JPH0121526Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0121526Y2 JPH0121526Y2 JP1983013182U JP1318283U JPH0121526Y2 JP H0121526 Y2 JPH0121526 Y2 JP H0121526Y2 JP 1983013182 U JP1983013182 U JP 1983013182U JP 1318283 U JP1318283 U JP 1318283U JP H0121526 Y2 JPH0121526 Y2 JP H0121526Y2
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- Japan
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- varistor
- voltage
- zinc oxide
- nonlinear resistor
- electrode
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- Expired
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- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は各種電子機器のサージ保護に用いられ
る電圧非直線抵抗器に関するものである。
る電圧非直線抵抗器に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、電圧非直線抵抗器(以降バリスタと呼
ぶ)として酸化亜鉛を主成分とし、それに
Bi2O3,Co2O3等の金属酸化物を添加して混合、
成形、焼成した焼結体を用いたところのいわゆる
酸化亜鉛バリスタが生産され、実用に供されてい
る。
ぶ)として酸化亜鉛を主成分とし、それに
Bi2O3,Co2O3等の金属酸化物を添加して混合、
成形、焼成した焼結体を用いたところのいわゆる
酸化亜鉛バリスタが生産され、実用に供されてい
る。
この種のバリスタの電圧−電流特性は一般に次
式によつて表わされる。
式によつて表わされる。
I=(V/C)〓
ここで、Iは電流、Vは電圧、C,αは定数で
ある。そして、一般にバリスタの特性はバリスタ
電圧と電圧非直線指数αで表わされる。上記バリ
スタ電圧はバリスタが高抵抗体から低抵抗体に移
る時のしきい値電圧を表わし、通常バリスタに
1mAの電流を流した時にバリスタに発生する電
圧V1nAで規定している。また、電圧非直線指数
αは電圧−電流特性の立上りの急峻度を表わすも
のであり、αが大きい程急峻であり、バリスタと
しては望ましい。
ある。そして、一般にバリスタの特性はバリスタ
電圧と電圧非直線指数αで表わされる。上記バリ
スタ電圧はバリスタが高抵抗体から低抵抗体に移
る時のしきい値電圧を表わし、通常バリスタに
1mAの電流を流した時にバリスタに発生する電
圧V1nAで規定している。また、電圧非直線指数
αは電圧−電流特性の立上りの急峻度を表わすも
のであり、αが大きい程急峻であり、バリスタと
しては望ましい。
酸化亜鉛バリスタのαは40〜100と極めて大き
く、電圧の安定化、サージ電圧抑制の効果が著し
く、電子機器の保護に広く使われてきている。
く、電圧の安定化、サージ電圧抑制の効果が著し
く、電子機器の保護に広く使われてきている。
以下、図面を参照しながら上述したような従来
の酸化亜鉛バリスタについて説明する。第1図は
従来の酸化亜鉛バリスタを示しており、1は酸化
亜鉛を主成分とする平板形の電圧非直線抵抗体の
焼結体である。2a,2bは焼結体1の相対向す
る面に形成された銀電極である。3a,3bはハ
ンダ4a,4bで銀電極2a,2bとハンダ付け
されているリード線である。通常はさらに素子全
体を絶縁被覆している。
の酸化亜鉛バリスタについて説明する。第1図は
従来の酸化亜鉛バリスタを示しており、1は酸化
亜鉛を主成分とする平板形の電圧非直線抵抗体の
焼結体である。2a,2bは焼結体1の相対向す
る面に形成された銀電極である。3a,3bはハ
ンダ4a,4bで銀電極2a,2bとハンダ付け
されているリード線である。通常はさらに素子全
体を絶縁被覆している。
しかしながら、上記構成の酸化亜鉛バリスタは
銀電極形成時に測定したバリスタ電圧値とハンダ
付けした後に測定したバリスタ電圧値が2〜3V
異なつたり、ハンダ付けした後で極性がつくとい
う問題があつた。それはこの酸化亜鉛バリスタは
n型半導体の酸化亜鉛が主成分であり、その焼結
体に銀電極を形成すると、銀と半導体(酸化亜
鉛)の接触によつて接触面に電位障壁が形成され
る。この電位が約2〜3Vである。ところがハン
ダ付けをするとハンダの成分である鉛とスズが銀
電極に侵入することになり、銀と半導体の接触に
よつて形成されていた電位障壁が破壊され、バリ
スタ電圧がバラついたり、極性がつくものであつ
た。そして、この電位障壁の破壊はハンダ付け時
の温度、時間によつて異なり、ハンダ付けによつ
て電位障壁が破壊されなかつたり、電位が1V程
度低下したりすることがあつた。このようなこと
から、酸化亜鉛バリスタを大量生産する上で歩留
りが悪くなるという問題点を有していた。
銀電極形成時に測定したバリスタ電圧値とハンダ
付けした後に測定したバリスタ電圧値が2〜3V
異なつたり、ハンダ付けした後で極性がつくとい
う問題があつた。それはこの酸化亜鉛バリスタは
n型半導体の酸化亜鉛が主成分であり、その焼結
体に銀電極を形成すると、銀と半導体(酸化亜
鉛)の接触によつて接触面に電位障壁が形成され
る。この電位が約2〜3Vである。ところがハン
ダ付けをするとハンダの成分である鉛とスズが銀
電極に侵入することになり、銀と半導体の接触に
よつて形成されていた電位障壁が破壊され、バリ
スタ電圧がバラついたり、極性がつくものであつ
た。そして、この電位障壁の破壊はハンダ付け時
の温度、時間によつて異なり、ハンダ付けによつ
て電位障壁が破壊されなかつたり、電位が1V程
度低下したりすることがあつた。このようなこと
から、酸化亜鉛バリスタを大量生産する上で歩留
りが悪くなるという問題点を有していた。
考案の目的
本考案は上記のような従来の欠点に鑑み、ハン
ダ付けをしてもバリスタ電圧がバラついたり、極
性がつかない電圧非直線抵抗器(バリスタ)を提
供するものである。
ダ付けをしてもバリスタ電圧がバラついたり、極
性がつかない電圧非直線抵抗器(バリスタ)を提
供するものである。
考案の構成
この目的を達成するために本考案の電圧非直線
抵抗器(バリスタ)は、電極面の相対向する部分
(この部分でバリスタ特性が出ている)を樹脂等
の絶縁物で被覆し、この絶縁物で被覆されない両
面の電極部にリード線をそれぞれハンダ付けする
ことにより、ハンダが電極面の相対向する部分に
回り込まないようにしたものである。これによ
り、バリスタ特性を出している部分での電位障壁
の破壊はなくなり、バリスタ電圧がバラついた
り、極性がつくことはなくなることとなる。
抵抗器(バリスタ)は、電極面の相対向する部分
(この部分でバリスタ特性が出ている)を樹脂等
の絶縁物で被覆し、この絶縁物で被覆されない両
面の電極部にリード線をそれぞれハンダ付けする
ことにより、ハンダが電極面の相対向する部分に
回り込まないようにしたものである。これによ
り、バリスタ特性を出している部分での電位障壁
の破壊はなくなり、バリスタ電圧がバラついた
り、極性がつくことはなくなることとなる。
実施例の説明
以下、本考案の一実施例について図面を参照し
ながら説明する。第2図は本考案の第1の実施例
における電圧非直線抵抗器の断面図を示すもので
ある。第2図において、5は酸化亜鉛を主成分と
する電圧非直線抵抗体の焼結体、6a,6bは上
記焼結体5の相対向する面に形成された銀電極、
7a,7bは上記銀電極6a,6bの相対向する
部分を被覆している樹脂やガラスからなる絶縁
物、8a,8bは上記銀電極6a,6bの絶縁物
7a,7bで被覆されていない部分にハンダ9
a,9bで接続されているリード線である。
ながら説明する。第2図は本考案の第1の実施例
における電圧非直線抵抗器の断面図を示すもので
ある。第2図において、5は酸化亜鉛を主成分と
する電圧非直線抵抗体の焼結体、6a,6bは上
記焼結体5の相対向する面に形成された銀電極、
7a,7bは上記銀電極6a,6bの相対向する
部分を被覆している樹脂やガラスからなる絶縁
物、8a,8bは上記銀電極6a,6bの絶縁物
7a,7bで被覆されていない部分にハンダ9
a,9bで接続されているリード線である。
このような実施例によれば、バリスタ特性を出
している部分での電位障壁の破壊は起らず、バリ
スタ電圧のバラツキや低下は生じなく、極性がつ
くこともない。
している部分での電位障壁の破壊は起らず、バリ
スタ電圧のバラツキや低下は生じなく、極性がつ
くこともない。
考案の効果
以上のように構成された本考案の電圧非直線抵
抗器によれば、電極の相対向する部分を絶縁物で
被覆し、この絶縁物で被覆されない両面の電極部
にリード線をそれぞれハンダ付けすることによ
り、ハンダが電極面の相対向する部分に回り込ま
ないため、バリスタ特性を出している部分での電
位障壁の破壊はなくなり、バリスタ電圧のバラツ
キや極性がつくということはなくなるものであ
る。したがつて、バリスタ特性を大巾に改善で
き、歩留り向上にも役立ち、その実用的価値は大
なるものがある。
抗器によれば、電極の相対向する部分を絶縁物で
被覆し、この絶縁物で被覆されない両面の電極部
にリード線をそれぞれハンダ付けすることによ
り、ハンダが電極面の相対向する部分に回り込ま
ないため、バリスタ特性を出している部分での電
位障壁の破壊はなくなり、バリスタ電圧のバラツ
キや極性がつくということはなくなるものであ
る。したがつて、バリスタ特性を大巾に改善で
き、歩留り向上にも役立ち、その実用的価値は大
なるものがある。
第1図は従来例の電圧非直線抵抗器を示す断面
図、第2図は本考案の実施例を示す電圧非直線抵
抗器の断面図である。 5……焼結体、6a,6b……電極(銀電極)、
7a,7b……絶縁物、8a,8b……リード
線、9a,9b……ハンダ。
図、第2図は本考案の実施例を示す電圧非直線抵
抗器の断面図である。 5……焼結体、6a,6b……電極(銀電極)、
7a,7b……絶縁物、8a,8b……リード
線、9a,9b……ハンダ。
Claims (1)
- 酸化亜鉛を主成分とする平板形の電圧非直線抵
抗体焼結体の相対向する面に互いに相異なる一端
部を残して電極を形成し、上記電極面の相対向す
る部分を樹脂等の絶縁物で被覆し、上記絶縁物で
被覆されない両面の電極部の互いに相異なる部分
にリード線をそれぞれハンダ付けしたことを特徴
とする電圧非直線抵抗器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1318283U JPS59119005U (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 電圧非直線抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1318283U JPS59119005U (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 電圧非直線抵抗器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59119005U JPS59119005U (ja) | 1984-08-11 |
JPH0121526Y2 true JPH0121526Y2 (ja) | 1989-06-27 |
Family
ID=30144573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1318283U Granted JPS59119005U (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 電圧非直線抵抗器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59119005U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3731966C3 (de) * | 1986-09-26 | 1995-02-09 | Gen Electric | Oberflächenmontierbarer Varistor |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56148802A (en) * | 1980-04-21 | 1981-11-18 | Tdk Electronics Co Ltd | Chip type varistor and method of manufacturing same |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP1318283U patent/JPS59119005U/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56148802A (en) * | 1980-04-21 | 1981-11-18 | Tdk Electronics Co Ltd | Chip type varistor and method of manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59119005U (ja) | 1984-08-11 |
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