JPH01196647A - 誤り訂正機能を有する記憶装置 - Google Patents

誤り訂正機能を有する記憶装置

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JPH01196647A
JPH01196647A JP63020193A JP2019388A JPH01196647A JP H01196647 A JPH01196647 A JP H01196647A JP 63020193 A JP63020193 A JP 63020193A JP 2019388 A JP2019388 A JP 2019388A JP H01196647 A JPH01196647 A JP H01196647A
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JP
Japan
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error
circuit
code
correction
information code
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JP63020193A
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Shuji Kaneuchi
金内 秀志
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
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  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Detection And Correction Of Errors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は誤り訂正機能を有する記憶装置に関し、特に誤
り訂正回路の小型化及び簡略化を図った誤り訂正機能を
有する記憶装置に関する。
[従来の技術] 誤り訂正機能を有する記憶装置は、書込動作時、情報符
号に誤り訂正符号(ECC)を付加した情報を記憶媒体
に記憶し、読み出し動作時にその記憶内容である情報符
号を誤り訂正符号で検査するものとなっている。そして
、1ビット誤り訂正及び2ビット誤り検出型の回路の場
゛合、もし1ビツトの誤りがあれば、その誤りを訂正し
、2ビツトの誤りがあればその検出を行うことができる
。この種の従来の誤り検出訂正機能を有する記憶装置は
、第3図に示すように、データ入力回路2、誤り検出訂
正符号発生部(ECCジェネレータ)3、記憶部4、読
み出し回路5、誤り検査部(ECCチエッカ)6、誤り
ビットを指摘するデコーダ7、及び誤り訂正回路8から
構成され、制御回路1の制御の下で書込み動作又は読み
出し動作が行われるものとなっている。
即ち、書込み動作時においては、ECCジェネレータ3
は、データ入力回路2を介して入力される例えば8ビツ
トの書込み情報から第4図(a )に示すようなハミン
グ符号のECC発生行列に従い誤り検出訂正符号として
例えば4ビツトのハミング符号を発生させる。このハミ
ング符号は、書込み情報と共に記憶部4の指定された記
憶領域に格納される。
一方、読み出し動作時には、読み出し回路5によって記
憶部4の指定された記憶領域から読出情報と上記ハミン
グ符号とを読み出す。ECCチエッカ6は、読出情報と
第4図(b)で示すようなECC検査行列とにより、シ
ンドローム(エラー符号)を発生させる。そして、この
シンドロームをデコーダ7で解読し、誤りビットを指摘
した後、もし1ビツトの誤りであれば誤り訂正回路8で
その誤り訂正する。
ところで、ECCジェネレータ3及びECCチエッカ6
は誤り訂正用パリティ発生マトリクスに従って構成され
たパリティ発生回路であり、デコーダ7は誤り訂正パリ
ティ発生マトリクスに従って誤り位置を解読する回路で
ある。また、誤り訂正回路8は各情報符号とそれに対応
するシンドローム解読回路出力との排他的論理和(EO
R)を出力する回路で構成される。
第5図は第3図の装置の誤り検出訂正動作を説明するた
めのハミング符号の一例を示す表である。
第5図においては、1バイト(8ビツト)の情報符号り
に4ビツトのハミング符号Cを付加する場合を示してい
る。ECCジェネレータ3はこれら8ビツトの情報符号
りの○の部分を5人力EORにより演算して1列1ビツ
ト計4ビツトのハミング符号Cを発生し、ECCチエッ
カ6は情報符号りとハミング符号Cの12ビツトからQ
印のビット位置を6人力EORにより演算してエラー符
号So乃至S3を求め、デコーダ7がこれを解読するこ
とにより、1ビット誤りの位置を検出する。
なお、第5図において、○印以外の位置は誤り検出・訂
正に関与しない部分である。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上述した従来の誤り訂正回路を有する記
憶装置は、記憶容量の増大に伴って使用回路の規模が増
大する。つまり、この種の記憶装置は、誤り訂正回路が
ない記憶装置に比してECCジェネレータ3、ECCチ
エッカ6、デコーダ7、誤り訂正回路8及び配線が必要
になる分だけ容量増大の影響が大きく現れ、コストの上
昇が避けられない状況であった。
更に、従来の回路では同様のマトリクス構成のECCジ
ェネレータ3とECCチエッカ6とに同程度の確率で配
線ミス又は論理設計ミスが発生する可能性があり、複雑
な論理ゲートを組む上での危険率が高くなるという欠点
を有する。例えばECCジェネレータ3の危険率がγ=
0.1の場合、ECCチエッカ6も同等のγ−0,1で
あり、全体の危険率はR=1−(1−γ)2=0.19
になり、略々倍増してしまう。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
回路構成の簡素化を図ることができ、且つ、配線ミス及
び設計ミスの確率を略半減することができる誤り訂正機
能を有する記憶装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明に係る誤り訂正機能を有する記憶装置は、記憶す
べき情報符号を入力する3状態出力のデータ入力回路と
、このデータ入力回路を介して入力された前記情報符号
に基づいて誤り検出訂正符号を発生する誤り検出訂正符
号発生部と、この誤り検出訂正符号発生部で発生した訂
正符号を前記入力された情報符号に付加して記憶する記
憶部と、この記憶部に記憶された前記情報符号と誤り検
出訂正符号を読み出す3状態出力の読み出し回路と、こ
の読み出し回路・により検出された情報符号を前記誤り
検出訂正符号によって検査する誤り検査部と、この誤り
検査部の出力に基づいて前記情報符号の誤りを訂正する
誤り訂正回路とを具備し、前記誤り検出訂正符号発生部
と前記誤り検査部の入力をワイヤードオアして両者を共
用すると共に、前記記憶部への情報符号の入力時には、
前記読み出し回路をハイインピーダンス、前記誤り検出
訂正符号発生回路の使用しない入力端子をロウレベルに
制御し、前記記憶部からの情報符号の読み出し時には、
前記データ入力回路をハイインピーダンスに制御する手
段を具備したことを特徴とする。
[作用コ 本発明によれば、誤り訂正符号発生部と誤り検査部とを
、入力をワイヤードオアすることにより共用している。
即ち、誤り訂正符号発生部も誤り検査部もその回路構成
を殆ど同じ構成とすることができ、しかも両者は同時に
は使用されないので、共用化することが可能である。そ
して、このような共用化を図ることによって回路構成が
簡単になるだけでなく、ミスの発生を半減させることが
できる。
[実施例] 次に本発明の実施例について添付の図面を参照して説明
する。第1図は本発明の実施例に係る記憶装置の構成図
である。第1図において第3図と同一物には同一符号を
付し、詳しい説明を省略する。
本記憶装置が従来の装置と異なる主要な点は誤り検出訂
正符号発生部と誤り検査部とを共用したECCジェネレ
ータチエッカ9を設けた点にある。
このECCジェネレータチエッカ9は第2図に示すよう
な4つの6人力EORII、12.13゜14によって
構成される。この6人力EOR11乃至14のうち、書
込み時に不要な入力端子は、プルダウントランジスタ1
0によりロウに設定される。
次に、先ずデータ書込み時の動作について説明する。W
E、CE、ORの組合せが書込み条件を満たしたときに
、制御回路1はデータ入力回路の出力をそれまでのハイ
インピーダンス状態から能動状態にし、1バイト8ビツ
トのデータを記憶部4とECCジェネレータチエッカ9
に供給する。
ECCジェネレータチエッカ9の入力のうちハミング符
号ビットの部分はプルダウントランジスタ10によりロ
ウに固定される。従って、ECCジェネレータチエッカ
9は第4図のハミング符号のECC発生行列の回路と同
じ5人力EOR4個分と同等の働きをする。ECCジェ
ネレータチエッカ9の入力は、また読み出し回路5の出
力に接続しているが、制御回路1の制御により読み出し
回路5の出力はハイインピーダンスとなるなめ、何ら影
響を与えない。ECCジェネレータチエッカ9の出力は
記憶部4とデコーダ7の入力となる。
制御回路1の制御により記憶部4は能動状態となり、正
常な書込みを遂行するが、デコーダ7は逆に非動作状態
に設定され、正常な動作は行われず、回路は初期状悪を
保つ。
次に、データ読み出し時について説明する。制御回路1
の制御によりデータ入力回路2及びプルダウントランジ
スタ10は非動作状態になる。読み出し回路5が能動状
態になり、出力12ビツトのうち情報符号の8ビツトは
誤り訂正回路入力になり、−力出力12ビットは全てE
CCジェネレータチエッカ9の入力となる。制御回路1
の制御により、ECCジェネレータチエッカ9は4ビツ
トのシンドローム(エラー符号)を発生し、このシンド
ロームはデコーダ7の入力となる。デコーダ7は4ビツ
トのシンドロームから誤り情報符号ビットをデコードし
、誤り訂正回路8に信号を送る。誤り訂正回路8はデコ
ーダ7の指示情報符号ビットを反転させる働きをして一
連の誤り訂正作業が完了する。
なお、本実施例では、1バイト8ビツトを情報符号ビッ
トとした場合について述べたが、これに限定されること
なく、ECCジェネレータチエッカ9の一部改良により
、1バイト8ビツト以外の、例えば、4ビツト、16又
は32ビツト等への拡張は容易に可能である。
また、上記実施例は1ビット誤り訂正及び2ビット誤り
検出型の場合のものであるが、他の型の誤り訂正方式、
例えば、1ビツト及び2ビット誤り検出型又は1ビツト
及び2ビット誤り訂正型の場合にも本発明を適用するこ
とができることは勿論である。
また、上記実施例ではハミング符号として第4図のEC
C発生行列及びECC検査行列を用いた場合を示してい
るが、他のハミング符号でも同様に適用することができ
る。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、誤り訂正回路にお
いて共通回路部分である誤り検出訂正符号発生部と読出
された情報の誤り検査部を共用することにより、誤り訂
正回路のゲート数が減少し、従って紙庫な記憶装置を得
ることができる。また、共通回路部分を抽出することに
より、回路テストパターンの減少及びテスト時間の短縮
が実現されると共に、回路設計の危険率も低くなるとい
う効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係る記憶装置の構成図、第2
図は同装置におけるECCジェネレータチエッカの詳細
回路図、第3図は従来の記憶装置の構成図、第4図(a
)、(b)は誤り訂正に用いるハミング符号を示す図、
第5図はECC動作の説明をするための図である。 1;制御回路、2;データ入力回路、3.ECCジェネ
レータ、4:記憶部、5:読み出し回路、6 : EC
Cチェヅカ、7;デコーダ、8;誤り訂正回路、9:E
CCジェネレータチエッカ、10;プルダウントランジ
スタ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)記憶すべき情報符号を入力する3状態出力のデー
    タ入力回路と、このデータ入力回路を介して入力された
    前記情報符号に基づいて誤り検出訂正符号を発生する誤
    り検出訂正符号発生部と、この誤り検出訂正符号発生部
    で発生した訂正符号を前記入力された情報符号に付加し
    て記憶する記憶部と、この記憶部に記憶された前記情報
    符号と誤り検出訂正符号を読み出す3状態出力の読み出
    し回路と、この読み出し回路により検出された情報符号
    を前記誤り検出訂正符号によつて検査する誤り検査部と
    、この誤り検査部の出力に基づいて前記情報符号の誤り
    を訂正する誤り訂正回路とを具備し、前記誤り検出訂正
    符号発生部と前記誤り検査部の入力をワイヤードオアし
    て両者を共用すると共に、前記記憶部への情報符号の入
    力時には、前記読み出し回路をハイインピーダンス、前
    記誤り検出訂正符号発生回路の使用しない入力端子をロ
    ウレベルに制御し、前記記憶部からの情報符号の読み出
    し時には、前記データ入力回路をハイインピーダンスに
    制御する手段を具備したことを特徴とする誤り訂正機能
    を有する記憶装置。
JP63020193A 1988-01-31 1988-01-31 誤り訂正機能を有する記憶装置 Pending JPH01196647A (ja)

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