JPH01202827A - 被膜形成方法 - Google Patents
被膜形成方法Info
- Publication number
- JPH01202827A JPH01202827A JP2662488A JP2662488A JPH01202827A JP H01202827 A JPH01202827 A JP H01202827A JP 2662488 A JP2662488 A JP 2662488A JP 2662488 A JP2662488 A JP 2662488A JP H01202827 A JPH01202827 A JP H01202827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- si3n4
- tube
- grown
- silicon nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 27
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 64
- 230000012010 growth Effects 0.000 abstract description 16
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 abstract description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000001804 emulsifying effect Effects 0.000 abstract 2
- 150000001804 chlorine Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
窒化シリコン膜を成長させる際に適用して好結果が得ら
れる被膜形成方法に関し、 形成された窒化シリコン膜に白濁が発生しないようにす
ることを目的とし、 塩素系のシラン・ガスを用い窒化シリコン膜を成長させ
るに際しＮＨ３で化学気相成長装置内のパージを行う工
程が含まれるよう構成する。
れる被膜形成方法に関し、 形成された窒化シリコン膜に白濁が発生しないようにす
ることを目的とし、 塩素系のシラン・ガスを用い窒化シリコン膜を成長させ
るに際しＮＨ３で化学気相成長装置内のパージを行う工
程が含まれるよう構成する。
本発明は、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）膜を成長させる
際に適用して好結果が得られる被膜形成方法に関する。
際に適用して好結果が得られる被膜形成方法に関する。
一般に、Ｓｉ３Ｎ４膜を成長させるには、化学気相成長
（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄａｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ：ＣＶＤ）法を採用することが多く、その場合、
材料ガスとしては、塩素系のシラン・ガス、即ち、Ｓ
ｉ Ｈ２Ｃ１２２或いは５ｉＨＣＡ！３を用いることが
行われている。このような材料ガスを用い゛る理由は、
バッチ方式で成長させたグループ内及びウェハ面内に於
ける膜厚の均一性が優れていることに依る。
（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄａｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ：ＣＶＤ）法を採用することが多く、その場合、
材料ガスとしては、塩素系のシラン・ガス、即ち、Ｓ
ｉ Ｈ２Ｃ１２２或いは５ｉＨＣＡ！３を用いることが
行われている。このような材料ガスを用い゛る理由は、
バッチ方式で成長させたグループ内及びウェハ面内に於
ける膜厚の均一性が優れていることに依る。
前記したように、Ｓｉ３Ｎ、膜の成長に塩素系シランを
用いた場合、例えば、連続して５回程度の成長を行うと
、Ｓ ｉ ３ Ｎ ４膜に白濁を生ずるようになる。
用いた場合、例えば、連続して５回程度の成長を行うと
、Ｓ ｉ ３ Ｎ ４膜に白濁を生ずるようになる。
このようになると、例えば、フォト・リソグラフィ技術
に於ける露光工程で光に散乱を生じ、半導体装置の微細
加工に支障を来すことになる。
に於ける露光工程で光に散乱を生じ、半導体装置の微細
加工に支障を来すことになる。
本発明は、塩素系のシラン・ガスを用いＳｉ３Ｎ４膜を
成長させた場合に白濁が発生しないようにする。
成長させた場合に白濁が発生しないようにする。
前記したような白濁が発生する確たる原因及びメカニズ
ムは不明である。
ムは不明である。
然しなから、前記したような材料ガスを用いた場合、Ｓ
ｉ ３ Ｎ ４以外の生成物が多量に発生することか
ら、その生成物が未反応の状態で存在するとＳｉ３Ｎ４
の成長を行う際に異常反応が起きて白濁を生ずること、
また、減圧ＣＶＤ装置に於ける真空ポンプの能力が不足
しているか劣化している場合、或いは、真空配管の容積
が大きい場合などで炉芯管から排気された未反応ガスの
逆拡散で白濁を生ずることなどが推定される。
ｉ ３ Ｎ ４以外の生成物が多量に発生することか
ら、その生成物が未反応の状態で存在するとＳｉ３Ｎ４
の成長を行う際に異常反応が起きて白濁を生ずること、
また、減圧ＣＶＤ装置に於ける真空ポンプの能力が不足
しているか劣化している場合、或いは、真空配管の容積
が大きい場合などで炉芯管から排気された未反応ガスの
逆拡散で白濁を生ずることなどが推定される。
そのようなことから、Ｓ ｉ ３ Ｎ ４膜の成長を行
うに先立ち、Ｎ２に依るパージを長時間に亙って実施し
たところ、白濁は発生しなかったが、このパージを行う
には約１２時間程度を必要とし、しかも、５回程度の連
続成長を行うと再び白濁が発生し始める。この為、スル
ー・プツトは著しく低下し、実用には程遠い。
うに先立ち、Ｎ２に依るパージを長時間に亙って実施し
たところ、白濁は発生しなかったが、このパージを行う
には約１２時間程度を必要とし、しかも、５回程度の連
続成長を行うと再び白濁が発生し始める。この為、スル
ー・プツトは著しく低下し、実用には程遠い。
そこで、考えられるのは、前記白濁が塩素系のシラン・
ガスを用いることで発生しているのであるから、その原
因は、塩素を含む未反応物質、即ち、Ｎ、ＨＹ Ｃβ２
が深（係わっているのであろうことである。従って、そ
のＮＸＨｖＣｌ、を何らかの手段で化学量論的に安定な
物質に変換してやれば良いことになる。
ガスを用いることで発生しているのであるから、その原
因は、塩素を含む未反応物質、即ち、Ｎ、ＨＹ Ｃβ２
が深（係わっているのであろうことである。従って、そ
のＮＸＨｖＣｌ、を何らかの手段で化学量論的に安定な
物質に変換してやれば良いことになる。
本発明者は、炉芯管及び真空配管をアンモニア（ＮＨ３
）を用いて短時間のパージを行ったところ、前記白濁の
発生防止に関して大変良い結果を得た。これは、ＮＸＨ
ｖＣｌ２がＮＨ３と反応して安定な塩化アンモニウム（
ＮＨ４Ｇ／）に変わることに起因するものと考えられる
。
）を用いて短時間のパージを行ったところ、前記白濁の
発生防止に関して大変良い結果を得た。これは、ＮＸＨ
ｖＣｌ２がＮＨ３と反応して安定な塩化アンモニウム（
ＮＨ４Ｇ／）に変わることに起因するものと考えられる
。
図は本発明を実施する装置の要部説明図を表している。
図に於いて、１は石英製の炉芯管、２Ａは反応ガス送入
管、２ＢはＮＨ３ガス送入管、３はパージ用配管、４Ａ
及び４Ｂはシリンダ・バルブ、５は真空配管、６及び７
はメカニカル・ブースター・ポンプ、８は水封ポンプ、
９はＳｔウェハをそれぞれ示している。
管、２ＢはＮＨ３ガス送入管、３はパージ用配管、４Ａ
及び４Ｂはシリンダ・バルブ、５は真空配管、６及び７
はメカニカル・ブースター・ポンプ、８は水封ポンプ、
９はＳｔウェハをそれぞれ示している。
この装置を用いてＳｉ３Ｎ４膜を成長させる場合、例え
ば、シリンダ・バルブ４Ａを開放し、また、シリンダ・
バルブ４Ｂを閉成し、炉芯管１内を減圧状態となし、Ｎ
Ｈ３ガス送入管２ＢからＮＨ３を流入させ、所定時間の
パージを行う。次いで、ＮＨ３の供給を停止し、Ｎ２置
換を行い、常圧に戻してやれば、その後、Ｓ ｉ ３
Ｎ ４膜成長を行っても白濁は発生しない。
ば、シリンダ・バルブ４Ａを開放し、また、シリンダ・
バルブ４Ｂを閉成し、炉芯管１内を減圧状態となし、Ｎ
Ｈ３ガス送入管２ＢからＮＨ３を流入させ、所定時間の
パージを行う。次いで、ＮＨ３の供給を停止し、Ｎ２置
換を行い、常圧に戻してやれば、その後、Ｓ ｉ ３
Ｎ ４膜成長を行っても白濁は発生しない。
本発明を実施するには、次の各条件を適宜に組み合わせ
ることができる。
ることができる。
（１） 装置の状態
（ａ） 減圧状態
（ｂｌ 常圧状態
（２）ＮＨ３の導入
（ａ） 炉芯管１を介して
（ｂｌ 真空配管５に直接
（３１ＮＨ３に依るパージ実施時期
（ａ）Ｓｉ３Ｎ４成長前
（ｂｌｓｉ３Ｎ４成長後
（Ｃ）Ｓｉ３Ｎ４成長間
（４）希釈用Ｎ２ （含減圧度調整）（ａ） 有り
（ｂ）無し
く５）パージ時間
ＮＨ３流量との兼ね合いで適宜に選択（パージ時間を長
く採った場合にはＮＨ３流量は少な（て良い） （６１ＮＨ３流量 パージ時間との兼ね合いで適宜に選択（ＮＨ３流量を多
くした場合にはパージ時間は短くて良い） 前記諸条件に於いて、ＮＨ３に依るパージを（１）−（
ａ）の減圧状態で行うには、シリンダ・バルブ４Ｂを閉
成し、且つ、シリンダ・バルブ４Ａを開放し、（２１−
（ａ）に見られるように炉芯管１を介してＮＨ３の導入
を行うことになり、反対に、（１）−（ｂｌの常圧状態
で行うには、シリンダ・バルブ４Ａを閉成し、且つ、シ
リンダ・バルブ４Ｂを開放し、（２）−（ｂ）に見られ
るように真空配管５に直接、即ち、パージ用配管３を介
してＮＨ３の導入を行うことになる。
く採った場合にはＮＨ３流量は少な（て良い） （６１ＮＨ３流量 パージ時間との兼ね合いで適宜に選択（ＮＨ３流量を多
くした場合にはパージ時間は短くて良い） 前記諸条件に於いて、ＮＨ３に依るパージを（１）−（
ａ）の減圧状態で行うには、シリンダ・バルブ４Ｂを閉
成し、且つ、シリンダ・バルブ４Ａを開放し、（２１−
（ａ）に見られるように炉芯管１を介してＮＨ３の導入
を行うことになり、反対に、（１）−（ｂｌの常圧状態
で行うには、シリンダ・バルブ４Ａを閉成し、且つ、シ
リンダ・バルブ４Ｂを開放し、（２）−（ｂ）に見られ
るように真空配管５に直接、即ち、パージ用配管３を介
してＮＨ３の導入を行うことになる。
パージを（３１−（ａｌに見られるＳｉ３Ｎ４成長前に
行うことは、信頼性の面からみて最も好ましいと考えら
れる。また、（３１−（ｂ）に見られるＳｉ３Ｎ４成長
後に行う場合、（１） −（ｂ）の常圧状態と（２）
−（ｂ）の真空配管５に直接を組み合わせると、パージ
中にＳｉウェハ９の取り出しを行うことができるのでス
ルー・プツトの面からは好ましい。
行うことは、信頼性の面からみて最も好ましいと考えら
れる。また、（３１−（ｂ）に見られるＳｉ３Ｎ４成長
後に行う場合、（１） −（ｂ）の常圧状態と（２）
−（ｂ）の真空配管５に直接を組み合わせると、パージ
中にＳｉウェハ９の取り出しを行うことができるのでス
ルー・プツトの面からは好ましい。
スルー・プツトの向上を重視するのであれば、Ｓ ｉ
３ Ｎ ４の成長を実施中にパージを行うことも可能で
あり、その場合、パージ用配管３をＮＨ３ガス送入管２
Ｂから独立させ、シリンダ・バルブ４Ｂを開放してＮＨ
３を流入させると良い。
３ Ｎ ４の成長を実施中にパージを行うことも可能で
あり、その場合、パージ用配管３をＮＨ３ガス送入管２
Ｂから独立させ、シリンダ・バルブ４Ｂを開放してＮＨ
３を流入させると良い。
前記したところから、本発明に依る被膜形成方法に於い
ては、塩素系のシラン・ガスを用い窒化シリコン膜を成
長させるに際しＮＨ３で化学気相成長装置内のパージを
行う工程が含まれている。
ては、塩素系のシラン・ガスを用い窒化シリコン膜を成
長させるに際しＮＨ３で化学気相成長装置内のパージを
行う工程が含まれている。
前記手段を採ることに依り、装置内に存在する塩素を含
む未反応物質、即ち、Ｎ、 ＨＹ （１！、は短時間で
安定なＮＨ，Ｃ１に変換されてしまうので、連続成長を
行っても、成長されたＳｉ３Ｎ。
む未反応物質、即ち、Ｎ、 ＨＹ （１！、は短時間で
安定なＮＨ，Ｃ１に変換されてしまうので、連続成長を
行っても、成長されたＳｉ３Ｎ。
膜に白濁は生ずることはない。従って、例えばフォト・
リングラフィに於ける露光工程で光の散乱が発生するこ
とはなくなり、微細加工の実施が容易になる。
リングラフィに於ける露光工程で光の散乱が発生するこ
とはなくなり、微細加工の実施が容易になる。
図示説明した装置を用い、先ず、前記説明したＮＨ３に
依るパージを種々の条件を付与して実施し、その後、Ｓ
ｉ ３ Ｎ ４の成長を行った。
依るパージを種々の条件を付与して実施し、その後、Ｓ
ｉ ３ Ｎ ４の成長を行った。
（Ａ） パージについて
（１１ＮＨ３の流量を変化させた場合
ＮＨ３流量：
（ａ） ８００ （ｃｃ／分〕
（ｂ） ９００ （ｃｃ／分〕
（ｃｌ １０００ （ｃｃ／分〕
（ｄ） １１０ Ｑ （ｃｃ／分〕
（ｅｌ １２００ （ｃｃ／分〕
パージ時間：
３０〔分〕一定
減圧度：
１、Ｄ （Ｔｏｒｒ）
（２）パージ時間を変化させた場合
パージ時間：
（ａ）１０（分〕
（ｂ）２０（分〕
ＴＯ）３０（分〕
（ｄ）４０（分〕
１８＞５０（分〕
ＮＨ３流量：
１２００（ｃｃ／分〕一定
減圧度：
１．０ （Ｔｏｒｒ）
ＣＢ） Ｓｉ３Ｎ４の成長について
５ｉＨ２Ｃｊ２２ ： ４０ （ｃｃ／分〕ＮＨ３：
８００ （ｃｃ／分〕 成長温度ニア７５（’Ｃ） 減圧度： １．０ （Ｔｏｒｒ） 成長時間：４３．Ｏ（分〕 ” 成長膜厚：１５００（人〕 パージに関する前記諸条件の下に得られた結果は次の通
りである。
８００ （ｃｃ／分〕 成長温度ニア７５（’Ｃ） 減圧度： １．０ （Ｔｏｒｒ） 成長時間：４３．Ｏ（分〕 ” 成長膜厚：１５００（人〕 パージに関する前記諸条件の下に得られた結果は次の通
りである。
（Ａ） −（１）−（ａｌの場合
白濁有り
（Ａ） −（１）−（ｂｌの場合
白濁有り
（Ａ） −（１１−（Ｃ）の場合
白濁有り（軽度）
（Ａ） −［１）−（ｄ）の場合
白濁無し
くＡ） −（１）−（ｅｌの場合
白濁無し
くＡ） −（２）−（ａ）の場合
白濁有り
（Ａ）−（２１−（ｂｌの場合
白濁有り
（Ａ） −（２１−（Ｃ）の場合
白濁無し
くＡ） −（２）−（ｄ）の場合
白濁無し
くＡ） −（２）−（１１４）の場合
白濁無し
前記実施例から判るように、ＮＨ３の流量を変えた場合
には１０００ （。。／分〕で白濁の程度はかなり軽く
なり、１１００ （。Ｃ／分〕では発生しない。そこで
、パージ時間を変える実験の際には、余裕を採って１２
００（ｃｃ／分〕一定とした。このような点及び前記デ
ータからすると、ＮＨ３の流量：１２００（ｃｃ／分〕 パージ時間：４０〔分〕 とするのが、白濁防止及び経済性の面から見ると効率が
良いと思われる。
には１０００ （。。／分〕で白濁の程度はかなり軽く
なり、１１００ （。Ｃ／分〕では発生しない。そこで
、パージ時間を変える実験の際には、余裕を採って１２
００（ｃｃ／分〕一定とした。このような点及び前記デ
ータからすると、ＮＨ３の流量：１２００（ｃｃ／分〕 パージ時間：４０〔分〕 とするのが、白濁防止及び経済性の面から見ると効率が
良いと思われる。
本発明に依る被膜形成方法に於いては、塩素系のシラン
・ガスを用い窒化シリコン膜を成長させるに際しＮＨ３
で化学気相成長装置内のパージを行うようにしている。
・ガスを用い窒化シリコン膜を成長させるに際しＮＨ３
で化学気相成長装置内のパージを行うようにしている。
前記構成を採ることに依り、装置内に存在する塩素を含
む未反応物質、即ち、Ｎ ｘ Ｈｖ Ｃｊ！ ｚは短時
間で安定なＮＨ４Ｃｌに変換されてしまうことから、多
数回の連続成長を行っても、得られるＳｉ３Ｎ、膜に白
濁は生じない。従って、例えばフォト・リソグラフィに
於ける露光工程で光の散乱が発生することはなくなり、
微細加工の実施が容易になる。
む未反応物質、即ち、Ｎ ｘ Ｈｖ Ｃｊ！ ｚは短時
間で安定なＮＨ４Ｃｌに変換されてしまうことから、多
数回の連続成長を行っても、得られるＳｉ３Ｎ、膜に白
濁は生じない。従って、例えばフォト・リソグラフィに
於ける露光工程で光の散乱が発生することはなくなり、
微細加工の実施が容易になる。
図は本発明を実施する装置の要部説明図を表している。
図に於いて、ｌは石英製の炉芯管、２人は反応ガス送入
管、２ＢはＮＨ３ガス送入管、３はパージ用配管、４Ａ
及び４Ｂはシリンダ・バルブ、５は真空配管、６及び７
はメカニカル・ブースター・ポンプ、８は水封ポンプ、
９はＳｉウェハをそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 −
管、２ＢはＮＨ３ガス送入管、３はパージ用配管、４Ａ
及び４Ｂはシリンダ・バルブ、５は真空配管、６及び７
はメカニカル・ブースター・ポンプ、８は水封ポンプ、
９はＳｉウェハをそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 塩素系のシラン・ガスを用い窒化シリコン膜を成長さ
せるに際しＮＨ＿３で化学気相成長装置内のパージを行
う工程 が含まれてなることを特徴とする被膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2662488A JPH01202827A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2662488A JPH01202827A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 被膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01202827A true JPH01202827A (ja) | 1989-08-15 |
Family
ID=12198620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2662488A Pending JPH01202827A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 被膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01202827A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009044023A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP2662488A patent/JPH01202827A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009044023A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5129958A (en) | Cleaning method for semiconductor wafer processing apparatus | |
| US7112544B2 (en) | Method of atomic layer deposition on plural semiconductor substrates simultaneously | |
| US5316793A (en) | Directed effusive beam atomic layer epitaxy system and method | |
| JP3265042B2 (ja) | 成膜方法 | |
| TWI274790B (en) | Methods for producing silicon nitride films and silicon oxynitride films by thermal chemical vapor deposition | |
| KR20180014661A (ko) | 질화막의 형성 방법 및 형성 장치 | |
| KR20030017612A (ko) | 기재상에 필름을 증착시키는 방법 | |
| US20110247561A1 (en) | Thermal Chemical Vapor Deposition Methods, and Thermal Chemical Vapor Deposition Systems | |
| KR100753276B1 (ko) | 실리콘 다이옥사이드를 포함하는 층을 형성하기 위한 원자층 증착 방법 | |
| JPH01202827A (ja) | 被膜形成方法 | |
| JP2004228602A (ja) | 縦型半導体製造装置 | |
| JP3847928B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
| KR20000009711A (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| JPH0410617A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR0124563B1 (ko) | 3-존 저압화학 증착 반응로에서의 비정질 실리콘 증착방법 | |
| JPS60211072A (ja) | 揮発性物質の気化装置 | |
| JP3068516B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000219596A (ja) | 気相成長方法 | |
| GB2191510A (en) | Depositing doped polysilicon films | |
| JPH03206618A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03257166A (ja) | 酸化タンタル膜の化学気相成長方法および化学気相成長装置 | |
| JPH02282481A (ja) | アモルファス多層薄膜形成方法 | |
| JPS63307717A (ja) | 有機金属供給装置 | |
| JPH07109827B2 (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPH09102460A (ja) | 半導体製造装置 |