JPH0720359A - 光デバイス - Google Patents
光デバイスInfo
- Publication number
- JPH0720359A JPH0720359A JP16355193A JP16355193A JPH0720359A JP H0720359 A JPH0720359 A JP H0720359A JP 16355193 A JP16355193 A JP 16355193A JP 16355193 A JP16355193 A JP 16355193A JP H0720359 A JPH0720359 A JP H0720359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- optical waveguide
- face
- waveguide
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、光が出射または入射される端面を
有する光導波路とその光導波路に光学的に連結された光
回路素子とを有する光デバイスに関し、光導波路の端面
の反射による動作特性の変動分を十分に抑圧することを
目的とする。 【構成】 端面において光軸を傾斜させ、かつ漸次断面
積を拡大または縮小させて基板上に形成された光導波路
と、光導波路に光学的に結合した光回路素子とを備えて
構成される。
有する光導波路とその光導波路に光学的に連結された光
回路素子とを有する光デバイスに関し、光導波路の端面
の反射による動作特性の変動分を十分に抑圧することを
目的とする。 【構成】 端面において光軸を傾斜させ、かつ漸次断面
積を拡大または縮小させて基板上に形成された光導波路
と、光導波路に光学的に結合した光回路素子とを備えて
構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光が出射または入射さ
れる端面を有する光導波路とその光導波路に光学的に連
結された光回路素子とを有する光デバイスに関する。
れる端面を有する光導波路とその光導波路に光学的に連
結された光回路素子とを有する光デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】単一基板上に光導波路を形成し、その光
導波路を介して種々の光回路素子を結合・配置して構成
される光集積回路は、小型軽量化に応じて振動やたわみ
等の機械的な外乱による光学的な不安定性が抑圧されて
動作特性が改善され、さらに量産性および経済性が高め
られるために、近年、多く用いられつつある。特に、光
導波路型変調器は、光導波路に光ビームを閉じ込めて伝
送することにより変調所要電力が小さくて小型であり、
かつ広帯域の特性を有して同一基板上における他の素子
との結合・集積化に敵した構造を有するために、半導体
レーザと組み合わせてモノリシックＩＣ化した光デバイ
スに多く用いられている。
導波路を介して種々の光回路素子を結合・配置して構成
される光集積回路は、小型軽量化に応じて振動やたわみ
等の機械的な外乱による光学的な不安定性が抑圧されて
動作特性が改善され、さらに量産性および経済性が高め
られるために、近年、多く用いられつつある。特に、光
導波路型変調器は、光導波路に光ビームを閉じ込めて伝
送することにより変調所要電力が小さくて小型であり、
かつ広帯域の特性を有して同一基板上における他の素子
との結合・集積化に敵した構造を有するために、半導体
レーザと組み合わせてモノリシックＩＣ化した光デバイ
スに多く用いられている。
【０００３】図５は、従来の光デバイスの構成例を示す
図である。図において、クラッド層５１とその下に配置
されてクラッドとなる半導体基板（図示されない。）と
の間には、光導波路５２が形成され、その光導波路に沿
ってＤＦＢ半導体レーザ５３と外部光変調器５４とが配
置される。外部光変調器５４の出射口に対応した光導波
路５２の端部は、上述した半導体基板およびクラッド層
５１のへき開面に沿って平板状に形成された反射防止膜
５５を介して外部に光学的に結合される。ＤＦＢ半導体
レーザ５３は光導波路５２に沿って形成された電極５６
を有し、外部光変調器５４は同様に光導波路５２に沿っ
て形成された電極５７を有する。
図である。図において、クラッド層５１とその下に配置
されてクラッドとなる半導体基板（図示されない。）と
の間には、光導波路５２が形成され、その光導波路に沿
ってＤＦＢ半導体レーザ５３と外部光変調器５４とが配
置される。外部光変調器５４の出射口に対応した光導波
路５２の端部は、上述した半導体基板およびクラッド層
５１のへき開面に沿って平板状に形成された反射防止膜
５５を介して外部に光学的に結合される。ＤＦＢ半導体
レーザ５３は光導波路５２に沿って形成された電極５６
を有し、外部光変調器５４は同様に光導波路５２に沿っ
て形成された電極５７を有する。
【０００４】このような構成の光デバイスでは、ＤＦＢ
半導体レーザ５３は、電極５６に与えられる所定の電気
信号に応じてレーザ光を出射する。このようなレーザ光
は、光導波路５２を介して外部光変調器５４に導かれ、
その光導波路内を伝搬する間に電極５７に与えられる変
調信号に応じて変調されて反射防止膜５５を介して出射
される。
半導体レーザ５３は、電極５６に与えられる所定の電気
信号に応じてレーザ光を出射する。このようなレーザ光
は、光導波路５２を介して外部光変調器５４に導かれ、
その光導波路内を伝搬する間に電極５７に与えられる変
調信号に応じて変調されて反射防止膜５５を介して出射
される。
【０００５】また、反射防止膜５５は、コーティング等
によりその両面に個別に薄膜を形成し、これらの薄膜面
からの反射光の光路差を上述したレーザ光の半波長に予
め設定することにより、その光路差によって外部光変調
器５４側への反射光の一部を抑圧する。したがって、反
射防止膜５５は、ＤＦＢ半導体レーザ５３に対する反射
光の入射を抑え、外部光変調器５４の変調深度に応じた
その反射光の強度および位相の変動分に対して、ＤＦＢ
半導体レーザ５３の発振周波数およびレーザ光の出射強
度の安定化をはかる。
によりその両面に個別に薄膜を形成し、これらの薄膜面
からの反射光の光路差を上述したレーザ光の半波長に予
め設定することにより、その光路差によって外部光変調
器５４側への反射光の一部を抑圧する。したがって、反
射防止膜５５は、ＤＦＢ半導体レーザ５３に対する反射
光の入射を抑え、外部光変調器５４の変調深度に応じた
その反射光の強度および位相の変動分に対して、ＤＦＢ
半導体レーザ５３の発振周波数およびレーザ光の出射強
度の安定化をはかる。
【０００６】さらに、このような反射光の抑圧は、コヒ
ーレント光伝送を行う通信システムでは、送信端におい
て伝送情報に応じて光信号の周波数、位相および振幅が
変調され、さらに、受信端においてこのような光信号と
局部発振された光信号とをミキシングした後に復調処理
が行われるために、特に、十分に行われなければならな
かった。
ーレント光伝送を行う通信システムでは、送信端におい
て伝送情報に応じて光信号の周波数、位相および振幅が
変調され、さらに、受信端においてこのような光信号と
局部発振された光信号とをミキシングした後に復調処理
が行われるために、特に、十分に行われなければならな
かった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
従来の光デバイスでは、光導波路５２のスポットサイズ
が約１μｍと小さいために、上述した光路差を精度よく
得るためには高い製造技術が要求され、かつこのような
光路差が実現されても回折効果によって反射光の抑圧特
性が劣化するために、実際に所望の特性を有する反射防
止膜を得ることは極めて難しく、ＤＦＢ半導体レーザ５
３の動作特性の安定性を高く保つことができなかった。
従来の光デバイスでは、光導波路５２のスポットサイズ
が約１μｍと小さいために、上述した光路差を精度よく
得るためには高い製造技術が要求され、かつこのような
光路差が実現されても回折効果によって反射光の抑圧特
性が劣化するために、実際に所望の特性を有する反射防
止膜を得ることは極めて難しく、ＤＦＢ半導体レーザ５
３の動作特性の安定性を高く保つことができなかった。
【０００８】本発明は、光導波路の端面の反射による動
作特性の変動分を十分に抑圧できる光デバイスを提供す
ることを目的とする。
作特性の変動分を十分に抑圧できる光デバイスを提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、端面において
光軸を傾斜させ、かつ漸次断面積を拡大または縮小させ
て基板上に形成された光導波路と、光導波路に光学的に
結合した光回路素子とを備えたことを特徴とする。
光軸を傾斜させ、かつ漸次断面積を拡大または縮小させ
て基板上に形成された光導波路と、光導波路に光学的に
結合した光回路素子とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明にかかわる光デバイスでは、光回路素子
から出射され、あるいはその光回路素子を通過して光導
波路に導かれた光の一部は、その光導波路の端面で反射
されて再び光導波路内を逆方向に進む。しかし、このよ
うにして反射された光は上述した端面における光導波路
の光軸の傾斜角が大きいほど入射角が増加して導波され
難くなり、かつ光導波路はその端面におけるスポットサ
イズが大きいほど大きな回折角の反射光が導波し難くな
る特性を有する。
から出射され、あるいはその光回路素子を通過して光導
波路に導かれた光の一部は、その光導波路の端面で反射
されて再び光導波路内を逆方向に進む。しかし、このよ
うにして反射された光は上述した端面における光導波路
の光軸の傾斜角が大きいほど入射角が増加して導波され
難くなり、かつ光導波路はその端面におけるスポットサ
イズが大きいほど大きな回折角の反射光が導波し難くな
る特性を有する。
【００１１】本発明では、このような特性に基づいて端
面からの距離に応じて漸次断面積を拡大または縮小さ
せ、かつ端面に対して光軸を傾斜させて光導波路を形成
することにより、端面におけるスポットサイズと上述し
た傾斜角とを設定し、これらの値の組合せに応じて所望
の反射減衰量を得る。
面からの距離に応じて漸次断面積を拡大または縮小さ
せ、かつ端面に対して光軸を傾斜させて光導波路を形成
することにより、端面におけるスポットサイズと上述し
た傾斜角とを設定し、これらの値の組合せに応じて所望
の反射減衰量を得る。
【００１２】したがって、本発明を適用した光回路素子
では、上述した反射により光導波路を介して再入射され
る光の強度が抑圧されるので、その光に起因して生じる
特性の劣化や変動が軽減される。
では、上述した反射により光導波路を介して再入射され
る光の強度が抑圧されるので、その光に起因して生じる
特性の劣化や変動が軽減される。
【００１３】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例につい
て詳細に説明する。図１は、本発明の第一の実施例を示
す図である。
て詳細に説明する。図１は、本発明の第一の実施例を示
す図である。
【００１４】図において、(a) は図５と同様に光導波路
の光軸に沿った水平方向の断面図（以下、「上面図」と
いう。）であり、(b) はその光軸にそった垂直方向の断
面図である。なお、図５に示すものと構成が同じものに
ついては、同じ参照番号を付与して示し、ここではその
説明を省略する。
の光軸に沿った水平方向の断面図（以下、「上面図」と
いう。）であり、(b) はその光軸にそった垂直方向の断
面図である。なお、図５に示すものと構成が同じものに
ついては、同じ参照番号を付与して示し、ここではその
説明を省略する。
【００１５】本発明の特徴とする構成は、本実施例で
は、反射防止膜５５が有する平面に対して光軸を所定の
角度θ傾斜させ、かつ外部光変調器５４の領域から出射
端面に近づくにしたがってコアの断面積を直線的に減少
させてテーパ状に形成された光導波路１１が、従来の光
導波路５２に代えて設けられた点にある。また、参照番
号「１２」は、クラッド層５１と共に導波路１１を形成
する半導体基板を示す。
は、反射防止膜５５が有する平面に対して光軸を所定の
角度θ傾斜させ、かつ外部光変調器５４の領域から出射
端面に近づくにしたがってコアの断面積を直線的に減少
させてテーパ状に形成された光導波路１１が、従来の光
導波路５２に代えて設けられた点にある。また、参照番
号「１２」は、クラッド層５１と共に導波路１１を形成
する半導体基板を示す。
【００１６】なお、本実施例と請求項１に記載の発明と
の対応関係については、光導波路１１は光導波路に対応
し、ＤＦＢ半導体レーザ５３および外部光変調器５４は
光回路素子に対応する。
の対応関係については、光導波路１１は光導波路に対応
し、ＤＦＢ半導体レーザ５３および外部光変調器５４は
光回路素子に対応する。
【００１７】図２は、本実施例の動作原理を説明する図
である。以下、図１および図２を参照して本実施例の動
作を説明する。上述したようにテーパー状に成形された
光導波路１１の領域では、出射端面（反射防止膜５５）
に近づくほどスポットサイズの値が連続的に拡大され
る。光導波路１１内では、一般に、スポットサイズが大
きいほど回折角が小さな光が導波し易くなる。さらに、
光導波路１１の出射端面に発生する反射光は、上述した
角度θが大きく設定されるほど、入射角が増加するため
に光導波路１１内を導波し難くなる。
である。以下、図１および図２を参照して本実施例の動
作を説明する。上述したようにテーパー状に成形された
光導波路１１の領域では、出射端面（反射防止膜５５）
に近づくほどスポットサイズの値が連続的に拡大され
る。光導波路１１内では、一般に、スポットサイズが大
きいほど回折角が小さな光が導波し易くなる。さらに、
光導波路１１の出射端面に発生する反射光は、上述した
角度θが大きく設定されるほど、入射角が増加するため
に光導波路１１内を導波し難くなる。
【００１８】したがって、角度θが０度であるときの出
射端面におけるフレネル反射量を基準とした反射光の相
対レベルで定義される反射減衰量ＲL は、上述した２つ
の特性の理論的な解析結果に基づく近似計算によると、
上述した図２〜に示すように、出射端面のスポット
サイズＷの値が大きいほど増加し、かつ角度θに対する
変化率も増加する。
射端面におけるフレネル反射量を基準とした反射光の相
対レベルで定義される反射減衰量ＲL は、上述した２つ
の特性の理論的な解析結果に基づく近似計算によると、
上述した図２〜に示すように、出射端面のスポット
サイズＷの値が大きいほど増加し、かつ角度θに対する
変化率も増加する。
【００１９】したがって、本実施例では、スポットサイ
ズＷを約５μｍに設定し、かつ角度θを１０度に設定す
ることにより、図２に点線で示すようにＤＦＢ半導体レ
ーザ５３の固有の特性に応じて許容され得る反射減衰量
α（＞５０dB）を達成し、ＤＦＢ半導体レーザ５３の発
振周波数およびレーザ光の出射強度を安定化する。
ズＷを約５μｍに設定し、かつ角度θを１０度に設定す
ることにより、図２に点線で示すようにＤＦＢ半導体レ
ーザ５３の固有の特性に応じて許容され得る反射減衰量
α（＞５０dB）を達成し、ＤＦＢ半導体レーザ５３の発
振周波数およびレーザ光の出射強度を安定化する。
【００２０】なお、本実施例では、「テーパ状の光導波
路を用いたスポットサイズの変換方法」については、詳
述されていないが、本発明は、例えば、ＩＥＥＥ(Photo
nicsTechnology Letters,Vol.5,no.3,pp.345-347.199
3.) の論文に記載された種々の単一モード用テーパ導波
路構造の何れも適用可能であり、さらに、テーパ部の長
さを適正な値に設定することにより、放射損失を十分に
抑圧することも可能である。
路を用いたスポットサイズの変換方法」については、詳
述されていないが、本発明は、例えば、ＩＥＥＥ(Photo
nicsTechnology Letters,Vol.5,no.3,pp.345-347.199
3.) の論文に記載された種々の単一モード用テーパ導波
路構造の何れも適用可能であり、さらに、テーパ部の長
さを適正な値に設定することにより、放射損失を十分に
抑圧することも可能である。
【００２１】図３は、本発明の第二の実施例を示す図で
ある。本図は図５(a) に対応した上面図を示し、図にお
いて、図５に示すものと構成が同じものについては、同
じ参照番号を付与して示し、ここではその説明を省略す
る。
ある。本図は図５(a) に対応した上面図を示し、図にお
いて、図５に示すものと構成が同じものについては、同
じ参照番号を付与して示し、ここではその説明を省略す
る。
【００２２】本実施例と図１に示す実施例との構成上の
相違点は、出射端面に反射防止膜５５を配置せず、かつ
ＤＦＢ半導体レーザ５３に対応した領域では図５に示す
従来例と同様に出射端面に垂直に形成され、さらに、外
部光変調器５４に対応した領域で曲がり導波路や全反射
鏡を用いた曲がり導波路により出射端面に傾斜させて形
成されたテーパ状の光導波路３１が、光導波路１１に代
えて設けられた点にある。
相違点は、出射端面に反射防止膜５５を配置せず、かつ
ＤＦＢ半導体レーザ５３に対応した領域では図５に示す
従来例と同様に出射端面に垂直に形成され、さらに、外
部光変調器５４に対応した領域で曲がり導波路や全反射
鏡を用いた曲がり導波路により出射端面に傾斜させて形
成されたテーパ状の光導波路３１が、光導波路１１に代
えて設けられた点にある。
【００２３】なお、本実施例と請求項１に記載の発明と
の対応関係については、光導波路３１は光導波路に対応
し、ＤＦＢ半導体レーザ５３および外部光変調器５４は
光回路素子に対応する。
の対応関係については、光導波路３１は光導波路に対応
し、ＤＦＢ半導体レーザ５３および外部光変調器５４は
光回路素子に対応する。
【００２４】このような構成の光デバイスでは、光導波
路３１の光軸は、ＤＦＢ半導体レーザ５３に対応した領
域で従来例および図１に示す実施例と同様にして半導体
基板の結晶に対してミラー指数[１１０]の面の方向に形
成され、さらに、外部光変調器５４に対応した領域で、
ミラー指数[−１１０]で示されるへき開面に形成された
出射端面の方向に調整される。
路３１の光軸は、ＤＦＢ半導体レーザ５３に対応した領
域で従来例および図１に示す実施例と同様にして半導体
基板の結晶に対してミラー指数[１１０]の面の方向に形
成され、さらに、外部光変調器５４に対応した領域で、
ミラー指数[−１１０]で示されるへき開面に形成された
出射端面の方向に調整される。
【００２５】すなわち、ＤＦＢ半導体レーザ５３に対応
した光導波路３１の領域が出射端面に対して傾斜させず
に形成され、かつその光導波路３１が所望のへき開面に
形成される出射端面にテーパ状の導波路を介して導かれ
るので、ＤＦＢ半導体レーザ５３の特性を保ちつつ、図
１に示す実施例と同様にして、反射減衰量ＲL が大きな
値に設定され、ＤＦＢ半導体レーザ５３の発振周波数お
よびレーザ光の出射強度が安定化される。
した光導波路３１の領域が出射端面に対して傾斜させず
に形成され、かつその光導波路３１が所望のへき開面に
形成される出射端面にテーパ状の導波路を介して導かれ
るので、ＤＦＢ半導体レーザ５３の特性を保ちつつ、図
１に示す実施例と同様にして、反射減衰量ＲL が大きな
値に設定され、ＤＦＢ半導体レーザ５３の発振周波数お
よびレーザ光の出射強度が安定化される。
【００２６】図４は、本発明の第三の実施例を示す図で
ある。図において、図５に示すものと構成が同じものに
ついては、同じ参照番号を付与して示し、ここではその
説明を省略する。
ある。図において、図５に示すものと構成が同じものに
ついては、同じ参照番号を付与して示し、ここではその
説明を省略する。
【００２７】本実施例の特徴とする構成は、ＤＦＢ半導
体レーザ５３に対応した領域に出射端側をテーパ状にし
て形成されて、かつ直線状の光軸を有する光導波路４１
1 と、外部光変調器５４に対応した領域に形成されて入
射端と出射端とが共にテーパ状に成形され、かつ直線状
の光軸を有する光導波路４１2 と、光導波路４１1 、４
１2 間の結合部に、これらの光導波路の光軸に対して上
述した角度θ傾斜させて物理的化学的エッチングあるい
は機械的加工によって形成された溝４２1 と、光導波路
４１2 の出射端にその光導波路の光軸に対して角度θ傾
斜させて同様にして形成された溝４２2 とを備えた点に
ある。
体レーザ５３に対応した領域に出射端側をテーパ状にし
て形成されて、かつ直線状の光軸を有する光導波路４１
1 と、外部光変調器５４に対応した領域に形成されて入
射端と出射端とが共にテーパ状に成形され、かつ直線状
の光軸を有する光導波路４１2 と、光導波路４１1 、４
１2 間の結合部に、これらの光導波路の光軸に対して上
述した角度θ傾斜させて物理的化学的エッチングあるい
は機械的加工によって形成された溝４２1 と、光導波路
４１2 の出射端にその光導波路の光軸に対して角度θ傾
斜させて同様にして形成された溝４２2 とを備えた点に
ある。
【００２８】なお、光導波路４１1 の出射端と光導波路
４１2 の入射端および出射端とにおけるスポットサイズ
については、簡単のため、図１に示す実施例と同様の値
（＝５μｍ）に設定され、かつ角度θについても同様に
して１０度に設定されるものとする。
４１2 の入射端および出射端とにおけるスポットサイズ
については、簡単のため、図１に示す実施例と同様の値
（＝５μｍ）に設定され、かつ角度θについても同様に
して１０度に設定されるものとする。
【００２９】また、本実施例と請求項１に記載の発明と
の対応関係については、光導波路４１1 および溝４２
1(光導波路４１2 および溝４２2)は光導波路に対応し、
ＤＦＢ半導体レーザ５３（外部光変調器５４）は光回路
素子に対応する。
の対応関係については、光導波路４１1 および溝４２
1(光導波路４１2 および溝４２2)は光導波路に対応し、
ＤＦＢ半導体レーザ５３（外部光変調器５４）は光回路
素子に対応する。
【００３０】このような構成の光デバイスでは、光導波
路４１1 、４１2 は、双方の光軸がクラッド層５１上で
平行となり、かつそれぞれ溝４２1 に対して、その溝の
幅と上述した角度θとに応じて光学的に連結されるよう
に配置される。したがって、溝４２1 では、反射による
損失を抑圧して光導波路４１1 、４１2 間の効率的な光
結合が行われる。
路４１1 、４１2 は、双方の光軸がクラッド層５１上で
平行となり、かつそれぞれ溝４２1 に対して、その溝の
幅と上述した角度θとに応じて光学的に連結されるよう
に配置される。したがって、溝４２1 では、反射による
損失を抑圧して光導波路４１1 、４１2 間の効率的な光
結合が行われる。
【００３１】また、溝４２2 は、光導波路４１2 の出射
端において、光軸に対して角度θ傾斜した平面を有して
図１に記載の実施例と同様の出射端面を形成する。した
がって、光導波路４１1 、４１2 は、半導体基板１２上
に従来例とほぼ同じ配置関係で形成され、かつ上述した
各実施例と同様にしてテーパ状の導波路を介して出射端
面に導かれるので、ＤＦＢ半導体レーザ５３および外部
光変調器の特性を従来例と同様に保ちつつ、反射減衰量
ＲL が大きな値に設定されてＤＦＢ半導体レーザ５３の
発振周波数およびレーザ光の出射強度が安定化される。
端において、光軸に対して角度θ傾斜した平面を有して
図１に記載の実施例と同様の出射端面を形成する。した
がって、光導波路４１1 、４１2 は、半導体基板１２上
に従来例とほぼ同じ配置関係で形成され、かつ上述した
各実施例と同様にしてテーパ状の導波路を介して出射端
面に導かれるので、ＤＦＢ半導体レーザ５３および外部
光変調器の特性を従来例と同様に保ちつつ、反射減衰量
ＲL が大きな値に設定されてＤＦＢ半導体レーザ５３の
発振周波数およびレーザ光の出射強度が安定化される。
【００３２】なお、上述した各実施例では、ＤＦＢ半導
体レーザ５３と外部光変調器５４とを単一基板上に結合
・配置してなるモノリシック型の光集積回路について示
したが、本発明は、このような光集積回路に限定され
ず、個々の光回路素子について、入射端面、出射端面お
よび段間の結合部の何れかに光導波路を用いたものであ
れば、その光回路素子の種類および組合せの如何にかか
わらず適用可能である。
体レーザ５３と外部光変調器５４とを単一基板上に結合
・配置してなるモノリシック型の光集積回路について示
したが、本発明は、このような光集積回路に限定され
ず、個々の光回路素子について、入射端面、出射端面お
よび段間の結合部の何れかに光導波路を用いたものであ
れば、その光回路素子の種類および組合せの如何にかか
わらず適用可能である。
【００３３】また、上述した各実施例では、矩形の断面
を有する光導波路を用いた光デバイスについて示した
が、本発明では、このような光導波路に限定されず、所
望の光が導波され、かつ端面に発生する反射波について
所望の反射減衰量が得られるならば、円形その他の如何
なる形状の断面を有する光導波路についても適用可能で
ある。
を有する光導波路を用いた光デバイスについて示した
が、本発明では、このような光導波路に限定されず、所
望の光が導波され、かつ端面に発生する反射波について
所望の反射減衰量が得られるならば、円形その他の如何
なる形状の断面を有する光導波路についても適用可能で
ある。
【００３４】さらに、上述した各実施例では、端面にお
けるスポットサイズを所望の値に設定するために、断面
積を直線的に変化させてテーパ状の光導波路を形成した
が、本発明では、このような断面積の変化の態様に限定
されず、光導波路内における光の導波特性を許容限度内
に保ちつつ所望の反射減衰量が得られるならば、非線型
に断面積を変化させて形成された光導波路を用いてもよ
い。
けるスポットサイズを所望の値に設定するために、断面
積を直線的に変化させてテーパ状の光導波路を形成した
が、本発明では、このような断面積の変化の態様に限定
されず、光導波路内における光の導波特性を許容限度内
に保ちつつ所望の反射減衰量が得られるならば、非線型
に断面積を変化させて形成された光導波路を用いてもよ
い。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、光回路
素子から出射されたりその素子を通過して光導波路に導
かれた光の内、その光導波路の端面で反射して光導波路
を介し光回路素子に再入射される光の強度が従来例に比
べて小さな値に抑圧される。したがって、本発明を適用
した光デバイスでは、上述したように光回路素子に再入
射される光に応じて生じる特性の劣化や変動が軽減さ
れ、その光回路素子の動作の安定性が高められて性能が
向上する。
素子から出射されたりその素子を通過して光導波路に導
かれた光の内、その光導波路の端面で反射して光導波路
を介し光回路素子に再入射される光の強度が従来例に比
べて小さな値に抑圧される。したがって、本発明を適用
した光デバイスでは、上述したように光回路素子に再入
射される光に応じて生じる特性の劣化や変動が軽減さ
れ、その光回路素子の動作の安定性が高められて性能が
向上する。
【図１】本発明の第一の実施例を示す図である。
【図２】本実施例の動作原理を説明する図である。
【図３】本発明の第二の実施例を示す図である。
【図４】本発明の第三の実施例を示す図である。
【図５】従来の光デバイスの構成例を示す図である。
１１，３１，４１，５２ 光導波路 １２ 半導体基板 ４２ 溝 ５１ クラッド層 ５３ ＤＦＢ半導体レーザ ５４ 外部光変調器 ５５ 反射防止膜 ５６，５７ 電極
Claims (1)
- 【請求項１】 端面において光軸を傾斜させ、かつ漸次
断面積を拡大または縮小させて基板上に形成された光導
波路と、 前記光導波路に光学的に結合した光回路素子とを備えた
ことを特徴とする光デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16355193A JPH0720359A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | 光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16355193A JPH0720359A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | 光デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0720359A true JPH0720359A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15776051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16355193A Pending JPH0720359A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | 光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720359A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002005398A1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-17 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Optical device and fabrication thereof |
| KR100433298B1 (ko) * | 1999-02-08 | 2004-05-27 | 삼성전자주식회사 | 스폿 사이즈 변환기가 집적된 반도체 광 증폭기의 제조 방법 |
| US7046880B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-05-16 | Fujitsu Limited | Optical coupling element and optical device |
| WO2007080891A1 (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Nec Corporation | 半導体レーザ、モジュール、及び、光送信機 |
| JP2008205409A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-04 | Anritsu Corp | 半導体レーザ，半導体レーザ・モジュールおよびラマン増幅器 |
| JP2010118517A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
| JP2011124445A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子及び半導体光素子の製造方法 |
| US9388854B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-07-12 | Ebara Corporation | Magnetic bearing apparatus and method for reducing vibration caused by magnetic bearing apparatus |
-
1993
- 1993-07-01 JP JP16355193A patent/JPH0720359A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100433298B1 (ko) * | 1999-02-08 | 2004-05-27 | 삼성전자주식회사 | 스폿 사이즈 변환기가 집적된 반도체 광 증폭기의 제조 방법 |
| WO2002005398A1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-17 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Optical device and fabrication thereof |
| US6914924B2 (en) | 2000-07-07 | 2005-07-05 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Optical device and fabrication thereof |
| US7046880B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-05-16 | Fujitsu Limited | Optical coupling element and optical device |
| WO2007080891A1 (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Nec Corporation | 半導体レーザ、モジュール、及び、光送信機 |
| US8457168B2 (en) | 2006-01-11 | 2013-06-04 | Nec Corporation | Semiconductor laser, module and optical transmitter |
| JP2008205409A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-04 | Anritsu Corp | 半導体レーザ，半導体レーザ・モジュールおよびラマン増幅器 |
| JP2010118517A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
| JP2011124445A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子及び半導体光素子の製造方法 |
| US9388854B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-07-12 | Ebara Corporation | Magnetic bearing apparatus and method for reducing vibration caused by magnetic bearing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5710847A (en) | Semiconductor optical functional device | |
| CN1147041C (zh) | 激光器 | |
| JP3070016B2 (ja) | 光導波路デバイス | |
| JPS60501829A (ja) | 結合変調器を有する半導体レ−ザ | |
| EP0325251A2 (en) | Laser light source for generating beam collimated in at least one direction | |
| US4831631A (en) | Laser transmitter comprising a semiconductor laser and an external resonator | |
| JPH0720359A (ja) | 光デバイス | |
| JP2001004877A (ja) | 光導波路、光モジュールおよび光システム | |
| JP2001111177A (ja) | 半導体光増幅装置及びその製造方法 | |
| US4905252A (en) | Ring laser cavities | |
| JPH10125989A (ja) | 光集積素子 | |
| JP2003043537A (ja) | 光導波路デバイス及びコヒーレント光源及び光学装置 | |
| JPS62285488A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS5861692A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH05175611A (ja) | 半導体光増幅器 | |
| JPS61296785A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JP2860666B2 (ja) | 光機能素子 | |
| US6563983B2 (en) | Laser diode module | |
| KR100360474B1 (ko) | 제2고조파발생장치 | |
| JP7100906B2 (ja) | 光共振器及び光変調器の作製方法 | |
| JPH03195076A (ja) | 外部共振器型波長可変半導体レーザ | |
| JP2701611B2 (ja) | 同一波長双方向送受信モジュール | |
| JPS6164182A (ja) | 光帰還型半導体レ−ザ装置 | |
| JPH11307874A (ja) | 光アイソレータ、分布帰還型レーザ及び光集積素子 | |
| JPH0414024A (ja) | ２次高調波発生デバイス |