JPH01175707A - 積層軟磁性薄膜 - Google Patents
積層軟磁性薄膜Info
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- JPH01175707A JPH01175707A JP33532187A JP33532187A JPH01175707A JP H01175707 A JPH01175707 A JP H01175707A JP 33532187 A JP33532187 A JP 33532187A JP 33532187 A JP33532187 A JP 33532187A JP H01175707 A JPH01175707 A JP H01175707A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/3204—Exchange coupling of amorphous multilayers
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- Magnetic Heads (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ヘッドのコア材等として使用される積層
軟磁性薄膜に関するものであり、特に高磁束密度及び高
周波特性に優れた積層軟磁性薄膜に関する。
軟磁性薄膜に関するものであり、特に高磁束密度及び高
周波特性に優れた積層軟磁性薄膜に関する。
本発明は、強磁性アモルファス相と非磁性アモルファス
相の2相が微細に分散した構造を有するアモルファス軟
磁性薄膜と非磁性薄膜とを積層することにより、高周波
特性に優れ、高抗磁力媒体対応の短波長記録用磁気ヘッ
ド技術に応用可能な積層軟磁性薄膜を実現しようとする
のである。
相の2相が微細に分散した構造を有するアモルファス軟
磁性薄膜と非磁性薄膜とを積層することにより、高周波
特性に優れ、高抗磁力媒体対応の短波長記録用磁気ヘッ
ド技術に応用可能な積層軟磁性薄膜を実現しようとする
のである。
[従来の技術]
例えばVTR(ビデオテープレコーダ)等の磁気記録再
生装置においては、画質等を向上するために記録信号の
高密度化や高周波数化等が進められており、これに対応
して磁性粉にFe、 Co、 Ni等の強磁性金属の粉
末を用いた所謂メタルテープや、強磁性金属材料を蒸着
等の手法により直接ベースフィルム上に被着した所謂蒸
着テープ等の高抗磁力媒体が実用化されつつある。
生装置においては、画質等を向上するために記録信号の
高密度化や高周波数化等が進められており、これに対応
して磁性粉にFe、 Co、 Ni等の強磁性金属の粉
末を用いた所謂メタルテープや、強磁性金属材料を蒸着
等の手法により直接ベースフィルム上に被着した所謂蒸
着テープ等の高抗磁力媒体が実用化されつつある。
とごろで、磁気記録媒体の高抗磁力化が進むにつれ、記
録再生に使用する磁気ヘッドのヘッド材料に高飽和磁束
回度化が要求されることは容易に理解されるところであ
り、例えば従来ヘッド材料として多用されているフェラ
イト材では、飽和磁束密度が低く媒体の高抗磁力化に十
分に対処することは難しい。
録再生に使用する磁気ヘッドのヘッド材料に高飽和磁束
回度化が要求されることは容易に理解されるところであ
り、例えば従来ヘッド材料として多用されているフェラ
イト材では、飽和磁束密度が低く媒体の高抗磁力化に十
分に対処することは難しい。
このような状況から、磁気ヘッドを構成する磁気コアを
フェライトやセラミック等と高飽和磁束密度を有する軟
磁性薄膜との複合構造とし、軟磁性薄膜同士を突き合わ
せて磁気ギャップを構成するようにした複合型磁気ヘッ
ドや、各磁気コアやコイル等を薄膜技術により形成しこ
れらを絶縁膜を介して多層構造とした薄膜磁気ヘッドが
開発されている。
フェライトやセラミック等と高飽和磁束密度を有する軟
磁性薄膜との複合構造とし、軟磁性薄膜同士を突き合わ
せて磁気ギャップを構成するようにした複合型磁気ヘッ
ドや、各磁気コアやコイル等を薄膜技術により形成しこ
れらを絶縁膜を介して多層構造とした薄膜磁気ヘッドが
開発されている。
この場合、軟磁性薄膜としては、例えば高飽和磁束密度
を有するFe−^1−3i系合金磁性薄膜(いわゆるセ
ンダスト薄膜)等が知られているが、このFe−A j
!−3i系合金磁性薄膜は合金材料であるが故に電気抵
抗値ρが小さく(80μΩl程度)、高周波数帯域、特
にメガヘルツ域では渦電流損失によりその初透磁率が減
少し、高抗磁力媒体の性能を充分に引き出すことができ
ないのが現状である。
を有するFe−^1−3i系合金磁性薄膜(いわゆるセ
ンダスト薄膜)等が知られているが、このFe−A j
!−3i系合金磁性薄膜は合金材料であるが故に電気抵
抗値ρが小さく(80μΩl程度)、高周波数帯域、特
にメガヘルツ域では渦電流損失によりその初透磁率が減
少し、高抗磁力媒体の性能を充分に引き出すことができ
ないのが現状である。
あるいは、液体冷却法や気相象、冷法等で作成されるメ
タル−メタロイド系アモルファス合金(Fe−R,Fe
−5i−B+Fe−Co−3i−B等)やメタル−メタ
ル系アモルファス合金(Co−Zr、Co−Zr−Nb
等)等も開発されているが、これらは均質構造ともいう
べき単相アモルファス構造になっており、電気抵抗値ρ
が結晶軟質磁性材料であるセンダストよりも大きいとい
っても高々150μΩ1程度に止まり、飽和磁束密度の
10000 (Gauss)前後である。
タル−メタロイド系アモルファス合金(Fe−R,Fe
−5i−B+Fe−Co−3i−B等)やメタル−メタ
ル系アモルファス合金(Co−Zr、Co−Zr−Nb
等)等も開発されているが、これらは均質構造ともいう
べき単相アモルファス構造になっており、電気抵抗値ρ
が結晶軟質磁性材料であるセンダストよりも大きいとい
っても高々150μΩ1程度に止まり、飽和磁束密度の
10000 (Gauss)前後である。
〔発明が解決しようとする問題点]
かかる従来の実情に鑑み、本願出願人は先に特願昭61
−264698号明細書において、遷移金属と半金属と
を主成分とし強磁性アモルファス相と非磁性アモルファ
ス相の二つのアモルファス相が微細に分散した2相構造
を有するアモルファス薄膜を提案した。このアモルファ
ス薄膜は、電気抵抗値ρが300〜4000μΩcmと
非常に大きく、また飽和磁束密度も高抗磁力媒体に充分
対応可能な15000(Gauss)程度を示し、従来
のアモルファス薄膜とは全く異なる優れた磁気特性を発
揮するものである。
−264698号明細書において、遷移金属と半金属と
を主成分とし強磁性アモルファス相と非磁性アモルファ
ス相の二つのアモルファス相が微細に分散した2相構造
を有するアモルファス薄膜を提案した。このアモルファ
ス薄膜は、電気抵抗値ρが300〜4000μΩcmと
非常に大きく、また飽和磁束密度も高抗磁力媒体に充分
対応可能な15000(Gauss)程度を示し、従来
のアモルファス薄膜とは全く異なる優れた磁気特性を発
揮するものである。
本発明は、前記アモルファス薄膜の磁気特性、特に高周
波特性のより一層の向上を図ろうとするものである。
波特性のより一層の向上を図ろうとするものである。
すなわち、本発明は、より優れた高周波特性を有すると
ともに高飽和磁束密度を有し、高抗磁力磁気記録媒体や
高周波記録等に対応可能な軟磁性薄膜を提供することを
目的とする。
ともに高飽和磁束密度を有し、高抗磁力磁気記録媒体や
高周波記録等に対応可能な軟磁性薄膜を提供することを
目的とする。
本発明者等は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の
結果、主体となる磁性膜に前述の2相構造を有するアモ
ルファス薄膜を用い、これに非磁性薄膜を積層すること
が磁気特性、特に高周波特性の改善等に極めて有効であ
ることを見出し本発明を完成するに至った。
結果、主体となる磁性膜に前述の2相構造を有するアモ
ルファス薄膜を用い、これに非磁性薄膜を積層すること
が磁気特性、特に高周波特性の改善等に極めて有効であ
ることを見出し本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の積層軟磁性薄膜は、第1図に示すよ
うに、M、L、J、 (但しHはFe、 Co、 Ni
の少なくとも1種を表し、L、JはそれぞれB、 C,
Siから選ばれた互いに異なる元素を表す。またX。
うに、M、L、J、 (但しHはFe、 Co、 Ni
の少なくとも1種を表し、L、JはそれぞれB、 C,
Siから選ばれた互いに異なる元素を表す。またX。
y、zはそれぞれ各元素の割合を原子%で表し、x+y
+z=100 、y+z≧1O1X≠0、y≠0.2≠
0である。)なる組成を有しヘテロアモルファス2相構
造を有する軟磁性′gJ膜(1)と非磁性薄膜(2)と
を積層したことを特徴とするものである。
+z=100 、y+z≧1O1X≠0、y≠0.2≠
0である。)なる組成を有しヘテロアモルファス2相構
造を有する軟磁性′gJ膜(1)と非磁性薄膜(2)と
を積層したことを特徴とするものである。
本発明の積層軟磁性FA膜において、主体となる軟磁性
薄膜(1)の組成は、M、L、J、なる組成式で表わさ
れるが、ここで式中のMとしては、強磁性材料である3
d遷移金属元素、すなわちFe、 Co、 Niのうち
の1種または2種以上が適当である。
薄膜(1)の組成は、M、L、J、なる組成式で表わさ
れるが、ここで式中のMとしては、強磁性材料である3
d遷移金属元素、すなわちFe、 Co、 Niのうち
の1種または2種以上が適当である。
一方、半金属元素であるり、Jとしては、B+ Si。
Cの中から2種類を選択して使用する。これら半金属元
素(半導体元素)は、合金を非晶質化するものであり、
特に炭素Cは合金の耐蝕性、硬度。
素(半導体元素)は、合金を非晶質化するものであり、
特に炭素Cは合金の耐蝕性、硬度。
機械的性質等を改善し、また電気抵抗を高める要素とな
る元素である。
る元素である。
半金属元素り、Jの組み合わせとしては、B−C。
5i−C,5i−Bが考えられるが、炭素Cを含む組み
合わせ(B−C,5t−C)が好ましく、特にB−Cの
組み合わせは好適な結果を示した。
合わせ(B−C,5t−C)が好ましく、特にB−Cの
組み合わせは好適な結果を示した。
また、上記軟磁性薄膜(1)において、これら半金属原
子り、 Jの占める割合y+zは、10原子%以上で
あることが必要で、10原子%未満では非晶質状態が実
現しない。
子り、 Jの占める割合y+zは、10原子%以上で
あることが必要で、10原子%未満では非晶質状態が実
現しない。
かかる軟磁性薄膜(1)は、従来広く知られている単相
アモルファス磁性薄膜とは異なり、第2図に示すように
、遷移金属元素Mを主体とする強磁性アモルファス相r
(M−L−J)と、これをとりまき半金属元素のみ
からなる非磁性アモルファス相U (L−J)との2相
混在構造であると推定され、単相アモルファスでは実現
し得ない優れた特性が発揮される。
アモルファス磁性薄膜とは異なり、第2図に示すように
、遷移金属元素Mを主体とする強磁性アモルファス相r
(M−L−J)と、これをとりまき半金属元素のみ
からなる非磁性アモルファス相U (L−J)との2相
混在構造であると推定され、単相アモルファスでは実現
し得ない優れた特性が発揮される。
すなわち、低電気抵抗の強磁性アモルファス相rは、高
電気抵抗を有する非磁性アモルファス相■によって分断
され、膜全体として見ると西電気抵抗となっている0本
発明の軟磁性薄膜(1)の電気抵抗は、300〜400
0μΩ1にも達する。
電気抵抗を有する非磁性アモルファス相■によって分断
され、膜全体として見ると西電気抵抗となっている0本
発明の軟磁性薄膜(1)の電気抵抗は、300〜400
0μΩ1にも達する。
一方、強磁性アモルファス相■は、電気的に分断されて
いるといっても互いの距離は極めて小さく、磁気的に見
た場合には相互に結合しており、膜全体の磁気特性、特
に飽和磁束密度は単相アモルファス薄膜以上の値を示す
。また、−mにセンダスト等の結晶軟磁性薄膜は、その
結晶磁気異方性のため磁気特性に一軸異方性を有し方向
性を有する。これに対して上記軟磁性薄膜(1)は、非
晶質であることと、さらに各強磁性アモルファス相Iが
微細に分散されていることから、膜面内で角度に関係な
く磁気的に等方性な軟磁気特性を示す。
いるといっても互いの距離は極めて小さく、磁気的に見
た場合には相互に結合しており、膜全体の磁気特性、特
に飽和磁束密度は単相アモルファス薄膜以上の値を示す
。また、−mにセンダスト等の結晶軟磁性薄膜は、その
結晶磁気異方性のため磁気特性に一軸異方性を有し方向
性を有する。これに対して上記軟磁性薄膜(1)は、非
晶質であることと、さらに各強磁性アモルファス相Iが
微細に分散されていることから、膜面内で角度に関係な
く磁気的に等方性な軟磁気特性を示す。
この等方性軟磁気特性は、従来の結晶質磁性薄膜や単相
アモルファス薄膜では理解し沫いものである。
アモルファス薄膜では理解し沫いものである。
一方、非磁性薄膜(2)の材料としては、A2□0.。
Tag’s、 MgO,Sin、 5iOz+ Ti0
z、 FezO5+ Zr0z+BizO21等の酸化
物系誘電体、あるいはZrN、 TiN。
z、 FezO5+ Zr0z+BizO21等の酸化
物系誘電体、あるいはZrN、 TiN。
5isNa、 Aj!N、 ANSiN、 BN、 T
aN、 NbN、 GaN、 MgN。
aN、 NbN、 GaN、 MgN。
MoN、 VN等の窒化物系誘電体、あるいはこれらの
複合体等が使用できる。
複合体等が使用できる。
前述の軟磁性薄膜(1)や非磁性薄膜(2)を成膜する
には、最も一般的にはスパッタリングが行われる。この
スパッタリングは、マグネトロン・スパッタリング、R
Fスパッタリング、直流スパッタリング、対向ターゲッ
ト・スパッタリング、イオンビーム・スパッタリング等
の種々の方式により行うことができる。
には、最も一般的にはスパッタリングが行われる。この
スパッタリングは、マグネトロン・スパッタリング、R
Fスパッタリング、直流スパッタリング、対向ターゲッ
ト・スパッタリング、イオンビーム・スパッタリング等
の種々の方式により行うことができる。
特に軟磁性薄膜(1)を成膜するには、遷移金属Mの円
盤の上にB、 Si等の炭素化合物やSiB化合物の角
板を並べたターゲットを用い、スパッタリングを行なう
ことが好ましい。ここで、角板の数を増減することによ
り、得られる軟磁性m II! (1)の組成y、zを
コントロールすることができ、目的に応じて磁気特性や
電気抵抗等をコントロールすることができる。
盤の上にB、 Si等の炭素化合物やSiB化合物の角
板を並べたターゲットを用い、スパッタリングを行なう
ことが好ましい。ここで、角板の数を増減することによ
り、得られる軟磁性m II! (1)の組成y、zを
コントロールすることができ、目的に応じて磁気特性や
電気抵抗等をコントロールすることができる。
積層する軟磁性薄膜(1)の膜厚は0.1〜1OIJl
lであることが望ましい。また非磁性FjlJIQ(2
)の膜厚は100〜5000人である。非磁性薄膜(2
)の膜厚が上記範囲よりも小さいと眉間の絶縁が不充分
なものとなり、また上記範囲よりも大きいと実質的に磁
性材料が占める割合が減ってしまって磁気特性が劣化す
る。
lであることが望ましい。また非磁性FjlJIQ(2
)の膜厚は100〜5000人である。非磁性薄膜(2
)の膜厚が上記範囲よりも小さいと眉間の絶縁が不充分
なものとなり、また上記範囲よりも大きいと実質的に磁
性材料が占める割合が減ってしまって磁気特性が劣化す
る。
なお、上記軟磁性薄膜(1)および非磁性薄膜(2)の
積層数は適宜選択すれば良い。
積層数は適宜選択すれば良い。
〔作用]
本発明の積層軟磁性薄膜においては、それ自体が高抵抗
で高周波特性の良好なヘテロアモルファス2相構造と、
高周波特性に対して有利な構造である積層構造の両者を
利用しているので、渦電流損失や磁壁移動による損失が
低減され、高周波特性の大幅な向上が達成される。
で高周波特性の良好なヘテロアモルファス2相構造と、
高周波特性に対して有利な構造である積層構造の両者を
利用しているので、渦電流損失や磁壁移動による損失が
低減され、高周波特性の大幅な向上が達成される。
以下、本発明を具体的な実施例により説明する。
なお、本発明がこれら実施例に限定解釈されるものでな
いことは言うまでもない。
いことは言うまでもない。
本例は、Fe−Co−BC系2相アモルファス膜とSi
O□膜を積層した積層軟磁性薄膜の例である。
O□膜を積層した積層軟磁性薄膜の例である。
フォトセラム基板上にスパック法によりFe−Co−B
C系2相アモルファス膜とSi0g膜を交互に堆積し、
積層構造とした。
C系2相アモルファス膜とSi0g膜を交互に堆積し、
積層構造とした。
2相アモルファス膜のスパッタ用ターゲットとしては、
直径100m、厚さ2閣の円板状のFe−Co合金ター
ゲットを用い、その上にB、C化合物板(5ttm X
5 m X 2閤に切断したもの、)を必要数だけな
らべた。
直径100m、厚さ2閣の円板状のFe−Co合金ター
ゲットを用い、その上にB、C化合物板(5ttm X
5 m X 2閤に切断したもの、)を必要数だけな
らべた。
この2相アモルファス膜のスパッタ条件は下記の通りで
ある。
ある。
スパッタ条件
RFマグネトロンスパッタ
極板間距離 40鴎Ari量
1 0
0 m5ccs+到達真空度
I Xl0−’Torr陽極電圧
2.2kV陽極電流
160mA一方、SiO□膜は、Si0gターゲットを
用いてやはりスパッタ法により成膜した。
1 0
0 m5ccs+到達真空度
I Xl0−’Torr陽極電圧
2.2kV陽極電流
160mA一方、SiO□膜は、Si0gターゲットを
用いてやはりスパッタ法により成膜した。
ここで磁性膜である2相アモルファス膜の膜厚は各4.
2μmとし、6層重ねた。眉間のSi0g膜の膜厚は、
3000人である。
2μmとし、6層重ねた。眉間のSi0g膜の膜厚は、
3000人である。
積層された2相アモルファス膜の膜組成を正確に測定す
ることは難しいが、(Fe、。Cos。)、。
ることは難しいが、(Fe、。Cos。)、。
(B C)to 〜(F e sac o 5o)so
(B C)zo程度である。
(B C)zo程度である。
得られた積層軟磁性薄膜を走査電子顕微鏡により観察す
ると、きれいな積層構造が確認された。
ると、きれいな積層構造が確認された。
そこで、この積層軟磁性薄膜の磁気特性、特に磁化曲線
(B−Hループ)を振動試料型(イ1力計(VSM)を
用いて測定した。結果を第3図に示す、得られた積層軟
磁性gtvの飽和磁束密度Bsは15000 (Gau
ss)、保磁力Hcは0.1 (Oe)であった。
(B−Hループ)を振動試料型(イ1力計(VSM)を
用いて測定した。結果を第3図に示す、得られた積層軟
磁性gtvの飽和磁束密度Bsは15000 (Gau
ss)、保磁力Hcは0.1 (Oe)であった。
これら値は2相アモルファスの単層膜のそれと何ら変わ
らず、積NWJとしても生栗な軟磁気特性が悪化するこ
とはないことがわかった。
らず、積NWJとしても生栗な軟磁気特性が悪化するこ
とはないことがわかった。
次に、得られた積層軟磁性薄膜の熱特性を調べた。すな
わち、積層軟磁性薄膜を加熱しその時の磁化Msの変化
を調べた。結果を第4図に示す。
わち、積層軟磁性薄膜を加熱しその時の磁化Msの変化
を調べた。結果を第4図に示す。
温度を次第に高くしていくと、磁化Msは次第に減少し
ていき、480°C付近でMs=Oになる。
ていき、480°C付近でMs=Oになる。
この点がキュリー点Tcであり、また本例では結晶化温
度Txでもあった。
度Txでもあった。
同様に、同じ組成を有する2相アモルファス単層膜の熱
特性を調べた結果が第4図である。単層膜においても同
様の変化が観察される。
特性を調べた結果が第4図である。単層膜においても同
様の変化が観察される。
これらB−Hループ及び熱特性を考え合わせると、磁性
膜である2相アモルファス膜は、単層膜でも積層膜でも
同じものであると推定される。
膜である2相アモルファス膜は、単層膜でも積層膜でも
同じものであると推定される。
そこでさらに、実効初透磁率の周波数特性を測定した。
第6図がその結果を示すもので、図中曲線Aが本実施例
の積層軟磁性薄膜の周波数特性を、曲線Bが2相アモル
ファス単層膜の周波数特性を示す。
の積層軟磁性薄膜の周波数特性を、曲線Bが2相アモル
ファス単層膜の周波数特性を示す。
その結果、ビデオヘッドのトラック幅程度になると、単
層膜の実効初i!iff率は周波数が高くなるのに伴っ
て次第に低下するのに対して、積N膜のそれはほとんど
劣化せず、高周波特性に大きな改善が見られることがわ
かった。
層膜の実効初i!iff率は周波数が高くなるのに伴っ
て次第に低下するのに対して、積N膜のそれはほとんど
劣化せず、高周波特性に大きな改善が見られることがわ
かった。
積層膜における実効初透磁率の優位性をさらに裏付ける
ために、膜厚8μmの2相アモルファス単層膜、各層4
μmの2層膜及び各層2μmの4層膜を成膜し、これら
の実効初透磁率の周波数特性を調べた。なお、2石膜及
び4層膜における中間膜は、やはり5ift膜とし、そ
の膜厚も3000人とした。
ために、膜厚8μmの2相アモルファス単層膜、各層4
μmの2層膜及び各層2μmの4層膜を成膜し、これら
の実効初透磁率の周波数特性を調べた。なお、2石膜及
び4層膜における中間膜は、やはり5ift膜とし、そ
の膜厚も3000人とした。
これら各層の実効初透磁率を比較すると、積層数が多く
なるにしたがって特に5MHz以上での実効初透磁率の
劣化が少なくなることが判明した。
なるにしたがって特に5MHz以上での実効初透磁率の
劣化が少なくなることが判明した。
[発明の効果]
以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
それ自体高抵抗を有し非常に大きな飽和磁束密度を有す
るヘテロアモルファス2相構造膜を主磁性膜とし、これ
を非磁性薄膜を介して積層構造としているので、高周波
特性が大幅に改善される。また、これによってヘテロア
モルファス2相構造膜の有する良好な軟磁気特性、特に
高飽和磁束密度が損なわれることもない。
それ自体高抵抗を有し非常に大きな飽和磁束密度を有す
るヘテロアモルファス2相構造膜を主磁性膜とし、これ
を非磁性薄膜を介して積層構造としているので、高周波
特性が大幅に改善される。また、これによってヘテロア
モルファス2相構造膜の有する良好な軟磁気特性、特に
高飽和磁束密度が損なわれることもない。
したがって、高周波特性と高飽和磁束密度を兼ね備えた
積層軟磁性薄膜を提供することが可能となり、ビデオテ
ープレコーダ用磁気ヘッドの磁性膜等においてその利用
価値は極めて大きい。
積層軟磁性薄膜を提供することが可能となり、ビデオテ
ープレコーダ用磁気ヘッドの磁性膜等においてその利用
価値は極めて大きい。
第1図は本発明を適用した積層軟磁性薄膜の概略構造を
示す要部拡大断面図であり、第2図はへテロアモルファ
ス2相構造を有する軟磁性薄膜の膜構造を示す模式図で
ある。 第3図は本発明を適用した積層軟磁性薄膜のB−[【ル
ープを示す特性図、第4図はその熱特性を示す特性図、
第5図は2相アモルファス単層膜の熱特性を示す特性図
、第6図は積層軟磁性薄膜の実効初透磁率の周波数特性
を2相アモルファス単層膜のそれと比較して示す特性図
である。 1・・・軟磁性薄膜(2相アモルファス膜)2・・・非
磁性薄膜
示す要部拡大断面図であり、第2図はへテロアモルファ
ス2相構造を有する軟磁性薄膜の膜構造を示す模式図で
ある。 第3図は本発明を適用した積層軟磁性薄膜のB−[【ル
ープを示す特性図、第4図はその熱特性を示す特性図、
第5図は2相アモルファス単層膜の熱特性を示す特性図
、第6図は積層軟磁性薄膜の実効初透磁率の周波数特性
を2相アモルファス単層膜のそれと比較して示す特性図
である。 1・・・軟磁性薄膜(2相アモルファス膜)2・・・非
磁性薄膜
Claims (1)
- M_xL_yJ_z(但しMはFe,Co,Niの少な
くとも1種を表し、L,JはそれぞれB,C,Siから
選ばれた互いに異なる元素を表す。またx,y,zはそ
れぞれ各元素の割合を原子%で表し、x+y+z=10
0、y+z≧10、x≠0、y≠0、z≠0である。)
なる組成を有しヘテロアモルファス2相構造を有する軟
磁性薄膜と非磁性薄膜とを積層したことを特徴とする積
層軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33532187A JPH01175707A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 積層軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33532187A JPH01175707A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 積層軟磁性薄膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01175707A true JPH01175707A (ja) | 1989-07-12 |
Family
ID=18287212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33532187A Pending JPH01175707A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 積層軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01175707A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03283514A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Amorphous Denshi Device Kenkyusho:Kk | 高透磁率を有する多層磁性薄膜の製造方法 |
US5935403A (en) * | 1996-05-28 | 1999-08-10 | Read-Rite Smi Corporation | Magnetic thin film and magnetic thin film manufacturing method |
JP2019527476A (ja) * | 2016-07-14 | 2019-09-26 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | インダクタ構造体およびインダクタ構造体を形成する方法 |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP33532187A patent/JPH01175707A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03283514A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Amorphous Denshi Device Kenkyusho:Kk | 高透磁率を有する多層磁性薄膜の製造方法 |
US5935403A (en) * | 1996-05-28 | 1999-08-10 | Read-Rite Smi Corporation | Magnetic thin film and magnetic thin film manufacturing method |
JP2019527476A (ja) * | 2016-07-14 | 2019-09-26 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | インダクタ構造体およびインダクタ構造体を形成する方法 |
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