JPH01220877A - レーザ光源 - Google Patents
レーザ光源Info
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- JPH01220877A JPH01220877A JP4659188A JP4659188A JPH01220877A JP H01220877 A JPH01220877 A JP H01220877A JP 4659188 A JP4659188 A JP 4659188A JP 4659188 A JP4659188 A JP 4659188A JP H01220877 A JPH01220877 A JP H01220877A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 13
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A産業上の利用分野
本発明はレーザ光源に関し、特にエンドポンプ方式のレ
ーザ光源に適用して好適なものである。
ーザ光源に適用して好適なものである。
B発明の概要
本発明は、励起用レーザ光によってレーザ媒質を励起す
ることにより基本波レーザ光を発生するレーザ光源にお
いて、レーザ媒質内を励起用レーザ光を往復させること
により有効吸収領域を長くするようにしたことにより、
レーザ媒質の長さを一段と短(し得る。
ることにより基本波レーザ光を発生するレーザ光源にお
いて、レーザ媒質内を励起用レーザ光を往復させること
により有効吸収領域を長くするようにしたことにより、
レーザ媒質の長さを一段と短(し得る。
C従来の技術
従来エンドポンプ方式のレーザ光源lとして、第4図に
示すように、固体レーザ(例えばYAGで構成されてい
る)でなるレーザ媒質2の入射面2Aに、励起用半導体
レーザ3から射出される励起用レーザ光LAIを集光レ
ンズ系4によって細い光ビームに集光しながら入射し、
かくしてレーザ媒質2の一端から他端方向に形成される
所定の吸収領域において基本波レーザ光LA2を発生さ
せて射出面2Bから出力ミラー5に射出する。
示すように、固体レーザ(例えばYAGで構成されてい
る)でなるレーザ媒質2の入射面2Aに、励起用半導体
レーザ3から射出される励起用レーザ光LAIを集光レ
ンズ系4によって細い光ビームに集光しながら入射し、
かくしてレーザ媒質2の一端から他端方向に形成される
所定の吸収領域において基本波レーザ光LA2を発生さ
せて射出面2Bから出力ミラー5に射出する。
出力ミラー5の入射面5Aには、基本波レーザ光LA2
を所定の反射率(例えば95%の反射率)で反射する反
射面が形成され、か(して入射面5Aにおいて反射され
た基本波レーザ光LA2がレーザ媒質2の射出面2Bを
通ってレーザ媒質2内に戻る。
を所定の反射率(例えば95%の反射率)で反射する反
射面が形成され、か(して入射面5Aにおいて反射され
た基本波レーザ光LA2がレーザ媒質2の射出面2Bを
通ってレーザ媒質2内に戻る。
レーザ媒質2の入射面2Aは、基本波レーザ光LA2を
100%反射する反射面が形成され、かくして入射面2
A及び5A間の共振光路LPTを通って基本波レーザ光
LA2が発振動作し、これにより共振器CAVが構成さ
れる。
100%反射する反射面が形成され、かくして入射面2
A及び5A間の共振光路LPTを通って基本波レーザ光
LA2が発振動作し、これにより共振器CAVが構成さ
れる。
このようにして共振器CAVの内部において共振動作す
る基本波レーザ光LA2のうち入射面5Aを透過した基
本波レーザ光LA2が出力レーザ光LA3として射出面
5Bから送出される。
る基本波レーザ光LA2のうち入射面5Aを透過した基
本波レーザ光LA2が出力レーザ光LA3として射出面
5Bから送出される。
このようなエンドポンプ方式のレーザ光源においては、
レーザ媒質2の入射面2Aから入射した励起用レーザ光
LAIは、レーザ媒質2内を一端から他端側へ進行して
行く際に、第5図に示すように進行距離「が大きくなる
に従って励起用レーザ光LAIの吸収率が指数関数的に
急速に低下して行く傾向にある。
レーザ媒質2の入射面2Aから入射した励起用レーザ光
LAIは、レーザ媒質2内を一端から他端側へ進行して
行く際に、第5図に示すように進行距離「が大きくなる
に従って励起用レーザ光LAIの吸収率が指数関数的に
急速に低下して行く傾向にある。
そこで入射面2Aからの距Mrが所定の有効吸収領域よ
り大きくなると、実用上有効なパワーをもつ基本波レー
ザ光を発生させることができなくなるので、レーザ光源
を小型化しようとする場合には、レーザ媒質2の長さし
、をほぼ有効吸収領域LAνと同程度にまで短くするこ
とが考えられる。
り大きくなると、実用上有効なパワーをもつ基本波レー
ザ光を発生させることができなくなるので、レーザ光源
を小型化しようとする場合には、レーザ媒質2の長さし
、をほぼ有効吸収領域LAνと同程度にまで短くするこ
とが考えられる。
D発明が解決しようとする問題点
ところがこのようにすると、実際上レーザ媒質2の射出
面2Bから、励起用レーザ光LAIのうちレーザ媒ir
2において吸収しきれずに残ったレーザ光成分が出力ミ
ラー5の方向に通り抜けて迷光として出力レーザ光LA
3と共に出力ミラー5から射出されることにより、出力
レーザ光LA3の光学的特性を劣化させる原因になるお
それがある。
面2Bから、励起用レーザ光LAIのうちレーザ媒ir
2において吸収しきれずに残ったレーザ光成分が出力ミ
ラー5の方向に通り抜けて迷光として出力レーザ光LA
3と共に出力ミラー5から射出されることにより、出力
レーザ光LA3の光学的特性を劣化させる原因になるお
それがある。
因に、有効吸収領域を通る励起用レーザ光は進行路#r
が長くなるに従って実用上有効な基本波レーザ光LA2
を発生し得ない程度にまでパワーか弱くなって行くが、
迷光としては未だ十分なパワーをもっているおそれがあ
る。
が長くなるに従って実用上有効な基本波レーザ光LA2
を発生し得ない程度にまでパワーか弱くなって行くが、
迷光としては未だ十分なパワーをもっているおそれがあ
る。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、レーザ媒
質の長さを短くするにつき、迷光を生じさせるおそれを
有効に回避できるようにしたレーザ光源を提案しようと
するものである。
質の長さを短くするにつき、迷光を生じさせるおそれを
有効に回避できるようにしたレーザ光源を提案しようと
するものである。
E問題点を解決するための手段
レーザ媒’ff15の一端15A、15Cから他端15
B、15D側へ上記レーザ媒質15内を励起用レーザ光
LAIIが進行する間に当該励起用レーザ光LAIIを
吸収して基本波レーザ光LAI2を発生させるようにな
されたレーザ光源11において、レーザ媒質15内を進
行する励起用レーザ光LAIIをレーザ媒質15の他端
15B、15Dにおいて反射させることにより、励起用
レーザ光LAIIがレーザ媒質15を往復する光路に有
効吸収領域を形成するようにする。
B、15D側へ上記レーザ媒質15内を励起用レーザ光
LAIIが進行する間に当該励起用レーザ光LAIIを
吸収して基本波レーザ光LAI2を発生させるようにな
されたレーザ光源11において、レーザ媒質15内を進
行する励起用レーザ光LAIIをレーザ媒質15の他端
15B、15Dにおいて反射させることにより、励起用
レーザ光LAIIがレーザ媒質15を往復する光路に有
効吸収領域を形成するようにする。
F作用
励起用レーザ光LAIIがレーザ媒質15内を往復する
間に当該励起用レーザ光LAIIを吸収して基本波レー
ザ光LA12を発生できることにより、レーザ媒質15
の長さを従来の場合と比較して一段と短くすることがで
きる。
間に当該励起用レーザ光LAIIを吸収して基本波レー
ザ光LA12を発生できることにより、レーザ媒質15
の長さを従来の場合と比較して一段と短くすることがで
きる。
G実施例
以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
(G1)第1の実施例
第1図において、11はレーザ光源を示し、励起用半導
体レーザ12から射出される励起用レーザ光LAIIを
集光レンズ系13によって細いビームに絞りながら偏光
型ビームスプリッタ14に入射する。
体レーザ12から射出される励起用レーザ光LAIIを
集光レンズ系13によって細いビームに絞りながら偏光
型ビームスプリッタ14に入射する。
偏光型ビームスプリッタ14は励起用レーザ光LAII
をS波方向の偏光成分として反射して例えば固体レーザ
(YAC;で構成されている)でなるレーザ媒質15の
内側端面を形成する入射面15Aに入射することにより
、レーザ媒質15内に基本波レーザ光LA12を発生さ
せる。
をS波方向の偏光成分として反射して例えば固体レーザ
(YAC;で構成されている)でなるレーザ媒質15の
内側端面を形成する入射面15Aに入射することにより
、レーザ媒質15内に基本波レーザ光LA12を発生さ
せる。
レーザ媒質15の入射面15Aと対向するように外側端
面を形成する他方の端面15Bには、励起用レーザ光L
AIIの波長の光及び基本波レーザ光LA12の波長の
光を100%の反射率で反射する反射面が形成され、か
くしてレーザ媒質15内を入射面15A側から端面15
B側へ進行してする励起用レーザ光LAII及び基本波
レーザ光LA12とを入射面15A側に反射するように
なされている。
面を形成する他方の端面15Bには、励起用レーザ光L
AIIの波長の光及び基本波レーザ光LA12の波長の
光を100%の反射率で反射する反射面が形成され、か
くしてレーザ媒質15内を入射面15A側から端面15
B側へ進行してする励起用レーザ光LAII及び基本波
レーザ光LA12とを入射面15A側に反射するように
なされている。
ここで端面15Bは曲率Rの球面に成形され、レーザ媒
質15内をビーム径を拡大させながら進行してきた基本
波レーザ光LA12及び励起用レーザ光LAIIを反射
面15Bにおいて反射することにより再び細いビームス
ポットに集光させながらレーザ媒[15の入射面15A
から偏光型ビームスプリッタ14に射出するようになさ
れている。
質15内をビーム径を拡大させながら進行してきた基本
波レーザ光LA12及び励起用レーザ光LAIIを反射
面15Bにおいて反射することにより再び細いビームス
ポットに集光させながらレーザ媒[15の入射面15A
から偏光型ビームスプリッタ14に射出するようになさ
れている。
偏光型ビームスプリッタ14は入射面15Aから射出さ
れたレーザ光のうち、基本波レーザ光LA12をp波偏
光成分として透過して出力ミラー16の入射面16Aに
入射する。入射面16Aは、基本波レーザ光LA12を
所定の反射率(例えば95%の反射率)で反射し、かく
して基本波レーザ光LA12が出力ミラー16の入射面
16A及びレーザ媒!15の外側端面15B間に形成さ
れる共振光路LPTを通って共振動作する。
れたレーザ光のうち、基本波レーザ光LA12をp波偏
光成分として透過して出力ミラー16の入射面16Aに
入射する。入射面16Aは、基本波レーザ光LA12を
所定の反射率(例えば95%の反射率)で反射し、かく
して基本波レーザ光LA12が出力ミラー16の入射面
16A及びレーザ媒!15の外側端面15B間に形成さ
れる共振光路LPTを通って共振動作する。
このように、端面15B及び入射面16A間に共振器C
AVが形成され、 その共振光路LPTを共振動作する
基本波レーザ光LA12のうち入射面16Aを透過した
レーザ光が出力レーザ光LA 、U、として射出される
。
AVが形成され、 その共振光路LPTを共振動作する
基本波レーザ光LA12のうち入射面16Aを透過した
レーザ光が出力レーザ光LA 、U、として射出される
。
以上の構成においてレーザ媒質15の長さLISは、第
5図に示すように、有効吸収領域LAvの長さのほぼ1
/2の長さに選定され、かくして励起用レーザ光LAI
Iが入射面15Aから外側端面15Bに進行した後入射
面15Aに戻って来るまでレーザ媒質を往復する間にお
いて、レーザ媒質15に吸収される。
5図に示すように、有効吸収領域LAvの長さのほぼ1
/2の長さに選定され、かくして励起用レーザ光LAI
Iが入射面15Aから外側端面15Bに進行した後入射
面15Aに戻って来るまでレーザ媒質を往復する間にお
いて、レーザ媒質15に吸収される。
以上の構成によれば、たとえレーザ媒質15において吸
収されずに透過した励起用レーザ光LA11があったと
しても、これが偏光型ビームスプリッタ14において3
波偏光成分として反射されて集光レンズ系13側に戻さ
れるので、出力ミラ−16を通って射出される出力レー
ザ光り、Aourに迷光として混入するおそれをなくし
得、かくするにつきレーザ媒質15の長さを第5図の従
来の場合と比較して1/2にすることができる。
収されずに透過した励起用レーザ光LA11があったと
しても、これが偏光型ビームスプリッタ14において3
波偏光成分として反射されて集光レンズ系13側に戻さ
れるので、出力ミラ−16を通って射出される出力レー
ザ光り、Aourに迷光として混入するおそれをなくし
得、かくするにつきレーザ媒質15の長さを第5図の従
来の場合と比較して1/2にすることができる。
また上述の実施例の構成によれば、基本波レーザ光LA
12に対する共振光路LPT内に偏光型ビームスプリッ
タ14を介挿してp偏光成分だけを通過させるようにな
されていることにより、共振器CAVからp偏光でなる
直線偏光の出力レーザ光LAoutを得ることができる
。
12に対する共振光路LPT内に偏光型ビームスプリッ
タ14を介挿してp偏光成分だけを通過させるようにな
されていることにより、共振器CAVからp偏光でなる
直線偏光の出力レーザ光LAoutを得ることができる
。
これに加えてレーザ媒質15から吸収されずに通り抜け
た励起用レーザ光LAIIが励起用半導体レーザ12に
戻されることにより、励起用レーザ光LAIIに対する
外部共振器が形成されることになる。このような条件の
下では、スクープ効果によって励起用半導体レーザ12
から射出される励起用レーザ光LAIIを増大させるこ
とができ、かくしてこの分し−ザ媒f15から発生され
る基本波レーザ光LA12のパワーを増大させることが
できることによりレーザ光源の変換効率を一段と高める
ことができる。
た励起用レーザ光LAIIが励起用半導体レーザ12に
戻されることにより、励起用レーザ光LAIIに対する
外部共振器が形成されることになる。このような条件の
下では、スクープ効果によって励起用半導体レーザ12
から射出される励起用レーザ光LAIIを増大させるこ
とができ、かくしてこの分し−ザ媒f15から発生され
る基本波レーザ光LA12のパワーを増大させることが
できることによりレーザ光源の変換効率を一段と高める
ことができる。
さらに上述の構成のように、外側端面15Bを球面状に
して反射光が細いビームに集光するようにしたことによ
り、この分動起用レーザ光LAIlの変換効率を高める
ことができる。因に励起用レーザ光LAIIはレーザ媒
質15内を拡がりながら進行するのに対して外側端面1
5B−の反射面はこれを有効吸収領域のほぼl/2の位
置で再び集光させることによりスポットの拡がりを抑え
ることができる。
して反射光が細いビームに集光するようにしたことによ
り、この分動起用レーザ光LAIlの変換効率を高める
ことができる。因に励起用レーザ光LAIIはレーザ媒
質15内を拡がりながら進行するのに対して外側端面1
5B−の反射面はこれを有効吸収領域のほぼl/2の位
置で再び集光させることによりスポットの拡がりを抑え
ることができる。
(G2)第2の実施例
第2図は本発明の第2の実施例を示すもので、第1図と
の対応分に同一符号を付して示すように、励起用半導体
レーザ12の励起用レーザ光LAIlを偏光型ビームス
プリッタ14に対してそのp偏光方向から入射し、か(
して励起用レーザ光LAllを偏光型ビームスプリッタ
14を透過させてレーザ媒質15の入射面15Aに入射
する。
の対応分に同一符号を付して示すように、励起用半導体
レーザ12の励起用レーザ光LAIlを偏光型ビームス
プリッタ14に対してそのp偏光方向から入射し、か(
して励起用レーザ光LAllを偏光型ビームスプリッタ
14を透過させてレーザ媒質15の入射面15Aに入射
する。
これに対してレーザ媒質15において発生された基本波
レーザ光LA12は偏光型ビームスプリッタ14に偏光
成分として反射されて出力ミラー16の入射面16Aに
入射される。
レーザ光LA12は偏光型ビームスプリッタ14に偏光
成分として反射されて出力ミラー16の入射面16Aに
入射される。
かくして端面15B及び16A間に共振器CAVが形成
される。
される。
第2図のように構成しても第1図の場合と同様の効果を
得ることができる。
得ることができる。
(G3)第3の実施例
第3図は本発明の第3の実施例を示すもので、第1図と
の対応部分に同一符号を付して示すように、励起用半導
体レーザ12の励起用レーザ光LAllは、レーザ媒質
15の外側端面に形成された入射面15Gから入射され
、レーザ媒質15を進行する間に吸収されて基本波レー
ザ光LA12を発生する。
の対応部分に同一符号を付して示すように、励起用半導
体レーザ12の励起用レーザ光LAllは、レーザ媒質
15の外側端面に形成された入射面15Gから入射され
、レーザ媒質15を進行する間に吸収されて基本波レー
ザ光LA12を発生する。
この場合レーザ媒1t15の内側端面15Dには、曲率
Rの球状反・射面が形成されている。この反射面は、励
起用レーザ光LAIIの波長の光を100%反射すると
同時に、基本波レーザ光LA12の波長の光を100%
透過させるような光学特性をもつようにコーチイブ処理
されている。
Rの球状反・射面が形成されている。この反射面は、励
起用レーザ光LAIIの波長の光を100%反射すると
同時に、基本波レーザ光LA12の波長の光を100%
透過させるような光学特性をもつようにコーチイブ処理
されている。
またレーザ媒質15の外側端面15Cには、励起用レー
ザ光LAIIの波長の光を100%透過すると同時に、
基本波レーザ光LA12の波長の光を100%反射する
光学特性をもつようにコーチイブ処理されている。
ザ光LAIIの波長の光を100%透過すると同時に、
基本波レーザ光LA12の波長の光を100%反射する
光学特性をもつようにコーチイブ処理されている。
かくしてレーザ媒質15において発生される基本波レー
ザ光LA12は内側端面15Dを透過して偏光型ビーム
スプリッタ14を通って出力ミラー16の入射面16A
において反射される。かくしてレーザ媒質15の外側端
面15Cと出力ミラー16の入射面16Aとの間に形成
された共振光路LPTを通って基本波レーザ光LA12
が共振動作する共振器CAVが形成され、基本波レーザ
光LA12の一部が出力レーザ光LAoutとして出力
ミラー16から射出される。
ザ光LA12は内側端面15Dを透過して偏光型ビーム
スプリッタ14を通って出力ミラー16の入射面16A
において反射される。かくしてレーザ媒質15の外側端
面15Cと出力ミラー16の入射面16Aとの間に形成
された共振光路LPTを通って基本波レーザ光LA12
が共振動作する共振器CAVが形成され、基本波レーザ
光LA12の一部が出力レーザ光LAoutとして出力
ミラー16から射出される。
第3図の構成によれば、第1図について上述したと同様
の効果を得ることができる。
の効果を得ることができる。
(G4)他の実施例
(1)第3図の実施例においては、レーザ媒質15及び
出力ミラー16間に偏光型ビームスプリッタ14を設け
ることにより、出力レーザ光LAoutとしてp波偏光
でなる基本波レーザ光LA12を射出できるように構成
した場合について述べたが、出力レーザ光LAoutと
して偏光を制御する必要がない場合には、偏光型ビーム
スプリッタ14を省略しても良い。
出力ミラー16間に偏光型ビームスプリッタ14を設け
ることにより、出力レーザ光LAoutとしてp波偏光
でなる基本波レーザ光LA12を射出できるように構成
した場合について述べたが、出力レーザ光LAoutと
して偏光を制御する必要がない場合には、偏光型ビーム
スプリッタ14を省略しても良い。
(2)上述の実施例においては、レーザ媒質15として
固体レーザを用いた場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、ガスレーザ、液体レーザ等のレーザに広く
適用し得る。
固体レーザを用いた場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、ガスレーザ、液体レーザ等のレーザに広く
適用し得る。
(3) 上述の実施例においては、レーザ媒質15を
励起する手段として半導体レーザを用いた場合について
述べたが、その他の励起用レーザ光源を用いるようにし
ても上述の場合と同様の効果を得ることができる。
励起する手段として半導体レーザを用いた場合について
述べたが、その他の励起用レーザ光源を用いるようにし
ても上述の場合と同様の効果を得ることができる。
(4) 上述の実施例においては、レーザ媒質15の
長さLISをほぼ従来の場合の有効吸収領域LAVの1
/2の長さに選定した場合について述べたが、その長さ
を少し長くすることにより、励起用レーザ光のうち、従
来は実効がないとして利用しなかったレーザ光成分のエ
ネルギーを利用することにより変換効率を高めるように
しても良い。
長さLISをほぼ従来の場合の有効吸収領域LAVの1
/2の長さに選定した場合について述べたが、その長さ
を少し長くすることにより、励起用レーザ光のうち、従
来は実効がないとして利用しなかったレーザ光成分のエ
ネルギーを利用することにより変換効率を高めるように
しても良い。
H発明の効果
上述のように本発明によれば、レーザ媒質を進行する励
起用レーザ光をレーザ媒質の端面において反射させるよ
うにしたことにより、レーザ媒質内を励起用レーザ光が
往復する。@に有効吸収領域を形成させるようにしたこ
とにより、レーザ媒質の実際の長さを半減させることが
でき、かくして全体としてレーザ光源の構成を一段と小
型化し得る。
起用レーザ光をレーザ媒質の端面において反射させるよ
うにしたことにより、レーザ媒質内を励起用レーザ光が
往復する。@に有効吸収領域を形成させるようにしたこ
とにより、レーザ媒質の実際の長さを半減させることが
でき、かくして全体としてレーザ光源の構成を一段と小
型化し得る。
第1図は本発明によるレーザ光源の一実施例を示す光路
図、第2図及び第3図は本発明の第2及び第3の実施例
を示す光路図、第4図は従来のレーザ光源を示す光路図
、第5図はレーザ媒質内の励起用レーザ光の吸収率の変
化を示す曲線図である。 l、11・・・・・・レーザ光源、3.12・・・・・
・励起用半導体レーザ、4.13・・・・・・集光レン
ズ系、2.15・・・・・・レーザ媒質、14・・・・
・・偏光型ビームスプリッタ、5.16・・・・・・出
力ミラー。
図、第2図及び第3図は本発明の第2及び第3の実施例
を示す光路図、第4図は従来のレーザ光源を示す光路図
、第5図はレーザ媒質内の励起用レーザ光の吸収率の変
化を示す曲線図である。 l、11・・・・・・レーザ光源、3.12・・・・・
・励起用半導体レーザ、4.13・・・・・・集光レン
ズ系、2.15・・・・・・レーザ媒質、14・・・・
・・偏光型ビームスプリッタ、5.16・・・・・・出
力ミラー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザ媒質の一端から他端側へ当該レーザ媒質内を励起
用レーザ光が進行する間に当該励起用レーザ光を吸収し
て基本波レーザ光を発生させるようになされたレーザ光
源において、 上記レーザ媒質内を進行する励起用レーザ光を上記レー
ザ媒質の上記他端において反射させることにより、上記
励起用レーザ光が上記レーザ媒質を往復する光路に有効
吸収領域を形成する ことを特徴とするレーザ光源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4659188A JPH01220877A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | レーザ光源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4659188A JPH01220877A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | レーザ光源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01220877A true JPH01220877A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12751537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4659188A Pending JPH01220877A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | レーザ光源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01220877A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0414279A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JPH04245687A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-09-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レーザ・システム,レーザ光発生方法及びレーザ・データ記憶システム |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP4659188A patent/JPH01220877A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0414279A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JPH04245687A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-09-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レーザ・システム,レーザ光発生方法及びレーザ・データ記憶システム |
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