JPH01201983A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH01201983A JPH01201983A JP2620888A JP2620888A JPH01201983A JP H01201983 A JPH01201983 A JP H01201983A JP 2620888 A JP2620888 A JP 2620888A JP 2620888 A JP2620888 A JP 2620888A JP H01201983 A JPH01201983 A JP H01201983A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体レーザ部と、それに対する反射形光回
路部とを有する半導体レーザ装置に関する。
路部とを有する半導体レーザ装置に関する。
従来、半導体レーザ部と、それに対する反射−１−・−
形光回路部とを有し、その反射形光回路部が、半導体レ
ーザ部と光学的にレンズを介して対向し且つ半導体層を
用いて構成されている回折格子部を有する、という構成
の半導体レーザ装置が提案されている。 このような構成を有する半導体レーザ装置によれば、半
導体レーザ部において、それを駆動することによって内
部発生する光が、反射形光回路部側に出射し、次で、そ
の反射形光回路部側から回折格子部の屈折率、回折格子
のピッチなどによって決まる周波数成分を有する光が、
反射して半導体レーザ部側に得られ、そしてその光が半
導体レーザ部に入射する、ということを繰返す機構で、
レーザ発振が生ずる。なお、このようにして生ずるレー
ザ発振によって得られるレーザ光は、半導体レーザ部の
反射形光回路部側とは反対側から外部に出射して得られ
る。 上述した従来の半導体レーザ装置の場合、半導体レーザ
部と回折格子部との間に十分長い距離をとらせることが
できるので、レーザ光を、分布帰還形半導体レーザや分
布反射形半導体レーザなどに比し、格段的に狭い周波数
帯域幅を有するものとして得ることができる。 従って、上述した従来の半導体レーザ装置は、波長多重
光伝送系における光源に適用して好適である。
ーザ部と光学的にレンズを介して対向し且つ半導体層を
用いて構成されている回折格子部を有する、という構成
の半導体レーザ装置が提案されている。 このような構成を有する半導体レーザ装置によれば、半
導体レーザ部において、それを駆動することによって内
部発生する光が、反射形光回路部側に出射し、次で、そ
の反射形光回路部側から回折格子部の屈折率、回折格子
のピッチなどによって決まる周波数成分を有する光が、
反射して半導体レーザ部側に得られ、そしてその光が半
導体レーザ部に入射する、ということを繰返す機構で、
レーザ発振が生ずる。なお、このようにして生ずるレー
ザ発振によって得られるレーザ光は、半導体レーザ部の
反射形光回路部側とは反対側から外部に出射して得られ
る。 上述した従来の半導体レーザ装置の場合、半導体レーザ
部と回折格子部との間に十分長い距離をとらせることが
できるので、レーザ光を、分布帰還形半導体レーザや分
布反射形半導体レーザなどに比し、格段的に狭い周波数
帯域幅を有するものとして得ることができる。 従って、上述した従来の半導体レーザ装置は、波長多重
光伝送系における光源に適用して好適である。
しかしながら、上述した従来の半導体レーザ装置の場合
、回折格子部が半導体レーザ部から機械的に離れた位置
に配されているので、大型化する、という欠点を有して
いた。 また、上述した従来の半導体レーザ装置の場合、回折格
子部を構成している半導体層が、屈折率に比較的高い温
度依存性を有するとともに、比較的高い線熱彫版係数を
有するため、レーザ光が、周波数に比較的高い温度依存
性を有して得られる、という欠点を有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な半導体
レーザ装置を提案せんとするものである。
、回折格子部が半導体レーザ部から機械的に離れた位置
に配されているので、大型化する、という欠点を有して
いた。 また、上述した従来の半導体レーザ装置の場合、回折格
子部を構成している半導体層が、屈折率に比較的高い温
度依存性を有するとともに、比較的高い線熱彫版係数を
有するため、レーザ光が、周波数に比較的高い温度依存
性を有して得られる、という欠点を有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な半導体
レーザ装置を提案せんとするものである。
本発明による半導体レーザ装置は、上述した従来の半導
体レーザ装置の場合と同様に、半導体レーザ部と、それ
に対する反射形光回路部とを有する。 しかしながら、本発明による半導体し〜ザ装置は、この
ような構成を有する半導体レーザ装置において、その反
射形光回路部が、半導体レーザ部と連接しているリッジ
形導波路部と、そのリッジ形導波路部と半導体レーザ部
側とは反対側において一体に連結しているリッジ形回折
格子部とを有し、そして、それらリッジ形導波路部及び
リッジ形回折格子部がガラス層を用いて構成されている
。
体レーザ装置の場合と同様に、半導体レーザ部と、それ
に対する反射形光回路部とを有する。 しかしながら、本発明による半導体し〜ザ装置は、この
ような構成を有する半導体レーザ装置において、その反
射形光回路部が、半導体レーザ部と連接しているリッジ
形導波路部と、そのリッジ形導波路部と半導体レーザ部
側とは反対側において一体に連結しているリッジ形回折
格子部とを有し、そして、それらリッジ形導波路部及び
リッジ形回折格子部がガラス層を用いて構成されている
。
本発明による半導体レーザ装置によれば、上述した従来
の半導体レーザ装置の場合と同様に、半導体レーザ部と
、それに対する反射形光回路部とを有するので、上述し
た従来の半導体レーザ装置の場合と同様に、半導体レー
ザ部におい＝ ３ − て、それを駆動することによって内部発生する光が、反
射形光回路部側に出射し、次で、その反射形光回路部側
から、そのリッジ型回折格子部の屈折率、回折格子のピ
ッチなどによって決まる周波数成分を有する光が反射し
て半導体レーザ部側に得られ、そして、その光が半導体
レーザ部に入射する、ということを繰返す機構で、レー
ザ発振が生ずる。なお、このようにして生ずるレーザ発
振によ〕で得られるレーザ光は、半導体レーザ部の反射
形光回路部側とは反対側から、または回折格子部の半導
体レーザ部側とは反対側から外部に出射して得られる。 また、本発明による半導体レーザ装置の場合、反射形光
回路部のリッジ形導波路部の長さによって、半導体レー
ザ部と反射形光回路部のリッジ形回折格子部との間に十
分長い距離をとらせることができるので、前述した従来
の半導体レーザ装置の場合と同様に、レーザ光を、分布
反射形半導体レーザや分布帰還形半導体レーザの場合に
比し、狭い周波数帯域幅を有するものとして得ることが
できる。 従って、本発明による半導体レーザ装置は、前述した従
来の半導体レーザ装置の場合と同様に、波長多重光伝送
系における光源に適用して好適である。 しかしながら、本発明による半導体レーザ装置によれば
、反射形光回路部が、そのリッジ形導波路部によって、
半導体レーザ部と機械的に連接しているので、前述した
従来の半導体レーザ装置の場合に比し、格段的に小型化
することができる。 また、本発明による半導体レーザ装置によれば、反射形
光回路部のリッジ形導波路部及びリッジ形回折格子部が
、ガラス層を用いて構成されているので、屈折率に半導
体層に比し格段的に低い温度依存性しか有しないととも
に、半導体層に比し格段的に低い線熱彫版係数しか有し
ないため、レーザ光が、周波数に前述した従来の半導体
レーザ装置の場合に比し格段的に低い温度依存性しか有
しないで得られる。
の半導体レーザ装置の場合と同様に、半導体レーザ部と
、それに対する反射形光回路部とを有するので、上述し
た従来の半導体レーザ装置の場合と同様に、半導体レー
ザ部におい＝ ３ − て、それを駆動することによって内部発生する光が、反
射形光回路部側に出射し、次で、その反射形光回路部側
から、そのリッジ型回折格子部の屈折率、回折格子のピ
ッチなどによって決まる周波数成分を有する光が反射し
て半導体レーザ部側に得られ、そして、その光が半導体
レーザ部に入射する、ということを繰返す機構で、レー
ザ発振が生ずる。なお、このようにして生ずるレーザ発
振によ〕で得られるレーザ光は、半導体レーザ部の反射
形光回路部側とは反対側から、または回折格子部の半導
体レーザ部側とは反対側から外部に出射して得られる。 また、本発明による半導体レーザ装置の場合、反射形光
回路部のリッジ形導波路部の長さによって、半導体レー
ザ部と反射形光回路部のリッジ形回折格子部との間に十
分長い距離をとらせることができるので、前述した従来
の半導体レーザ装置の場合と同様に、レーザ光を、分布
反射形半導体レーザや分布帰還形半導体レーザの場合に
比し、狭い周波数帯域幅を有するものとして得ることが
できる。 従って、本発明による半導体レーザ装置は、前述した従
来の半導体レーザ装置の場合と同様に、波長多重光伝送
系における光源に適用して好適である。 しかしながら、本発明による半導体レーザ装置によれば
、反射形光回路部が、そのリッジ形導波路部によって、
半導体レーザ部と機械的に連接しているので、前述した
従来の半導体レーザ装置の場合に比し、格段的に小型化
することができる。 また、本発明による半導体レーザ装置によれば、反射形
光回路部のリッジ形導波路部及びリッジ形回折格子部が
、ガラス層を用いて構成されているので、屈折率に半導
体層に比し格段的に低い温度依存性しか有しないととも
に、半導体層に比し格段的に低い線熱彫版係数しか有し
ないため、レーザ光が、周波数に前述した従来の半導体
レーザ装置の場合に比し格段的に低い温度依存性しか有
しないで得られる。
【実施例１１
次に第１図〜第４図を伴って本発明による半導体レーザ
装置の第１の実施例を述べよう。 第１図に示す本発明による半導体レーザ装置は、前述し
た従来の半導体レーザ装置の場合と同様に、半導体レー
ザ部１と、それに対する反射形光回路部２とを有する。 この場合、半導体レーザ部１としては、原理的に、半導
体基板１１上に、クラッド層としての半導体層１２、活
性層としての半導体層１３及び他のクラッド層としての
半導体層１４とがそれらの順に積層されている構成を有
する積層体１０を有し、そして、その積層体１０のクラ
ッド層としての半導体層１４上に電極１５が付され、ま
た半導体基板１のクラッド層としての半導体層１４側と
は反対側に他の電極（図示せず）が付されている、とい
うそれ自体は公知の半導体レーザ部を用い得る。ただし
、この場合、積層体１０の一方の側端面上は、従来公知
の半導体レーザ装置の場合と同様に反射膜１６が付され
ているが、他の側端面上には、従来公知の半導体レーザ
装置の場合における反射膜に代え無反射膜１７が付され
ている。 また、反射形光回路部２は、シリコン、石英などでなる
基板３１上に、例えば、Ｓ ＋ ０２でなるクツラド層
としてのガラス層３２と、１ａ２０５・Ｎｂ２Ｏ３・Ｓ
ｉ３Ｎ４・Ｔ ＋ ０２・ＺｎＯでなるコア層としての
リッジ形ガラス層３３と、例えば、Ｓｉｏ２でなるクラ
ッド層としてのガラス層３４とがそれらの順に積層され
ている積層体３０を有し、そして、その積層体３０の一
方の側端面上に無反射膜３６が付され、また、積層体３
０のガラス層３３及び３４との間の界面に、無反射膜３
６側とは反対側の領域において、機械的な凹凸面でなる
回折格子３５が形成され、そして、その積層体３ｏの回
折格子３５が形成されていない領域を、半導体レーザ部
１とその無反射膜１７側において、反射膜３６を介して
連接しているリッジ形導波路部２１とし、回折格子３５
が形成されない領域をリッジ形導波路部２１と半導体レ
ーザ部１側とは反対側において一体に連結しているリッ
ジ形回折格子部２２としている構成を有する。 以上が、本発明による半導体レーザ装置の第１の実施例
の構成である。 このような構成を有する本発明による半導体レーザ装置
によれば、前述した従来の半導体レーザ装置の場合と同
様に、半導体レーザ部１と、それに対する反射形光回路
部２とを有するので、上述した従来の半導体レーザ装置
の場合と同様に、半導体レーザ部１において、それを駆
動することによって内部発生する光が、反射形光回路部
２側に出射し、次で、その反射形光回路部２側から、そ
のリッジ形回折格子部２２の反射率、回折格子３５のピ
ッチなどによって決まる周波数成分を有する光が反射し
て得られ、そして、その光が半導体レーザ部１に入射す
る、ということを繰返す動作を行うことによって、レー
ザ発振が生ずる。なお、このようにして生ずるレーザ発
振によって得られるレーザ光は、半一 ８ − 導体レーザ部１の反射形光回路部２側とは反対側から、
または反射形光回路部２の半導体レーザ部１側とは反対
側から外部に出射して得られる。 また、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レーザ
装置の場合、反射形光回路部２のリッジ形導波路部２１
の長さによって、半導体レーザ部１と反射形光回路部２
のリッジ形回折格子部２２との間に十分長い距離をとら
せることができるので、前述した従来の半導体レーザ装
置の場合と同様に、レーザ光を、分布反射形半導体レー
ザや分布帰還形半導体レーザの場合に比し、狭い周波数
帯域幅を有するものとして得ることができる。 従って、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レー
ザ装置は、前述した従来の半導体レーザ装置の場合と同
様に、波長多重光伝送系における光源に適用して好適で
ある。 しかしながら、第１図〜第４図に示す本発明による半導
体レーザ装置によれば、反射形先回路部２が、そのリッ
ジ形導波路部２１によって、半導体レーザ部１と機械的
に連接しているので、前述した従来の半導体レーザ装置
の場合に比し、格段的に小型化することができる。 また、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レーザ
装置によれば、反射形光回路部２のリッジ形導波路部２
１及びリッジ形回折格子部２２が、ガラス層３２〜３４
を用いて構成されているので、屈折率に半導体層に比し
格段的に低い温度依存性しか有しないとともに、半導体
層に比し格段的に低い線熱彫版係数しか有しないため、
レーザ光が、周波数に前述した従来の半導体レーザ装置
の場合に比し格段的に低い温度依存性しか有しないで得
られる。 さらに、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レー
ザ装置の場合、半導体レーザ部１と反射形光回路部２と
が、半導体レーザ部１の無反射膜１７と反射形光回路部
２の無反射膜３６とを介して連接し、また、反射形光回
路部２を構成しているガラス層３２〜３４の屈折率を、
そのガラス層３２〜３４の構成材料を適当に選択するこ
とによって、半導体レーザ部１０半導体層１２〜１４の
屈折率に近い値にすることができ、さらに、反射形光回
路部２を構成しているガラス層３２〜３４が、光に対し
て半導体層に比し低い損失しか与えないので、レーザ光
を、前述した従来の半導体レーザ装置の場合に比し、狭
い周波数帯域幅を有するものとして得ることができる。 ちなみに、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レ
ーザ装置の場合、反射形光回路部２のリッジ形導波路部
２１とリッジ形回折格子部２２どの間の反射率Ｒ２をリ
ッジ形回折格子部２１の長さや回折格子の深さなどを適
当に選ぶことによって、０．９で得ることができ、また
、半導体レーザ部１と反射形光回路部２との間の反射率
Ｒ１を０．１．０．０５で得ることができ、そして、こ
のような場合、レーザ光を、反射形光回路部２のリッジ
形導波路部２１の長さＬ と半導体レーザ部１の長さＬ
１との比Ｌ２ ／Ｌ１に対して、第５図に示すよう−１
１＝ な周波数帯域幅を有するものとして得ることができた。 このため、上述した比Ｌ２ ／Ｌ１を４以上に選ぶこと
によって、レーザ光を、２０ＫＨｚ以下の周波数帯域幅
を有するものとして得ることができた。また、反射形光
回路部２から半導体レーザ部１に入射する光の波長レス
ポンス特性を、第６図に示すように得ることができた。 【実施例２】 次に、第２図を伴って本発明による半導体レーザ装置の
第２の実施例を述べよう。 第２図において、第１図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明を省略する。 第７図に示す本発明による半導体レーザ装置は、次の事
項を除いて、第１図で上述した本発明による半導体レー
ザ装置と同様の構成を有する。 すなわち、半導体レーザ部１において、積層体１０を構
成している基板１１が、半導体層１２〜１４を積層して
いる領域１１Ａ以外の比較的広い面積の領域１１Ｂを有
し、また、積層体１０の側端面に付された無反射膜１７
が省略され、さらに、反射形光回路部２が、基板１１の
領域１１Ａ上に、その領域１１Ｂを反射形光回路部２の
基板３１とし、且つ無反射膜３６が省略されて、領域１
１Ｂとガラス層３２〜３４との間の熱彫版係数の差を緩
和するための例えばアモルファスシリコンでなるバッフ
ァ層４１を介して形成されている。 以上が、本発明による半導体レーザ装置の第２の実施例
の構成である。 このような構成を有する本発明による半導体レーザ装置
によれば、上述した事項を除いて、第１図で上述した本
発明による半導体し〜ザ装置と同様の構成を有するので
、詳細説明は省略するが、第１図〜第４図で上述した本
発明による半導体レーザ装置と同様の作用効果が得られ
る。 なお、上述においては、本発明による半導体レーザ装置
の２つの実施例を示したに過ぎず、本発明の精神を脱す
ることなしに、種々の変型、変更をなし得るであろう。
装置の第１の実施例を述べよう。 第１図に示す本発明による半導体レーザ装置は、前述し
た従来の半導体レーザ装置の場合と同様に、半導体レー
ザ部１と、それに対する反射形光回路部２とを有する。 この場合、半導体レーザ部１としては、原理的に、半導
体基板１１上に、クラッド層としての半導体層１２、活
性層としての半導体層１３及び他のクラッド層としての
半導体層１４とがそれらの順に積層されている構成を有
する積層体１０を有し、そして、その積層体１０のクラ
ッド層としての半導体層１４上に電極１５が付され、ま
た半導体基板１のクラッド層としての半導体層１４側と
は反対側に他の電極（図示せず）が付されている、とい
うそれ自体は公知の半導体レーザ部を用い得る。ただし
、この場合、積層体１０の一方の側端面上は、従来公知
の半導体レーザ装置の場合と同様に反射膜１６が付され
ているが、他の側端面上には、従来公知の半導体レーザ
装置の場合における反射膜に代え無反射膜１７が付され
ている。 また、反射形光回路部２は、シリコン、石英などでなる
基板３１上に、例えば、Ｓ ＋ ０２でなるクツラド層
としてのガラス層３２と、１ａ２０５・Ｎｂ２Ｏ３・Ｓ
ｉ３Ｎ４・Ｔ ＋ ０２・ＺｎＯでなるコア層としての
リッジ形ガラス層３３と、例えば、Ｓｉｏ２でなるクラ
ッド層としてのガラス層３４とがそれらの順に積層され
ている積層体３０を有し、そして、その積層体３０の一
方の側端面上に無反射膜３６が付され、また、積層体３
０のガラス層３３及び３４との間の界面に、無反射膜３
６側とは反対側の領域において、機械的な凹凸面でなる
回折格子３５が形成され、そして、その積層体３ｏの回
折格子３５が形成されていない領域を、半導体レーザ部
１とその無反射膜１７側において、反射膜３６を介して
連接しているリッジ形導波路部２１とし、回折格子３５
が形成されない領域をリッジ形導波路部２１と半導体レ
ーザ部１側とは反対側において一体に連結しているリッ
ジ形回折格子部２２としている構成を有する。 以上が、本発明による半導体レーザ装置の第１の実施例
の構成である。 このような構成を有する本発明による半導体レーザ装置
によれば、前述した従来の半導体レーザ装置の場合と同
様に、半導体レーザ部１と、それに対する反射形光回路
部２とを有するので、上述した従来の半導体レーザ装置
の場合と同様に、半導体レーザ部１において、それを駆
動することによって内部発生する光が、反射形光回路部
２側に出射し、次で、その反射形光回路部２側から、そ
のリッジ形回折格子部２２の反射率、回折格子３５のピ
ッチなどによって決まる周波数成分を有する光が反射し
て得られ、そして、その光が半導体レーザ部１に入射す
る、ということを繰返す動作を行うことによって、レー
ザ発振が生ずる。なお、このようにして生ずるレーザ発
振によって得られるレーザ光は、半一 ８ − 導体レーザ部１の反射形光回路部２側とは反対側から、
または反射形光回路部２の半導体レーザ部１側とは反対
側から外部に出射して得られる。 また、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レーザ
装置の場合、反射形光回路部２のリッジ形導波路部２１
の長さによって、半導体レーザ部１と反射形光回路部２
のリッジ形回折格子部２２との間に十分長い距離をとら
せることができるので、前述した従来の半導体レーザ装
置の場合と同様に、レーザ光を、分布反射形半導体レー
ザや分布帰還形半導体レーザの場合に比し、狭い周波数
帯域幅を有するものとして得ることができる。 従って、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レー
ザ装置は、前述した従来の半導体レーザ装置の場合と同
様に、波長多重光伝送系における光源に適用して好適で
ある。 しかしながら、第１図〜第４図に示す本発明による半導
体レーザ装置によれば、反射形先回路部２が、そのリッ
ジ形導波路部２１によって、半導体レーザ部１と機械的
に連接しているので、前述した従来の半導体レーザ装置
の場合に比し、格段的に小型化することができる。 また、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レーザ
装置によれば、反射形光回路部２のリッジ形導波路部２
１及びリッジ形回折格子部２２が、ガラス層３２〜３４
を用いて構成されているので、屈折率に半導体層に比し
格段的に低い温度依存性しか有しないとともに、半導体
層に比し格段的に低い線熱彫版係数しか有しないため、
レーザ光が、周波数に前述した従来の半導体レーザ装置
の場合に比し格段的に低い温度依存性しか有しないで得
られる。 さらに、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レー
ザ装置の場合、半導体レーザ部１と反射形光回路部２と
が、半導体レーザ部１の無反射膜１７と反射形光回路部
２の無反射膜３６とを介して連接し、また、反射形光回
路部２を構成しているガラス層３２〜３４の屈折率を、
そのガラス層３２〜３４の構成材料を適当に選択するこ
とによって、半導体レーザ部１０半導体層１２〜１４の
屈折率に近い値にすることができ、さらに、反射形光回
路部２を構成しているガラス層３２〜３４が、光に対し
て半導体層に比し低い損失しか与えないので、レーザ光
を、前述した従来の半導体レーザ装置の場合に比し、狭
い周波数帯域幅を有するものとして得ることができる。 ちなみに、第１図〜第４図に示す本発明による半導体レ
ーザ装置の場合、反射形光回路部２のリッジ形導波路部
２１とリッジ形回折格子部２２どの間の反射率Ｒ２をリ
ッジ形回折格子部２１の長さや回折格子の深さなどを適
当に選ぶことによって、０．９で得ることができ、また
、半導体レーザ部１と反射形光回路部２との間の反射率
Ｒ１を０．１．０．０５で得ることができ、そして、こ
のような場合、レーザ光を、反射形光回路部２のリッジ
形導波路部２１の長さＬ と半導体レーザ部１の長さＬ
１との比Ｌ２ ／Ｌ１に対して、第５図に示すよう−１
１＝ な周波数帯域幅を有するものとして得ることができた。 このため、上述した比Ｌ２ ／Ｌ１を４以上に選ぶこと
によって、レーザ光を、２０ＫＨｚ以下の周波数帯域幅
を有するものとして得ることができた。また、反射形光
回路部２から半導体レーザ部１に入射する光の波長レス
ポンス特性を、第６図に示すように得ることができた。 【実施例２】 次に、第２図を伴って本発明による半導体レーザ装置の
第２の実施例を述べよう。 第２図において、第１図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明を省略する。 第７図に示す本発明による半導体レーザ装置は、次の事
項を除いて、第１図で上述した本発明による半導体レー
ザ装置と同様の構成を有する。 すなわち、半導体レーザ部１において、積層体１０を構
成している基板１１が、半導体層１２〜１４を積層して
いる領域１１Ａ以外の比較的広い面積の領域１１Ｂを有
し、また、積層体１０の側端面に付された無反射膜１７
が省略され、さらに、反射形光回路部２が、基板１１の
領域１１Ａ上に、その領域１１Ｂを反射形光回路部２の
基板３１とし、且つ無反射膜３６が省略されて、領域１
１Ｂとガラス層３２〜３４との間の熱彫版係数の差を緩
和するための例えばアモルファスシリコンでなるバッフ
ァ層４１を介して形成されている。 以上が、本発明による半導体レーザ装置の第２の実施例
の構成である。 このような構成を有する本発明による半導体レーザ装置
によれば、上述した事項を除いて、第１図で上述した本
発明による半導体し〜ザ装置と同様の構成を有するので
、詳細説明は省略するが、第１図〜第４図で上述した本
発明による半導体レーザ装置と同様の作用効果が得られ
る。 なお、上述においては、本発明による半導体レーザ装置
の２つの実施例を示したに過ぎず、本発明の精神を脱す
ることなしに、種々の変型、変更をなし得るであろう。
第１図は、本発明による半導体レーザ装置の原理的な第
１の実施例を示す路線的平面図であ一■線及び■−ＩＶ
線上の路線的断面図である。 第５図は、本発明による半導体レーザ装置の説明に供す
る、反射形光回路部のリッジ形導波路部の長さに対する
レーザ光の周波数帯域幅との関係を示す図である。 第６図は、本発明による半導体レーザ装置の説明に供す
る、反射形光回路部から半導体レーザ部に入射する光の
波長レスポンス特性を示す図である。 第７図は、本発明による半導体レーザ装置の第２の実施
例を示す路線的断面図である。 １０・・・・・・・・・積層体 １１・・・・・・・・・基板 １２・・・・・・・・・クラッド層 １３・・・・・・・・・活性層 １４・・・・・・・・・クラッド層 １５・・・・・・・・・電極 １６・・・・・・・・・反射膜 ２１・・・・・・・・・リッジ形導波路部２２・・・・
・・・・・リッジ形回折格子部３１・・・・・・・・・
基板 ３２・・・・・・・・・クラッド層としてのガラス層３
３・・・・・・・・・コア層としてのガラス層３４・・
・・・・・・・クラッド層としてのガラス層３５・・・
・・・・・・回折格子 ３６・・・・・・・・・無反射膜 出願人 日本電信電話株式会社 第３図 第４Ｗ 第６図 し ±。 支 −−３，５Ａ 帯壇悔
１の実施例を示す路線的平面図であ一■線及び■−ＩＶ
線上の路線的断面図である。 第５図は、本発明による半導体レーザ装置の説明に供す
る、反射形光回路部のリッジ形導波路部の長さに対する
レーザ光の周波数帯域幅との関係を示す図である。 第６図は、本発明による半導体レーザ装置の説明に供す
る、反射形光回路部から半導体レーザ部に入射する光の
波長レスポンス特性を示す図である。 第７図は、本発明による半導体レーザ装置の第２の実施
例を示す路線的断面図である。 １０・・・・・・・・・積層体 １１・・・・・・・・・基板 １２・・・・・・・・・クラッド層 １３・・・・・・・・・活性層 １４・・・・・・・・・クラッド層 １５・・・・・・・・・電極 １６・・・・・・・・・反射膜 ２１・・・・・・・・・リッジ形導波路部２２・・・・
・・・・・リッジ形回折格子部３１・・・・・・・・・
基板 ３２・・・・・・・・・クラッド層としてのガラス層３
３・・・・・・・・・コア層としてのガラス層３４・・
・・・・・・・クラッド層としてのガラス層３５・・・
・・・・・・回折格子 ３６・・・・・・・・・無反射膜 出願人 日本電信電話株式会社 第３図 第４Ｗ 第６図 し ±。 支 −−３，５Ａ 帯壇悔
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体レーザ部と、それに対する反射形光回路部とを有
する半導体レーザ装置において、上記反射形光回路部が
、上記半導体レーザ部と連接しているリッジ形導波路部
と、該リッジ形導波路部と上記半導体レーザ部側とは反
対側において一体に連結しているリッジ形回折格子部と
を有し、 上記リッジ形導波路部及びリッジ形回折格子部がガラス
層を用いて構成されていることを特徴とする半導体レー
ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2620888A JPH01201983A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2620888A JPH01201983A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201983A true JPH01201983A (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12187032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2620888A Pending JPH01201983A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01201983A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015115457A (ja) * | 2013-12-11 | 2015-06-22 | 日本碍子株式会社 | 外部共振器型発光装置 |
| US9331454B2 (en) | 2013-11-27 | 2016-05-03 | Ngk Insulators, Ltd. | External resonator type light emitting system |
| JP5936771B2 (ja) * | 2013-11-27 | 2016-06-22 | 日本碍子株式会社 | 外部共振器型発光装置 |
| WO2016152730A1 (ja) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | 日本碍子株式会社 | 外部共振器型発光装置 |
| US9627853B2 (en) | 2013-06-07 | 2017-04-18 | Ngk Insulators, Ltd. | External resonator-type light emitting device |
| JPWO2015190348A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2017-04-20 | 日本碍子株式会社 | 光学デバイスおよび光学デバイスの製造方法 |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP2620888A patent/JPH01201983A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9627853B2 (en) | 2013-06-07 | 2017-04-18 | Ngk Insulators, Ltd. | External resonator-type light emitting device |
| US9331454B2 (en) | 2013-11-27 | 2016-05-03 | Ngk Insulators, Ltd. | External resonator type light emitting system |
| JP5936771B2 (ja) * | 2013-11-27 | 2016-06-22 | 日本碍子株式会社 | 外部共振器型発光装置 |
| US10063034B2 (en) | 2013-11-27 | 2018-08-28 | Ngk Insulators, Ltd. | External resonator-type light emitting device |
| JP2015115457A (ja) * | 2013-12-11 | 2015-06-22 | 日本碍子株式会社 | 外部共振器型発光装置 |
| JPWO2015190348A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2017-04-20 | 日本碍子株式会社 | 光学デバイスおよび光学デバイスの製造方法 |
| WO2016152730A1 (ja) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | 日本碍子株式会社 | 外部共振器型発光装置 |
| JPWO2016152730A1 (ja) * | 2015-03-20 | 2018-01-11 | 日本碍子株式会社 | 外部共振器型発光装置 |
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