JPH01195450A - フォトマスクのパターン作成法 - Google Patents
フォトマスクのパターン作成法Info
- Publication number
- JPH01195450A JPH01195450A JP63020455A JP2045588A JPH01195450A JP H01195450 A JPH01195450 A JP H01195450A JP 63020455 A JP63020455 A JP 63020455A JP 2045588 A JP2045588 A JP 2045588A JP H01195450 A JPH01195450 A JP H01195450A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- patterns
- exposure
- photomask
- resist
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- SEPPVOUBHWNCAW-FNORWQNLSA-N (E)-4-oxonon-2-enal Chemical compound CCCCCC(=O)\C=C\C=O SEPPVOUBHWNCAW-FNORWQNLSA-N 0.000 description 1
- LLBZPESJRQGYMB-UHFFFAOYSA-N 4-one Natural products O1C(C(=O)CC)CC(C)C11C2(C)CCC(C3(C)C(C(C)(CO)C(OC4C(C(O)C(O)C(COC5C(C(O)C(O)CO5)OC5C(C(OC6C(C(O)C(O)C(CO)O6)O)C(O)C(CO)O5)OC5C(C(O)C(O)C(C)O5)O)O4)O)CC3)CC3)=C3C2(C)CC1 LLBZPESJRQGYMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は微細なフォトレジストパターンを、マスクパタ
ーンに忠実に形成する方法に関する。特に１．０μｍ以
下のサブミクロンのフォトレジストパターンの忠実な形
成を目的とする。
ーンに忠実に形成する方法に関する。特に１．０μｍ以
下のサブミクロンのフォトレジストパターンの忠実な形
成を目的とする。
従来の技術
従来のフォトマスクのパターン例を第３図に示す。幅Ｏ
，Ｓμｍ 、長さ１．６μｍの矩形パターンをＸ方向に
１．０μｍ 、ｙ方向に２．０μｍピッチで配置した例
である。この矩形部分には、フォトマスク上でＣｒ膜が
形成されており、フォトリソグラフィ装置の露光用光を
遮蔽する。このフォトマスクを用いて、１ｏ：１又は６
：１縮小のステップ＆レリーピ方式露光装置でポジレジ
ストパターンを形成した例を第４図にボす。矩形の先端
部分１は、ｔｌぼ半円形に丸まり、側面部分２は凹み、
フォトマスクのパターンに忠実なレジストパターン形成
ができない。
，Ｓμｍ 、長さ１．６μｍの矩形パターンをＸ方向に
１．０μｍ 、ｙ方向に２．０μｍピッチで配置した例
である。この矩形部分には、フォトマスク上でＣｒ膜が
形成されており、フォトリソグラフィ装置の露光用光を
遮蔽する。このフォトマスクを用いて、１ｏ：１又は６
：１縮小のステップ＆レリーピ方式露光装置でポジレジ
ストパターンを形成した例を第４図にボす。矩形の先端
部分１は、ｔｌぼ半円形に丸まり、側面部分２は凹み、
フォトマスクのパターンに忠実なレジストパターン形成
ができない。
発明が解決しようとする課題
以上に述べたように従来例では忠実なレジストパターン
形成ができないものであった。この原因は、第４図の３
に示す部分の露光用の光の強度が、他の部分に比べて強
いため、矩形パターンの角部と側面に強い光が照射され
てオーバー露光になシ、その結果として、丸まりと凹み
が発生するためである。
形成ができないものであった。この原因は、第４図の３
に示す部分の露光用の光の強度が、他の部分に比べて強
いため、矩形パターンの角部と側面に強い光が照射され
てオーバー露光になシ、その結果として、丸まりと凹み
が発生するためである。
課題を解決するための手段
従って、本発明では、露光強度の強い部分３に、レジス
トにパターン転写されない程度の微細なダミーパターン
を挿入して、部分３の露光強度を減少せしめる。
トにパターン転写されない程度の微細なダミーパターン
を挿入して、部分３の露光強度を減少せしめる。
作用
このように本発明により、フォトマスクパターンのない
領域全面にわたってより均一な露光量が得られるので、
フォトマスクパターンに忠実なレジストパターンが形成
できる。
領域全面にわたってより均一な露光量が得られるので、
フォトマスクパターンに忠実なレジストパターンが形成
できる。
実施例
第１図に本発明の一実施例を示す。従来の矩形パターン
の間に黒く塗りつぶした矩形領域（ダミーパターン）４
を露光強度の強い部分３に挿入する。この場合は、約０
．１〜０．２μｍ幅パターンを挿入する。このダミーパ
ターンの幅は、露光装置の露光光源波長（例えばｇ線：
４ｓｓｎｍ、ｉ線：３６６ｎｍ ）より狭く、且つレ
ジストにパターン転写されない様に選択する。
の間に黒く塗りつぶした矩形領域（ダミーパターン）４
を露光強度の強い部分３に挿入する。この場合は、約０
．１〜０．２μｍ幅パターンを挿入する。このダミーパ
ターンの幅は、露光装置の露光光源波長（例えばｇ線：
４ｓｓｎｍ、ｉ線：３６６ｎｍ ）より狭く、且つレ
ジストにパターン転写されない様に選択する。
第１図のダミーパターン入りのフォトマスクパターンで
形成したレジストパターンを第２図に示す。部分３の露
光量が減少して、他の領域と均一化されているためにパ
ターン忠実度の優れたレジストパターンが形成される。
形成したレジストパターンを第２図に示す。部分３の露
光量が減少して、他の領域と均一化されているためにパ
ターン忠実度の優れたレジストパターンが形成される。
発明の効果
本発明によれば、フォトマスクパターンにダミーパター
ンを挿入するだけで、簡単にパターン忠実度の高い微細
なレジストパターンが形成できる。
ンを挿入するだけで、簡単にパターン忠実度の高い微細
なレジストパターンが形成できる。
特に、１．０μｍ以下のサブミクロンのレジストパター
ン形成では、露光°装置の限界性能を使用するため、パ
ターン窓あけを安定して得るためにどうしてもボーバー
露光気味で露光するので、第４図で示した様なパターン
変形が大きく発生しやすいが、本発明を用いることによ
り、マスクパターンの所望の部分にダミーパターンを挿
入して露光量の均一化が図れるため、ＬＳＩパターン全
般にわたって忠実度の高いレジストパターンが得られる
。
ン形成では、露光°装置の限界性能を使用するため、パ
ターン窓あけを安定して得るためにどうしてもボーバー
露光気味で露光するので、第４図で示した様なパターン
変形が大きく発生しやすいが、本発明を用いることによ
り、マスクパターンの所望の部分にダミーパターンを挿
入して露光量の均一化が図れるため、ＬＳＩパターン全
般にわたって忠実度の高いレジストパターンが得られる
。
第１図は本発明方法によるダミーパターンを有するフォ
トマスクパターンを示す平面図、第２図は上記パターン
を用いて露光したレジストパターンを示す平面図、第３
図は従来のフォトマスクパターンを示す平面図、第４図
はそのパターンを用いて露光したレジストパターンを示
す平面図である。 ３・・・・・・露光強度の強い部分、４・・・・・・ダ
ミーパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名４−
−一タミーノぐターン 第１図 Ｉｆｉ例 第２図 Ｉｆｉ机 第３図 ひ仇 第４図 ／）ｔ４ｒＬ
トマスクパターンを示す平面図、第２図は上記パターン
を用いて露光したレジストパターンを示す平面図、第３
図は従来のフォトマスクパターンを示す平面図、第４図
はそのパターンを用いて露光したレジストパターンを示
す平面図である。 ３・・・・・・露光強度の強い部分、４・・・・・・ダ
ミーパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名４−
−一タミーノぐターン 第１図 Ｉｆｉ例 第２図 Ｉｆｉ机 第３図 ひ仇 第４図 ／）ｔ４ｒＬ
Claims (1)
- 所望のレジストパターンを転写すべきパターンに近接
して、フォトリソグラフィ装置の露光波長より狭く、且
つ、そのフォトリソグラフィ装置のパターン分解能以下
のダミーパターンを設置したフォトマスクのパターン作
成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63020455A JPH01195450A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | フォトマスクのパターン作成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63020455A JPH01195450A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | フォトマスクのパターン作成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01195450A true JPH01195450A (ja) | 1989-08-07 |
Family
ID=12027546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63020455A Pending JPH01195450A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | フォトマスクのパターン作成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01195450A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0545859A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-02-26 | Nec Yamaguchi Ltd | レチクル |
| US5436095A (en) * | 1991-07-11 | 1995-07-25 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method or an exposing method for a semiconductor device for a semiconductor integrated circuit device and a mask used therefor |
| US6197452B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask with dummy patterns and production method of the same |
| JP2008083709A (ja) * | 2007-10-10 | 2008-04-10 | Renesas Technology Corp | フォトマスク作成方法 |
| US7585595B2 (en) | 2000-07-05 | 2009-09-08 | Synopsys, Inc. | Phase shift mask including sub-resolution assist features for isolated spaces |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP63020455A patent/JPH01195450A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5436095A (en) * | 1991-07-11 | 1995-07-25 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method or an exposing method for a semiconductor device for a semiconductor integrated circuit device and a mask used therefor |
| JPH0545859A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-02-26 | Nec Yamaguchi Ltd | レチクル |
| US6197452B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask with dummy patterns and production method of the same |
| US7585595B2 (en) | 2000-07-05 | 2009-09-08 | Synopsys, Inc. | Phase shift mask including sub-resolution assist features for isolated spaces |
| JP2008083709A (ja) * | 2007-10-10 | 2008-04-10 | Renesas Technology Corp | フォトマスク作成方法 |
| JP4550100B2 (ja) * | 2007-10-10 | 2010-09-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | フォトマスク作成方法および半導体装置の製造方法 |
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