JPH01165566A - ベンゼンスルホネート誘導体の製造方法 - Google Patents
ベンゼンスルホネート誘導体の製造方法Info
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- JPH01165566A JPH01165566A JP62326217A JP32621787A JPH01165566A JP H01165566 A JPH01165566 A JP H01165566A JP 62326217 A JP62326217 A JP 62326217A JP 32621787 A JP32621787 A JP 32621787A JP H01165566 A JPH01165566 A JP H01165566A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特開昭58−135850号に開示された抗
脂血症作用を有する一般式 (式中、R1はアルキル基又はアルコキシ基を示す。R
2は水素原子又はアルキル基を示す。ρは0〜3の整数
を示す。但し、R2がアルキル基である場合、シクロヘ
キサン環上の2つの置換基は、互いにトランスである。
脂血症作用を有する一般式 (式中、R1はアルキル基又はアルコキシ基を示す。R
2は水素原子又はアルキル基を示す。ρは0〜3の整数
を示す。但し、R2がアルキル基である場合、シクロヘ
キサン環上の2つの置換基は、互いにトランスである。
)で表わされる2−シクロへキシル−2−オキソエチル
ベンゼンスルホネート誘導体の製造方法に関する。
ベンゼンスルホネート誘導体の製造方法に関する。
従来の技術及びその問題点
特開昭58−135850号に開示されている上記一般
式(II)で表わされる化合物は、下記A法及びB法に
より合成されている。しかし、これらの方法では工程数
が多く、且つA法においては爆発性のあるジアゾメタン
を使用するため、実際的な工業的製法とするには問題が
あった。
式(II)で表わされる化合物は、下記A法及びB法に
より合成されている。しかし、これらの方法では工程数
が多く、且つA法においては爆発性のあるジアゾメタン
を使用するため、実際的な工業的製法とするには問題が
あった。
問題点を解決するための手段
本発明者等は、このような状況に鑑み、一般式(II)
で表わされる化合物の優れた工業的製法を鋭意検討した
結果、目的とする化合物(n)を化合物(I)から−工
程で収率良く、簡便にしかも安価に合成することができ
る方法、即ち工業的製法として有用な本発明の方法を見
出した。
で表わされる化合物の優れた工業的製法を鋭意検討した
結果、目的とする化合物(n)を化合物(I)から−工
程で収率良く、簡便にしかも安価に合成することができ
る方法、即ち工業的製法として有用な本発明の方法を見
出した。
本発明は、一般式
(式中、R2は前記に同じ。但し、R2がアルキル基で
ある場合、シクロヘキサン環上の2つの置換基は、互い
にトランスである。)で表わされる1−シクロへキシル
−1−エタノン誘導体に、p−トルエンスルホニルアジ
ドの存在下、一般式(式中、R1及びΩは前記に同じ。
ある場合、シクロヘキサン環上の2つの置換基は、互い
にトランスである。)で表わされる1−シクロへキシル
−1−エタノン誘導体に、p−トルエンスルホニルアジ
ドの存在下、一般式(式中、R1及びΩは前記に同じ。
)で表わされるベンゼンスルホン酸を反応させることを
特徴とする一般式 (式中、R1、R2及びQは前記に同じ。但し、R2が
アルキル基である場合、シクロヘキサン環上の2つの置
換基は、互いにトランスである。)で表わされる2−シ
クロへキシル−2−オキソエチルベンゼンスルホネート
誘導体の製造方法に係る。
特徴とする一般式 (式中、R1、R2及びQは前記に同じ。但し、R2が
アルキル基である場合、シクロヘキサン環上の2つの置
換基は、互いにトランスである。)で表わされる2−シ
クロへキシル−2−オキソエチルベンゼンスルホネート
誘導体の製造方法に係る。
上記−最大中R1、R2で表わされるアルキル基として
は、炭素数1〜6の直鎖状もしくは分枝状アルキル基、
例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、5ec−ブチル、tert−ブチル、
ペンチル、ヘキシル基等を挙げることができる。R1て
表わされるアルコキシ基としては、炭素数1〜4の低級
アルコキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、プロピルオ
キシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ基等を挙げる
ことができる。上記R1で表わされる各置換基は、ベン
ゼン環上の任意の位置に存在し得るものであり、1個で
ある必要はなく、2〜3個存在してもよい。またR2で
表わされる置換基は、シクロヘキシル基土の任意の位置
に存在し得るものであり、その立体配置は、トランス体
である。
は、炭素数1〜6の直鎖状もしくは分枝状アルキル基、
例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、5ec−ブチル、tert−ブチル、
ペンチル、ヘキシル基等を挙げることができる。R1て
表わされるアルコキシ基としては、炭素数1〜4の低級
アルコキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、プロピルオ
キシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ基等を挙げる
ことができる。上記R1で表わされる各置換基は、ベン
ゼン環上の任意の位置に存在し得るものであり、1個で
ある必要はなく、2〜3個存在してもよい。またR2で
表わされる置換基は、シクロヘキシル基土の任意の位置
に存在し得るものであり、その立体配置は、トランス体
である。
本発明の反応は、通常溶媒中で行なわれる。溶媒として
は、反応に関与しないものである限り、特に限定されな
いが、一般にジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等のエーテル類、アセトニトリル、クロロホルム、ジ
クロルメタン、ベンゼン等の非プロトン性溶媒が用いら
れる。好ましくは、ベンゼン、エーテル、テトラヒドロ
フランが適当である。
は、反応に関与しないものである限り、特に限定されな
いが、一般にジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等のエーテル類、アセトニトリル、クロロホルム、ジ
クロルメタン、ベンゼン等の非プロトン性溶媒が用いら
れる。好ましくは、ベンゼン、エーテル、テトラヒドロ
フランが適当である。
本発明の反応は、p−トルエンスルホニルアジド存在下
で行なわれる。その使用量としては、化合物(I)1モ
ルに対して1〜3.0モル、好ましくは1.5モルが適
当である。また、塩基及び/又はアシル化剤が存在する
ことで、さらに反応は有利に進行する。塩基としては、
特に限定されないが、一般にトリエチルアミン、ピリジ
ン、ルチジン、水素化ナトリウム、ナトリウムメトキシ
ド、カリウムt−ブトキシド等の有機塩基類、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム等の無機塩基類が用いられる。好ましくは、ナトリ
ウムメトキシド、カリウムt−ブトキシドが適当である
。該塩基の使用量としては、化合物(I)1モルに対し
て1〜3.0モル好ましくは1.5モルが適当である。
で行なわれる。その使用量としては、化合物(I)1モ
ルに対して1〜3.0モル、好ましくは1.5モルが適
当である。また、塩基及び/又はアシル化剤が存在する
ことで、さらに反応は有利に進行する。塩基としては、
特に限定されないが、一般にトリエチルアミン、ピリジ
ン、ルチジン、水素化ナトリウム、ナトリウムメトキシ
ド、カリウムt−ブトキシド等の有機塩基類、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム等の無機塩基類が用いられる。好ましくは、ナトリ
ウムメトキシド、カリウムt−ブトキシドが適当である
。該塩基の使用量としては、化合物(I)1モルに対し
て1〜3.0モル好ましくは1.5モルが適当である。
アシル化剤としては、ギ酸メチル、ギ酸エチル、シュウ
酸ジメチル、シュウ酸ジエチル等の炭素数1〜2の脂肪
酸の低級アルキルエステルが用いられる。好ましくは、
ギ酸メチル、シュウ酸ジメチルが適当である。該アシル
化剤の使用量としては、化合物 6(■)1モルに対
して1〜3.0モル好ましくは、1.5モルが適当であ
る。
酸ジメチル、シュウ酸ジエチル等の炭素数1〜2の脂肪
酸の低級アルキルエステルが用いられる。好ましくは、
ギ酸メチル、シュウ酸ジメチルが適当である。該アシル
化剤の使用量としては、化合物 6(■)1モルに対
して1〜3.0モル好ましくは、1.5モルが適当であ
る。
一般式(m)で示される各種ベンゼンスルホン酸の使用
量は、化合物(1)1モルに対して1〜6.0モル好ま
しくは3.0モルが適当である。
量は、化合物(1)1モルに対して1〜6.0モル好ま
しくは3.0モルが適当である。
本発明の反応の反応温度は、特に限定されるものではな
いが、−50〜+50℃好ましくは0〜+20℃におい
て有利に進行し、また反応時間も特に限定されないが、
通常5〜6時間以内に完結する。
いが、−50〜+50℃好ましくは0〜+20℃におい
て有利に進行し、また反応時間も特に限定されないが、
通常5〜6時間以内に完結する。
上記の方法で得られる目的化合物(II)は、通常公知
の分離精製手段、例えば再結晶、カラムクロマトグラフ
ィー等により単離、精製され得る。
の分離精製手段、例えば再結晶、カラムクロマトグラフ
ィー等により単離、精製され得る。
実施例
以下、実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明する
。
。
実施例12−トランス(4−イソブチルシクロヘキシル
)−2−オキソエチル ベン ゼンスルホネートの製造 トランス−1−アセチル−4−インブチルシクロヘキサ
ン5.46g (0,03モル)をテトラヒドロフラン
20或に溶解し、水冷下、ナトリウムメトキシド2.4
3g (0,045モル)及びギ酸メチル2.7g (
0,045モル)を加え、2時間攪拌した。次いで、p
−トルエンスルホニルアジド8.87g (0,045
モル)を加え1時間攪拌後、ベンゼンスルホン酸14.
22g(0,09モル)を加え、2時間攪拌した。さら
にベンゼン50mQ及び水50或を加え、有機層を分取
し、水洗後溶媒を留去した。残渣を一20℃に冷却後、
石油エーテルを加え結晶化させ滑集した。得られた結晶
を、エタノールで再結晶することにより、2−トランス
(4−イソブチルシクロヘキシル)−2−オキソエチル
ベンゼンスルホネート7.0g(収率69.0%)を
得た。融点50〜51℃であった。
)−2−オキソエチル ベン ゼンスルホネートの製造 トランス−1−アセチル−4−インブチルシクロヘキサ
ン5.46g (0,03モル)をテトラヒドロフラン
20或に溶解し、水冷下、ナトリウムメトキシド2.4
3g (0,045モル)及びギ酸メチル2.7g (
0,045モル)を加え、2時間攪拌した。次いで、p
−トルエンスルホニルアジド8.87g (0,045
モル)を加え1時間攪拌後、ベンゼンスルホン酸14.
22g(0,09モル)を加え、2時間攪拌した。さら
にベンゼン50mQ及び水50或を加え、有機層を分取
し、水洗後溶媒を留去した。残渣を一20℃に冷却後、
石油エーテルを加え結晶化させ滑集した。得られた結晶
を、エタノールで再結晶することにより、2−トランス
(4−イソブチルシクロヘキシル)−2−オキソエチル
ベンゼンスルホネート7.0g(収率69.0%)を
得た。融点50〜51℃であった。
IH核磁気共鳴スペクトル(TMS内部標準、CDCR
3中) δppm; 7、42〜8. 10 (5H,m)、4.64 (2
H,s)、 2.48 (IH,t t、J=4゜ 12Hz)、 0.64〜2.00 (12H,m)、0.84 (6
H,d) 実施例22−)ランス(4−エチルシクロヘキシル)−
2−オキソエチル ベンゼン スルホネートの製造 トランス−1−アセチル−4−エチルシクロヘキサン4
.62g (0,03モル)をエーテル20mQに溶解
し、室温にてナトリウムメトキシド2.43g (0,
045モル)及びシュウ酸ジメチル5.31g (0,
045モル)を加え、3時間攪拌した。次いで、p−ト
ルエンスルホニルアジド8.87g (0,045モル
)を加え1時間攪拌後、ベンゼンスルホン酸14.22
g(0,09モル)を加え、2時間攪拌した。引続く操
作は実施例1の如く行ない、2−トランス(4−エチル
シクロヘキシル)−2−オキソエチル ベンゼンスルホ
ネート5.69g (収率61.2%)を得た。融点5
8〜59℃であった。
3中) δppm; 7、42〜8. 10 (5H,m)、4.64 (2
H,s)、 2.48 (IH,t t、J=4゜ 12Hz)、 0.64〜2.00 (12H,m)、0.84 (6
H,d) 実施例22−)ランス(4−エチルシクロヘキシル)−
2−オキソエチル ベンゼン スルホネートの製造 トランス−1−アセチル−4−エチルシクロヘキサン4
.62g (0,03モル)をエーテル20mQに溶解
し、室温にてナトリウムメトキシド2.43g (0,
045モル)及びシュウ酸ジメチル5.31g (0,
045モル)を加え、3時間攪拌した。次いで、p−ト
ルエンスルホニルアジド8.87g (0,045モル
)を加え1時間攪拌後、ベンゼンスルホン酸14.22
g(0,09モル)を加え、2時間攪拌した。引続く操
作は実施例1の如く行ない、2−トランス(4−エチル
シクロヘキシル)−2−オキソエチル ベンゼンスルホ
ネート5.69g (収率61.2%)を得た。融点5
8〜59℃であった。
1H核磁気共鳴スペクトル(TMS内部標準、CDCΩ
3中) δppm; 7.80〜8.10 (2H,m)、 7.40〜7.80 (3H,m)、 4.65 (2H,s)、 2、64 (IH,broad )、 1.00〜2.00 (11H,m)、0.84 (3
H,t) 実施例32−トランス(4−イソプロピルシクロヘキシ
ル)−2−オキソエチル 4 −エトキシベンゼンスルホネートの製 造 トランス−1−アセチル−4−イソプロピルシクロヘキ
サン5.04g (0,03モル)をベンゼン2011
1Qに溶解し、水冷下、カリウムt−ブトキシド5.0
4g (0,045モル)及びシュウ酸ジエチル6.5
7g (0,045モル)を加え、1時間攪拌した。次
いで、p−トルエンスルホニルアジド8.87g (0
,045モル)を加え1時間攪拌後、4−エトキシベン
ゼンスルホン酸18.18g (0,09モル)を加え
、2時間攪拌した。引続く操作は実施例1の如く行ない
、2−トランス(4−イソプロピルシクロヘキシル)−
2−オキソエチル 4−エトキシベンゼンスルホネート
6.07g (収率55%)を得た。融点80〜81℃
であった。
3中) δppm; 7.80〜8.10 (2H,m)、 7.40〜7.80 (3H,m)、 4.65 (2H,s)、 2、64 (IH,broad )、 1.00〜2.00 (11H,m)、0.84 (3
H,t) 実施例32−トランス(4−イソプロピルシクロヘキシ
ル)−2−オキソエチル 4 −エトキシベンゼンスルホネートの製 造 トランス−1−アセチル−4−イソプロピルシクロヘキ
サン5.04g (0,03モル)をベンゼン2011
1Qに溶解し、水冷下、カリウムt−ブトキシド5.0
4g (0,045モル)及びシュウ酸ジエチル6.5
7g (0,045モル)を加え、1時間攪拌した。次
いで、p−トルエンスルホニルアジド8.87g (0
,045モル)を加え1時間攪拌後、4−エトキシベン
ゼンスルホン酸18.18g (0,09モル)を加え
、2時間攪拌した。引続く操作は実施例1の如く行ない
、2−トランス(4−イソプロピルシクロヘキシル)−
2−オキソエチル 4−エトキシベンゼンスルホネート
6.07g (収率55%)を得た。融点80〜81℃
であった。
1H核磁気共鳴スペクトル(TMS内部標準、CD C
A a中) δppmニ ア、85 (2H,d)、 6.99 (2H,d)、 4.58 (2H,s)、 4.11 (2H,q)、 2.48 (IH,t t、J−4゜ 12Hz)、 0.95〜2.00 (IOH,m)、1.45 (3
H,t)、 0.86 (6H,d) 実施例4〜8 下記第1表に示す化合物(II)を、実施例1と同様の
条件で反応させて、第1表の通りの結果を得た。
A a中) δppmニ ア、85 (2H,d)、 6.99 (2H,d)、 4.58 (2H,s)、 4.11 (2H,q)、 2.48 (IH,t t、J−4゜ 12Hz)、 0.95〜2.00 (IOH,m)、1.45 (3
H,t)、 0.86 (6H,d) 実施例4〜8 下記第1表に示す化合物(II)を、実施例1と同様の
条件で反応させて、第1表の通りの結果を得た。
第 1 表
(以 上)
Claims (2)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_2は水素原子又はアルキル基を示す。但し
、R_2がアルキル基である場合、シクロヘキサン環上
の2つの置換基は、互いにトランスである。)で表わさ
れる1−シクロヘキシル−1−エタノン誘導体に、p−
トルエンスルホニルアジドの存在下、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1はアルキル基又はアルコキシ基を示す。 lは0〜3の整数を示す。)で表わされるベンゼンスル
ホン酸を反応させることを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1、R_2及びlは前記に同じ。但し、R
_2がアルキル基である場合、シクロヘキサン環上の2
つの置換基は、互いにトランスである。)で表わされる
2−シクロヘキシル−2−オキソエチルベンゼンスルホ
ネート誘導体の製造方法。 - (2)塩基及び/又はアシル化剤の存在下、反応を行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の、2−
シクロヘキシル−2−オキソエチルベンゼンスルホネー
ト誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62326217A JPH01165566A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | ベンゼンスルホネート誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62326217A JPH01165566A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | ベンゼンスルホネート誘導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01165566A true JPH01165566A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18185298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62326217A Pending JPH01165566A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | ベンゼンスルホネート誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01165566A (ja) |
-
1987
- 1987-12-23 JP JP62326217A patent/JPH01165566A/ja active Pending
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