JPH01213662A - 半導体装置製造用の塗布装置 - Google Patents
半導体装置製造用の塗布装置Info
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- JPH01213662A JPH01213662A JP3984188A JP3984188A JPH01213662A JP H01213662 A JPH01213662 A JP H01213662A JP 3984188 A JP3984188 A JP 3984188A JP 3984188 A JP3984188 A JP 3984188A JP H01213662 A JPH01213662 A JP H01213662A
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- Japan
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- spin chuck
- temperature
- wafer
- chamber
- uniform
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- Pending
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置製造用の塗布装置に関し、特にＣＣ
Ｄ （（チャージ・カップルド・デバイス（Ｃｈａｒｇ
ｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ））オンチップフィ
ルターの装着等に使用するタンパク質のような水を溶媒
として使用している物質の塗布装置に関する。
Ｄ （（チャージ・カップルド・デバイス（Ｃｈａｒｇ
ｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ））オンチップフィ
ルターの装着等に使用するタンパク質のような水を溶媒
として使用している物質の塗布装置に関する。
従来、この種の塗布装置は通常のホトレジスト塗布装置
と同様に塗布材料の温度および塗布カップ部の環境温度
のみを制御する方式となっていた。
と同様に塗布材料の温度および塗布カップ部の環境温度
のみを制御する方式となっていた。
上述した従来の塗布装置は、塗布材料の温度と塗布カッ
プ部の環境温度のみを制御する方式となっているので、
溶媒が水であるたんばく質などの場合スピンチャックの
回転により発生する熱の影響を受け、温度が１〜３℃上
昇し塗布膜の厚さがウェーハの中心で大きくウェー八周
辺になる程小さくなり、ウェーハの中心と周辺の膜厚差
は２０ｎｍ〜３０ｎｍ（塗布膜厚３００ｎｍ〜７００ｎ
ｍ）であり、ウェーハ上に均一な膜厚に塗布できないと
いう欠点がある。
プ部の環境温度のみを制御する方式となっているので、
溶媒が水であるたんばく質などの場合スピンチャックの
回転により発生する熱の影響を受け、温度が１〜３℃上
昇し塗布膜の厚さがウェーハの中心で大きくウェー八周
辺になる程小さくなり、ウェーハの中心と周辺の膜厚差
は２０ｎｍ〜３０ｎｍ（塗布膜厚３００ｎｍ〜７００ｎ
ｍ）であり、ウェーハ上に均一な膜厚に塗布できないと
いう欠点がある。
また、均一な膜厚に塗布できないことにより、形成され
た塗布膜パターンの寸法が不均一になったり、たんばく
質等の染色後に光の透過率が不均一になり、所望のデバ
イス特性が得られないという欠点もある。
た塗布膜パターンの寸法が不均一になったり、たんばく
質等の染色後に光の透過率が不均一になり、所望のデバ
イス特性が得られないという欠点もある。
本発明の半導体装置製造用の塗布装置は、回転軸と垂直
な吸着面にウェーハを真空吸着して保持するスピンチャ
ックと、前記スピンチャックの主要部を取囲んで設けら
れたチャンバーと、前記チャンバーの外部から供給され
る所定温度の流体を前記スピンチャックに向けて吹出さ
せて温度調整を行う吹出ノズルとを有するというもので
ある。
な吸着面にウェーハを真空吸着して保持するスピンチャ
ックと、前記スピンチャックの主要部を取囲んで設けら
れたチャンバーと、前記チャンバーの外部から供給され
る所定温度の流体を前記スピンチャックに向けて吹出さ
せて温度調整を行う吹出ノズルとを有するというもので
ある。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を示す断面模式図、第２図は
配管系統図である。
配管系統図である。
この実施例は、モータシャフト５と一致する回転軸と垂
直な吸着面１１にウェーハを真空吸着して保持するスピ
ンチャック３と、スピンチャックの側部を取囲んで設け
られたチャンバー２と、チャンバー２の外部から供給さ
れる所定温度の液体をスピンチャックに向けて噴出させ
て温度調整を行なう吹出ノズル１とを有するというもの
である。
直な吸着面１１にウェーハを真空吸着して保持するスピ
ンチャック３と、スピンチャックの側部を取囲んで設け
られたチャンバー２と、チャンバー２の外部から供給さ
れる所定温度の液体をスピンチャックに向けて噴出させ
て温度調整を行なう吹出ノズル１とを有するというもの
である。
温度調整器９で所定の温度に調整された液体（例えば水
）をポンプ８で配管７を通して送液し、ノズル１より吹
出させる（流量は０．２〜０．５ｅ／ｍｉｎ＞。吹出さ
れた液は回転中のスピンチャック３にあたり、このスピ
ンチャック３を冷却する。吹出された液はチャンバー２
により周囲に飛散しないようにし、チャンバー２の底部
の排出口６により排液する。
）をポンプ８で配管７を通して送液し、ノズル１より吹
出させる（流量は０．２〜０．５ｅ／ｍｉｎ＞。吹出さ
れた液は回転中のスピンチャック３にあたり、このスピ
ンチャック３を冷却する。吹出された液はチャンバー２
により周囲に飛散しないようにし、チャンバー２の底部
の排出口６により排液する。
このようにして、スピンチャンクの温度を２３±０．２
℃に保ってカゼインのようなタンパク質を直径１００市
のウェーハ表面に塗布したところ、塗布膜厚が３００ｎ
ｍ〜７００ｎｍのとき、ウェーハ中心と周辺との膜厚差
は２〜８ｎｍに抑えることができた。
℃に保ってカゼインのようなタンパク質を直径１００市
のウェーハ表面に塗布したところ、塗布膜厚が３００ｎ
ｍ〜７００ｎｍのとき、ウェーハ中心と周辺との膜厚差
は２〜８ｎｍに抑えることができた。
なお、ポンプ８は温度調整器８の前においてもよい。更
に、液体の代りに空気のような気体を使用するようにし
てもよい、乾燥空気を圧送（圧力は４．０〜５．０ ｋ
ｇ／ｃｍ２） してもほぼ同様の結果が得られた。
に、液体の代りに空気のような気体を使用するようにし
てもよい、乾燥空気を圧送（圧力は４．０〜５．０ ｋ
ｇ／ｃｍ２） してもほぼ同様の結果が得られた。
以上説明したように本発明は、スピンチャックを流体で
温度調整することにより、スピンチャックの回転により
発生する熱による温度上昇を抑止し、所定温度に保つこ
とができ、タンパク質などのように温度の影響を受けや
すい物質でもウェーハ上に均一な膜厚に塗布でき、パタ
ーン形成後の寸法が均一になり、染色後の光透過率も均
一になり、特定の均一なデバイスが得られる効果がある
。
温度調整することにより、スピンチャックの回転により
発生する熱による温度上昇を抑止し、所定温度に保つこ
とができ、タンパク質などのように温度の影響を受けや
すい物質でもウェーハ上に均一な膜厚に塗布でき、パタ
ーン形成後の寸法が均一になり、染色後の光透過率も均
一になり、特定の均一なデバイスが得られる効果がある
。
第１図は本発明の一実施例を示す断面模式図、第２図は
配管系統図である。 １・・・ノズル、２・・・チャンバー、３・・・スピン
チャック、４・・・ウェーハ、５・・・モータシャフト
、６・・・排出口、７・・・配管、８・・・ポンプ、９
・・・温度調整器、１０・・・制御弁、１１・・・吸着
面。 代理人 弁理士 内 原 晋
配管系統図である。 １・・・ノズル、２・・・チャンバー、３・・・スピン
チャック、４・・・ウェーハ、５・・・モータシャフト
、６・・・排出口、７・・・配管、８・・・ポンプ、９
・・・温度調整器、１０・・・制御弁、１１・・・吸着
面。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 回転軸と垂直な吸着面にウェーハを真空吸着して保持
するスピンチャックと、前記スピンチャックの主要部を
取囲んで設けられたチャンバーと、前記チャンバーの外
部から供給される所定温度の流体を前記スピンチャック
に向けて吹出させて温度調整を行う吹出ノズルとを有す
ることを特徴とする半導体装置製造用の塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3984188A JPH01213662A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 半導体装置製造用の塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3984188A JPH01213662A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 半導体装置製造用の塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01213662A true JPH01213662A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12564191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3984188A Pending JPH01213662A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 半導体装置製造用の塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01213662A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006026591A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Seiko Epson Corp | スリットコート式塗布装置及びスリットコート式塗布方法 |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP3984188A patent/JPH01213662A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006026591A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Seiko Epson Corp | スリットコート式塗布装置及びスリットコート式塗布方法 |
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