JPH01196143A - 多層配線構造 - Google Patents
多層配線構造Info
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- JPH01196143A JPH01196143A JP2155988A JP2155988A JPH01196143A JP H01196143 A JPH01196143 A JP H01196143A JP 2155988 A JP2155988 A JP 2155988A JP 2155988 A JP2155988 A JP 2155988A JP H01196143 A JPH01196143 A JP H01196143A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路装置におけるＡβ多層配線構造に関す
る。
る。
従来、集積回路装置におけるＡρ多多肥配線構造、第２
図に示す如き構造をとっていた。すなわち、半導体基板
１１の表面にＳ １０ を膜１２等の絶縁膜を形成後、
該絶縁膜に基板との接続を取るためのコンタクト穴を形
成後、蒸着とフォトエツチングによりアルミ配線１５を
形成し、層間絶縁膜としての５ｉｓＮａ膜１７等を形成
後、該層間絶縁膜にコンタクト穴を形成して、アルミ配
線（２）１９を蒸着とフォトエツチングにより形成する
のが通例であった。
図に示す如き構造をとっていた。すなわち、半導体基板
１１の表面にＳ １０ を膜１２等の絶縁膜を形成後、
該絶縁膜に基板との接続を取るためのコンタクト穴を形
成後、蒸着とフォトエツチングによりアルミ配線１５を
形成し、層間絶縁膜としての５ｉｓＮａ膜１７等を形成
後、該層間絶縁膜にコンタクト穴を形成して、アルミ配
線（２）１９を蒸着とフォトエツチングにより形成する
のが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、コンタクト穴部でＡρ
段切によるＡρ断線が生じ易いという問題点があると共
に、コンタクト穴部にメッキ層による埋め込み層を形成
しようとするとＡρ配線がメッキ前処理液やメッキ液に
より腐蝕されるという問題点もあった。
段切によるＡρ断線が生じ易いという問題点があると共
に、コンタクト穴部にメッキ層による埋め込み層を形成
しようとするとＡρ配線がメッキ前処理液やメッキ液に
より腐蝕されるという問題点もあった。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、集積回路
装置におけるＡρρ層配線構造に於て、コンタクト穴部
でのＡρ段切れ断線の無い、且つＡρ配線の腐蝕のない
配線構造を提供する事を目的とする。
装置におけるＡρρ層配線構造に於て、コンタクト穴部
でのＡρ段切れ断線の無い、且つＡρ配線の腐蝕のない
配線構造を提供する事を目的とする。
上記問題点を解決するために、本発明は集積回路装置に
おけるアルミニウム配線による多層配線構造に於て、少
くとも下地アルミニウム配線上には両性金属以外の他の
金属あるいは合金であるＷ、Ｍｏ、ＷＳ ｉ、Ｍｏ Ｓ
ｉ等の膜が形成されると共に、絶縁膜を介して形成さ
れたコンタクト穴部はＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇあ
るいはＮｉ−Ｃｕ、Ｎｉ−Ａｇ、Ｎｉ−Ａｕ等のメッキ
層にて埋め込む手段をとる。
おけるアルミニウム配線による多層配線構造に於て、少
くとも下地アルミニウム配線上には両性金属以外の他の
金属あるいは合金であるＷ、Ｍｏ、ＷＳ ｉ、Ｍｏ Ｓ
ｉ等の膜が形成されると共に、絶縁膜を介して形成さ
れたコンタクト穴部はＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇあ
るいはＮｉ−Ｃｕ、Ｎｉ−Ａｇ、Ｎｉ−Ａｕ等のメッキ
層にて埋め込む手段をとる。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す多層配線構造である。
すなわち、半導体基板１０表面には第１の絶縁膜として
５ｉＯｚ膜２が形成され、該第１の絶縁膜には下地基板
との接線のためのコンタクト穴が設けられ、該コンタク
ト穴にはシリサイド膜（１）３及び電気メッキ等による
メッキ層（１）４が形成されてコンタクト穴が埋め込ま
れて成り、第１の配線層であるアルミ配線（１）５がそ
の上にシリサイド膜（２）６を形成して蒸着とフォトエ
ツチング等により形成され、更に、その上に第２の絶縁
膜として、Ｓ １ ｓ’ Ｎａ膜７等が形成され、該第
２の絶縁膜にもコンタクト穴が設けられて、該コンタク
ト穴には無電解メッキ等によりメッキ層（２）８が埋め
込まれて形成されると共に、更にその上にアルミ配線（
２） ９が形成されて成る。
５ｉＯｚ膜２が形成され、該第１の絶縁膜には下地基板
との接線のためのコンタクト穴が設けられ、該コンタク
ト穴にはシリサイド膜（１）３及び電気メッキ等による
メッキ層（１）４が形成されてコンタクト穴が埋め込ま
れて成り、第１の配線層であるアルミ配線（１）５がそ
の上にシリサイド膜（２）６を形成して蒸着とフォトエ
ツチング等により形成され、更に、その上に第２の絶縁
膜として、Ｓ １ ｓ’ Ｎａ膜７等が形成され、該第
２の絶縁膜にもコンタクト穴が設けられて、該コンタク
ト穴には無電解メッキ等によりメッキ層（２）８が埋め
込まれて形成されると共に、更にその上にアルミ配線（
２） ９が形成されて成る。
尚、シリサイド膜（２）６は、ＭｏＳｉ、ＷＳｉ。
ＴｉＳｉ等のシリサイド膜の他Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ等の膜で
あっても良＜、ＴｉＮ等の導電性窒化膜等であってもよ
いがＩｒｅ、Ｇａ等の両性金属あるいはそれを含宵する
合金は、メッキ液等に溶解するのでこれを用いることは
できない。
あっても良＜、ＴｉＮ等の導電性窒化膜等であってもよ
いがＩｒｅ、Ｇａ等の両性金属あるいはそれを含宵する
合金は、メッキ液等に溶解するのでこれを用いることは
できない。
又、メッキ層（２）８は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓ
ｎ等の単層のみならずＮｉ−Ａｕ、Ｎｉ−３ｎ、Ｎｉ−
Ｃｕ等の多層であっても良く、その他Ｃｒ等の金屑であ
っても良いことは言うまでもない。
ｎ等の単層のみならずＮｉ−Ａｕ、Ｎｉ−３ｎ、Ｎｉ−
Ｃｕ等の多層であっても良く、その他Ｃｒ等の金屑であ
っても良いことは言うまでもない。
更にコンタクト穴部へのメッキ層の形成法としては電気
メッキや無電解メッキあるいはシカづけメッキとそれら
の組み合わせ等があるが、いずれの方法を用いても良い
事は言うまでもない。
メッキや無電解メッキあるいはシカづけメッキとそれら
の組み合わせ等があるが、いずれの方法を用いても良い
事は言うまでもない。
本発明により集積回路装置のＡβ多層配線に於てＡβ段
切れ断線の無い、且っＡβ配線腐蝕のない多層配線構造
が提供できる効果がある。
切れ断線の無い、且っＡβ配線腐蝕のない多層配線構造
が提供できる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例を示す多層配線構造を示す
図であり、第２図は、従来技術による多層配線構造を示
す図である。 １．１１・・・半導体基板 ２．１２・・・Ｓ ｉＯｘ膜 ３・・・シリサイド膜（１） ４・・・メッキ層（１） ５．１５・・・アルミ配線（１） ６・・・シリサイド膜（２） ７．１７・・・５ｉ３Ｎａ膜 ８・・・メッキ層（２） ９．１９・・・アルミ配線（２） 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名第２図
図であり、第２図は、従来技術による多層配線構造を示
す図である。 １．１１・・・半導体基板 ２．１２・・・Ｓ ｉＯｘ膜 ３・・・シリサイド膜（１） ４・・・メッキ層（１） ５．１５・・・アルミ配線（１） ６・・・シリサイド膜（２） ７．１７・・・５ｉ３Ｎａ膜 ８・・・メッキ層（２） ９．１９・・・アルミ配線（２） 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名第２図
Claims (1)
- 集積回路装置におけるアルミニウム配線による多層配
線構造に於て、少くとも下地アルミニウム配線上には両
性金属以外の他の金属あるいは合金であるＷ、Ｍｏ、Ｗ
Ｓｉ、ＭｏＳｉ等の膜が形成されると共に、絶縁膜を介
して形成されたコンタクト穴部にはＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、
Ａｕ、ＡｇあるいはＮｉ−Ｃｕ、Ｎｉ−Ａｇ、Ｎｉ−Ａ
ｕ等のメッキ層にて埋め込まれて成る事を特徴とする集
積回路装置の多層配線構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155988A JPH01196143A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 多層配線構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155988A JPH01196143A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 多層配線構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196143A true JPH01196143A (ja) | 1989-08-07 |
Family
ID=12058369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2155988A Pending JPH01196143A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 多層配線構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01196143A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205239A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-01 JP JP2155988A patent/JPH01196143A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205239A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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