JPH01215788A - 結晶引上げ方法 - Google Patents
結晶引上げ方法Info
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- JPH01215788A JPH01215788A JP63039152A JP3915288A JPH01215788A JP H01215788 A JPH01215788 A JP H01215788A JP 63039152 A JP63039152 A JP 63039152A JP 3915288 A JP3915288 A JP 3915288A JP H01215788 A JPH01215788 A JP H01215788A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
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- C30B15/12—Double crucible methods
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1052—Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、シリコンなど半導体結晶の引上げ方法に関し
、より詳しくは内室と外室とに区分された一体型二重構
造ルツボを用いる結晶引上げによって比抵抗その他の結
晶特性を制御する方法に係るものである。
、より詳しくは内室と外室とに区分された一体型二重構
造ルツボを用いる結晶引上げによって比抵抗その他の結
晶特性を制御する方法に係るものである。
(従来技術)
従来、チョクラルスキー法(CZ法)によってルツボ内
の融液から棒状の半導体単結晶を成長させた場合には、
よく知られているように成長した単結晶の長さ方向にお
ける不純物濃度分布CはC=kC,(1−G)” (但し、kはドーパントの偏析係数、C0は融液の初期
の不純物濃度、Gは固化率)で表される。
の融液から棒状の半導体単結晶を成長させた場合には、
よく知られているように成長した単結晶の長さ方向にお
ける不純物濃度分布CはC=kC,(1−G)” (但し、kはドーパントの偏析係数、C0は融液の初期
の不純物濃度、Gは固化率)で表される。
従って、長さ方向における不純物濃度分布は、特にkが
小さい場合に大きく変化し、必要な不純物濃度範囲(こ
の不純物が電気的に活性な物質つまり電導不純物の場合
は比抵抗範囲)を有する単結晶の収率を大巾に低下させ
る。
小さい場合に大きく変化し、必要な不純物濃度範囲(こ
の不純物が電気的に活性な物質つまり電導不純物の場合
は比抵抗範囲)を有する単結晶の収率を大巾に低下させ
る。
こうした問題点を解決するなめに、内側ルツボ内液面を
一定にする浮き型二重ルツボ法が提案されており、ゲル
マニウムやシリコンの単結晶成長に適用されている。
これを第14図を参照して説明する。 同図において、
外側ルツボ1の内部に浮きルツボのようにして内側ルツ
ボ2が配!されており、内側ルツボ2の底部には小孔3
が開けられている。 内側ルツボ内の融液4から結晶6
を引き上げる際、内側ルツボの浮力と重力との釣合いが
利用されたり、固定した内側ルツボに対し外側ルツボを
上昇させるなどして、外側ルツボ内融液5を小孔3から
補給して内側ルツボ内融液4の液面高さhを一定にする
。 この液面高さhを一定にする引上げで、外側ルツボ
内融液5中の不純物濃度をC0、内側ルツボ内融液4中
の不純物濃度をC,/k(但し、kは不純物の偏析係数
)とすると、引き上げ結晶6に取り込まれる不純物濃度
はC0となり、結晶育成に使われたのと等量の融液(純
粋なシリコンやゲルマニウム)と不純物とが常に外側ル
ツボ内融液5から内側ルツボ内融液4に供給されること
になる。 従って内側ルツボ内融液4の不純物濃度は常
に一定値Co / kに保たれ、それゆえ引上げ結晶6
の不純物濃度も一定値C0に保たれる。
一定にする浮き型二重ルツボ法が提案されており、ゲル
マニウムやシリコンの単結晶成長に適用されている。
これを第14図を参照して説明する。 同図において、
外側ルツボ1の内部に浮きルツボのようにして内側ルツ
ボ2が配!されており、内側ルツボ2の底部には小孔3
が開けられている。 内側ルツボ内の融液4から結晶6
を引き上げる際、内側ルツボの浮力と重力との釣合いが
利用されたり、固定した内側ルツボに対し外側ルツボを
上昇させるなどして、外側ルツボ内融液5を小孔3から
補給して内側ルツボ内融液4の液面高さhを一定にする
。 この液面高さhを一定にする引上げで、外側ルツボ
内融液5中の不純物濃度をC0、内側ルツボ内融液4中
の不純物濃度をC,/k(但し、kは不純物の偏析係数
)とすると、引き上げ結晶6に取り込まれる不純物濃度
はC0となり、結晶育成に使われたのと等量の融液(純
粋なシリコンやゲルマニウム)と不純物とが常に外側ル
ツボ内融液5から内側ルツボ内融液4に供給されること
になる。 従って内側ルツボ内融液4の不純物濃度は常
に一定値Co / kに保たれ、それゆえ引上げ結晶6
の不純物濃度も一定値C0に保たれる。
しかしながら、引上げに伴って融液が消費され、内側ル
ツボ2の底部が外側ルツボ1の底部に着いてから後は、
このような不純物濃度一定の関係は成り立たなくなり、
結晶6中の不純物濃度も固化率とともに変化(濃縮)す
る、 すなわち、固化率をGとしたとき 0≦G≦1−(h/H) ・・・(I)(但し、
Hは外側ルツボ内融液の初期液面高さ、hは引上げ中一
定に保つべき内側ルツボ内融液の液面高さである)なる
固化率の範囲でしか不純物濃度一定の結晶を得ることが
できない、 従って、ドナーあるいはアクセプターとな
る不純物を用い、長さ方向に比抵抗均一なる結晶を育成
しようとしても、それはたかだか固化率0,6〜0.7
までで、それ以後は急激に比抵抗が変化してしまうとい
う欠点をもつ。
ツボ2の底部が外側ルツボ1の底部に着いてから後は、
このような不純物濃度一定の関係は成り立たなくなり、
結晶6中の不純物濃度も固化率とともに変化(濃縮)す
る、 すなわち、固化率をGとしたとき 0≦G≦1−(h/H) ・・・(I)(但し、
Hは外側ルツボ内融液の初期液面高さ、hは引上げ中一
定に保つべき内側ルツボ内融液の液面高さである)なる
固化率の範囲でしか不純物濃度一定の結晶を得ることが
できない、 従って、ドナーあるいはアクセプターとな
る不純物を用い、長さ方向に比抵抗均一なる結晶を育成
しようとしても、それはたかだか固化率0,6〜0.7
までで、それ以後は急激に比抵抗が変化してしまうとい
う欠点をもつ。
さて、他の単結晶育成方法として70−ティングゾーン
法(FZ法)があるが、この方法によれば1本の棒状単
結晶の長さ方向に不純物濃度均一の単結晶を育成するこ
とが可能である。 しかしながら、FZ法による単結晶
は一般にドーバント不純物の結晶径方向断面内の分布が
CZ法単結晶に比べると非常に悪いことがわかっている
。 例を5″の(111) Si単結晶ウェハにとると
、4端針の比抵抗値測定による比抵抗ρの面内分布は、
CZ法のΔρが6〜15%であるのに対してFZ法のΔ
ρは20〜50%にも達する。 ここで、Δρ=(ρつ
−ρ、、)/ρ□りである。 また広がり抵抗測定によ
る面内抵抗バラツキΔρ、Rは、C2結晶で10〜20
%であるのに対してFZ結晶では30〜50%に達する
。
法(FZ法)があるが、この方法によれば1本の棒状単
結晶の長さ方向に不純物濃度均一の単結晶を育成するこ
とが可能である。 しかしながら、FZ法による単結晶
は一般にドーバント不純物の結晶径方向断面内の分布が
CZ法単結晶に比べると非常に悪いことがわかっている
。 例を5″の(111) Si単結晶ウェハにとると
、4端針の比抵抗値測定による比抵抗ρの面内分布は、
CZ法のΔρが6〜15%であるのに対してFZ法のΔ
ρは20〜50%にも達する。 ここで、Δρ=(ρつ
−ρ、、)/ρ□りである。 また広がり抵抗測定によ
る面内抵抗バラツキΔρ、Rは、C2結晶で10〜20
%であるのに対してFZ結晶では30〜50%に達する
。
またシリコン単結晶に話を限定すると、CZ法では融液
を収容している石英ルツボから酸素が結晶中に〜I X
10” atoIls/CC程度混入するが、FZ法
ではルツボとの接触がないから酸素の混入は少ない、
ところでこのシリコン結晶中の酸素はウェハを固くする
性質があるので、FZ法ウェハはCZ法ウェハに比べ熱
処理中にウェハが反りやすい、またスリップが入りやす
い等の欠点があることがわかっている。
を収容している石英ルツボから酸素が結晶中に〜I X
10” atoIls/CC程度混入するが、FZ法
ではルツボとの接触がないから酸素の混入は少ない、
ところでこのシリコン結晶中の酸素はウェハを固くする
性質があるので、FZ法ウェハはCZ法ウェハに比べ熱
処理中にウェハが反りやすい、またスリップが入りやす
い等の欠点があることがわかっている。
本発明者らは、上記のCZ法、浮き型二重ルツボ法、F
Z法の問題点を解決するものとして、既に新規な一体型
二重ルツボをもつ結晶引上げ装置を提案した(特願昭6
1−221896号、関連出願は特願昭61−2380
34号、特願昭62−200839号、特願昭62−2
29632号である)、 本願はこれら既提案を改良し
、展開させたものである。
Z法の問題点を解決するものとして、既に新規な一体型
二重ルツボをもつ結晶引上げ装置を提案した(特願昭6
1−221896号、関連出願は特願昭61−2380
34号、特願昭62−200839号、特願昭62−2
29632号である)、 本願はこれら既提案を改良し
、展開させたものである。
(発明が解決しようとする課li)
本発明の目的は、育成された半導体単結晶における面内
の比抵抗値が比較的均一であり、かつ結晶長さ方向にお
ける比抵抗を、あるいは比抵抗とともに他の特性を制御
する結晶引上げ方法を提供することであり、また別の目
的は、該特性を所望の範囲内にした単結晶を収率よく育
成する結晶引上げ方法を提供することである。
の比抵抗値が比較的均一であり、かつ結晶長さ方向にお
ける比抵抗を、あるいは比抵抗とともに他の特性を制御
する結晶引上げ方法を提供することであり、また別の目
的は、該特性を所望の範囲内にした単結晶を収率よく育
成する結晶引上げ方法を提供することである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段と作用)
この出願の発明に共通する一体型二重ルツボによる結晶
引上げは、半導体原料融液を収納するルツボ内にルツボ
と同心で筒状の隔離壁を設けて、上記ルツボ内を内室及
び外室に区分し、該隔離壁の側壁部における小孔と該小
孔につらなるパイプ状通路のような内室と、外室との間
を連通する連通管を具備させ、この連通管を通じて外室
内の原料融液を内室内に供給しながら外室内融液の不純
物組成とは異なって制御された不純物組成の内室内融液
から結晶を引き上げるものである。
引上げは、半導体原料融液を収納するルツボ内にルツボ
と同心で筒状の隔離壁を設けて、上記ルツボ内を内室及
び外室に区分し、該隔離壁の側壁部における小孔と該小
孔につらなるパイプ状通路のような内室と、外室との間
を連通する連通管を具備させ、この連通管を通じて外室
内の原料融液を内室内に供給しながら外室内融液の不純
物組成とは異なって制御された不純物組成の内室内融液
から結晶を引き上げるものである。
従って、この一体型二重ルツボにおける連通管は、外室
から内室へ融液を容易に移動させうるとともに、内室か
ら外室へ実質的に不純物が流出しえないものであること
が必要である。
から内室へ融液を容易に移動させうるとともに、内室か
ら外室へ実質的に不純物が流出しえないものであること
が必要である。
本発明は、このような連通管として、(イ)上記連通管
の内径をa、上記内室の内周をbとしたとき、上記連通
管の長さしをb>L≧4aとすることを特徴とする結晶
引上げ方法である。 このし≧4a条件を満足すれば、
連通管の内径aにかかわらずまたルツボの回転その他に
依存せず、不純物流出の抑制効果が顕著であり、またb
>Lであれば融液移動が容易である。 なお、連通管の
断面形状は、長方形や楕円形であっても差支えないが、
その場合にはそれらの短径を内径aとみなす。
の内径をa、上記内室の内周をbとしたとき、上記連通
管の長さしをb>L≧4aとすることを特徴とする結晶
引上げ方法である。 このし≧4a条件を満足すれば、
連通管の内径aにかかわらずまたルツボの回転その他に
依存せず、不純物流出の抑制効果が顕著であり、またb
>Lであれば融液移動が容易である。 なお、連通管の
断面形状は、長方形や楕円形であっても差支えないが、
その場合にはそれらの短径を内径aとみなす。
また、シリコン単結晶の引上げの場合、(ロ)連通管の
内径aを、a≧2nlとすれば融液は容易に移動するこ
とができ、30mm> aとすれば不純物の流出がなく
、さらに(ハ)隔m4!i!の外側近傍における外室内
融液の温度が隔離壁の内側近傍の内室内融液の温度より
少なくとも15℃以上高温にすることにより隔離壁表面
からの結晶析出異常が防止できる。
内径aを、a≧2nlとすれば融液は容易に移動するこ
とができ、30mm> aとすれば不純物の流出がなく
、さらに(ハ)隔m4!i!の外側近傍における外室内
融液の温度が隔離壁の内側近傍の内室内融液の温度より
少なくとも15℃以上高温にすることにより隔離壁表面
からの結晶析出異常が防止できる。
また、内室にドープ融液を外室にアンドープ融液をそれ
ぞれ収容し、前記(イ)の条件とともに(ニ)ルツボ本
体の内径を2R1それと同心筒状の隔離壁の内径を2r
としたとき、式kerr=(R/「)2にで示される見
かけの偏析係数ke4tが1となるように「/Rを選ぶ
ならば、単結晶長さ方向のその不純物濃度は固化率にか
かわらず理論上にもまた実用上にも一定になる。 また
、見かけの偏析係数kl!ftが1に近づくようにr/
Rを選ぶならば、比抵抗とともにそれ以外の特性につい
ても所望の範囲に制御することができる。
ぞれ収容し、前記(イ)の条件とともに(ニ)ルツボ本
体の内径を2R1それと同心筒状の隔離壁の内径を2r
としたとき、式kerr=(R/「)2にで示される見
かけの偏析係数ke4tが1となるように「/Rを選ぶ
ならば、単結晶長さ方向のその不純物濃度は固化率にか
かわらず理論上にもまた実用上にも一定になる。 また
、見かけの偏析係数kl!ftが1に近づくようにr/
Rを選ぶならば、比抵抗とともにそれ以外の特性につい
ても所望の範囲に制御することができる。
そのほかの本発明については実施例の項で説明される。
(実施例)
第゛1図は本実施例に使用した結晶引上げ装置を示す、
ここでは図を簡単にするため、ホヴトゾーンを収容す
る容器、保温筒、ヒーターなどを省いている。
ここでは図を簡単にするため、ホヴトゾーンを収容す
る容器、保温筒、ヒーターなどを省いている。
第1図において、12は上下動及び回転可能なルツボ軸
13上に固定されたグラファイトルツボ、11はグラフ
ァイトルツボ12の内面に密着して配置された石英製円
筒容器状の外側ルツボで、この外側ルツボ11はグラフ
ァイトルツボ12によって補強(保持)されている、
外側ルツボ11内には、図示のごとく隔離壁貫通孔15
とそれにつらなる石英製パイプ状連通管16を有する石
英製円筒状の隔離壁14が配置されている。 円筒状の
隔離壁14は外側ルツボ11の内底面に融着加工されて
おり、従って隔離壁14の内部は融液20を収容する内
室を、また隔離壁14と外側ルツボ11との間は融液2
1を収容する外室を構成している。
13上に固定されたグラファイトルツボ、11はグラフ
ァイトルツボ12の内面に密着して配置された石英製円
筒容器状の外側ルツボで、この外側ルツボ11はグラフ
ァイトルツボ12によって補強(保持)されている、
外側ルツボ11内には、図示のごとく隔離壁貫通孔15
とそれにつらなる石英製パイプ状連通管16を有する石
英製円筒状の隔離壁14が配置されている。 円筒状の
隔離壁14は外側ルツボ11の内底面に融着加工されて
おり、従って隔離壁14の内部は融液20を収容する内
室を、また隔離壁14と外側ルツボ11との間は融液2
1を収容する外室を構成している。
第2図は隔離壁を融着加工した第1図装置におけるルツ
ボの平面図を示す、 連通管16は隔離壁14の貫通小
孔15の内側つまり内室側に連なってもよいが、この実
施例では、連通管16を小孔15から外側つまり外室側
に連ね、円筒状の隔離壁14の外面に巻き付けて融着加
工した。 また、隔離壁14は第1.2図のように円筒
状のものでよいが、第3図に示すように、円筒容器状の
内ルツボ24を外側ルツボ11に融着させることもでき
る。
ボの平面図を示す、 連通管16は隔離壁14の貫通小
孔15の内側つまり内室側に連なってもよいが、この実
施例では、連通管16を小孔15から外側つまり外室側
に連ね、円筒状の隔離壁14の外面に巻き付けて融着加
工した。 また、隔離壁14は第1.2図のように円筒
状のものでよいが、第3図に示すように、円筒容器状の
内ルツボ24を外側ルツボ11に融着させることもでき
る。
また、第3図の内ルツボ24の内径「と外側ルツボ11
の内径Rの比、r/Rを可変にして使用することが多い
ために、内ルツボ24と外側ルツボ11とを融着するこ
となく、治具などの手段により同軸にかつ底部を接触さ
せて着脱可能に固定することが有効である。 例えば、
第4図(a )に示した、先端が内側ルツボ内壁に接す
るように上縁から3本以上放射状にでている位置決め、
棒24aをもつ内ルツボ24bと、同図(b )に示し
た外側ルツボllaとを、同図(C)のように組合せて
両ルツボ11a、24bを同軸にかつ底部を接せしめて
着脱自在に固定したもの、同図(d )のめように位置
決め棒24Cが外側ルツボ11bの玉縁に位置決めされ
て同様に固定するもの、同図(+3 )のように位置決
め棒24dが外側ルツボllcの上縁に立てられたガイ
ド棒lidによって位置決めされて固定するものなどを
挙げることができる。
の内径Rの比、r/Rを可変にして使用することが多い
ために、内ルツボ24と外側ルツボ11とを融着するこ
となく、治具などの手段により同軸にかつ底部を接触さ
せて着脱可能に固定することが有効である。 例えば、
第4図(a )に示した、先端が内側ルツボ内壁に接す
るように上縁から3本以上放射状にでている位置決め、
棒24aをもつ内ルツボ24bと、同図(b )に示し
た外側ルツボllaとを、同図(C)のように組合せて
両ルツボ11a、24bを同軸にかつ底部を接せしめて
着脱自在に固定したもの、同図(d )のめように位置
決め棒24Cが外側ルツボ11bの玉縁に位置決めされ
て同様に固定するもの、同図(+3 )のように位置決
め棒24dが外側ルツボllcの上縁に立てられたガイ
ド棒lidによって位置決めされて固定するものなどを
挙げることができる。
第5図には、連通管の内径a及び長さしく第2図参照)
を振ったときの不純物流出抑制の効果が示される。 こ
の実験は、外側ルツボ14″φ、内側ルツボ8#φ、シ
リコン原料20k(lチャージ、ルツボ回転8 rDJ
Iのルツボで、メルト完了後内側ルツボにP(リン)を
ドープして2時間回転を続けた後に、内側ルツボの融液
中のP濃度c Inと、外側ルツボの融液濃度Cout
を調べたものである。
を振ったときの不純物流出抑制の効果が示される。 こ
の実験は、外側ルツボ14″φ、内側ルツボ8#φ、シ
リコン原料20k(lチャージ、ルツボ回転8 rDJ
Iのルツボで、メルト完了後内側ルツボにP(リン)を
ドープして2時間回転を続けた後に、内側ルツボの融液
中のP濃度c Inと、外側ルツボの融液濃度Cout
を調べたものである。
第5図には、そのうちの内径aを21111.3信−1
6m−としてL/aを1〜32(横軸)としたときの、
C,/C石比(縦軸)を示した。
6m−としてL/aを1〜32(横軸)としたときの、
C,/C石比(縦軸)を示した。
また第6図には、第5図におけると同じルツボと融液量
とドープ量で、内径aが6 mmの条件でルツボの回転
数をOrpH、3rpH,8rpnに振ッたとき、及び
回転数Orpmでさらに3000ガウスの磁場を印加し
たときの、2時間経過後のC0ut/Canを示した。
とドープ量で、内径aが6 mmの条件でルツボの回転
数をOrpH、3rpH,8rpnに振ッたとき、及び
回転数Orpmでさらに3000ガウスの磁場を印加し
たときの、2時間経過後のC0ut/Canを示した。
第6図の結果について考える。 一般に、ルツボ内の融
液にはルツボ回転による強制対流や熱対流が存在する。
液にはルツボ回転による強制対流や熱対流が存在する。
また、シリコン融液が強磁流体であるため、強磁場印
加のもとでは対流が著しく抑制される。 従って第6図
の4条件のうちでは、対流が一番弱いのがルツボ回転O
rpn+で3G00ガウス磁場印加の場合であり、あと
はルツボ回転0rpH,3rpH、a rpHの順に強
くなってくる。
加のもとでは対流が著しく抑制される。 従って第6図
の4条件のうちでは、対流が一番弱いのがルツボ回転O
rpn+で3G00ガウス磁場印加の場合であり、あと
はルツボ回転0rpH,3rpH、a rpHの順に強
くなってくる。
そのようにみれば、内室内融液中の不純物の流出は、こ
のルツボ内の対流、っまり連通管の出入口近傍に発生す
る渦流、乱流等により、連通管を通して融液が直接的に
交換されるためであって、単純な拡散による不純物の伝
播に主に支配される( Leverton、 H,F、
(1958)、 J、AOII f、Phys、 2
9.1241、Blackwell、G、R,(196
1)、J、EIectronics and Con−
troll 10459参照)ものでないことがわかる
。
のルツボ内の対流、っまり連通管の出入口近傍に発生す
る渦流、乱流等により、連通管を通して融液が直接的に
交換されるためであって、単純な拡散による不純物の伝
播に主に支配される( Leverton、 H,F、
(1958)、 J、AOII f、Phys、 2
9.1241、Blackwell、G、R,(196
1)、J、EIectronics and Con−
troll 10459参照)ものでないことがわかる
。
この融液の直接的な交換を抑えるには、第5図及び第6
図の実験から、L/aを4以上にすればよく、より好ま
しくは10以上にすればよいと結論された。
図の実験から、L/aを4以上にすればよく、より好ま
しくは10以上にすればよいと結論された。
またシリコン単結晶引上げで、連通管の内径aが111
11では石英材の軟化・変形によって孔づまりがあり、
2m−ではかろうじて供給ができる程度で、31m以上
では安定して供給できることが確認された。 また内径
aが30℃1mを超えてはL / aを4以上としても
不純物の流出を抑制する効果があまり見られなかった。
11では石英材の軟化・変形によって孔づまりがあり、
2m−ではかろうじて供給ができる程度で、31m以上
では安定して供給できることが確認された。 また内径
aが30℃1mを超えてはL / aを4以上としても
不純物の流出を抑制する効果があまり見られなかった。
次に、第7図(a )はシリコン単結晶引上げで外室と
内室のシリコン融液表面温度の分布を示したが、隔離壁
近傍の外室内融液と内室内融液の温度差ΔTが小さいと
、第7図(b)のように隔離壁14から張り出し結晶2
0aが成長する。 八Tが5℃と10℃のときは、それ
ぞれ5回の実験すべてで張り出しがみられ、15℃では
5回中張り出しが2回あったが3回はなく、20℃では
5回中張り出しが1回で4回はなく、30℃以上では全
く張り出しはみちれなくなる。 従って隔離壁近傍の外
室融液温度を内室のそれより少なくとも15℃以上高く
することにより、シリコン単結晶の順調な引上げが可能
になる。
内室のシリコン融液表面温度の分布を示したが、隔離壁
近傍の外室内融液と内室内融液の温度差ΔTが小さいと
、第7図(b)のように隔離壁14から張り出し結晶2
0aが成長する。 八Tが5℃と10℃のときは、それ
ぞれ5回の実験すべてで張り出しがみられ、15℃では
5回中張り出しが2回あったが3回はなく、20℃では
5回中張り出しが1回で4回はなく、30℃以上では全
く張り出しはみちれなくなる。 従って隔離壁近傍の外
室融液温度を内室のそれより少なくとも15℃以上高く
することにより、シリコン単結晶の順調な引上げが可能
になる。
ところで、一体型二重ルツボにおける原料融液を収容す
る室数は、第1図ないし第3図にみたように、従来のC
Z法のように1室ではなく、従来の浮き型二重ルツボと
同様に2室である。 しかし、浮き型二重ルツボでは上
下に配置された内側ルツボと外側ルツボの2室であるの
に対して、第1図ないし第3図の一体型二重ルツボは実
質的に同じレベルに配置された内室と外室の2室である
。
る室数は、第1図ないし第3図にみたように、従来のC
Z法のように1室ではなく、従来の浮き型二重ルツボと
同様に2室である。 しかし、浮き型二重ルツボでは上
下に配置された内側ルツボと外側ルツボの2室であるの
に対して、第1図ないし第3図の一体型二重ルツボは実
質的に同じレベルに配置された内室と外室の2室である
。
そして浮き型二重ルツボでは前記したように内側ルツボ
の液面高さが一定にされるが、第1図ないし第3図に示
した一体型二重ルツボでは、引上げ中の内室内融液の液
面高さと外室内融液のそれとは連通管によって実質的に
等しくされており、また引上げ原料融液である内室内融
液の液面高さは次第に低下して一定にならない、 しか
し、本発明における一体型二重ルツボの本質は、内室と
外室との2室が同心筒状の隔離壁によって区分されるこ
とと不純物の流出を抑制する連通管を設けることの2点
にあるのであって、第1図ないし第3図におけるように
内室内融液と外室内融液の液面高さを等しくすることや
、引上げ中の内室内融液の液面高さを一定にするかどう
かなどにはかかわりがない。
の液面高さが一定にされるが、第1図ないし第3図に示
した一体型二重ルツボでは、引上げ中の内室内融液の液
面高さと外室内融液のそれとは連通管によって実質的に
等しくされており、また引上げ原料融液である内室内融
液の液面高さは次第に低下して一定にならない、 しか
し、本発明における一体型二重ルツボの本質は、内室と
外室との2室が同心筒状の隔離壁によって区分されるこ
とと不純物の流出を抑制する連通管を設けることの2点
にあるのであって、第1図ないし第3図におけるように
内室内融液と外室内融液の液面高さを等しくすることや
、引上げ中の内室内融液の液面高さを一定にするかどう
かなどにはかかわりがない。
実施例 1
この実施例によって、結晶長さ方向におけるドナーやア
クセプターの不純物濃度の制御について説明する。
クセプターの不純物濃度の制御について説明する。
さて、第1図のように構成された結晶引上げ装置におい
て、ルツボの外室内融液21をアンドープとし、外側ル
ツボ11の内径をR1隔離壁14の内径を「とするとき
、内室内のドープ融液20から引き上げられる結晶17
内の不純物の偏析は、次式で表されるみかけの偏析係数
keff、keff= (R/ r ) ’ k に従うことになる。 一般の不純物については偏析係数
には1より小さい(P、B、Sbのkはそれぞれ0.3
5.0.8G、 0.20である)ので、隔離壁14の
内径rを適当に選ぶことによりk !Ffを1とし又は
1に近づけることができる6 k@ffが1であるこ
とは、結局引き上げられる結晶の長さ方向の不純物濃度
(低抵抗の場合は比抵抗値)が均一であることを意味す
る。
て、ルツボの外室内融液21をアンドープとし、外側ル
ツボ11の内径をR1隔離壁14の内径を「とするとき
、内室内のドープ融液20から引き上げられる結晶17
内の不純物の偏析は、次式で表されるみかけの偏析係数
keff、keff= (R/ r ) ’ k に従うことになる。 一般の不純物については偏析係数
には1より小さい(P、B、Sbのkはそれぞれ0.3
5.0.8G、 0.20である)ので、隔離壁14の
内径rを適当に選ぶことによりk !Ffを1とし又は
1に近づけることができる6 k@ffが1であるこ
とは、結局引き上げられる結晶の長さ方向の不純物濃度
(低抵抗の場合は比抵抗値)が均一であることを意味す
る。
さて、引き上げられる結晶中の長さ方向の不純物濃度分
布を均一に制御する場合の本発明条件として外室内の融
液が常にアンドープになっていないといけない、 そこ
で、特にメルトやネックダウンのように内室、外室間で
の融液の量的な移動・がほとんどない場合においても内
室内の融液20から外室内の融液21への不純物の流出
が生じないという、第5図及び第6図で説明した連通管
16の一条件を選択した。 すなわち連通管16の内径
aを41u11、長さを50111とした。 ルツボに
はシリコン投入量14Jlの12#φの外側ルツボを用
い、円筒状隔離壁の内径「をr =0.6 R(Pの漏
析係数に=0.35であるから)とし、不純物とじてP
をドープした内室の原料融液から比抵抗5〜6Ω・cm
の4“φ(111)シリコン単結晶をC2法と同様に成
長させた。
布を均一に制御する場合の本発明条件として外室内の融
液が常にアンドープになっていないといけない、 そこ
で、特にメルトやネックダウンのように内室、外室間で
の融液の量的な移動・がほとんどない場合においても内
室内の融液20から外室内の融液21への不純物の流出
が生じないという、第5図及び第6図で説明した連通管
16の一条件を選択した。 すなわち連通管16の内径
aを41u11、長さを50111とした。 ルツボに
はシリコン投入量14Jlの12#φの外側ルツボを用
い、円筒状隔離壁の内径「をr =0.6 R(Pの漏
析係数に=0.35であるから)とし、不純物とじてP
をドープした内室の原料融液から比抵抗5〜6Ω・cm
の4“φ(111)シリコン単結晶をC2法と同様に成
長させた。
第8図はこの実施例で得られた単結晶の固化率(横軸)
と比抵抗値(縦軸)の関係を・印で示し、比較のため従
来の浮き型二重ルツボ法(O印)とC2法(◇印)によ
るものも示した。 このように狭い比抵抗範囲のウェハ
を得るには、従来C2法では30%以下、従来の浮き型
二重ルツボ法でも60%程度(1−h/Hの固化率まで
)であるのに対して、本発明方法では単結晶の長さ方向
すべてがこの範囲に入っている。
と比抵抗値(縦軸)の関係を・印で示し、比較のため従
来の浮き型二重ルツボ法(O印)とC2法(◇印)によ
るものも示した。 このように狭い比抵抗範囲のウェハ
を得るには、従来C2法では30%以下、従来の浮き型
二重ルツボ法でも60%程度(1−h/Hの固化率まで
)であるのに対して、本発明方法では単結晶の長さ方向
すべてがこの範囲に入っている。
この実施例で得られたウェハの比抵抗面内分布は、Δρ
が6〜15%であり、FZ法ウェハの6515〜50%
より優れ、通常のC2法ウエハとほぼ同等の分布を示し
ていることが確認された。
が6〜15%であり、FZ法ウェハの6515〜50%
より優れ、通常のC2法ウエハとほぼ同等の分布を示し
ていることが確認された。
実施例 2
結晶品質に関する要求は比抵抗値だけではなく、例えば
酸素濃度がある。 この実施例では、Pドープ比抵抗7
.5〜12Ω・cmの範囲、酸素濃度1.45〜1.8
0x 10” atols/ccの範囲と、電導不純物
Pと酸素の画濃度の制御をしたものを示す。
酸素濃度がある。 この実施例では、Pドープ比抵抗7
.5〜12Ω・cmの範囲、酸素濃度1.45〜1.8
0x 10” atols/ccの範囲と、電導不純物
Pと酸素の画濃度の制御をしたものを示す。
一般に小さなルツボから比較的大きな結晶を引き上げる
とき酸素濃度が高くなる。 そこで、rZR比を0.6
.0.7.0.8.0.9.1.0. (このうちr/
R比1.0の場合は通常のC2法にあたる)として同化
率に対する比抵抗値(第9図)及び酸素濃度(第10図
)が得られた。 比抵抗値についての歩留りを、よく使
用される(スペック良品重量)/(スペックフリー可能
重量)の有効材料歩留りで示すと第1表のとおりであっ
た。
とき酸素濃度が高くなる。 そこで、rZR比を0.6
.0.7.0.8.0.9.1.0. (このうちr/
R比1.0の場合は通常のC2法にあたる)として同化
率に対する比抵抗値(第9図)及び酸素濃度(第10図
)が得られた。 比抵抗値についての歩留りを、よく使
用される(スペック良品重量)/(スペックフリー可能
重量)の有効材料歩留りで示すと第1表のとおりであっ
た。
第1表
(単位)
第9図と第10図の結果から、比抵抗値が長さ方向に均
一になるのは実施例1のとおり「/R=0.6の条件で
あるが、比抵抗値と酸素濃度の双方が所望範囲にあるの
はr/R=0.7の条件(有効材料歩留りは90.7%
)である、 そのように、r/Rを適切に選び、見かけ
の偏析係数k errをできるだけ1に近づけることに
より、比抵抗と酸素濃度をかなりの割合で所望範囲内に
入れることができる( r/R=0.67にするのが最
適でその場合歩留りはほぼ1(10%となる)。
一になるのは実施例1のとおり「/R=0.6の条件で
あるが、比抵抗値と酸素濃度の双方が所望範囲にあるの
はr/R=0.7の条件(有効材料歩留りは90.7%
)である、 そのように、r/Rを適切に選び、見かけ
の偏析係数k errをできるだけ1に近づけることに
より、比抵抗と酸素濃度をかなりの割合で所望範囲内に
入れることができる( r/R=0.67にするのが最
適でその場合歩留りはほぼ1(10%となる)。
r/Hの選択は、酸素のようなドーパント以外の不純物
に関するばかりでなく、結晶育成条件の点からも行われ
る。 結晶育成は結晶の径に対しなるべく大きい径のル
ツボ(倍以上であることが望ましい)を使用する方が容
易である。 従って、要求される比抵抗値に幅があると
きには、その幅に対応するk errの範囲内でできる
だけ大きなrの値を選ぶことにより結晶育成がより容易
になる。
に関するばかりでなく、結晶育成条件の点からも行われ
る。 結晶育成は結晶の径に対しなるべく大きい径のル
ツボ(倍以上であることが望ましい)を使用する方が容
易である。 従って、要求される比抵抗値に幅があると
きには、その幅に対応するk errの範囲内でできる
だけ大きなrの値を選ぶことにより結晶育成がより容易
になる。
実施例 3
この実施例は、結晶に欠陥が導入されたとき、原料融液
を初期状態に戻し再引上げをしたものである。 この場
合にも内室から外室へ不純物の流出が抑制できる連通管
をもつ一体型二重ルツボの効果が発揮される(従来技術
は特開昭55−47300゜特開昭61−281288
.特開昭56−104796.特開昭62−563.9
9参照) 第11図は、この実施例で使用した装置の概念図である
。 同図において、31は3511Qの融液を収容する
16″φのルツボで、10″φの円筒隔M壁(Pドープ
のため10″/16″の値はPの偏析係数にの開平にほ
ぼ等しくしである)と、内径6 ff111長さ1oo
n+tの連通管をもつ一体型二重ルツボ、32は転位の
入った結晶、33はゲートバルブ33aで隔離すること
のできるプルチャンバ、34はアンドープ原料の投入器
、35はドープ剤の投入器である。
を初期状態に戻し再引上げをしたものである。 この場
合にも内室から外室へ不純物の流出が抑制できる連通管
をもつ一体型二重ルツボの効果が発揮される(従来技術
は特開昭55−47300゜特開昭61−281288
.特開昭56−104796.特開昭62−563.9
9参照) 第11図は、この実施例で使用した装置の概念図である
。 同図において、31は3511Qの融液を収容する
16″φのルツボで、10″φの円筒隔M壁(Pドープ
のため10″/16″の値はPの偏析係数にの開平にほ
ぼ等しくしである)と、内径6 ff111長さ1oo
n+tの連通管をもつ一体型二重ルツボ、32は転位の
入った結晶、33はゲートバルブ33aで隔離すること
のできるプルチャンバ、34はアンドープ原料の投入器
、35はドープ剤の投入器である。
内室融液のP不純物濃度をC0、外室融液をアンドープ
とし、5″φの結晶Wk(1(5k17)を引き上げた
ところで結晶に転位が入ったために引上げを中止し、結
晶32を1ルチヤンバ33に納め、ゲートバルブ33a
を閉じて結晶32を除去し、種結晶をセットしなおす、
次にアンドープ原料WkQを投入器34からルツボ3
1の外室に投入溶解した後、除去結晶32内のドーパン
ト量(kCoW/ρ、但しρは固体Stの比重)に相当
する1 x 10” atoIIls/cc濃度のドー
プ剤624ngを投入器35から内室に投入し、ルツボ
31内の融液状態を初期状態に戻して引上げを再開し、
31kQの5″φφ無転晶を得た。 転位結晶32の引
上げ中止回収後、引上げ再開まで5時間を要した。
とし、5″φの結晶Wk(1(5k17)を引き上げた
ところで結晶に転位が入ったために引上げを中止し、結
晶32を1ルチヤンバ33に納め、ゲートバルブ33a
を閉じて結晶32を除去し、種結晶をセットしなおす、
次にアンドープ原料WkQを投入器34からルツボ3
1の外室に投入溶解した後、除去結晶32内のドーパン
ト量(kCoW/ρ、但しρは固体Stの比重)に相当
する1 x 10” atoIIls/cc濃度のドー
プ剤624ngを投入器35から内室に投入し、ルツボ
31内の融液状態を初期状態に戻して引上げを再開し、
31kQの5″φφ無転晶を得た。 転位結晶32の引
上げ中止回収後、引上げ再開まで5時間を要した。
対照のため、再引上げをしない一体型二重ルツボの引上
げ(−発法という)、及び一体型二重ルツボのメルトバ
ック法(skgの不良結晶を戻し溶解をして再引上げす
る)の引上げを、他の条件はこの実施例と同じにして行
った。
げ(−発法という)、及び一体型二重ルツボのメルトバ
ック法(skgの不良結晶を戻し溶解をして再引上げす
る)の引上げを、他の条件はこの実施例と同じにして行
った。
第12図にこれらの固化率に対する比抵抗値を示す、
同図の結果から、一体型二重ルツボでは再引上げのため
長時間の操作をしても、t、、/a >10以上の連通
管で不純物流出抑制作用が十分あるため、再引上げをし
ない一発法の場合とほぼ同等の比抵抗均一性が保たれて
いる。 、tた一体型二重ルツボの引上げでは、従来の
C2法でよくなされるようなメルトバック法を行うと、
メルトバックにより内室内融液が外室に流出するため、
結晶長さ方向の比抵抗を均一にすることはできない。
同図の結果から、一体型二重ルツボでは再引上げのため
長時間の操作をしても、t、、/a >10以上の連通
管で不純物流出抑制作用が十分あるため、再引上げをし
ない一発法の場合とほぼ同等の比抵抗均一性が保たれて
いる。 、tた一体型二重ルツボの引上げでは、従来の
C2法でよくなされるようなメルトバック法を行うと、
メルトバックにより内室内融液が外室に流出するため、
結晶長さ方向の比抵抗を均一にすることはできない。
以上、本発明の実施例につき述べたが、本発明における
不純物流出防止の連通管又はk erFが1又は1に近
くなるよう選択するr/Rの技術的思想は、上記実施例
以外に種々の変型が可能である。
不純物流出防止の連通管又はk erFが1又は1に近
くなるよう選択するr/Rの技術的思想は、上記実施例
以外に種々の変型が可能である。
連通管はその位置、形状が自由であり、第13図(a
)のようなルツボの底部内向の連通管41でも、第13
図(b )のようなルツボ底部の外の連通管42でもよ
い、 ルツボ、隔離壁又は連通管の材質は、石英製のほ
かの耐熱性材質で作られたもの、あるいはコーティング
を施したものでもよ。
)のようなルツボの底部内向の連通管41でも、第13
図(b )のようなルツボ底部の外の連通管42でもよ
い、 ルツボ、隔離壁又は連通管の材質は、石英製のほ
かの耐熱性材質で作られたもの、あるいはコーティング
を施したものでもよ。
い、ii連通管しての小孔とパイプ状通路は複数形成し
てもよい、 また、keffが1又は1に近くなるよう
r/Rの選択をする本発明の技術的思想によるならば、
当業者が想到する連通管以外の機構を適用することもで
きよう。
てもよい、 また、keffが1又は1に近くなるよう
r/Rの選択をする本発明の技術的思想によるならば、
当業者が想到する連通管以外の機構を適用することもで
きよう。
[発明の効果]
本発明によれば、一体型二重ルツボ法における連通管に
つき(イ)ないしくハ)の構成にしたから、内室から外
室への不純物流出が確実に抑制され、また実用上有効な
一体型二重ルツボによる結晶引上げ方法が提供される。
つき(イ)ないしくハ)の構成にしたから、内室から外
室への不純物流出が確実に抑制され、また実用上有効な
一体型二重ルツボによる結晶引上げ方法が提供される。
また内室にはドープした融液を外室にはアンドープ融
液をそれぞれ収容し、これらを(ニ)ke++rが1又
は1に近くなるようr/Rの選択をして前記(イ)の連
通管で連通させたから、比抵抗を制御して100%に近
く引上げ結晶の比抵抗歩留りを向上させ、あるいは比抵
抗とその他の特性をともに制御してその歩留りを従来に
なく顕著に増大させることができる。
液をそれぞれ収容し、これらを(ニ)ke++rが1又
は1に近くなるようr/Rの選択をして前記(イ)の連
通管で連通させたから、比抵抗を制御して100%に近
く引上げ結晶の比抵抗歩留りを向上させ、あるいは比抵
抗とその他の特性をともに制御してその歩留りを従来に
なく顕著に増大させることができる。
第1図は本発明実施例1で使用した結晶引上げ装置の概
念的断面図、第2図は第1図装置の一体型二重ルツボの
平面図、第3図は本発明方法に使用する別の一体型二重
ルツボの縦断面図、第4図(a ’)ないしくe)は第
3図ルツボの着脱自在固定方法の例を示す縦断面図、第
5図及び第6図は本発明方法の連通管作用を説明するグ
ラフ、第7図<a )及び(b )は本発明方法におけ
る融液温度の選択に関する説明図、第8図は実施例1の
効果を説明するグラフ、第9図及び第10図は実施例2
の効果を説明するグラフ、第11図は実施例3に使用す
る結晶引上げ装置の要部断面図、第12図は実施例3の
効果を説明するグラフ、第13図Ca )及び(b )
は本発明方法に使用する別の一体型二重ルツボの縦断面
図、第14図は従来の浮き型二重ルツボ引上げ装置の要
部断面図である。 11・・・ルツボ本体、 14・・・隔1lliv1.
、15・・・小孔、 16.41.42・・・連通管、
20・・・内室内融液、 21・・・外室内融液、
6,17゜32・・・半導体結晶、 24・・・内ルツ
ボ、 34・・・アンドープ原料投入器、 35・・・
ドープ剤投入器、a・・・連通管内径、 L・・・連通
管長さ、 r・・・内室の径、 R・・・外室の径。 特許出願人 株式会社 東 芝 17:単結晶 第1図 (d) (e)
第6図 (b) 張出し結晶:20a
14:隔離壁第7図 固化禽 第10図 第11図 第12国 第13区 第14図 手続補正書(自発) 昭和63年3月22日 い゛・\
念的断面図、第2図は第1図装置の一体型二重ルツボの
平面図、第3図は本発明方法に使用する別の一体型二重
ルツボの縦断面図、第4図(a ’)ないしくe)は第
3図ルツボの着脱自在固定方法の例を示す縦断面図、第
5図及び第6図は本発明方法の連通管作用を説明するグ
ラフ、第7図<a )及び(b )は本発明方法におけ
る融液温度の選択に関する説明図、第8図は実施例1の
効果を説明するグラフ、第9図及び第10図は実施例2
の効果を説明するグラフ、第11図は実施例3に使用す
る結晶引上げ装置の要部断面図、第12図は実施例3の
効果を説明するグラフ、第13図Ca )及び(b )
は本発明方法に使用する別の一体型二重ルツボの縦断面
図、第14図は従来の浮き型二重ルツボ引上げ装置の要
部断面図である。 11・・・ルツボ本体、 14・・・隔1lliv1.
、15・・・小孔、 16.41.42・・・連通管、
20・・・内室内融液、 21・・・外室内融液、
6,17゜32・・・半導体結晶、 24・・・内ルツ
ボ、 34・・・アンドープ原料投入器、 35・・・
ドープ剤投入器、a・・・連通管内径、 L・・・連通
管長さ、 r・・・内室の径、 R・・・外室の径。 特許出願人 株式会社 東 芝 17:単結晶 第1図 (d) (e)
第6図 (b) 張出し結晶:20a
14:隔離壁第7図 固化禽 第10図 第11図 第12国 第13区 第14図 手続補正書(自発) 昭和63年3月22日 い゛・\
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体結晶引上げ用のルツボ内に同心筒状の隔離壁
を設けて、該ルツボ内を内室と外室とに区分するととも
に、該内室と該外室との間に設けた連通管を通じて、外
室内に収容された原料融液を内室内に供給しながら内室
内の原料融液から半導体結晶を引き上げる方法であって
、 (イ)上記連通管の内径をa、上記内室の内周をbとし
たとき、上記連通管の長さLをb>L≧4aとすること を特徴とする結晶引上げ方法。 2 特許請求の範囲第1項記載の結晶引上げ方法におい
て、原料融液及び結晶の半導体がシリコンであるととも
にルツボ及び隔離壁の材質が石英であり、かつ (ロ)連通管の内径aを、30mm>a≧2mmとする
結晶引上げ方法。 3 特許請求の範囲第2項記載の結晶引上げ方法におい
て、 (ハ)隔離壁の外側近傍における外室内融液の温度を、
隔離壁の内側近傍の内室内融液の温度より少なくとも1
5℃以上高温にして結晶を引き上げる結晶引上げ方法。 4 特許請求の範囲第1項記載の結晶引上げ方法におい
て、ルツボの本体に収納されるとともにルツボ本体とほ
ぼ相似形の内ルツボを、ルツボ本体に対して同軸にかつ
底部を接触させて着脱可能に固定し、該内ルツボの側壁
を隔離壁とする結晶引上げ方法、 5 半導体結晶引上げ用のルツボ内に同心筒状の隔離壁
を設けて、該ルツボ内を内室と外室とに区分し、該内室
に偏析係数kのドーパントによりドープした融液を収容
するとともに、該外室にアンドープ融液を収容し、該内
室と該外室との間に設けた連通管を通じて外室内のアン
ドープ融液を内室内に供給しながら、内室内のドープ融
液から半導体結晶を引き上げる結晶引上げ方法であって
、(イ)上記連通管の内径をa、上記内室の内周をbと
したとき、上記連通管の長さLをb>L≧4aとするこ
と、及び (ニ)ルツボ本体の内径を2R、同心筒状の隔離壁の内
径を2rとしたとき、見かけの偏析係数k_e_f_f
が1又は1に近づくようにr/Rを選ぶこと、を特徴と
する結晶引上げ方法。 6 特許請求の範囲第5項記載の結晶引上げ方法におい
て、半導体結晶の引上げ過程で、該結晶を炉外に除去し
た後、内室にドープ剤を追加投入するとともに外室にア
ンドープ原料を追加溶融して初期状態を設定し、しかる
後半導体結晶を再引上げする結晶引上げ方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63039152A JP2755588B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 結晶引上げ方法 |
EP89102992A EP0330141B1 (en) | 1988-02-22 | 1989-02-21 | Crystal pulling apparatus and crystal pulling method using the same |
DE89102992T DE68908435T2 (de) | 1988-02-22 | 1989-02-21 | Vorrichtung und Verfahren zum Kristallziehen. |
US07/312,847 US5021225A (en) | 1988-02-22 | 1989-02-21 | Crystal pulling apparatus and crystal pulling method using the same |
KR1019890002086A KR920009563B1 (ko) | 1988-02-22 | 1989-02-22 | 반도체 결정의 인상 방법 |
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---|---|---|---|
JP63039152A JP2755588B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 結晶引上げ方法 |
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---|---|
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Family
ID=12545135
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---|---|---|---|
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---|---|
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EP (1) | EP0330141B1 (ja) |
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DE (1) | DE68908435T2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1988
- 1988-02-22 JP JP63039152A patent/JP2755588B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-21 US US07/312,847 patent/US5021225A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-21 EP EP89102992A patent/EP0330141B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-21 DE DE89102992T patent/DE68908435T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-02-22 KR KR1019890002086A patent/KR920009563B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR920009563B1 (ko) | 1992-10-19 |
US5021225A (en) | 1991-06-04 |
JP2755588B2 (ja) | 1998-05-20 |
EP0330141B1 (en) | 1993-08-18 |
DE68908435T2 (de) | 1994-01-05 |
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DE68908435D1 (de) | 1993-09-23 |
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