JPH01195269A - 金属被覆プラスチックフィルム - Google Patents
金属被覆プラスチックフィルムInfo
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- JPH01195269A JPH01195269A JP1725388A JP1725388A JPH01195269A JP H01195269 A JPH01195269 A JP H01195269A JP 1725388 A JP1725388 A JP 1725388A JP 1725388 A JP1725388 A JP 1725388A JP H01195269 A JPH01195269 A JP H01195269A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、フレキシブルプリント基板(FPC)、フ
ィルムコンデンサー、磁気テープなどの電気機器部品か
ら、透明導電膜、選択吸収膜、さらには、装飾品等に用
いらる金属薄膜層とプラスチック層の密着力及び耐湿熱
性を向上させた金属被覆プラスチックフィルムに関する
ものである。
ィルムコンデンサー、磁気テープなどの電気機器部品か
ら、透明導電膜、選択吸収膜、さらには、装飾品等に用
いらる金属薄膜層とプラスチック層の密着力及び耐湿熱
性を向上させた金属被覆プラスチックフィルムに関する
ものである。
[従来の技術]
近年プラスチックフィルムのメタライジングが盛゛んに
行われており、金属被覆プラスチックフィルムはフレキ
シブルプリント基板(FPC)、フィルムコンデンサー
、磁気テープなどの電気機器部品から、透明導電膜、選
択吸収膜、さらには、装飾品等としても使用されるなど
、ますますその用途が拡大している。
行われており、金属被覆プラスチックフィルムはフレキ
シブルプリント基板(FPC)、フィルムコンデンサー
、磁気テープなどの電気機器部品から、透明導電膜、選
択吸収膜、さらには、装飾品等としても使用されるなど
、ますますその用途が拡大している。
以上に挙げたような多くの分野で用いられている金属被
膜プラスチックフィルムを得る方法の一つとしては、圧
延銅箔や電解銅箔を接着剤を用いてプラスチックフィル
ムに貼り合わせて金属薄膜を形成するという方法が従来
から行われている。
膜プラスチックフィルムを得る方法の一つとしては、圧
延銅箔や電解銅箔を接着剤を用いてプラスチックフィル
ムに貼り合わせて金属薄膜を形成するという方法が従来
から行われている。
例えばフレキシブルプリント基板においては、可撓性の
点から圧延銅箔を接着剤層を介して熱圧着されることが
多い。しかし、この方法では銅箔厚をある程度厚くする
ことが必要で、近年の電子部品の「軽薄短小化」の要求
に必ずしも答えきれておらず、用途によっては接着剤層
部分の耐熱性や電気特性が問題となることもある。また
、銅箔の圧延方向によって屈曲性が異なるため設計時に
留意を必要とする。
点から圧延銅箔を接着剤層を介して熱圧着されることが
多い。しかし、この方法では銅箔厚をある程度厚くする
ことが必要で、近年の電子部品の「軽薄短小化」の要求
に必ずしも答えきれておらず、用途によっては接着剤層
部分の耐熱性や電気特性が問題となることもある。また
、銅箔の圧延方向によって屈曲性が異なるため設計時に
留意を必要とする。
これに対して、数μm以下の薄い金属薄膜が要求される
場合に注目されている方法としては、プラスチックフィ
ルム上に直接、真空蒸着法やスパッタリング法により、
金属薄膜を形成する方法がある。
場合に注目されている方法としては、プラスチックフィ
ルム上に直接、真空蒸着法やスパッタリング法により、
金属薄膜を形成する方法がある。
[発明が解決しようとする課題]
上記のような従来の金属被膜プラスチックフィルムにお
いて、金属薄膜が真空蒸着法により直接プラスチックフ
ィルム上に形成されている場合、金属薄膜とプラスチッ
クフィルムの密着性が不充分で、実用に耐え得ないこと
が多い。さらに真空蒸着法で形成された金属薄膜は、一
般に緻密性に劣るため、結晶粒界からの酸素や水分の拡
散により酸化劣化しやすいという欠点も有している。
いて、金属薄膜が真空蒸着法により直接プラスチックフ
ィルム上に形成されている場合、金属薄膜とプラスチッ
クフィルムの密着性が不充分で、実用に耐え得ないこと
が多い。さらに真空蒸着法で形成された金属薄膜は、一
般に緻密性に劣るため、結晶粒界からの酸素や水分の拡
散により酸化劣化しやすいという欠点も有している。
一方、スパッタリング法により形成された金属薄膜は、
基板との密着性に優れ、また、緻密であるなどの点で優
れている。しかしながら、薄膜の成長速度が遅いため生
産性の点で劣りている。
基板との密着性に優れ、また、緻密であるなどの点で優
れている。しかしながら、薄膜の成長速度が遅いため生
産性の点で劣りている。
木発明は、以上のような現状に鑑み、本発明者らが鋭意
研究の未達成したものであり、金属薄膜とプラスチック
フィルムとの密着性が優れ、金属薄膜の酸化劣化が起こ
りにくく、かつ生産性も高い金属被膜プラスチックフィ
ルムを提供することを目的としている。
研究の未達成したものであり、金属薄膜とプラスチック
フィルムとの密着性が優れ、金属薄膜の酸化劣化が起こ
りにくく、かつ生産性も高い金属被膜プラスチックフィ
ルムを提供することを目的としている。
[課題を解決するための手段]
この発明においては、プラスチックフィルム上にスパッ
タリング法によって直接少なくとも膜厚50人の第19
金属薄膜層を形成し、しかるのち、該第1の金属薄膜層
上に所望の膜厚の真空蒸着法による金属薄膜層を形成し
、この上にスパッタリング法により少なくとも膜厚50
人の第2の金属薄膜を形成することによって、上記の課
題を解決したものである。
タリング法によって直接少なくとも膜厚50人の第19
金属薄膜層を形成し、しかるのち、該第1の金属薄膜層
上に所望の膜厚の真空蒸着法による金属薄膜層を形成し
、この上にスパッタリング法により少なくとも膜厚50
人の第2の金属薄膜を形成することによって、上記の課
題を解決したものである。
[作用]
この発明にかかる金属被膜プラスチックフィルムにおい
ては、プラスチックフィルム上にスパッタリング法によ
って直接に形成された少なくとも膜厚50人の第1の金
属薄膜層によって金属薄膜とプラスチックフィルムは良
好な密着性が確保されており、さらにこの金属薄膜層は
緻密性に優れているため、フィルム側からの酸素あるい
は水分の拡散による酸化劣化を防ぐことになる。
ては、プラスチックフィルム上にスパッタリング法によ
って直接に形成された少なくとも膜厚50人の第1の金
属薄膜層によって金属薄膜とプラスチックフィルムは良
好な密着性が確保されており、さらにこの金属薄膜層は
緻密性に優れているため、フィルム側からの酸素あるい
は水分の拡散による酸化劣化を防ぐことになる。
次にこの第1の金属薄膜層の上には真空蒸着法によって
所望の厚さの金属薄膜層が形成されている。この金属薄
膜は前述したように緻密性にはあまり優れていないが、
前記スパッタリングによる第1の金属薄膜層と後述する
スパッタリングによる第2の金属薄膜層との間に形成さ
れた中間層であるので、この欠点はほとんど問題になら
なす、反面、金属薄膜の成長速度が比較的速いという利
点が生かされ、製品の生産性を向上させることができる
。
所望の厚さの金属薄膜層が形成されている。この金属薄
膜は前述したように緻密性にはあまり優れていないが、
前記スパッタリングによる第1の金属薄膜層と後述する
スパッタリングによる第2の金属薄膜層との間に形成さ
れた中間層であるので、この欠点はほとんど問題になら
なす、反面、金属薄膜の成長速度が比較的速いという利
点が生かされ、製品の生産性を向上させることができる
。
さらに最表面には結晶構造が緻密なスパッタリングによ
る第2の金属薄膜層が前記第1の金属薄膜層と同様に少
なくとも50人の膜厚に形成されており、この層は金属
薄膜の酸化劣化等を防ぐ役割りをになっている。
る第2の金属薄膜層が前記第1の金属薄膜層と同様に少
なくとも50人の膜厚に形成されており、この層は金属
薄膜の酸化劣化等を防ぐ役割りをになっている。
ここで、本発明においてスパッタリング法による第1お
よび第2の金属薄膜層の膜厚を少なくとも50人とした
のは、50人よりも薄い場合は、スパッタリングによる
膜がまだ島状構造をとっており、比較的隙間が多いため
充分な耐湿熱性等が得られないためである。
よび第2の金属薄膜層の膜厚を少なくとも50人とした
のは、50人よりも薄い場合は、スパッタリングによる
膜がまだ島状構造をとっており、比較的隙間が多いため
充分な耐湿熱性等が得られないためである。
なお、上限は5000人より厚すると生産性が悪くなり
量産に適さなくなる。
量産に適さなくなる。
[実施例]
実施例:1
第2図に概略図を示した実験装置を用いて木発明にかか
る金属被覆プラスチックフィルムを試作した。
る金属被覆プラスチックフィルムを試作した。
まず、所定のガスτ囲気になるように構成された真空槽
106内にポリイミドフィルム(厚さ25μm、長さ5
0m、東しく株)製、商品名カプトン)105を送りだ
し、送りだしロール107からキャンロール109に周
接して巻取りロール108に至るようにセットし、真空
槽106内が10−’Torr台になるまで排気した。
106内にポリイミドフィルム(厚さ25μm、長さ5
0m、東しく株)製、商品名カプトン)105を送りだ
し、送りだしロール107からキャンロール109に周
接して巻取りロール108に至るようにセットし、真空
槽106内が10−’Torr台になるまで排気した。
その後スパッタ室110および110゛にArガスを導
入し、Cu薄膜を膜成長速度83人/secとなるよう
にスパッタ形成するとともに、蒸着室111において膜
成長速度830人/secで電子ビーム(EB)蒸着を
行った。その際、フィルムは、送りだしロール107か
ら、巻き取りロール108へ線速1、Om/minで走
行させ、所望の膜厚が得られるように防着板13の間隔
を調節した。
入し、Cu薄膜を膜成長速度83人/secとなるよう
にスパッタ形成するとともに、蒸着室111において膜
成長速度830人/secで電子ビーム(EB)蒸着を
行った。その際、フィルムは、送りだしロール107か
ら、巻き取りロール108へ線速1、Om/minで走
行させ、所望の膜厚が得られるように防着板13の間隔
を調節した。
このようにして、第1図の如き構造の金属被膜プラスチ
ックフィルムを製造し、第1の金属薄膜層1.蒸着法に
よる金属薄膜層2.第2の金属薄膜層3の膜厚がそれぞ
れ0.1 μm 、0.8μm、0.1μmとなるよう
にした。
ックフィルムを製造し、第1の金属薄膜層1.蒸着法に
よる金属薄膜層2.第2の金属薄膜層3の膜厚がそれぞ
れ0.1 μm 、0.8μm、0.1μmとなるよう
にした。
実施例:2
実施例1におけるポリイミドフィルムの代わりにポリエ
チレンテレフタレート(PET)フィルム(厚さ50μ
m、東しく株)製、商品名ルミラー)をセットした以外
は実施例1と全く同じ条件で1μm厚のCu薄膜を形成
して、金属被膜プラスチックフィルムを得た。
チレンテレフタレート(PET)フィルム(厚さ50μ
m、東しく株)製、商品名ルミラー)をセットした以外
は実施例1と全く同じ条件で1μm厚のCu薄膜を形成
して、金属被膜プラスチックフィルムを得た。
実施例;3
実施例1におけるスパッタターゲツト材114.114
°をCuの代わりにCrとした以外は実施例1と全く同
じ条件で、1μmのCr/c u / c r R膜を
形成した。
°をCuの代わりにCrとした以外は実施例1と全く同
じ条件で、1μmのCr/c u / c r R膜を
形成した。
比較例=1
実施例1において、走行線速0.1m/minでのスパ
ッタリング法のみにより1μm厚のc u RIliを
形成した。
ッタリング法のみにより1μm厚のc u RIliを
形成した。
比較例:2
実施例1において、走行線速1.0m/ll1inでの
蒸着法のみにより1μmのcufillMを形成した。
蒸着法のみにより1μmのcufillMを形成した。
比較例:3
実施例2において、走行線速0.In+/mjnでのス
パッタリング法のみにより1μmのCu薄膜を形成した
。
パッタリング法のみにより1μmのCu薄膜を形成した
。
比較例:4
実施例2において、走行線速1.0m/minでの蒸着
法のみにより1μmのCu薄膜を形成した。
法のみにより1μmのCu薄膜を形成した。
以上の、実施例、比較例において得られた各々の金属被
覆プラスチックフィルムにおける金属薄膜とプラスチッ
クフィルムの密着力を測定し、また目視による金属薄膜
の表面観測を薄膜形成実験直後と温熱サイクル試験後に
行った。第1表にこれらの試験の結果と、上記の実施例
および比較例において50m長のプラスチックフィルム
上に連続的に薄膜作成するのに要した時間を示す。
覆プラスチックフィルムにおける金属薄膜とプラスチッ
クフィルムの密着力を測定し、また目視による金属薄膜
の表面観測を薄膜形成実験直後と温熱サイクル試験後に
行った。第1表にこれらの試験の結果と、上記の実施例
および比較例において50m長のプラスチックフィルム
上に連続的に薄膜作成するのに要した時間を示す。
なお、密着力の測定は、第3図に示すように1cm X
10cmに切り取ったサンプルの金属薄膜204面を
エポキシ系接着剤216を用いてアルミ補強板215に
貼り合わせたのち、プラスチックフィルム205を18
0度方向に線速50mm/minで引き剥す際の力を測
定し、温熱サイクルは、JISC5012の9.4に従
い、10サイクル行った。
10cmに切り取ったサンプルの金属薄膜204面を
エポキシ系接着剤216を用いてアルミ補強板215に
貼り合わせたのち、プラスチックフィルム205を18
0度方向に線速50mm/minで引き剥す際の力を測
定し、温熱サイクルは、JISC5012の9.4に従
い、10サイクル行った。
第1表においてプラスチックフィルムの素材が同じ場合
について本発明実施例と比較例を比較すると(実施例1
と比較例1および2、実施例2と比較例3および4)、
蒸着法のみによりCu liを形成した比較例(2およ
び4)に対して実施例は約5倍程度のビール強度を有し
ており、温熱サイクル試験後においても密着性がほとん
ど低下していない。
について本発明実施例と比較例を比較すると(実施例1
と比較例1および2、実施例2と比較例3および4)、
蒸着法のみによりCu liを形成した比較例(2およ
び4)に対して実施例は約5倍程度のビール強度を有し
ており、温熱サイクル試験後においても密着性がほとん
ど低下していない。
また、スパッタリング法のみにより膜を形成した比較例
(1および3)は、ビール強度は実施例と同等程度であ
るものの、薄膜形成に要した時間は実施例の10倍にも
なっており、現実の量産には適用しがたい。
(1および3)は、ビール強度は実施例と同等程度であ
るものの、薄膜形成に要した時間は実施例の10倍にも
なっており、現実の量産には適用しがたい。
さらに、金属薄膜の酸化劣化の問題についても、蒸着法
のみによりCu l]@を形成した比較例(2および4
)が温熱サイクル試験後に大部分が酸化劣化してしまっ
たのに対し、実施例では酸化劣化が認められない。
のみによりCu l]@を形成した比較例(2および4
)が温熱サイクル試験後に大部分が酸化劣化してしまっ
たのに対し、実施例では酸化劣化が認められない。
なお、実施例のなかでも最も高いビール強度を 。
示したのは、スパッタ用ターゲツト材をCuの代わりに
Crとした実施例3であるが、本発明における金属薄膜
を形成する金属は特に限定されるものではなく、用途に
応じて適宜選択されるものである。また、第1の金属薄
膜層、蒸着法による金属薄膜層および第2の金属薄膜層
は、同種の金属または合金から成っていても良いし、場
合によっては実施例の如く異種の金属または合金から成
っていてもよい。さらに、必要に応して、プラスチック
フィルムに例えばプラズマ処理などの前処理□ を施せ
ば、より密着性を上げることもできる。
Crとした実施例3であるが、本発明における金属薄膜
を形成する金属は特に限定されるものではなく、用途に
応じて適宜選択されるものである。また、第1の金属薄
膜層、蒸着法による金属薄膜層および第2の金属薄膜層
は、同種の金属または合金から成っていても良いし、場
合によっては実施例の如く異種の金属または合金から成
っていてもよい。さらに、必要に応して、プラスチック
フィルムに例えばプラズマ処理などの前処理□ を施せ
ば、より密着性を上げることもできる。
また、本発明において用いられるプラスチックフィルム
も特に限定されるものではなく、実施例で用いたポリイ
ミド、ポリエチレンテレフタレート(PET)の他にも
、例えばポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエー
テルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリア
ミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
チレンナフタレート、液晶ポリマーなどが用いられる。
も特に限定されるものではなく、実施例で用いたポリイ
ミド、ポリエチレンテレフタレート(PET)の他にも
、例えばポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエー
テルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリア
ミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
チレンナフタレート、液晶ポリマーなどが用いられる。
また、本発明における金属薄膜の厚さは実施例および比
較例では1μm (1000人)としたが、前述した
ようにスパッタリングによる金属薄膜層の厚さは少なく
とも50人あれば良く、膜の特性と生産性の両方を考慮
するとスパッタリングによる金属薄膜層は100〜10
00人あることがより好ましい。
較例では1μm (1000人)としたが、前述した
ようにスパッタリングによる金属薄膜層の厚さは少なく
とも50人あれば良く、膜の特性と生産性の両方を考慮
するとスパッタリングによる金属薄膜層は100〜10
00人あることがより好ましい。
以上から明らかなように、本発明にかかる金属被覆プラ
スチックフィルムは密着性及び耐湿熱性に優れ、かつ効
率よく生産することができ、産業上きわめて有益である
。
スチックフィルムは密着性及び耐湿熱性に優れ、かつ効
率よく生産することができ、産業上きわめて有益である
。
第1表
*A・・・薄膜形成に要した時間(min)B・180
度ビール強度(g/cm) C・・・外観 O二酸化劣化無し △:部分的に酸化劣化 ×:大部分が酸化劣化 *いずれもN=5の平均を示す。
度ビール強度(g/cm) C・・・外観 O二酸化劣化無し △:部分的に酸化劣化 ×:大部分が酸化劣化 *いずれもN=5の平均を示す。
[発明の効果]
この発明においては、プラスチックフィルム上に形成さ
れる第1のスパッタリングによる金属薄膜層と、最表面
に形成される第2のスパッタリングによる金属薄膜層と
、これら第1および第2のスパッタリングによる金属薄
膜層の間に形成され備えたことにより、金属被膜プラス
チックフィルムの密着性および耐湿熱性を高め、同時に
生産性も向上させることができるという極めて優れた効
果を有している。
れる第1のスパッタリングによる金属薄膜層と、最表面
に形成される第2のスパッタリングによる金属薄膜層と
、これら第1および第2のスパッタリングによる金属薄
膜層の間に形成され備えたことにより、金属被膜プラス
チックフィルムの密着性および耐湿熱性を高め、同時に
生産性も向上させることができるという極めて優れた効
果を有している。
かかる金属被覆プラスチックフィルムは高密度化、高精
度化が進む電気機器部品等において、信頼性を高め、か
つコスト低減を図る上で非常に有益である。
度化が進む電気機器部品等において、信頼性を高め、か
つコスト低減を図る上で非常に有益である。
第1図は本発明にかかる金属薄膜付プラスチックフィル
ムの構成模式図、第2図は実施例に用いた装置の概略図
、第3図はビール試験の説明図である。 1:第1の金属薄膜層、2:蒸着法による金属薄膜層、
3:第2の金属薄膜層、4,204:金属薄膜、5,1
05,205ニブラスチツクフイルム、106:真空槽
、107:送りだしロール、108二巻取りロール、1
o9:キャンロール、110,110° ニスバッタ室
、111:蒸ル、110,110’ ニスバッタ室、
111:蒸着室、112:仕切り板、113:防着板、
114.114° ニスバッタターゲット、115:蒸
着源、215ニアルミ補強板、216:接着材。
ムの構成模式図、第2図は実施例に用いた装置の概略図
、第3図はビール試験の説明図である。 1:第1の金属薄膜層、2:蒸着法による金属薄膜層、
3:第2の金属薄膜層、4,204:金属薄膜、5,1
05,205ニブラスチツクフイルム、106:真空槽
、107:送りだしロール、108二巻取りロール、1
o9:キャンロール、110,110° ニスバッタ室
、111:蒸ル、110,110’ ニスバッタ室、
111:蒸着室、112:仕切り板、113:防着板、
114.114° ニスバッタターゲット、115:蒸
着源、215ニアルミ補強板、216:接着材。
Claims (1)
- 片面もしくは両面に金属薄膜を形成した金属被覆プラス
チックフィルムにおいて、プラスチックフィルム上にス
パッタリング法によって直接形成された少なくとも膜厚
50Åの第1の金属薄膜層と、最表面にスパッタリング
法によって形成された少なくとも膜厚50Åの第2の金
属薄膜層と、前記第1および第2の金属薄膜層の間の真
空蒸着法による所望の膜厚の金属薄膜層とからなる金属
薄膜を備えたことを特徴とする金属被覆プラスチックフ
ィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1725388A JPH01195269A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 金属被覆プラスチックフィルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1725388A JPH01195269A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 金属被覆プラスチックフィルム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01195269A true JPH01195269A (ja) | 1989-08-07 |
Family
ID=11938791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1725388A Pending JPH01195269A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 金属被覆プラスチックフィルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01195269A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8179936B2 (en) | 2007-06-14 | 2012-05-15 | Trumpf Laser Marking Systems Ag | Gas-cooled laser device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5225868A (en) * | 1975-08-20 | 1977-02-26 | Sekisui Chemical Co Ltd | Method of producing thermoplastic resin bend |
JPS61128593A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | 株式会社 麗光 | プリント回路用蒸着フイルム |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP1725388A patent/JPH01195269A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5225868A (en) * | 1975-08-20 | 1977-02-26 | Sekisui Chemical Co Ltd | Method of producing thermoplastic resin bend |
JPS61128593A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | 株式会社 麗光 | プリント回路用蒸着フイルム |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8179936B2 (en) | 2007-06-14 | 2012-05-15 | Trumpf Laser Marking Systems Ag | Gas-cooled laser device |
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