良い。

く作用〉 上記前処理法によって高分子樹脂基板は短時間で水分除
去が可能となり、しかも内部より均一に加熱され、後述
の通り比較的低温で水分除去が完了するため複屈折の小
さい良好な基板を得ることができる。更に通常に高分子
樹脂中に含まれている水分は最大でも２０００ｐｐｍ程
度である為、高周波を印加しても最高限度は８０℃程度
までしか上昇せず、水分が脱けてしまうと自動的に加熱
が終了する。したがって全処理は樹脂の耐熱温度以下で
完了し、変形その他の問題は生じない。

〈実施例〉 以下にこの発明における実施例を第１図〜第３図を用い
て説明する。

第１図は実施例で用いた処理装置の説明図である。なお
処理装置は市販電子レンチ（東芝ＥＲ−４３５Ｎ　）を
そのまま用いた。従って、公知のように、その高周波発
生Ｈｉｆｆ　（１１には、マグネトロン＜ｆ　＝　２．
４５　ＧＨｚ　）が用いられており、この高周波を導波
管（２）から加熱むらを防ぐファン（３）を通して試料
台（４）上にセットした基板（Ｓ）に照射するようにな
っている。図の（５）はドアである。

この処理装置に基板（Ｓ）をセットし、その処理効果を
評価するためにそれぞれ照射時間を変えて、残留含水け
を測定した。

なお、基板（Ｓ）には光磁気記録ディスク用ポリカーボ
ネート基板（奇人化成製）を５Ｘ５０ｍサイズに切り出
したサンプル基板を使用した。又、含水量の測定は、カ
ールフィッシャ水分計（京都電子■ＭＫＡ−３Ｐ）を用
いて測定を行った。

第２図に測定結果の加熱時間に対する残留水分量の変化
のグラフを示す。図の横軸は加熱時間であり、縦軸は残
留水分量である。この結果問題がないと云われる含水量
１５０ｐｐｉ＋以下の基板を得る為に高周波加熱処理で
は３０分たらずですむことが確認された。又この時の基
板温度は８０℃であることがサーモラベルで確認された
。なお比較のため同じサンプル基板を用い圧力〜１０−
７　ｔｏｒｒ、温度２６℃の条件下で頁空処理したとこ
ろ、含水け１５０ｐｐｍ以下にするのに要した時間は２
４時間であった。

第３図は基板処理後の複屈折の変化を表わしたもので縦
軸は複屈折（ｎｍ）、横軸はディスクの中心から半径方
向の距離である。ここで・・・・は未処理のもの、×・
・・は高周波３０分照射のもの、Ｏ・・・は１１０℃３
時間の加熱炉による外部加熱による熱処理を施したもの
である。この結果、高周波加熱処理は基板の複屈折にほ
とんど影響を与えないことが確認された。

又、実施例には挙げていないが、光デイスク基板として
ＰＭＭＡ、エポキシ等も上記実施例のごとく、同じ結果
になることは容易に類推できる。

〈発明の効果〉 以上のように本発明は、光記録媒体用等薄膜形成用の高
分子樹脂基板の加熱脱ガス処理を高周波誘電加熱法によ
り行なうことによって複屈折等の諸特性に影響を及ぼさ
ない低湿で高分子樹脂基板の水分除去を短時間で可能に
したもので、薄膜形成において高分子樹脂基板の適用分
野の拡大に大きな寄与をなすものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例に用いた処理装置の構成を示す説明図
、第２図は実施例における脱ガスの効果を示すグラフ、
第３図は同じ〈実施例における複屈折の変化を示したグ
ラフである。 Ｓ：サンプル基板　　１：マグネトロン２：導波管　　
　　　４：試料台 特許出願人　帝　人　株　式　会　社 ・） ・、′ ＼ ミー、７′ 免１回 ＪＯ釆乳萌　丘ハ 穿２図 手続補正書（麗） 昭和６３年　１月ン日

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）高分子樹脂基板の水分除去方法において、高周波
   誘電加熱で加熱脱ガス処理することを特徴とする高分子
   樹脂基板の水分除去方法。
2. （２）前記高分子樹脂基板がＰＶＤ法による薄膜形成用
   基板である特許請求の範囲第１項記載の高分子樹脂基板
   の水分除去方法。
3. （３）前記高分子樹脂基板が光記録用である特許請求の
   範囲第１項又は第２項記載の高分子樹脂基板の水分除去
   法。
4. （４）前記高周波誘電加熱に用いられる高周波発生装置
   の周波数が１０＾９〜１０＾１＾１Ｈｚの範囲であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項又は第３
   項記載の高分子樹脂基板の水分除去法。
5. （５）前記高分子樹脂基板がポリカーボネートである特
   許請求の範囲第１項、第２項、第３項又は第４項記載の
   高分子樹脂基板の水分除去法。