JPH01218032A - ワイヤーボンディング方法 - Google Patents
ワイヤーボンディング方法Info
- Publication number
- JPH01218032A JPH01218032A JP63043697A JP4369788A JPH01218032A JP H01218032 A JPH01218032 A JP H01218032A JP 63043697 A JP63043697 A JP 63043697A JP 4369788 A JP4369788 A JP 4369788A JP H01218032 A JPH01218032 A JP H01218032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- bonding
- wire bonding
- stage
- semiconductor pellet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48095—Kinked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4918—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/787—Means for aligning
- H01L2224/78743—Suction holding means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/787—Means for aligning
- H01L2224/78743—Suction holding means
- H01L2224/78744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1016—Shape being a cuboid
- H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ペレットのワイヤーボンディング方法に
関し、特に表裏両面に素子及び配線を有する半導体ペレ
ットのワイヤーボンディング方法に関する。
関し、特に表裏両面に素子及び配線を有する半導体ペレ
ットのワイヤーボンディング方法に関する。
従来、半導体ペレットの内部電極であるパッドと外部リ
ードを結線するためのワイヤーボンディング方法におい
ては、ワイヤーボンディングの前工程で第5図に示すよ
うにリードフレーム8のアイランド10に接合剤9によ
り半導体ペレット2の裏面を接合しておき、ワイヤーボ
ンディング時においては、この半導体ペレット2を搭載
したフレーム8を第6図に示すようにボンディングステ
ージ11上に固定しペレット2の表面にあるパッドとイ
ンナーリード4をワイヤー7にて結線するものであった
。
ードを結線するためのワイヤーボンディング方法におい
ては、ワイヤーボンディングの前工程で第5図に示すよ
うにリードフレーム8のアイランド10に接合剤9によ
り半導体ペレット2の裏面を接合しておき、ワイヤーボ
ンディング時においては、この半導体ペレット2を搭載
したフレーム8を第6図に示すようにボンディングステ
ージ11上に固定しペレット2の表面にあるパッドとイ
ンナーリード4をワイヤー7にて結線するものであった
。
上述した従来のワイヤーボンディング方法では、半導体
ペレット2の裏面がアイランド10への接合に用いられ
ているため、表裏両面にウェハープロセスを施し、表裏
両面に素子及び配線を有するような半導体ペレットにつ
いては、ワイヤーボンディングができないという欠点が
ある。
ペレット2の裏面がアイランド10への接合に用いられ
ているため、表裏両面にウェハープロセスを施し、表裏
両面に素子及び配線を有するような半導体ペレットにつ
いては、ワイヤーボンディングができないという欠点が
ある。
本発明の目的は前記課題を解決したワイヤーボンディン
グ方法を提供することにある。
グ方法を提供することにある。
上述した従来のワイヤーボンディング方法に対し、本発
明は表裏両面に素子及び配線を形成した半導体ペレット
の表裏両面にワイヤーボンディングを行うことができる
という相違点を有する。
明は表裏両面に素子及び配線を形成した半導体ペレット
の表裏両面にワイヤーボンディングを行うことができる
という相違点を有する。
上記目的を達成するため、本発明のワイヤーボンディン
グ方法においては、半導体ペレットの片面もしくは両面
に半導体ペレットの内部素子及び配線とは絶縁された突
起もしくは膜よりなる領域を形成し、この領域を外部よ
り支持することにより半導体ペレットを固定してワイヤ
ーボンディングを行うものである。
グ方法においては、半導体ペレットの片面もしくは両面
に半導体ペレットの内部素子及び配線とは絶縁された突
起もしくは膜よりなる領域を形成し、この領域を外部よ
り支持することにより半導体ペレットを固定してワイヤ
ーボンディングを行うものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
(実施例1)
第1図(a)〜(ト)は本発明の実施例1を工程順に示
す図である。
す図である。
本発明において、半導体ペレット2はその片面もしくは
両面に半導体ペレットの内部素子及び配線とは絶縁され
た突起もしくは膜を有し、またワイヤーボンディング装
置は半導体ペレット2の突起及び膜を支持することによ
り半導体ペレット2を固定するペレット用ボンディング
ステージ3を有し、半導体ペレットを加熱する図示しな
い加熱手段が上記ペレット用ボンディングステージ3に
設けられている。あるいは非接触にて半導体ペレット2
を加熱する加熱手段を有している。
両面に半導体ペレットの内部素子及び配線とは絶縁され
た突起もしくは膜を有し、またワイヤーボンディング装
置は半導体ペレット2の突起及び膜を支持することによ
り半導体ペレット2を固定するペレット用ボンディング
ステージ3を有し、半導体ペレットを加熱する図示しな
い加熱手段が上記ペレット用ボンディングステージ3に
設けられている。あるいは非接触にて半導体ペレット2
を加熱する加熱手段を有している。
第1図(a) 、 (b) 、 (c) 、 (d)
、 (e) 、 (f)は本発明の実施例1を工程順に
示す説明図である。表裏両面に素子及び配線を有する半
導体ペレット2の両面に絶縁物質よりなるペレットアイ
ランド1が蒸着あるいは塗付あるいは貼付等の手法によ
り固着されている。
、 (e) 、 (f)は本発明の実施例1を工程順に
示す説明図である。表裏両面に素子及び配線を有する半
導体ペレット2の両面に絶縁物質よりなるペレットアイ
ランド1が蒸着あるいは塗付あるいは貼付等の手法によ
り固着されている。
ペレット用ボンディングステージ3はその内部が中空と
なっており、図示しない外部配管及び制御機構により半
導体ペレット2を所定のタイミングでボンディングステ
ージ3上に真空吸引し固定する。次に本発明による動作
について説明する。第1図(a)において、図示しない
搭載機構により半導体ペレット2及びインナーリード4
をそれぞれペレット用ボンディングステージ3及びイン
ナーリード用ボンディングステージ5上に搭載する。搭
載が完了すると、第1図(b)に示すようにペレット用
ボンディングステージ3の中空部と図示しない外部配管
及び制御機構が作用し1図中の矢印で示すように半導体
ペレット2をペレットアイランド1を介してペレット用
ボンディングステージ3上に固定する。固定後、ボンデ
ィング装置はボンディングを開始し、第1図(c)に示
すように半導体ペレット2の表面(半導体ペレット2で
先にボンディングする面を表面、次にボンディングする
面を裏面とした)のワイヤーボンディングを完了する。
なっており、図示しない外部配管及び制御機構により半
導体ペレット2を所定のタイミングでボンディングステ
ージ3上に真空吸引し固定する。次に本発明による動作
について説明する。第1図(a)において、図示しない
搭載機構により半導体ペレット2及びインナーリード4
をそれぞれペレット用ボンディングステージ3及びイン
ナーリード用ボンディングステージ5上に搭載する。搭
載が完了すると、第1図(b)に示すようにペレット用
ボンディングステージ3の中空部と図示しない外部配管
及び制御機構が作用し1図中の矢印で示すように半導体
ペレット2をペレットアイランド1を介してペレット用
ボンディングステージ3上に固定する。固定後、ボンデ
ィング装置はボンディングを開始し、第1図(c)に示
すように半導体ペレット2の表面(半導体ペレット2で
先にボンディングする面を表面、次にボンディングする
面を裏面とした)のワイヤーボンディングを完了する。
表面のワイヤーボンディングが完了した半導体ペレット
2とインナーリード4は第1図(d)に示すように図示
しない搭載機構によりボンディングされた面を反転させ
、ボンディングステージ3及び5と正対するようにステ
ージ3及び5に搭載される。
2とインナーリード4は第1図(d)に示すように図示
しない搭載機構によりボンディングされた面を反転させ
、ボンディングステージ3及び5と正対するようにステ
ージ3及び5に搭載される。
次に第1図(e)に示すように半導体ペレット2のペレ
ットアイランド1を真空吸引し半導体ペレット2をペレ
ット用ボンディングステージ3上に固定して裏面のワイ
ヤーボンディングを行う。このようにして第1図(ト)
に示すように半導体ペレット2の表裏両面のワイヤーボ
ンディングが完了する。
ットアイランド1を真空吸引し半導体ペレット2をペレ
ット用ボンディングステージ3上に固定して裏面のワイ
ヤーボンディングを行う。このようにして第1図(ト)
に示すように半導体ペレット2の表裏両面のワイヤーボ
ンディングが完了する。
尚、この場合のペレットアイランド1及びペレット用ボ
ンディングステージ3の寸法は第2図(a)部に示すよ
うにボンディングツール6とペレットアイランド1がボ
ンディング時に干渉することなく。
ンディングステージ3の寸法は第2図(a)部に示すよ
うにボンディングツール6とペレットアイランド1がボ
ンディング時に干渉することなく。
また第2図(b)部に示すようにワイヤーボンディング
された半導体ペレット2を反転させボンディングステー
ジ3上に搭載するときに結線されたワイヤー7とボンデ
ィングステージ3が干渉することのない寸法とする。さ
らにインナーリード用ボンディングステージ5の寸法及
び表裏両面のインナーリード4上のボンディング位置は
、第3図(a)。
された半導体ペレット2を反転させボンディングステー
ジ3上に搭載するときに結線されたワイヤー7とボンデ
ィングステージ3が干渉することのない寸法とする。さ
らにインナーリード用ボンディングステージ5の寸法及
び表裏両面のインナーリード4上のボンディング位置は
、第3図(a)。
(b)に示すように表面ボンディング時に結線されたワ
イヤー7が裏面ボンディング時にインナーリード用ボン
ディングステージ5と干渉することがないように、表面
側のインナーリード4上のボンディング位置が裏面側の
ボンディング位置よりもインナーリード4の先端近くま
たインナーリード用ボンディングステージ5の寸法は裏
面ボンディング時には表面ボンディング時よりもΔQ短
くなり(図示しない伸縮機構により裏面ボンディング時
にはΔQだけ短くなる。あるいは裏面ボンディング時に
はΔαだけ短いインナーリード用ボンディングステージ
5を用いる)、ワイヤー7との干渉がないような寸法及
び位置となっている。またペレットアイランド1の強度
及びペレットアイランド1と半導体ペレット2との接合
強度は半導体ペレット2をペレットアイランド1を介し
てペレット用ボンディングステージ3に搭載し、保持す
る場合に作用する外部力によって半導体ペレット2に損
傷を生じない強度を有するものとする。一方、前記ボン
ディングステージ3は図示しない加熱体が先端に配備さ
れており、半導体ペレットを接触にて加熱することがで
きる。また、この加熱については赤外線ランプにより非
接触にて加熱することもできる。
イヤー7が裏面ボンディング時にインナーリード用ボン
ディングステージ5と干渉することがないように、表面
側のインナーリード4上のボンディング位置が裏面側の
ボンディング位置よりもインナーリード4の先端近くま
たインナーリード用ボンディングステージ5の寸法は裏
面ボンディング時には表面ボンディング時よりもΔQ短
くなり(図示しない伸縮機構により裏面ボンディング時
にはΔQだけ短くなる。あるいは裏面ボンディング時に
はΔαだけ短いインナーリード用ボンディングステージ
5を用いる)、ワイヤー7との干渉がないような寸法及
び位置となっている。またペレットアイランド1の強度
及びペレットアイランド1と半導体ペレット2との接合
強度は半導体ペレット2をペレットアイランド1を介し
てペレット用ボンディングステージ3に搭載し、保持す
る場合に作用する外部力によって半導体ペレット2に損
傷を生じない強度を有するものとする。一方、前記ボン
ディングステージ3は図示しない加熱体が先端に配備さ
れており、半導体ペレットを接触にて加熱することがで
きる。また、この加熱については赤外線ランプにより非
接触にて加熱することもできる。
(実施例2)
第4図は本発明の実施例2の説明図である。
アイランド1は2段形状よりなり、その先端部をオス型
1aとするとペレット用ボンディングステージ3はその
先端部にオス型に対応したメス型の溝3aを有する。型
の断面(A−A断面矢視方向)の形状は円形ではないも
のとする。
1aとするとペレット用ボンディングステージ3はその
先端部にオス型に対応したメス型の溝3aを有する。型
の断面(A−A断面矢視方向)の形状は円形ではないも
のとする。
この実施例ではアイランド1及びアイランド1を搭載す
るペレット用ボンディングステージ3がそれぞれ円形で
ない(オス型をメス型に挿入した場合、挿入方向と直交
する平面内での半導体ペレット2の回転による移動がな
い)ため、ボンディング時において半導体ペレット2を
そのアイランド1の先端部のオス型1aがペレット用ボ
ンディングステージ3のメス型溝3aに挿入されるよう
に搭載すれば、常に一定の位置精度で半導体ペレット2
をペレット用ボンディングステージ3上に搭載できると
いう利点がある。
るペレット用ボンディングステージ3がそれぞれ円形で
ない(オス型をメス型に挿入した場合、挿入方向と直交
する平面内での半導体ペレット2の回転による移動がな
い)ため、ボンディング時において半導体ペレット2を
そのアイランド1の先端部のオス型1aがペレット用ボ
ンディングステージ3のメス型溝3aに挿入されるよう
に搭載すれば、常に一定の位置精度で半導体ペレット2
をペレット用ボンディングステージ3上に搭載できると
いう利点がある。
以上説明したように本発明は半導体ペレットのボンディ
ング面に半導体ペレットの内部素子及び配線とは絶縁さ
れた所定厚の突起もしくは膜よりなる領域を形成し、こ
の領域のみを外部より支持することにより半導体ペレッ
トを固定してワイヤーボンディングを行うため、半導体
ペレットの内部素子及び配線には何らの損傷を与えるこ
となく、半導体ペレットの表裏両面にワイヤーボンディ
ングを行うことができるという効果がある。
ング面に半導体ペレットの内部素子及び配線とは絶縁さ
れた所定厚の突起もしくは膜よりなる領域を形成し、こ
の領域のみを外部より支持することにより半導体ペレッ
トを固定してワイヤーボンディングを行うため、半導体
ペレットの内部素子及び配線には何らの損傷を与えるこ
となく、半導体ペレットの表裏両面にワイヤーボンディ
ングを行うことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(ト)は本発明の実施例1を工程順に示
す説明図、第2図及び第3図(a)、 (b)は実施例
1の形状寸法を示す説明図、第4図は本発明のワイヤー
ボンディング方法の実施例2を示す説明図、第5図は従
来のワイヤーボンディングの前工程が完了したワークを
示す斜視図、第6図は従来のワイヤーボンディング方法
によるワークの縦断面図である。 1・・・ペレットアイランド 2・・・半導体ペレット
3・・・ペレット用ボンディングステージ4・・・イン
ナーリード 5・・・インナーリード用ボンディングステージ6・・
・ボンディングツール7・・・ワイヤー8・・・リード
フレーム 9・・・接合剤10・・・アイランド
11・・・ボンディングステージ(b) 第1図 Cf) 第1図 (a) 第3図 (b) 第4図
す説明図、第2図及び第3図(a)、 (b)は実施例
1の形状寸法を示す説明図、第4図は本発明のワイヤー
ボンディング方法の実施例2を示す説明図、第5図は従
来のワイヤーボンディングの前工程が完了したワークを
示す斜視図、第6図は従来のワイヤーボンディング方法
によるワークの縦断面図である。 1・・・ペレットアイランド 2・・・半導体ペレット
3・・・ペレット用ボンディングステージ4・・・イン
ナーリード 5・・・インナーリード用ボンディングステージ6・・
・ボンディングツール7・・・ワイヤー8・・・リード
フレーム 9・・・接合剤10・・・アイランド
11・・・ボンディングステージ(b) 第1図 Cf) 第1図 (a) 第3図 (b) 第4図
Claims (1)
- 1、半導体ペレットの片面もしくは両面に半導体ペレッ
トの内部素子及び配線とは絶縁された突起もしくは膜よ
りなる領域を形成し、この領域を外部より支持すること
により半導体ペレットを固定してワイヤーボンディング
を行うことを特徴とするワイヤーボンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63043697A JPH01218032A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | ワイヤーボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63043697A JPH01218032A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | ワイヤーボンディング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01218032A true JPH01218032A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12671021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63043697A Pending JPH01218032A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | ワイヤーボンディング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01218032A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6423102B1 (en) | 1994-11-30 | 2002-07-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Jig used for assembling semiconductor devices |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63043697A patent/JPH01218032A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6423102B1 (en) | 1994-11-30 | 2002-07-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Jig used for assembling semiconductor devices |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS55118643A (en) | Wire bonding process | |
US4790897A (en) | Device for bonding of lead wires for an integrated circuit device | |
JPH01218032A (ja) | ワイヤーボンディング方法 | |
US3821615A (en) | Long life lead frame means for semiconductor devices | |
JP3149631B2 (ja) | 半導体装置及びその実装装置及びその実装方法 | |
JP2634249B2 (ja) | 半導体集積回路モジュール | |
JP3001483B2 (ja) | リードフレーム、半導体装置及びその製造方法 | |
JPH0332048A (ja) | 半導体装置 | |
JP3255796B2 (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
JP3472342B2 (ja) | 半導体装置の実装体の製造方法 | |
JPH0368164A (ja) | トランスファモールド型混成集積回路 | |
JPH03129863A (ja) | リード成形金型 | |
JPH05299569A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
JPH01198038A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH0719867B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法 | |
JPS63183723A (ja) | 樹脂封止半導体装置のリ−ドの曲げ加工方法 | |
JPH04179245A (ja) | 半導体装置 | |
JPS59224147A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0471288A (ja) | 半導体実装基板 | |
JPH1098135A (ja) | 半導体装置 | |
JPH08306744A (ja) | 電子部品 | |
JPH07122584A (ja) | 半導体装置の実装装置及びそれに用いられるマウントコレット | |
JPS5619627A (en) | Assembly of semiconductor device | |
JPH0677373A (ja) | 半導体パッケージの外部リード折曲装置におけるフォーミングダイ | |
JPH01319953A (ja) | 半導体装置の製造方法 |